JPS5838445A - スパ−ク・ソ−ス質量分析装置 - Google Patents
スパ−ク・ソ−ス質量分析装置Info
- Publication number
- JPS5838445A JPS5838445A JP13546281A JP13546281A JPS5838445A JP S5838445 A JPS5838445 A JP S5838445A JP 13546281 A JP13546281 A JP 13546281A JP 13546281 A JP13546281 A JP 13546281A JP S5838445 A JPS5838445 A JP S5838445A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- discharge
- chamber
- ultraviolet
- mass spectrometer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/18—Ion sources; Ion guns using spark ionisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパーク・ソース質量分析装置に係り、特に試
料に紫外線を照射し、絶縁物試料の分析を可能にしたス
パーク・ソース質量分析装置に関する。
料に紫外線を照射し、絶縁物試料の分析を可能にしたス
パーク・ソース質量分析装置に関する。
スパーク・ソース質量分析法は高真空下で試料自体を電
極とし、試料電極間でスパーク放電を発生すせ、得られ
るマススペクトルを分析する方法であり、一般に金属、
半導体などの微量不純物の分析に適用されている。
極とし、試料電極間でスパーク放電を発生すせ、得られ
るマススペクトルを分析する方法であり、一般に金属、
半導体などの微量不純物の分析に適用されている。
試料がガラス、セラミックスのような絶縁物の場合には
、試料自体を電極としてもスパーク放電は発生しない。
、試料自体を電極としてもスパーク放電は発生しない。
そのため、試料が絶縁物の場合には、試料を粉砕して炭
素粉末と混合して成形し電極とする方法、試料表面に金
属を蒸着する方法、あるいは試料を金属の箔で被覆する
方法などによりスパーク放電を可能にしている。
素粉末と混合して成形し電極とする方法、試料表面に金
属を蒸着する方法、あるいは試料を金属の箔で被覆する
方法などによりスパーク放電を可能にしている。
ところがこれらの方法に用いられる炭素粉末、金属蒸着
膜、金属箔などには、しばしば不純物が含まれる。スパ
ーク・ソース質量分析法は非常に高感度の分析が可能で
あり、これら試料以外の物質量に含まれる不純物による
影響が太きい。また、これら物質自体のスペクトルが目
的元素のスペクトルと重なる場合もある。
膜、金属箔などには、しばしば不純物が含まれる。スパ
ーク・ソース質量分析法は非常に高感度の分析が可能で
あり、これら試料以外の物質量に含まれる不純物による
影響が太きい。また、これら物質自体のスペクトルが目
的元素のスペクトルと重なる場合もある。
本発明の目的は、不純物混入の原因となる試料以外の物
質を用いることなく、絶縁物試料ノスパーク放電を可能
にするスパーク・ソース質量分析装置を提供することに
ある。
質を用いることなく、絶縁物試料ノスパーク放電を可能
にするスパーク・ソース質量分析装置を提供することに
ある。
本発明では、絶縁物試料間でスパーク放電を可能にする
ために、試料表面を電離させてイオン化させる。
ために、試料表面を電離させてイオン化させる。
ガラス、セラミックスなどを構成する物質は酸化物の状
態にある。酸素と金属原子などとの結合を切断するため
の解離エネルギーは１０ｅＶ以下であり、解離して生成
した金属原子のイオン化エネルギーも１０ｅＶ以下であ
る。このため、試料表面に１０ｅＶ以上のエネルギーを
持つ光を照射すれば表面がイオン化し、スパーク放電が
可能になる。
態にある。酸素と金属原子などとの結合を切断するため
の解離エネルギーは１０ｅＶ以下であり、解離して生成
した金属原子のイオン化エネルギーも１０ｅＶ以下であ
る。このため、試料表面に１０ｅＶ以上のエネルギーを
持つ光を照射すれば表面がイオン化し、スパーク放電が
可能になる。
以下、本発明の実施例を第１図および第２図により説明
する。第１図はイオン化室部の側面図、第２図は第１図
の紫外線発生部付近の断面図である。
する。第１図はイオン化室部の側面図、第２図は第１図
の紫外線発生部付近の断面図である。
ガラス、セラミックスがどの絶縁物試料（１）をプラス
側の電極支持具（２）に取り付け、マイナス側の電極支
持具（２勺には高純度の金属線（１勺を取り付け、イオ
ン化室（３）に導入し、１０”５Ｐａまで排気する。
側の電極支持具（２）に取り付け、マイナス側の電極支
持具（２勺には高純度の金属線（１勺を取り付け、イオ
ン化室（３）に導入し、１０”５Ｐａまで排気する。
紫外線発生部（４）は放射された光が試料（１）全体に
照射されるようにイオン化室（３）の側部に配置されて
いる。紫外線発生部は放電室（５）と中間室（６）とを
備えている。放電室（５）には放電用ガスの流入口（力
と真空ポンプに接続する排気口（８）が設けられている
。放電室内を所定の圧力に維持するため、ガス流入口（
７）にニードルパルプ（９）が設けられている。
照射されるようにイオン化室（３）の側部に配置されて
いる。紫外線発生部は放電室（５）と中間室（６）とを
備えている。放電室（５）には放電用ガスの流入口（力
と真空ポンプに接続する排気口（８）が設けられている
。放電室内を所定の圧力に維持するため、ガス流入口（
７）にニードルパルプ（９）が設けられている。
放電極である陰極（１０）は針状であり、これに対向す
る接地極αυは円形平板で中央部に光路となる孔（１２
）を有する。これらの放電極は絶縁材（１３）、 （１
４）、 （１５）により支持され、固定される。絶縁材
（１４）は円筒状の放電室を形成しており、この内部で
紫外線の発生をともなう放電が行なわれる。そのため、
放電極に印加される電界は針状陰極００）の先端に集中
し、グロー放電で得られる放射光の密度は非常に高い。
る接地極αυは円形平板で中央部に光路となる孔（１２
）を有する。これらの放電極は絶縁材（１３）、 （１
４）、 （１５）により支持され、固定される。絶縁材
（１４）は円筒状の放電室を形成しており、この内部で
紫外線の発生をともなう放電が行なわれる。そのため、
放電極に印加される電界は針状陰極００）の先端に集中
し、グロー放電で得られる放射光の密度は非常に高い。
中間室（６）は円形スリットα６）を介してイオン化室
（３）に通じている。中間室（６）は放電室（５）に流
したガスがイオン空室（３）の真空度を悪くするのを防
止するために設けられており、排気口（１７）を通して
真空ポンプに接続している。紫外線発生部（４）はイオ
ン化室（３）とフランジα樽で取り付け、取りはずしが
可能である。
（３）に通じている。中間室（６）は放電室（５）に流
したガスがイオン空室（３）の真空度を悪くするのを防
止するために設けられており、排気口（１７）を通して
真空ポンプに接続している。紫外線発生部（４）はイオ
ン化室（３）とフランジα樽で取り付け、取りはずしが
可能である。
放電室（５）で放射された紫外光は接地極（１υの中央
部の穴（Ｉ２、中間室（６）とイオン化室の間のスリッ
ト０６）を通って試料（１）に照射される。照射される
光のエネルギーは放電室に流すガスの種類により変えら
れる。ガラス、セラミックスなどの絶縁物で、酸化物の
酸素と他の元素との結合を切断し、酸素以外の元素をイ
オン化させるエネルギーは１０ｅ■以下である。例えば
、放電ガスとしてヘリウムを用いた場合、放射された光
のエネルギーは約２０〜２３ｅＶ、水素を用いた場合は
約１０〜１３ｅＶである。したがって、これらの光を絶
縁物表面に照射すれば、表面近傍の原子がイオン化され
るので、試料の前処理をすることなく、対極との間でス
パーク放電することができる。
部の穴（Ｉ２、中間室（６）とイオン化室の間のスリッ
ト０６）を通って試料（１）に照射される。照射される
光のエネルギーは放電室に流すガスの種類により変えら
れる。ガラス、セラミックスなどの絶縁物で、酸化物の
酸素と他の元素との結合を切断し、酸素以外の元素をイ
オン化させるエネルギーは１０ｅ■以下である。例えば
、放電ガスとしてヘリウムを用いた場合、放射された光
のエネルギーは約２０〜２３ｅＶ、水素を用いた場合は
約１０〜１３ｅＶである。したがって、これらの光を絶
縁物表面に照射すれば、表面近傍の原子がイオン化され
るので、試料の前処理をすることなく、対極との間でス
パーク放電することができる。
紫外線発生部としては、封入型放電管をイオン化室内部
に配置したものでもよい。その場合、照射される光のエ
ネルギーは放電管から光を取り出すだめの窓材に依存し
、例えば、窓材にフッ化リチウムを用いれば、取り出し
得る光のエネルギーは約１１ｅＶまでであるが、ガラス
およびセラミックスなどの絶縁物の表面近傍のイオン化
が可能で、スパーク放電を可能にする。
に配置したものでもよい。その場合、照射される光のエ
ネルギーは放電管から光を取り出すだめの窓材に依存し
、例えば、窓材にフッ化リチウムを用いれば、取り出し
得る光のエネルギーは約１１ｅＶまでであるが、ガラス
およびセラミックスなどの絶縁物の表面近傍のイオン化
が可能で、スパーク放電を可能にする。
本発明によれば、試料を粉砕して炭素粉末などの導電性
粉末と混合して成形するとか、試料表面に導電性物質を
蒸着するとか、試料を導電性の箔で被覆するなどの試料
の前処理の必要がなくなるとともに、これら前処理によ
る汚染物質の混入を避けることができ、絶縁物試料の分
析が簡略になる。また、ブランク値を下げることができ
るので、分析感度向上がはかれる。
粉末と混合して成形するとか、試料表面に導電性物質を
蒸着するとか、試料を導電性の箔で被覆するなどの試料
の前処理の必要がなくなるとともに、これら前処理によ
る汚染物質の混入を避けることができ、絶縁物試料の分
析が簡略になる。また、ブランク値を下げることができ
るので、分析感度向上がはかれる。
第１図は紫外線光源部を装備したイオン化室の側面図、
第２図は第１図の紫外線発生部付近の概略断面図である
。
第２図は第１図の紫外線発生部付近の概略断面図である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン化室内の試料極と対極との間に電圧を印加し
てスパーク放電によりイオンを生成させ、得うレるマス
スペクトルを測定するスパ ｐ・ソース質量分析装置に
おいて、上記試料極に対して紫外線を照射する紫外線発
生部を設けたことを特徴とするスパーク・ソース質量分
析装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のスパーク・ソース質量
分析装置において、上記紫外線発生部は放射される光が
上記イオン化室内の上記試料極全体に照射されるように
配置されていることを特徴とするスパーク・ソース質量
分析装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載のスパーク・ソース質量
分析装置において、上記紫外線発生部は１０ｅＶ以上の
エネルギーを持つ光を放射できるものであることを特徴
とするスパーク・ソース質量分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13546281A JPS5838445A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | スパ−ク・ソ−ス質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13546281A JPS5838445A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | スパ−ク・ソ−ス質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838445A true JPS5838445A (ja) | 1983-03-05 |
Family
ID=15152273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13546281A Pending JPS5838445A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | スパ−ク・ソ−ス質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186543A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-26 | Nec Corp | 高分子分子構造分析装置 |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13546281A patent/JPS5838445A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186543A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-26 | Nec Corp | 高分子分子構造分析装置 |
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