JPS5837725B2 - 弾性表面波パラメトリック装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は可変周波数選択装置として作用させる弾性表面
波パラメトリック装置に関するもので、ポンプ電極を複
数個に分割させるとともに、こ乙を弾性表面波の伝播方
向に沿って配列させ、各ポンプ電極に所望の周波数特性
に対応させたそれぞれ異なる値のポンプ電圧を印加する
ことにより、前記可変周波数選択装置の周波数特性を所
望通りに設計し得るようにしたパラメトリック装置に係
るものである。

本出願人は先に特願昭５２−１０７２７１号等で開示し
たように、第１図に示すような可変周波数選択機能を備
えた弾性表面波装置を発明した。

第１図において符号１は半導体基板にして、この半導体
基板１上に絶縁膜２および圧電体層３を順次積層させ、
さらにこの圧電体層３上に直流バイアス電圧ならびにポ
ンプ電圧を印加するための方形状のポンプ電極４、およ
び入・出力トランスジューサ５，６をそれぞれ配設した
ものである。

符号７は直流バイアス印加用の直流電源、８は交流阻止
用のインダクタ、９はポンプ電圧印加用の高周波電源、
１０は直流阻止用のコンデンサであって、さらに１１，
１２は端面において不要な弾性表面波が反射するのを防
止するための弾性表面波吸収材である。

そしてポンプ電極４に直流電源７から直流バイアス電圧
を印加し、このポンプ電極４直下の半導体基板１表面部
に適宜の空間電荷層容量を生じさせ、さらに高周波電源
９から選択希望中心周波数ｆｏの２倍の周波数２ｆｏの
ポンプ電圧を同じくポンプ電極４に印加し、前記の空間
電荷層容量を周波数２ｆｏで励振して、この空間電荷層
容量を周波数２ｆｏで変化させる。

一方、広帯域性の入力トランスジュ―サ５に電気信号を
入力させると、この入力電気信号は弾性表面波信号に変
換されて圧電体層３の表面を第１図において入力トラン
スジューサ５の左右に向けて伝播する。

そして右方に伝播する弾性表面波入力信号１３のうちで
周波数ｆ。

近傍の信号戊分がポンプ電極４下方部の動作領域を伝播
していく過程で、その圧電ポテンジャルが半導体基板１
表面の空間電荷層容量非線形効果によりポンプ電圧とパ
ラメトリック相互作用を生じて増幅され、この増幅され
た弾性表面波信号１４が出力トランスジューサ６により
再び電気信号に変換されて外部に出力される。

またこれと同時にポンプ電極４から図の左方に向けて、
弾性表面波入力信号１３の大きさに対応した周波数ｆｉ
（ ｆｉ ＝ ２ ｆ Ｏ−ｆｓ， ｆｓ：入力信号
の周波数）の弾性表面波信号１５が発生する。

この弾性表面波信号１５も出力信号として適宜に外部に
出力させることができる。

ここで上記の各出力弾性表面波信号１４．１５の周波数
特性を、入力信号１３の大きさを１として示したのが第
２〜３図であって、第２図はポンプ電圧が比較的小さい
場合、第３図はポンプ電圧が比較的大きい場合をそれぞ
れ示したものである。

上記の両図に示すように、方形状のポンプ電極４を備え
た弾性表面波装置においては、選択希望中心周波数ｆ。

における出力を定めたとき、信号通過帯域のレスポンス
、およびスプリアスレスポンスはほぼ決ってしまう。

このため従来の弾性表面波装置は周波数選択装置として
使用する場合に、周波数特性の設計の自由度が極めて少
なく、またスプリアスレスポンスの太きさも実用上十分
に小さいとは云えないものであった。

ここにおいて本発明は周波数選択装置として使用する上
において、信号通過帯域のレスポンスを仕様に合わせ得
るとともに、スプリアスレスポンスを実用上支障のない
程度にまで減少させ得るよウニした弾性表面波パラメト
リック装置を提供しようとしたものである。

即ち本発明は次のような理論のもとになされたものであ
る。

いま一般的な電気回路理論によれは、線形回路の出力周
波数特性は、入力端にインパルスを印加したときの出力
端の時間応答（時間変化）をフーリエ変換することによ
り求められる。

したがって、逆に所望の周波数特性とフーリエ変換の関
係にある時間応答を求め、この時間応答とインパルス応
答とが等しくなるように線形回路を構戊すれば当該所望
の周波数特性を有する出力信号が得られる。

ここで上記の理論を、前記した従来例たる第１図の装置
に適用した場合について、第４図Ａ〜第７図Ｂを参照し
てさらに具体的に説明すると次のとおりである。

いま第１図に示す弾性表面波パラメトリック装置におい
て、パラメトリック相互作用を余り強くない状態に設定
して、入力トランスジューサ５に第４図Ａに示すような
継続時間をＯとした理想的なインパルスｅ１を時間１＝
０で入力させたとする。

このときポンプ電極４から左右に向けて出力される２つ
の弾性表面波信号出力のうち、入力弾性表面波１３と逆
方向に進行する出力信号１５（周波数ｆｉ）についての
時間応答■１をとると第４図Ｂに示すものが得られる。

ここで第４図Ｂ中、時間ｔ１とは弾性表面波信号が入力
トランスジューサ５とポンプ電極４における前端４′と
の間を往復するのに要する時間であり、また時間ｔ２と
は弾性表面波信号が入力トランスジューサ５とポンプ電
極４における後端４“との間を往復するのに要する時間
を示している。

上記の入力インパルスｅ１と、出力時間応答■１とをさ
らに詳しく説明すると、理想的なインパルスｅ１中には
無限の周波数或分が含まれている。

このインパルスｅ１が入力トランスジューサ５から入力
されると、上記の周波数成分のうち（ポンプ周波数を２
ｆｏとしたとき）周波数ｆ。

近傍の信号或分のみが主にパラメトリック相互作用を受
けて入力弾性表面波１３と逆方向に進行する後退波弾性
表面波信号１５として出力される。

この出力信号における周波数或分をＡＭ検波したときの
エンベローブが第４図Ｂに示す出力時間応答Ｉ１である
。

一方、インパルスｅ１に代えて、入力トランスジューサ
５に第５図Ａに示すような周波数ｆ。

を含む振幅一定の信号ｅ２を印加したときの後退波弾性
表面波出力信号１５の周波数スペクトル１５ｃを示した
のが第５図Ｂである。

因みにこの第５図Ｂの周波数スペクトル１５ｃは前記第
２図中符号？５ａで示す出力周波数特性に対応する。

ここで上記の周波数スペクトル１５Ｃは、前記の時間応
答■１をフーリエ変換したものに相当する。

そこで、いま仮りに第５図Ｂに示す周波数スペクトル１
５Ｃが、所望の周波数特性であるとすると、これとフー
リエ変換の関係にあるのが第４図Ｂに示す時間応答■１
であって、この時間応答■１を呈する線形回路、即ち弾
性表面波パラメトリック装置が第１図に示した方形状の
ポンプ電極４を備えた装置なのである。

しかし上記の理想的インパルスｅ１は実際には実現不可
能である。

そこでこれに代えて第６図Ａに示すようなキャリア周波
数ｆ。

、継続時間ｔ（ １＜１２−１１）のＲＦパルスｅ１′
を用いる。

このとき後退波出力信号１５についての時間応答■１′
は第６図Ｂに示すものが得られ、これをＡＭ検波したと
きのエンベローブは前記第４図Ｂに示したものと殆んど
同じである。

因みに第６図Ｂに示す時間応答出力信号■１′のキャリ
ア周波数はｆｉ ＝ ２ ｆｏ− ｆｏ＝ ｆである。

また前記の第５図Ａの振幅一定の信号ｅ２についても、
実際の信号ｅ２′には第７図Ａに示すように中心周波数
ｆ。

から離れた周波数において振幅の減衰傾向がみられる。

しかし、このような信号ｅ２′をトランスジューサ５か
ら入力させた場合にも、後退波出力信号の周波数スペク
トル１５０′は第７図Ｂに示したものが得られる。

この周波数スペクトル１５ｃ′は、前記の第５図Ｂに示
したものと殆んど同じである，したがって所望周波数特
性の弾性表面波パラメトリック装置の設計（パラメトリ
ック相互作用領域部の設計）に当っては、実際にはイン
パルスおよび振幅一定の信号として第６図Ａおよび第７
図Ａに示した信号をそれぞれ用いる。

次に上記の如き技術的手法に基いてなされた本発明を図
の実施例を参照して具体的に説明する。

なお以下の図において前記第１図と共通する部材につい
ては、前記と同一の符号を附すものとする。

第８図において符号１は一例としてシリコン（Ｓｉ）材
料により形威した半導体基板にして、この半導体基板１
上に絶縁膜２および圧電体層３を順次積層させて積層体
を形或する。

絶縁膜２は半導体基板１表面の安定化膜として作用させ
るもので、一例として２酸化シリコン膜（ Ｓ ｉ０２
）で形或する。

また圧電体層３は酸化亜鉛（ＺｎＯ’）、または窒化ア
ルミニウム（ＡＩ，Ｎ）等の圧電体材料により形成する
。

次いで図における上記積層体上の左右両端部近傍に入力
トランスジューサ５および出力トランスジューサ６をそ
れぞれ配設する。

この人・出力トランスジューサ５，６は十分に広帯域特
性を有するように形成する。

そして上記の入力トランスジューサ５と出力トランスジ
ューサ６との間における弾性表面波の伝播路上に、分割
させた複数個のポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・を、当該弾
性表面波の伝播方向に沿って配列させる。

各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・は一例として図示のよう
に長方形状に形威させ、この長方形における各長辺部を
平行させて配列するものであるが、その分割数、形状寸
法、および各電極間の間隙長等はそれぞれに印加する各
ポンプ電圧値とも一体に相まって、所望の出力周波数特
性に対応させて選択する。

次いで上記の各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・に、それぞ
れ異なる容量値からなるコンデンサＣ１，Ｃ２・・・を
接続し、さら（ごこの各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・の
他端をポンプ電圧印加用の高周波電源（ポンプ電源）９
に共通に接続する。

而して各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・における高周波電
圧降下を異ならせ、各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・にそ
れぞれ異なる値のポンプ電圧を印加し得るようになす。

因みに各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・は直流阻止用コン
デンサとしての作用も兼ねさせる。

第９図は上記各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・の具体的配
設態様の一例を示すもので、この事例は各コンデンサＣ
１，Ｃ２・・・を薄膜コンデンサで形威させ、この薄膜
コンデンサを圧電体層３上、即ち各ポンプ電極の配設面
と同一平面上に集積させたものである。

同図において符号１６は誘電体層薄膜、１７は上部電極
であって、下部電極１ ８ ． １ ８’・・・の面積
をそれぞれ変えることにより、各コンデンサＣ１，Ｃ２
・・・の容量値を異ならせる。

第８図において符号Ｌ１，Ｌ２・・・は交流阻止用のイ
ンダクタ、７は直流バイアス印加用の直流電源１１．１
２は端面において不要な弾性表面波が反射するのを防止
するための弾性表面波吸収材である。

なお各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・に印加するポンプ電
圧値調整用の素子は、コンデンサに限らず、インダクタ
Ｌ１または抵抗Ｒ等の他のインピーダンス素子であって
もよく、この場合には、第８図におけるコンデンサＣ１
，Ｃ２・・・は直流阻止用として作用させ、これらの各
コンデンサＣ１，Ｃ２・・・にそれぞれインピーダンス
値の異なるインダクタＬ１または抵抗Ｒを直列に介在さ
せる。

次に前述の技術的手法に基いてパラメトリック相互作用
領域部、つまり各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・に印加す
るポンプ電圧値を設計する手順について説明する。

いま所望の周波数特性を第１０図に示すようなバンド幅
Ｂの理想的なバンドパスフィルタとする。

このときこの周波数特性Ｅ２とフーリエ変換の関係にあ
る時間応答■２を求めると、第１１図に示すようなｓｉ
ｎ ｘ ／ ｘ形の図において左右に無限に広がったも
のになる。

ここでインパルスｅ１によって発生する弾性表面波出力
信号ＳＡＷ３の大きさは、パラメトリック相互作用領域
の強さと関係し、さらにこのパラメトリック相互作用の
強さを決定する主要因の一つにポンプ電圧の大きさがあ
る。

したがって他の条件を一定としたとき、ポンプ電圧を異
ならせればパラメトリック相互作用の強さが異なってイ
ンパルスｅ１によって発生する弾性表面波出力信号ＳＡ
Ｗ３の大きさも異なるのである。

そして各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・に印加するポンプ
電圧の大きさに対応させてインパルス応答の大きさを変
化させるに当り、前記第８図の事例のようにポンプ電源
９の電圧を一定としてコンデンサの容量値（インピーダ
ンス値）を変化させて、これを行なう場合には、ポンプ
電源９とポンプ電極とが電気的に疎結合で、且つパラメ
トリック相互作用が比較的弱い場合、コンデンサの容量
値の２乗とインパルス応答とはほぼ比例する。

したがって前記の時間応答■２とインパルス応答とを等
しくするためには、各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・に接
続させたコンデンサＣ１，Ｃ２・・・の容量値を、時間
応答■２の波形に対応させてそれぞれ異ならしめればよ
い。

しかるに理想的なバンドパスフィルタ（第１０図）に対
応させるためには第１１図の波形■２と同様に、ポンプ
電極Ｍ１，Ｍ２・・・群を左右方向に無限に配設して、
この無限の位置にまでパラメトリック相互作用領域を生
じさせなければならない。

このため積層体の形状寸法もこれに合わせて増大させな
ければならないので実用上問題が生ずる。

このためフィルタ特性（周波数選択特性）は、実用上支
障のない程度に多少犠性にした上でポンプ電極配設数お
よびこれに接続した各コンデンサの容量値を装置に適用
する上において最適になるように設計しなければならな
い。

そこで実用性を加味させたパラメトリック相互作用領域
、云い換えればポンプ電極の配設数およびこれに接続し
た各コンデンサの容量値の設計例を次に述べる。

第１２図は前記第１１図のｓｉｎ Ｘ ／ Ｘ形の時間
応答のうち、一π＜ｘ＜π以外の波形部分を取り去った
形に対応したインパルス応答■３を示したもので、この
インパルス応答■３に対応させて各ポンプ電極Ｍ， ，
Ｍ２・・・に接続した各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・
の容量値を示したのが第１３図である。

この第１３図の事例ではポンプ電極数は６個としたもの
である。

このポンプ電極の配設数（分割数）は実用上可能な限り
において犬とした方がより一層正確にインパルス応答に
対応させることができる。

そして上記の第１３図に示したようなポンプ電極数およ
びこれに接続した各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・の容量
設定値を第８図の装置に適用したとき、弾性表面波出力
信号ＳＡＷ３についての周波数特性は第１４図に示す如
き所望のものが得られる。

この周波数特性Ｅ３を前記第１０図に示した理想的なバ
ンドパスフィルタＥ２と比較したとき、フィルタの肩特
性において劣化がみられるが、第２図等に示した従来例
のそれと比較するとスプリアスレスポンスは実用上差支
えない程度に顕著に減少している。

したがって第１３図に示す各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・
・に接続した各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・の容量値設
定態様は、所望の周波数特性Ｅ３を生じさせる弾性表面
波パラメトリック装置の容量値設定態様として適用する
ことができる。

次に第１５図、第１６図は各コンデンサＣ１，Ｃ２・・
・の容量値設定等の他の設計事例を示すもので、この事
例においては所望の周波数特性をｅ−２“２７ｒ２ｆ２
のガウス関数形のものとし、これとフーリエ変換の関係
にある時間応答■４とインパルス応答とが等しくなるよ
うな各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・の容量設定値を示し
たものである。

この事例においても理想的なバンドパスフィルタの特性
Ｅ２と比較したとき、フィルタの肩特性においてやや劣
化がみられるが、スプリアスレスポンスが除去され、ま
たポンプ電極のＭ１，Ｍ２・・・の配設数等においても
実用し得る範囲に設定し得るものであり、第８図の弾性
表面波パラメトリック装置のポンプ電極として適用し得
るものである，上記した第１２図〜第１７図について述
べた２つの設計事例は、倒れもパラメトリック相互作用
が比較的弱い場合についてのものである。

パラメトリック相互作用の大きい場合には、インパルス
応答と各コンデンサＣ１，Ｃ２・・・の容量値設定態様
が、パラメトリック相互作用の弱い場合と比較してやや
ずれてくる。

しかし、このずれの効果を考慮に入れて行えば、パラメ
トリック相互作用の大きい場合にも前記の設計事例とほ
ぼ同様にして所望の周波数特性が得られる各コンデンサ
の容量値を設定し得るものである。

また以上の各設計事例は倒れも弾性表面波出力として第
８図中符号ＳＡＷ３で示す後退波出力をとり出す場合に
ついて述べたが、入力弾性表面波ＳＡＷ１と同方向の出
力波である符号ＳＡＷ２ の弾性表面波をとり出す場合
についても同様に設計し得るものである。

ただし符号ＳＡＷ２の弾性表面波については、パラメト
リックス相互作用を生じない周波数の信号戊分が変化を
受けずにそのまま出力されるためスプリアスレスポンス
についての改善効果がやや少なくなる。

本発明の実施例たる弾性表面波パラメトリック装置は上
述のように構成され以下のよう（こ動作する。

まず各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・・に直流電源７から適
宜値の直流バイアス電圧を印加し、各ポンプ電極Ｍ１，
Ｍ２・・・直下の半導体基板１の表面部に適宜の空間電
荷層容量を生じさせ、さらに高周波電源９から所望の周
波数選択帯域における中心周波数ｆｏの２倍の周波数２
ｆｏのポンプ電圧を同じく各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・・
・に印加し、前記の空間電荷層容量を周波数２ｆｏで励
振して、この空間電荷層容量を周波数２ｆｏで変化させ
る。

一方、広帯域性の入力トランスジューサ５に印加された
入力電気信号は、弾性表面波に変換されて圧電体層３の
表面を第８図において入力トランスジューサ５の左右に
向けて伝播する。

そして右方に伝播する弾性表面波入力信号ＳＡＷ１のう
ちで周波数ｆ。

近傍の信号威分がポンプ電極群Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３・・・
下方部のパラメトリック相互作用領域を伝播していく過
程で、その圧電ポテンシャルが半導体基板１表面の空間
電荷層容量非線形効果によりポンプ電圧とパラメトリッ
ク相互作用を生じて増幅され、出力弾性表面波が第８図
においてポンプ電極群Ｍ１，Ｍ２・・・部から左右に向
けて発生する。

そして入力弾性表面波ＳＡＷ１と同方向に進行する出力
弾性表面波ＳＡＷ２は出力トランスジューサ６により再
び電気信号に変換されて外部に出力される。

一方、入力弾性表面波Ｓ ＡＷ１と逆方向に進行する出
力弾性表面波ＳＡＷ３は、入力トランスジューサ５を兼
用させるか、もしくは他の適宜の手段（例えば本出願人
が特願昭５４−６４９２３号等で開示したようなマルチ
ストリップカプラを配設した出力手段）によって同じく
電気信号として外部にとり出すことができる。

このように逆方向に進行する弾性表面波ＳＡＷ３を出力
として取り出すのであれば、入力トランスジューサ５お
よび出力トランスジューサ６のうち少なくとも入力トラ
ンスジューサ５のみを配設して、これを入出力兼用のト
ランスジューサとさせることもできる。

そして上記のように弾性表面波ＳＡＷ２およびＳＡＷ３
が出力される過程において、パラメトリック相互作用領
域形成部のポンプ電極が分割され、この分割した各ポン
プ電極Ｍ１，Ｍ２・・・に接続した各コンデンサＣ１，
Ｃ２・・・の容量値を、当該各ポンプ電極Ｍ１，Ｍ２・
・・に所望の周波数特性に対応したポンプ電圧がそれぞ
れ印加されるように設定してあるので、入力弾性表面波
ＳＡＷ１のうち、この所望の周波数特性に対応した周波
数の信号或分のみが当該弾性表面波ＳＡＷ２またはＳＡ
Ｗ３として選択的に出力される。

即ち、一例として入力弾性表面波ＳＡＷ１ と逆方向の
出力弾性表面波ＳＡＷ３については、前記の第１４図ま
たは第１７図に示したような所望の周波数特性を有する
信号として出力され、当該弾性表面波パラメｌ− ＩＪ
ツク装置は所望の帯域通過フィルタとして機能するので
ある。

また入力弾性表面波ＳＡＷ１と同方向の出力弾性表面波
ＳＡＷ２については、スプリアスレスポンスの点で上記
の出力弾性表面波ＳＡＷ３よりも劣るが、上記と同様に
して所望の周波数特性を有する信号として出力される。

以上詳述したように本発明によればポンプ電極を弾性表
面波の伝播方向に沿って複数個に分割させ、この各ポン
プ電極に印加するポンプ電圧の値を、出力弾性表面波の
所望の周波数特性に対応させてそれぞれ異ならしめたか
ら、弾性表面波パラメトリック装置を可変周波数選択装
置（帯域通過フィルタ）として用いる場合、その出力周
波数特性を仕様に合わせて所望通りに設計できるという
極めて優れた効果を発揮する。

また上記の効果に加えて、弾性表面波パラメトリック装
置が本質的に備えている効果、即ち広い周波数範囲に亘
って可変同調特性を有する点、出力中心周波数の安定度
は外部のポンプ電源の安定度で決定される点、およびＳ
／Ｎが良好である点などの諸種の効果を併せ有せしめる
ことができ、可変周波数選択装置として使用する上にお
いて極めて優れた弾性表面波パラメトリック装置を提供
し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を示す斜視図、第２図および第３図は同
上の出力周波数特性を示す特性図で第２図はパラメｌ−
ＩＪツク相互作用が比較的弱い場合、第３図はパラメ
トリック相互作用が比較的大きい場合をそれぞれ示す、
第４図Ａはパラメトリック相互作用領域部の設計に使用
する理想的インパルスを示す波形図、第４図Ｂは同上イ
ンパルスを第１図の装置に適用したときの時間応答の一
例を示す特性図、第５図Ａは理想的入力弾性表面波の周
波数特性図、第５図Ｂは同上入力弾性表面波を第１図の
装置に適用したときの後退波弾性表面波出力の周波数ス
ペクトルを示す特性図、第６図Ａは第４図Ａに代えて実
用するＲＦパルスの一例を示す波形図、第６図Ｂは同上
ＲＦパルスを第１図の装置に適用したときの時間応答の
一例を示す特性図、第７図Ａは第５図Ａに代えて実用す
る入力弾性表面波の周波数特性図、第７図Ｂは同上入力
弾性表面波を第１図の装置に適用したときの後退波弾性
表面波出力の周波数スペクトルを示す特性図、第８図は
本発明の実施例たる弾性表面波パラメトリック装置を示
す図で積層体部は斜視図を以って示す、第９図は同上装
置におけるコンデンサ群を積層体上に一体に集積させた
一例を示す拡大斜視図で一部を省略して示す、第１０図
は理想的なバンドパスフィルタの周波数特性を示す特性
図、第１１図は同上特性とフーリエ変換の関係にある時
間応答を示す特性図、第１２図は第１１図の特性のうち
−π＜ｘ＜π以外の波形部分を取り去った形のインパル
ス応答を示す特性図、第１３図は同上インパルス応答に
対応させた各コンデンサの容量値設定例を示す設定曲線
図、第１４図は同上の設定例を第８図に適用したときの
出力周波数特性の一例を示す特性図、第１５図は本発明
に適用するインパルス応答の他の例を示す特性図、第１
６図は同上のインパルス応答に対応させた各コンデンサ
の容量値設定例を示す設定曲線図、第１７図は同上の設
定例を第８図に適用したときの出力周波数特性を示す特
性図である。 １：半導体基板、２：絶縁膜、３：圧電体層、５：人カ
トランスジューサ、６：出力トランスジューサ、９：高
周波電源、１１，１２：弾性表面波吸収材、１６：誘電
体薄膜、１７：上部電極、１８．１８’：下部電極、Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３・・・：コンデンサ、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３
・・・：インダクタンスＭ１，Ｍ２，Ｍ３・・・：ポン
プ電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体と圧電体とを備えた積層体における当該圧電
   体上に、入力トランスジューサおよび出力トランスジュ
   ーサのうちの少なくとも入力トランスジューサと、複数
   個のポンプ電極とを配夕１ル、該ポンプ電極のそれぞれ
   に出力弾性表面波の所望の周波数特性に対応してそれぞ
   れ値を異ならせたインピーダンス素子を各別に介してポ
   ンプ電圧印加用の高周波電源を接続し、さらに前記ポン
   プ電極のそれぞれには直流バイアス電圧印加用の直流電
   源を別途に接続したことを特徴とする弾性表面波パラメ
   トリック素子。 ２ 各ポンプ電極は長方形状に形威し、この長方形状の
   ポンプ電極における各長辺部を平行させて配列した特許
   請求の範囲第１項記載の弾性表面波パラメトリック装置
   。 ３ インピーダンス素子をコンデンサとした特許請求の
   範囲第１項または第２項記載の弾性表面波パラメトリッ
   ク装置。 ４ 複数個のコンデンサを薄膜コンデンサで形或し、こ
   の薄膜コンデンサを各ポンプ電極の配設面と同一平面上
   に集積した特許請求の範囲第３項記載の弾性表面波パラ
   メトリック装置。