JPS5841587B2 - 磁気バブルメモリチツプ - Google Patents
磁気バブルメモリチツプInfo
- Publication number
- JPS5841587B2 JPS5841587B2 JP2347978A JP2347978A JPS5841587B2 JP S5841587 B2 JPS5841587 B2 JP S5841587B2 JP 2347978 A JP2347978 A JP 2347978A JP 2347978 A JP2347978 A JP 2347978A JP S5841587 B2 JPS5841587 B2 JP S5841587B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- memory
- memory chip
- pattern
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、欠陥個所などの位置の指示を容易に行えるよ
うにした磁気バブルメモリチップに関する。
うにした磁気バブルメモリチップに関する。
従来の磁気バブルメモリチップ1は、通常チップの大部
分の面積を占有して並列に配列された多数個のマイナル
ーブ2と、それらに結合された一つのメイジャルーブ3
との周囲を、ガードレール4で囲んだ第1図に例示する
ような構成になっている。
分の面積を占有して並列に配列された多数個のマイナル
ーブ2と、それらに結合された一つのメイジャルーブ3
との周囲を、ガードレール4で囲んだ第1図に例示する
ような構成になっている。
また各ループを構成するバブル転送路は、第2図a、b
に例示するような微細パターンを繰返し配列して形成さ
れ、その繰返し周期は10〜20 ltm程度である。
に例示するような微細パターンを繰返し配列して形成さ
れ、その繰返し周期は10〜20 ltm程度である。
64キロビツトメモリチツプの場合、チップの大きさは
5ixg角程度で、マイナループ数は百数十個である。
5ixg角程度で、マイナループ数は百数十個である。
また256キロビツトメモリチツプの場合は、チップの
大きさは5〜10ot角程度で、マイナループ数は20
0〜300個である。
大きさは5〜10ot角程度で、マイナループ数は20
0〜300個である。
このように、磁気バブルメモリチップは、その数として
、チップの大部分すなわち70〜901%の面積が、X
方向やy方向へ周期的に繰返して配列された非常に多数
の微細パターンによって埋められている。
、チップの大部分すなわち70〜901%の面積が、X
方向やy方向へ周期的に繰返して配列された非常に多数
の微細パターンによって埋められている。
この様な大容量メモリの非常に多数の微細パターンを、
顕微鏡下で目視して、フォトマスクやチップの欠陥検査
を行なっている。
顕微鏡下で目視して、フォトマスクやチップの欠陥検査
を行なっている。
欠陥検査で欠陥を発見した場合、欠陥個所を指定するた
めに、顕微鏡の視野内に発見された微細な欠陥部分が、
メモリパターン全体の中のどのような位置にあるのか、
容易に確認できると便利である。
めに、顕微鏡の視野内に発見された微細な欠陥部分が、
メモリパターン全体の中のどのような位置にあるのか、
容易に確認できると便利である。
しかし従来の磁気バブルメモリチップには、欠陥個所が
メモリパターン全体の中のどのような位置にあるのかを
知るための指標を設けていなかったために、検査で発見
した欠陥個所の指定が困難で、欠陥検査の処理効率を極
端に悪くしていた。
メモリパターン全体の中のどのような位置にあるのかを
知るための指標を設けていなかったために、検査で発見
した欠陥個所の指定が困難で、欠陥検査の処理効率を極
端に悪くしていた。
本発明の目的は、欠陥個所の指定を容易に行うことので
きる磁気バブルメモリチップを提供することにある。
きる磁気バブルメモリチップを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、チップ上
に配列したメモリパターン周辺部に、メモリパターンの
任意の個所を明確に一義的に指定できる位置座標を示す
指標を設けることとした。
に配列したメモリパターン周辺部に、メモリパターンの
任意の個所を明確に一義的に指定できる位置座標を示す
指標を設けることとした。
第3図は本発明の一実施例図である。
ガードレール4の外周に配設した数字パターンsx、s
yが、それぞれメモリパターン上の位置を示すための本
発明に係るX座標、y座標の指標である。
yが、それぞれメモリパターン上の位置を示すための本
発明に係るX座標、y座標の指標である。
本図に例示したように、通常はX座標としてマイナルー
プのループ番号をえらび、y座標として各マイナループ
内のビット番号(メモリアドレス)をえらび、X座標は
、1,5,10,15・・・・・・5n、・・・・・・
と5ループきざみに指標となる数字パターンを設け、y
座標は1,5,10.・・・・・・。
プのループ番号をえらび、y座標として各マイナループ
内のビット番号(メモリアドレス)をえらび、X座標は
、1,5,10,15・・・・・・5n、・・・・・・
と5ループきざみに指標となる数字パターンを設け、y
座標は1,5,10.・・・・・・。
5n、・・・・・・と5ビツトきざみに指標となる数字
パターンを設けると便利である。
パターンを設けると便利である。
しかし位置を示す指標は数字パターンに限られることな
く、文字と数字の組合せ等、読取り、記録、記憶が容易
で互いに混同を生じないものならば、どぶなパターンを
指標に用いてもよい。
く、文字と数字の組合せ等、読取り、記録、記憶が容易
で互いに混同を生じないものならば、どぶなパターンを
指標に用いてもよい。
また通常はx、y直交座標系を用いるのが都合がよいが
、メモリパターンの形状等によっては他の座標系を用い
ても差支えない。
、メモリパターンの形状等によっては他の座標系を用い
ても差支えない。
これらの位置を指定する指標のパターンは、その材料や
形成法によっては、もしメモリパターンに非常に近接し
て配設したりすると、磁気バブルメモリのメモリ機能に
対して悪影響を及ぼす危険性がある。
形成法によっては、もしメモリパターンに非常に近接し
て配設したりすると、磁気バブルメモリのメモリ機能に
対して悪影響を及ぼす危険性がある。
この危険性をさけるためには、位置指標をガードレール
4の外周に沿って配設すればよい。
4の外周に沿って配設すればよい。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブルメモリ
チップ上のメモリパターンの任意の個所を明確に一義的
に指定できるので、パターン欠陥検査における欠陥個所
の指定などが容易に的確に行えるようになり、欠陥検査
の処理効率を大幅に向上できるなどの効果がある。
チップ上のメモリパターンの任意の個所を明確に一義的
に指定できるので、パターン欠陥検査における欠陥個所
の指定などが容易に的確に行えるようになり、欠陥検査
の処理効率を大幅に向上できるなどの効果がある。
第1図は従来の磁気バブルメモリチップのパターン構成
側図、第2図は磁気バブルメモリチップのメモリパター
ンを構成する微細なパターンの例を示す図、第3図は本
発明の一実施例図である。 1・・・・・・磁気バブルメモリチップ、2・・・・・
・マイナループ、3・・・・・・メイジャループ、4・
・・・・・ガードレール、5・・・・・・数字パターン
。
側図、第2図は磁気バブルメモリチップのメモリパター
ンを構成する微細なパターンの例を示す図、第3図は本
発明の一実施例図である。 1・・・・・・磁気バブルメモリチップ、2・・・・・
・マイナループ、3・・・・・・メイジャループ、4・
・・・・・ガードレール、5・・・・・・数字パターン
。
Claims (1)
- 1 チップ上に配列したメモリパターン周辺部に、メモ
リパターンの任意の個所を指定する位置座標を示す指標
を設けたことを特徴とする磁気バブルメモリチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2347978A JPS5841587B2 (ja) | 1978-03-03 | 1978-03-03 | 磁気バブルメモリチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2347978A JPS5841587B2 (ja) | 1978-03-03 | 1978-03-03 | 磁気バブルメモリチツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54116849A JPS54116849A (en) | 1979-09-11 |
| JPS5841587B2 true JPS5841587B2 (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12111656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2347978A Expired JPS5841587B2 (ja) | 1978-03-03 | 1978-03-03 | 磁気バブルメモリチツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841587B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5914191A (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-25 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリデバイスの不良ル−プ表示方法 |
| JPS6043291A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子における不良ル−プ表示記号の形成方法 |
-
1978
- 1978-03-03 JP JP2347978A patent/JPS5841587B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54116849A (en) | 1979-09-11 |
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