JPS5839014A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5839014A JPS5839014A JP56138106A JP13810681A JPS5839014A JP S5839014 A JPS5839014 A JP S5839014A JP 56138106 A JP56138106 A JP 56138106A JP 13810681 A JP13810681 A JP 13810681A JP S5839014 A JPS5839014 A JP S5839014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- silicon oxide
- silicon substrate
- silicon
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
最近、半導体装置の製造工程において、イオン注入技術
が広く適用されるようになってきたが。
が広く適用されるようになってきたが。
注入量３ＸＩＱ ｃｍ−２以上の中高濃度イオン注入
において、接合漏洩電流が熱拡散法に比べ、１〜２桁大
きくなることも少なくない。
において、接合漏洩電流が熱拡散法に比べ、１〜２桁大
きくなることも少なくない。
すなわち、従来の製造方法は、第１図に示すように、Ｎ
型シリ；ン基板１０表面にシリコン酸化膜２を熱酸化法
または気相成長法で形成してから、フォトエツチング法
により開口部３を設けたのち、ＰＷｉ不純物であるホウ
素を、例えば加速電圧５０ｋＶで注入量１×１０１５ｃ
ｍ′イオン注入する。
型シリ；ン基板１０表面にシリコン酸化膜２を熱酸化法
または気相成長法で形成してから、フォトエツチング法
により開口部３を設けたのち、ＰＷｉ不純物であるホウ
素を、例えば加速電圧５０ｋＶで注入量１×１０１５ｃ
ｍ′イオン注入する。
このとき格子欠陥は模式的に黒点で示すように注入領域
の表面側に分布している。このあと、１０００℃酸素雰
囲気で１０分間軽く酸化（ホウ素原子が表面から飛び出
すのを防ぐため）してから、窒素雰囲気で５０分間アニ
ール（焼鈍）を行なう。
の表面側に分布している。このあと、１０００℃酸素雰
囲気で１０分間軽く酸化（ホウ素原子が表面から飛び出
すのを防ぐため）してから、窒素雰囲気で５０分間アニ
ール（焼鈍）を行なう。
辷のとき第２図のように、格子欠陥の＃１とんどけ消失
するが、シリコン酸化１！２の開口の周辺部４では、シ
リコン基板１との熱膨張係数の違いによる歪応力が集中
するため、イオン注入によって発生した格子欠陥がシリ
コン−酸化膜境界面を中心に転位網に成長してＰ−Ｎ接
合漏洩電流を生ずるものと考えられる。とこでは、シリ
コン酸化膜２をイオン注入マスクとして用いているが、
シリコン窒化膜を用いても漏洩電流の問題を解消すると
とはできなかった、この程度の注入量になると、耐熱性
のないフォトレジストをイオン注入マスクとして使用す
ることはできない。
するが、シリコン酸化１！２の開口の周辺部４では、シ
リコン基板１との熱膨張係数の違いによる歪応力が集中
するため、イオン注入によって発生した格子欠陥がシリ
コン−酸化膜境界面を中心に転位網に成長してＰ−Ｎ接
合漏洩電流を生ずるものと考えられる。とこでは、シリ
コン酸化膜２をイオン注入マスクとして用いているが、
シリコン窒化膜を用いても漏洩電流の問題を解消すると
とはできなかった、この程度の注入量になると、耐熱性
のないフォトレジストをイオン注入マスクとして使用す
ることはできない。
本発明は前記のような接合漏洩電流の原因となる結晶欠
陥を解消することのできる製造方法を提供するものであ
る。
陥を解消することのできる製造方法を提供するものであ
る。
本発明は、前記シリコン酸化膜２０周辺部４が熱処理に
よって受けるシリコン基板１とシリコン酸化膜２との熱
膨張係数の違いによる歪を軽減することにより、格子欠
陥を解消するものである９本発明の実施例を次に述べる
。
よって受けるシリコン基板１とシリコン酸化膜２との熱
膨張係数の違いによる歪を軽減することにより、格子欠
陥を解消するものである９本発明の実施例を次に述べる
。
実施例１、
ｔＸ１図のようにイオン注入が終ったら、シリコン酸化
膜２を全面除去し、第３図に示すように、シリコン基板
ｌの全面に新しいシリコン酸化膜５を気相成長してから
、例えば１０００°Ｃの窒素または酸素雰囲気中での３
０分間の熱処理によってアニールを行なう。この場合に
は、シリコン酸化膜に開口部がない状態でアニールされ
るため、前述の開口部近傍に発生する熱歪はなくなり、
漏洩実施例２ 第１図のようにイオン注入が終ったら、酸化膜２を除去
したｔまで第４図の状態で実施例１の場゛合と同１１（
７）条件でアニールを行々い、同様の効果を得ることが
できる。ただし、この場合はシリコン基板表面がむき出
しになっているため、注入されたホウ素が飛び出して注
入されていないシリコン表層部６に再拡散す、るため、
表層部６を後続の工程で熱酸化してしまうとか、注入領
域３の表面濃度と周囲の表層部６との表面濃度に大差が
ないとか、アニール雰囲気が酸素などの酸化性雰囲気で
あるとかのいずれかの条件が必要となる。なお。
膜２を全面除去し、第３図に示すように、シリコン基板
ｌの全面に新しいシリコン酸化膜５を気相成長してから
、例えば１０００°Ｃの窒素または酸素雰囲気中での３
０分間の熱処理によってアニールを行なう。この場合に
は、シリコン酸化膜に開口部がない状態でアニールされ
るため、前述の開口部近傍に発生する熱歪はなくなり、
漏洩実施例２ 第１図のようにイオン注入が終ったら、酸化膜２を除去
したｔまで第４図の状態で実施例１の場゛合と同１１（
７）条件でアニールを行々い、同様の効果を得ることが
できる。ただし、この場合はシリコン基板表面がむき出
しになっているため、注入されたホウ素が飛び出して注
入されていないシリコン表層部６に再拡散す、るため、
表層部６を後続の工程で熱酸化してしまうとか、注入領
域３の表面濃度と周囲の表層部６との表面濃度に大差が
ないとか、アニール雰囲気が酸素などの酸化性雰囲気で
あるとかのいずれかの条件が必要となる。なお。
上記の場合のアニール法として高出力のレーザ、フラッ
ジ凰光、電子ビームなどを照射する方法を用いても良く
、これらの場合には照射時間が短くてすむため、前記ホ
ウ素の飛び出しがなく、上記の諸条件は不要となる。
ジ凰光、電子ビームなどを照射する方法を用いても良く
、これらの場合には照射時間が短くてすむため、前記ホ
ウ素の飛び出しがなく、上記の諸条件は不要となる。
これらの実施例のいずれかを実施することによ）、イオ
ン注入領域の接合漏洩電流を軽減するととが可能となっ
た。
ン注入領域の接合漏洩電流を軽減するととが可能となっ
た。
第１図及び第２図は従来の製造方法を示す断面図、第３
図及び第４図は本発明の実施例を示す断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３、・・・・・・開口部、４・・・・・・開口
の周辺部、５・・・・・・新しいシリコン−化膜、６・
・・・・・周囲の注入されて卒４ノ
図及び第４図は本発明の実施例を示す断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３、・・・・・・開口部、４・・・・・・開口
の周辺部、５・・・・・・新しいシリコン−化膜、６・
・・・・・周囲の注入されて卒４ノ
Claims (1)
- 半導体基板の一生面上の薄膜の一部に設けられた開孔を
通して不純物を前記基板内にイオン注入する工程と、前
記薄膜を全面除去する工程と、アニーリングを行って前
記基板表面の結晶の損傷を回復させる工程を含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138106A JPS5839014A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138106A JPS5839014A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839014A true JPS5839014A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15214084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56138106A Pending JPS5839014A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839014A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144517A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4818711A (en) * | 1987-08-28 | 1989-04-04 | Intel Corporation | High quality oxide on an ion implanted polysilicon surface |
| US4931405A (en) * | 1988-02-08 | 1990-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device and suppressing the generation of bulk microdefects near the substrate surface layer |
| EP0731500A3 (en) * | 1995-03-08 | 1998-05-20 | Hitachi, Ltd. | Method of forming a semiconductor device comprising an oxidation step followed by a heat-treatment step |
| US6297113B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-10-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured thereby |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50548A (ja) * | 1973-04-20 | 1975-01-07 | ||
| JPS55127018A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Hitachi Ltd | Impurity diffusion into semiconductor substrate |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP56138106A patent/JPS5839014A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50548A (ja) * | 1973-04-20 | 1975-01-07 | ||
| JPS55127018A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Hitachi Ltd | Impurity diffusion into semiconductor substrate |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144517A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4818711A (en) * | 1987-08-28 | 1989-04-04 | Intel Corporation | High quality oxide on an ion implanted polysilicon surface |
| US4931405A (en) * | 1988-02-08 | 1990-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device and suppressing the generation of bulk microdefects near the substrate surface layer |
| EP0731500A3 (en) * | 1995-03-08 | 1998-05-20 | Hitachi, Ltd. | Method of forming a semiconductor device comprising an oxidation step followed by a heat-treatment step |
| US6326284B1 (en) | 1995-03-08 | 2001-12-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and production thereof |
| US6297113B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-10-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured thereby |
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