JPS58416U - 半導体製造治具 - Google Patents
半導体製造治具Info
- Publication number
- JPS58416U JPS58416U JP9331681U JP9331681U JPS58416U JP S58416 U JPS58416 U JP S58416U JP 9331681 U JP9331681 U JP 9331681U JP 9331681 U JP9331681 U JP 9331681U JP S58416 U JPS58416 U JP S58416U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor manufacturing
- manufacturing jig
- silicon carbide
- carbide layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は横型エピタキシャル成長装置の断面区第２図は
従来のサセプタの要部拡大断面図、第３図は従来のサセ
プタのエピタキシャル成長後の装部拡大断面図、第４図
は従来のサセプタのエッチ゛ フグ後の要部拡大断面
図、第５図および第６図は； この考案の異なる実施
例のサセプタの要部拡大断シ 面図である。
従来のサセプタの要部拡大断面図、第３図は従来のサセ
プタのエピタキシャル成長後の装部拡大断面図、第４図
は従来のサセプタのエッチ゛ フグ後の要部拡大断面
図、第５図および第６図は； この考案の異なる実施
例のサセプタの要部拡大断シ 面図である。
Claims (1)
- ゛カーボンよりなりその表面を炭化シリコン層で被覆し
てなる半導体製造治具において、前記炭化シリコン層の
上に少なくとも窒化シリコン層を千成したことを特徴と
する半導体製造治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331681U JPS58416U (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | 半導体製造治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331681U JPS58416U (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | 半導体製造治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58416U true JPS58416U (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=29888284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9331681U Pending JPS58416U (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | 半導体製造治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58416U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5284964A (en) * | 1976-01-07 | 1977-07-14 | Hitachi Ltd | Vapor phase growth method for semiconductors |
-
1981
- 1981-06-24 JP JP9331681U patent/JPS58416U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5284964A (en) * | 1976-01-07 | 1977-07-14 | Hitachi Ltd | Vapor phase growth method for semiconductors |
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