JPS5837842A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5837842A JPS5837842A JP56135703A JP13570381A JPS5837842A JP S5837842 A JPS5837842 A JP S5837842A JP 56135703 A JP56135703 A JP 56135703A JP 13570381 A JP13570381 A JP 13570381A JP S5837842 A JPS5837842 A JP S5837842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coercive force
- magnetic recording
- substrate
- recording medium
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒
体の製造方法に関し、特に斜方蒸着の工業化の問題解決
を目指すものである。
体の製造方法に関し、特に斜方蒸着の工業化の問題解決
を目指すものである。
磁気記録は高密度化の要求に対して、磁気記録媒体の抗
磁力を大きくすることで対応してきたが、記録信号のよ
り短波長化が進むに従って、磁化されるのは、媒体の表
面近くだけになるため、抗磁力の増大のみでは出力を大
きくできず、飽和磁束密度の大きい材料へと移行がはじ
まっている。−そのひとつは従来の塗布形の延長上で、
バインダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本質的に
飽和磁束密度の大きい、鉄系の強磁性金属又は合金の微
粒子を酸化鉄の代わりに用いるもので、もう一方はバイ
ンダを用いない、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする媒
体で、このタイプは薄膜形成を真空蒸着で行うことから
、蒸着テープの名で一部実用に供されるに至っている。
磁力を大きくすることで対応してきたが、記録信号のよ
り短波長化が進むに従って、磁化されるのは、媒体の表
面近くだけになるため、抗磁力の増大のみでは出力を大
きくできず、飽和磁束密度の大きい材料へと移行がはじ
まっている。−そのひとつは従来の塗布形の延長上で、
バインダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本質的に
飽和磁束密度の大きい、鉄系の強磁性金属又は合金の微
粒子を酸化鉄の代わりに用いるもので、もう一方はバイ
ンダを用いない、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする媒
体で、このタイプは薄膜形成を真空蒸着で行うことから
、蒸着テープの名で一部実用に供されるに至っている。
蒸着テープは、まだ歴史も浅く、工業規模での改良すべ
き課題がいくつか残っている。
き課題がいくつか残っている。
そのひとつは、抗磁力の制御で、特に大きい抗磁力を安
定に制御する技術開発は重要なテーマである。
定に制御する技術開発は重要なテーマである。
蒸着で安定に抗磁力を制御できる可能性のあるのは、特
公昭４１−１９３８９号公報に開示されている、いわゆ
る斜方蒸着である。
公昭４１−１９３８９号公報に開示されている、いわゆ
る斜方蒸着である。
しかし、この技術の難点は蒸着効率が低いことと、大き
な抗磁力領域では、入射角のわずかな変化に依存して抗
磁力の変化が大きい点で、蒸着効率の向上と、入射角の
変化を抑制できる蒸着技術の開発が必要になってぐる。
な抗磁力領域では、入射角のわずかな変化に依存して抗
磁力の変化が大きい点で、蒸着効率の向上と、入射角の
変化を抑制できる蒸着技術の開発が必要になってぐる。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、以下に図面を
用いてその実施例を説明する。
用いてその実施例を説明する。
図は本発明の実施例において用いる製造装置を示す。図
に示したのは、二室構成の捲き取り蒸着機であるが、本
発明の以下に述べる要件を満足する種々の変形は必要に
応じて採用できるのは勿論である。
に示したのは、二室構成の捲き取り蒸着機であるが、本
発明の以下に述べる要件を満足する種々の変形は必要に
応じて採用できるのは勿論である。
なお図においては、回転キャンが２組の場合を示したが
、３ヶ以上になっても考え方は同じである。
、３ヶ以上になっても考え方は同じである。
図に示すように、真空槽７の内部に第１．第２の回転キ
ャン６と６が配設され蒸発源と対向する。
ャン６と６が配設され蒸発源と対向する。
蒸発源は容器４と蒸発材料３とで模式的に示した。
蒸発源の加熱は、電子ビーム衝撃、ジュール熱、誘導加
熱公知のいずれによるものであっても良い。
熱公知のいずれによるものであっても良い。
第１．第２回転キャン６．６はそれぞれ基板１゜２の冷
却用支持体で、これによらずに、例えば５ＵＳ３０４の
薄板で構成したエンドレスベルトでキャ／を代用するこ
とも可能で本発明の範囲である。
却用支持体で、これによらずに、例えば５ＵＳ３０４の
薄板で構成したエンドレスベルトでキャ／を代用するこ
とも可能で本発明の範囲である。
基板１は第１回転キャン５に沿って送シ出し軸１２より
捲き取り軸１３へ移動する。捲き取り系に必要なフリー
ローラー、エキスパンダローラ等は適宜構成要素とする
のは当然であるが図では略しである。キャンの回転方向
は矢印Ａの向きである。
捲き取り軸１３へ移動する。捲き取り系に必要なフリー
ローラー、エキスパンダローラ等は適宜構成要素とする
のは当然であるが図では略しである。キャンの回転方向
は矢印Ａの向きである。
第２回転キャン６に沿って、基板２も同様に、送り出し
軸１４から捲き取り軸１６へ移動するよう構成される。
軸１４から捲き取り軸１６へ移動するよう構成される。
第１キヤン、第２キヤンの直径の選択、相対的位置関係
の選択は実施例にて詳述するように使いわけられるべき
で限定されるものではない。
の選択は実施例にて詳述するように使いわけられるべき
で限定されるものではない。
ただし、第１の回転キャン６に沿って移動する基板１へ
の斜方蒸着のマスキング（入射角 θ、を決定する）が
、第２の回転キャン６に沿って移動する基板２への蒸着
で行われるよう配設されるのは重要であ−る。第〒のキ
ャンで基板上にいかなる目的の磁性層を形成するかにも
よるが、第２のキャンに沿って移動する基板２への蒸着
には別のマスクを配すことも必要に応じてなされる。
の斜方蒸着のマスキング（入射角 θ、を決定する）が
、第２の回転キャン６に沿って移動する基板２への蒸着
で行われるよう配設されるのは重要であ−る。第〒のキ
ャンで基板上にいかなる目的の磁性層を形成するかにも
よるが、第２のキャンに沿って移動する基板２への蒸着
には別のマスクを配すことも必要に応じてなされる。
１７は仕切板を示すが、これにより蒸着室８と捲き取り
室９の空間が分りされ、それぞれ独立の排気系１０．１
１により所定の真空度に保持されるよう構成される。
室９の空間が分りされ、それぞれ独立の排気系１０．１
１により所定の真空度に保持されるよう構成される。
次により具体的に本発明の詳細な説明する。
なお以下の〔実施例１〕〜〔実施例３〕における共通な
条件は次の通りである。
条件は次の通りである。
第１キャン直径１ｆ−２入射角θ１＝３６゜第２キヤン
直径５０ ｃｍ 、入射角θ、＝３００第１キャンと第
２キヤ／の中心間距離０，０２＝１ｍ〔実施例１〕 Ｃｏ１００％をポリエチレンテレフタレート９．５μｍ
″９Ｐ上に０．１３μｍの膜厚に制御し蒸着した。
直径５０ ｃｍ 、入射角θ、＝３００第１キャンと第
２キヤ／の中心間距離０，０２＝１ｍ〔実施例１〕 Ｃｏ１００％をポリエチレンテレフタレート９．５μｍ
″９Ｐ上に０．１３μｍの膜厚に制御し蒸着した。
蒸着長さは第１キヤ７２．０ＯＣ）ｎ、 第２キヤ７
３．３００−Ｌ（フィルム幅は６０ｃｍ）である。雰囲
気として酸素を蒸ｆｌに導入し、２ 、５Ｘ１０−５Ｔ
ｏｒｒに制御した。
３．３００−Ｌ（フィルム幅は６０ｃｍ）である。雰囲
気として酸素を蒸ｆｌに導入し、２ 、５Ｘ１０−５Ｔ
ｏｒｒに制御した。
第１キヤン側での磁性層の特性は、抗磁カフ５００ｅ、
角形比０．９１で２ 、０００ ％の範囲で±５０％以
内であった。
角形比０．９１で２ 、０００ ％の範囲で±５０％以
内であった。
第２キヤン側で得られた磁性層の特性は抗磁力６９６０
＠、角形比０．８９で、１５００．ＰＬあたりから同一
膜厚を保持するために基板の送り速度を漸減しなければ
ならなかった。これはマスク１６に付着したＧｏにより
入射角θ２の変化が起ったためである。
＠、角形比０．８９で、１５００．ＰＬあたりから同一
膜厚を保持するために基板の送り速度を漸減しなければ
ならなかった。これはマスク１６に付着したＧｏにより
入射角θ２の変化が起ったためである。
３３００ ｍ時点では抗磁カフ４００ｅ、角形比０．８
４と変化していたが充分実用可能である。
４と変化していたが充分実用可能である。
〔実施例２〕
Ｃｏ ８０％Ｎｋ １５％ Ｏｒ ５％をポリエチレ／
テレフタレート１１．５μｍ上に、第１キヤン６で０．
１μｍ１第２キヤンで０．２μｍの厚さにそれぞれ蒸着
した。その時真空度は１．３Ｘ１０ Ｔａｒτであっ
た。
テレフタレート１１．５μｍ上に、第１キヤン６で０．
１μｍ１第２キヤンで０．２μｍの厚さにそれぞれ蒸着
した。その時真空度は１．３Ｘ１０ Ｔａｒτであっ
た。
蒸着長さはそれぞれ２５００ｆｉで、その範囲では第１
キヤ７６側は抗磁力６ ｏ ｏ Ｏｅ 、角形比０，９
９、第２キヤン６側は抗磁力４９ｏＯｅ、角形比０，９
７、 〜５２００ｅ、角形比０，９８であった。
キヤ７６側は抗磁力６ ｏ ｏ Ｏｅ 、角形比０，９
９、第２キヤン６側は抗磁力４９ｏＯｅ、角形比０，９
７、 〜５２００ｅ、角形比０，９８であった。
〔実施例３〕
Ｃｏ９０％Ｃｒ１０％をポリアミドフィルム７．５μｍ
上に０．３μｍ、 ０．４μｍの厚さにそれぞれ形成し
た。
上に０．３μｍ、 ０．４μｍの厚さにそれぞれ形成し
た。
真空度は９Ｘ１０ Ｔｏｒｒで、蒸着長１ｏｏｏ−の
範囲で、第１キヤン５側は抗磁カフ了００ｅ、角形比１
．ｏ、第２キヤン６側は抗磁力６００〜６６００ｅ、角
形比１．０であった。
範囲で、第１キヤン５側は抗磁カフ了００ｅ、角形比１
．ｏ、第２キヤン６側は抗磁力６００〜６６００ｅ、角
形比１．０であった。
〔実施例４〕
第１．第２キヤンの中心間距離０１０２−９０へ入射角
θ１−６０°としくφ１−）、φｓｏｏ咽のキャ／では
、マスクなしでＣｏ ８０％Ｎｉ ２０チをポリエチレ
／テレフタレート１１．５μｍの厚さに形成した。第１
の基板送り速度は２０７７Ｌ ／ ｍｉｎに対し第２の
基板送り速度は７０ ｍ ／ ｍｉ ｎであった。
θ１−６０°としくφ１−）、φｓｏｏ咽のキャ／では
、マスクなしでＣｏ ８０％Ｎｉ ２０チをポリエチレ
／テレフタレート１１．５μｍの厚さに形成した。第１
の基板送り速度は２０７７Ｌ ／ ｍｉｎに対し第２の
基板送り速度は７０ ｍ ／ ｍｉ ｎであった。
それぞれの磁気特性は、酸素を導入しない場合（１，３
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ） 、抗磁力６９００ｅ。
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ） 、抗磁力６９００ｅ。
Ｔｏｒｒの圧力下で、蒸着した場合それぞれ抗磁力１０
９０ Ｑｅ、角形比０，８４、抗磁力５９００ｅ。
９０ Ｑｅ、角形比０，８４、抗磁力５９００ｅ。
角形比０．８５で、この例では、４０００−ｎまでの範
囲で、測定誤差（±２％）内で一定に保持できた。
囲で、測定誤差（±２％）内で一定に保持できた。
これまでの実施例では第１キヤン、第２キヤ／に沿って
移動させた基板に蒸着しそれぞれを媒体として用いるこ
とを前提としたが、Ｃｏ系の材料を回収するために、第
２キヤン（または、第３キヤと第４キヤンを必要に応じ
て設けても可）を利用することも出来る。
移動させた基板に蒸着しそれぞれを媒体として用いるこ
とを前提としたが、Ｃｏ系の材料を回収するために、第
２キヤン（または、第３キヤと第４キヤンを必要に応じ
て設けても可）を利用することも出来る。
いずれにしても、さらに入射角が７００以上に設定され
た場合、第２キヤンによるマスク作用を利用しない場合
に抗磁力が１０００ ｒｒ−長あたり２０チ程度から４
０チ程変化するのを容易におさえることが本発明では達
成されるとともに、抗磁力の大きさを異にした媒体を一
つの蒸発源で効果的にうろこともでき、例えば第１キヤ
ンで面内に異方性を有するＧｏ−Ｃｒ膜、第２キヤンで
、垂直方向に異方性を有するＣｏ −Ｃｒ膜を得る等各
種の組み合せが可能である。
た場合、第２キヤンによるマスク作用を利用しない場合
に抗磁力が１０００ ｒｒ−長あたり２０チ程度から４
０チ程変化するのを容易におさえることが本発明では達
成されるとともに、抗磁力の大きさを異にした媒体を一
つの蒸発源で効果的にうろこともでき、例えば第１キヤ
ンで面内に異方性を有するＧｏ−Ｃｒ膜、第２キヤンで
、垂直方向に異方性を有するＣｏ −Ｃｒ膜を得る等各
種の組み合せが可能である。
本発明は以上のように磁気記録媒体製造時における抗磁
力のばらつきを押えかつ蒸着効率を高めるものであり、
さらには、一つの蒸発源で複数種類の磁性層の形成をも
可能にするなどその応用範囲は広く、実用上の価値が大
である。
力のばらつきを押えかつ蒸着効率を高めるものであり、
さらには、一つの蒸発源で複数種類の磁性層の形成をも
可能にするなどその応用範囲は広く、実用上の価値が大
である。
図は本発明の実施例において用いる製造装置を示す図で
ある。 １２・・・・・・基板、３・・・・−蒸発材料、５，６
・・・・・・回転キャン、７・・・・・・真空槽、８・
・・・・蒸着室、９・・・・・捲き取り室、１２−．１
４・・・・・・送り出し軸、１３．１５・・・・・・捲
き取り軸、１７・・・・・・・仕切板。
ある。 １２・・・・・・基板、３・・・・−蒸発材料、５，６
・・・・・・回転キャン、７・・・・・・真空槽、８・
・・・・蒸着室、９・・・・・捲き取り室、１２−．１
４・・・・・・送り出し軸、１３．１５・・・・・・捲
き取り軸、１７・・・・・・・仕切板。
Claims (1)
- 第１の冷却支持体に沿って移動する第１の高分子成形物
基板上に強磁性材料を蒸着するに際し、前記第１の高分
子成形物基板上への前記強磁性材料の蒸気の入射角規制
のマスキングを第２の冷却支持体に沿って移動する第２
の高分子成形物基板にて行うことを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135703A JPS5837842A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135703A JPS5837842A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837842A true JPS5837842A (ja) | 1983-03-05 |
| JPH0319618B2 JPH0319618B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=15157911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135703A Granted JPS5837842A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837842A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7220389B2 (en) | 2001-05-21 | 2007-05-22 | Fujifilm Corporation | Biochemical analysis unit and method of producing thereof |
| WO2007135994A1 (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujifilm Corporation | 結晶性ポリマー微孔性膜とその製造方法、および濾過用フィルター |
| EP2033704A2 (en) | 2007-09-04 | 2009-03-11 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous film, manufacturing method of the same, and filtration filter |
| EP2060317A1 (en) | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous film, manufacturing method of the same, and filtration filter |
| EP2283913A1 (en) | 2009-07-06 | 2011-02-16 | FUJIFILM Corporation | Crystalline polymer microporous membrane, method for producing the same, and filtration filter |
| US8925737B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-01-06 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous membrane and filtration filter |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165932A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-19 | Tdk Corp | Production of magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135703A patent/JPS5837842A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165932A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-19 | Tdk Corp | Production of magnetic recording medium |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7220389B2 (en) | 2001-05-21 | 2007-05-22 | Fujifilm Corporation | Biochemical analysis unit and method of producing thereof |
| WO2007135994A1 (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujifilm Corporation | 結晶性ポリマー微孔性膜とその製造方法、および濾過用フィルター |
| EP2033704A2 (en) | 2007-09-04 | 2009-03-11 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous film, manufacturing method of the same, and filtration filter |
| US8011518B2 (en) | 2007-09-04 | 2011-09-06 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous film, manufacturing method of the same, and filtration filter |
| EP2060317A1 (en) | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous film, manufacturing method of the same, and filtration filter |
| EP2283913A1 (en) | 2009-07-06 | 2011-02-16 | FUJIFILM Corporation | Crystalline polymer microporous membrane, method for producing the same, and filtration filter |
| US8573408B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-11-05 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous membrane, method for producing the same, and filtration filter |
| US8925737B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-01-06 | Fujifilm Corporation | Crystalline polymer microporous membrane and filtration filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319618B2 (ja) | 1991-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4385098A (en) | Magnetic recording media | |
| US4387136A (en) | Magnetic recording medium and apparatus for preparing the same | |
| JPS62121929A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| US4403002A (en) | Vacuum evaporating apparatus | |
| US4477489A (en) | Method of making magnetic recording medium | |
| US4412507A (en) | Magnetic recording medium manufacturing device | |
| JPH0319618B2 (ja) | ||
| EP0040437B1 (en) | Method of manufacturing magnetic recording medium | |
| JPS61214134A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| US4526131A (en) | Magnetic recording medium manufacturing apparatus | |
| JPH0330213B2 (ja) | ||
| JP2629847B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6014408B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0552566B2 (ja) | ||
| JPS6045271B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH0334130B2 (ja) | ||
| JP2668953B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5850628A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61214135A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS608305B2 (ja) | 真空蒸着法 | |
| JPS6043915B2 (ja) | 真空蒸着方法 | |
| JPS62102414A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6156563B2 (ja) | ||
| JPS6171418A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6043916B2 (ja) | 真空蒸着法 |