JPS5842255A - 多層配線をもつ半導体実装基板とその製造方法 - Google Patents
多層配線をもつ半導体実装基板とその製造方法Info
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- JPS5842255A JPS5842255A JP14061381A JP14061381A JPS5842255A JP S5842255 A JPS5842255 A JP S5842255A JP 14061381 A JP14061381 A JP 14061381A JP 14061381 A JP14061381 A JP 14061381A JP S5842255 A JPS5842255 A JP S5842255A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は多層配線をもつ半導体装基板とその製造方法
に関するものである。
に関するものである。
半導体集積回路は１枚の半導体基体内に、トランジスタ
、ダイオード、抵抗などの回路素子を多く集積して構成
するために、基体表面に必要な配線を一平面で形成する
と、配線が長くなって大暑な両横を必要としたシ、交叉
によって配線自体が不可能になる場合がＴｏシ、このた
めに従来は必要な配線を、眉間絶縁膜の介在で多層に形
成するようにしてお〉、同様な理由でセラミック基板、
プリント基板などに多層配線を形成し、その上に７リツ
プチツプｌンデイングなどで半導体素子を実装するよう
にしている。
、ダイオード、抵抗などの回路素子を多く集積して構成
するために、基体表面に必要な配線を一平面で形成する
と、配線が長くなって大暑な両横を必要としたシ、交叉
によって配線自体が不可能になる場合がＴｏシ、このた
めに従来は必要な配線を、眉間絶縁膜の介在で多層に形
成するようにしてお〉、同様な理由でセラミック基板、
プリント基板などに多層配線を形成し、その上に７リツ
プチツプｌンデイングなどで半導体素子を実装するよう
にしている。
従来Ｏこのｇｏ多層配＊＊造につき、半導体集積回路を
Ｈにとって第１図に示す。すなわち、この従来例では、
トランジスタ、ダイオードなどの半導体素子を組み込ん
だシリコンウェハ（１）上に、保護膜としての所定位置
に接続用開口をあけた二酸化シリコン膜（２）を形成さ
せ、かつこの上にアルミニラムなどの導体金属の蒸着と
そのパターニング、蝕刻除去により第１層目の金属被膜
による導体配線層（３）を形成させ、さらにその上に気
相成長あるいは高周波スパッタにより、層間絶縁膜とし
ての二酸化シリコン膜（４）を介して第２層目の導体配
線層（５）を同様に形成させており、配線層（３） 、
（５）間は接続用開口（６）によ〉接続させるように
している。
Ｈにとって第１図に示す。すなわち、この従来例では、
トランジスタ、ダイオードなどの半導体素子を組み込ん
だシリコンウェハ（１）上に、保護膜としての所定位置
に接続用開口をあけた二酸化シリコン膜（２）を形成さ
せ、かつこの上にアルミニラムなどの導体金属の蒸着と
そのパターニング、蝕刻除去により第１層目の金属被膜
による導体配線層（３）を形成させ、さらにその上に気
相成長あるいは高周波スパッタにより、層間絶縁膜とし
ての二酸化シリコン膜（４）を介して第２層目の導体配
線層（５）を同様に形成させており、配線層（３） 、
（５）間は接続用開口（６）によ〉接続させるように
している。
と＼でこのような従来の多層配線構造では、導体配線層
（３） 、 （５）間の層間絶縁膜として二酸化シリコ
ン膜（４）を形成させるのに、最低４５０℃の温度条件
を必要とすること、ｉ九これによって下層の配線層を形
成しているアルミニウムなどにヒルロックなどの微小突
起を生ずることのために次のような問題点がある。
（３） 、 （５）間の層間絶縁膜として二酸化シリコ
ン膜（４）を形成させるのに、最低４５０℃の温度条件
を必要とすること、ｉ九これによって下層の配線層を形
成しているアルミニウムなどにヒルロックなどの微小突
起を生ずることのために次のような問題点がある。
すなわち、第１には、微小突起のために、その上に堆積
される二酸化シリコン膜（４）に多数のピンホールを生
じさせて、両導体配線層（ａ） 、 （５）間を短絡さ
せる点でＬＪ）、また第２には、温度条件から、ウェハ
（１）、二酸化シリコン膜（２） 、 （４）および導
体配線層（３） 、 （５）Ｏ相互の熱膨張係数の差異
により亀裂を生ずる点で、特に二酸化シリコン膜＋２＞
、 （４）を厚く堆積させたときに問題となる。そし
て第３には、二酸化シリコン膜（２） 、 （４）にあ
けられる開口（６）の壁面が、ウェハ（１）Ｋ対して垂
直に近い形状となるために、導体金属の蒸着が充分厚く
なくて、この部分で配線層（３） 、 （５）が断線す
る場合がある点でアシ、さらに第４には、導体配線層（
３）の凹凸のために、二酸化シリコン膜（４）がその段
差部分（７）で充分に堆積せず、両配線層（ａ） 、
（５）間が短絡する慣れが多ることである。
される二酸化シリコン膜（４）に多数のピンホールを生
じさせて、両導体配線層（ａ） 、 （５）間を短絡さ
せる点でＬＪ）、また第２には、温度条件から、ウェハ
（１）、二酸化シリコン膜（２） 、 （４）および導
体配線層（３） 、 （５）Ｏ相互の熱膨張係数の差異
により亀裂を生ずる点で、特に二酸化シリコン膜＋２＞
、 （４）を厚く堆積させたときに問題となる。そし
て第３には、二酸化シリコン膜（２） 、 （４）にあ
けられる開口（６）の壁面が、ウェハ（１）Ｋ対して垂
直に近い形状となるために、導体金属の蒸着が充分厚く
なくて、この部分で配線層（３） 、 （５）が断線す
る場合がある点でアシ、さらに第４には、導体配線層（
３）の凹凸のために、二酸化シリコン膜（４）がその段
差部分（７）で充分に堆積せず、両配線層（ａ） 、
（５）間が短絡する慣れが多ることである。
従ってこの発明の目的は、従来の多層配線構造のこのよ
うな欠点を改善し九多層配線をもつ半導体装基板とその
製造方法を提案することであシ、この目的を達成する丸
めに、この発明では導体配線層間の絶縁膜として、ポリ
イミド、ポリアミドなどの耐熱性、熱硬化性高分子物質
を用い、かつその熱処理を制御するようにしたものであ
る。
うな欠点を改善し九多層配線をもつ半導体装基板とその
製造方法を提案することであシ、この目的を達成する丸
めに、この発明では導体配線層間の絶縁膜として、ポリ
イミド、ポリアミドなどの耐熱性、熱硬化性高分子物質
を用い、かつその熱処理を制御するようにしたものであ
る。
こ＼でこの種の高分子物質は、耐熱性、熱硬化性である
ｔｌかに耐薬品性に富み、かつ化学的に安定した材料で
あるが、この材料によって得られた層間絶縁膜としての
高分子樹脂膜については、導体配線層間の電気的導通を
とるだめの開口部エツチングを制御性よく形成する手段
がなかった。そこでこの発明では、特に熱硬化処理を工
夫して配線構造を改良したものである。
ｔｌかに耐薬品性に富み、かつ化学的に安定した材料で
あるが、この材料によって得られた層間絶縁膜としての
高分子樹脂膜については、導体配線層間の電気的導通を
とるだめの開口部エツチングを制御性よく形成する手段
がなかった。そこでこの発明では、特に熱硬化処理を工
夫して配線構造を改良したものである。
以下、この発明の一実施例について詳細に説明するＯ
まず配線構造の改良と密接に関係する高分子樹脂膜の加
工性につき、特に熱処理の観点から述べる。
工性につき、特に熱処理の観点から述べる。
よく知られているように熱硬化性高分子樹脂膜は、未硬
化の樹脂を熱処理によや硬化させて形成しており、この
処理には２′：）の目的がおる。その１つは樹脂中に含
まれている溶媒を蒸発させることでアリ、他の１つはポ
リアミック状態で存在している樹脂に脱水反応を生じさ
せてポリイミドを形成させることである。そしてこの熱
処理を適正になさないと、得られる樹脂膜の加工性に関
して次のような問題を生ずる。すなわち、熱処理を低温
（８０℃以下）で行なうと均一な被膜を形成できず、そ
の結果として多くの場合、被膜に対するエツチング速度
が早くなって、開口部が過剰にエツチングされ、その制
御性が悪化する不利があり、また熱処理を高温（４００
℃以上）で行なうと、溶媒蒸発あるいはイミド化による
水の発生で被膜中に気泡を生じ、かつ表面に凹凸があら
れれるもので、この現象は未硬化の樹脂を、樹脂中溶媒
の沸点以上の温度に一巻なシ装置したときにも同様（ト
レニースの場合、溶媒ｄＮ−Ｎ’ジメチルアセトアミド
、沸点は１６３℃）で、その結果として被膜の加工性を
低下させ、多く０場合、開ロ部のエツジあるいはコーナ
ーのきれ、断面形状などのノ（ターニング性が悪化する
ことになる。
化の樹脂を熱処理によや硬化させて形成しており、この
処理には２′：）の目的がおる。その１つは樹脂中に含
まれている溶媒を蒸発させることでアリ、他の１つはポ
リアミック状態で存在している樹脂に脱水反応を生じさ
せてポリイミドを形成させることである。そしてこの熱
処理を適正になさないと、得られる樹脂膜の加工性に関
して次のような問題を生ずる。すなわち、熱処理を低温
（８０℃以下）で行なうと均一な被膜を形成できず、そ
の結果として多くの場合、被膜に対するエツチング速度
が早くなって、開口部が過剰にエツチングされ、その制
御性が悪化する不利があり、また熱処理を高温（４００
℃以上）で行なうと、溶媒蒸発あるいはイミド化による
水の発生で被膜中に気泡を生じ、かつ表面に凹凸があら
れれるもので、この現象は未硬化の樹脂を、樹脂中溶媒
の沸点以上の温度に一巻なシ装置したときにも同様（ト
レニースの場合、溶媒ｄＮ−Ｎ’ジメチルアセトアミド
、沸点は１６３℃）で、その結果として被膜の加工性を
低下させ、多く０場合、開ロ部のエツジあるいはコーナ
ーのきれ、断面形状などのノ（ターニング性が悪化する
ことになる。
第３図はＦレニース被膜のエツチング速度の硬化時間依
存性につき、硬化温ｌｔＴを）くラメータにとりて示し
たものであシ、エツチング液としてはヒドラジン１００
ＩＩｊとエチレンジアミン４００ｗＬｌとからなる混合
液を用いて２０℃一定とした。この第３図からも、熱処
理温度が高い場合、エツチング速度が著るしく遅くなる
ことが判る。そしてこのエツチング速度の低下は、前記
したように開口部のエツジ、コーナーのきれ、断面形状
を悪くすると同時に作業性の低下を招くもので、さらに
熱処理時間を短かくした場合、溶媒蒸発が不充分になっ
て、その結果、被膜の均一性が悪くなり、同様に加工性
を低下させるものであった。
存性につき、硬化温ｌｔＴを）くラメータにとりて示し
たものであシ、エツチング液としてはヒドラジン１００
ＩＩｊとエチレンジアミン４００ｗＬｌとからなる混合
液を用いて２０℃一定とした。この第３図からも、熱処
理温度が高い場合、エツチング速度が著るしく遅くなる
ことが判る。そしてこのエツチング速度の低下は、前記
したように開口部のエツジ、コーナーのきれ、断面形状
を悪くすると同時に作業性の低下を招くもので、さらに
熱処理時間を短かくした場合、溶媒蒸発が不充分になっ
て、その結果、被膜の均一性が悪くなり、同様に加工性
を低下させるものであった。
このように高分子樹脂膜の熱処理については種々の問題
点があるので、耐熱性高分子樹脂からなる絶縁被膜で被
覆した多層配線をもつ半導体装基板の製造に際しては、
これらの各点に留意して製造方法を定める必要がある。
点があるので、耐熱性高分子樹脂からなる絶縁被膜で被
覆した多層配線をもつ半導体装基板の製造に際しては、
これらの各点に留意して製造方法を定める必要がある。
次に第２図に示す一実施例に基き、特に耐熱性高分子樹
脂からなる絶縁被膜の選択的加工手段に注目して詳細に
述べる。
脂からなる絶縁被膜の選択的加工手段に注目して詳細に
述べる。
まず半導体装基板として３０■口のセラミック基板（８
）〔京都セラミック社製〕を用い、これを通常の方法で
洗浄し、この基板（８）上に耐熱性高分子樹脂であるト
レニース（樹脂分１７−２粘度１．０００ｃｐ） （東
洋レーヨン社製、半導体グレード〕時間６０秒）で形成
し九のち、直ちに窒素雰囲気中で９０℃、６０分間乾燥
して、大部分の溶媒（Ｎ−Ｎ’−ジメチルアセトアミド
）を蒸発させてから、同雰囲気中で１８０”０６０分間
、 ツいｆ３８０’ｏ。
）〔京都セラミック社製〕を用い、これを通常の方法で
洗浄し、この基板（８）上に耐熱性高分子樹脂であるト
レニース（樹脂分１７−２粘度１．０００ｃｐ） （東
洋レーヨン社製、半導体グレード〕時間６０秒）で形成
し九のち、直ちに窒素雰囲気中で９０℃、６０分間乾燥
して、大部分の溶媒（Ｎ−Ｎ’−ジメチルアセトアミド
）を蒸発させてから、同雰囲気中で１８０”０６０分間
、 ツいｆ３８０’ｏ。
６０分間加熱して硬化させる。これによって得られた被
膜（９）の厚さは約６ ｐｍであった。
膜（９）の厚さは約６ ｐｍであった。
ついで前記基板（８）の被膜（９）上に、アルミニウム
を通常の方法で蒸着させ、これを同様に通常の写真蝕刻
法によシ所定の配線パターンにパターニングして厚さ約
ｏ、７Ｉ１ｍの第１層目の導体配線層（１１を形成する
。セしてまえその上には前記と同様のトレニース被膜（
１１）をスピン塗布法（回転数４．００Ｏｒｐｍ、回転
時間６０秒）で形成させ、同様に窒素雰囲気中で９０℃
、６０分間オヨび１８０”ｏ、６０分間加熱して一旦硬
化させ、約３μｍ厚さの被膜ａυを得る。さらにこの上
には、フォトレジストＯＭＢ ’８３〔ネガ型東京応化
社製、粘度ｌｏ ｃｐ）を用い、周知の写真製版法によ
シ所定のパターンを形成させ、トレニース被膜ａ１）の
所要部分をこの約０．５５声ｍ厚さのフォトレジストで
覆ったのち、ヒドラジン１００−とエチレンジアミン１
００−からなるエツチング液（液温２０℃）に約３分間
浸漬し、露出部分のトレニース被膜を選択的にエツチン
グ除去して開口部（ｌＩＪを形成する。さらに続いて通
常の方法でフォトレジストを除去した上で、窒素雰囲気
中で３８０℃、３０分間加熱して硬化処理し、かつさら
にもう一度前記手順によシ第２層目の導体配線層−を形
成する。すなわち、このようにして層構造の配線層をも
つ半導体装基板を製造した。
を通常の方法で蒸着させ、これを同様に通常の写真蝕刻
法によシ所定の配線パターンにパターニングして厚さ約
ｏ、７Ｉ１ｍの第１層目の導体配線層（１１を形成する
。セしてまえその上には前記と同様のトレニース被膜（
１１）をスピン塗布法（回転数４．００Ｏｒｐｍ、回転
時間６０秒）で形成させ、同様に窒素雰囲気中で９０℃
、６０分間オヨび１８０”ｏ、６０分間加熱して一旦硬
化させ、約３μｍ厚さの被膜ａυを得る。さらにこの上
には、フォトレジストＯＭＢ ’８３〔ネガ型東京応化
社製、粘度ｌｏ ｃｐ）を用い、周知の写真製版法によ
シ所定のパターンを形成させ、トレニース被膜ａ１）の
所要部分をこの約０．５５声ｍ厚さのフォトレジストで
覆ったのち、ヒドラジン１００−とエチレンジアミン１
００−からなるエツチング液（液温２０℃）に約３分間
浸漬し、露出部分のトレニース被膜を選択的にエツチン
グ除去して開口部（ｌＩＪを形成する。さらに続いて通
常の方法でフォトレジストを除去した上で、窒素雰囲気
中で３８０℃、３０分間加熱して硬化処理し、かつさら
にもう一度前記手順によシ第２層目の導体配線層−を形
成する。すなわち、このようにして層構造の配線層をも
つ半導体装基板を製造した。
仁のようにして得られる半導体装基板は、それぞれに形
成される被膜（９）、αυの表面が平坦であシ、このた
めに被膜（１１）を介して交叉する各導体配線層ａ呻、
（１３の部分ａ◆にはとんど段差がなく、従って段差に
よる配線の断線を生ずることがない。また高分子樹脂に
よる被膜は、導電材料とその熱膨張係数が真なっていて
も、その違いによって生ずる内部応力を充分に吸収する
から、実用上充分なに亀裂を生ずることもない。さらに
絶縁性、耐熱性につめても充分な籠を有していて、信頼
性の高い配線構造体が得られる。
成される被膜（９）、αυの表面が平坦であシ、このた
めに被膜（１１）を介して交叉する各導体配線層ａ呻、
（１３の部分ａ◆にはとんど段差がなく、従って段差に
よる配線の断線を生ずることがない。また高分子樹脂に
よる被膜は、導電材料とその熱膨張係数が真なっていて
も、その違いによって生ずる内部応力を充分に吸収する
から、実用上充分なに亀裂を生ずることもない。さらに
絶縁性、耐熱性につめても充分な籠を有していて、信頼
性の高い配線構造体が得られる。
なお前記実施例では、半導体装基板としてセラミック基
板を用いたが、プリント基板、ガラス基板などであって
よく、耐熱性高分子からなる絶縁被膜としても、トレニ
ースのほかにＰＩＱ（日立化成社製） ％ｔ ＰＹＬＡ
Ｌ Ｉ Ｎ （Ｄｕ −Ｐｏ ｎ を社製〕などのポリ
イミド樹脂、ＨＩ−６００（日立化成社製〕などのポリ
アミトイζド樹脂を用いることができる。
板を用いたが、プリント基板、ガラス基板などであって
よく、耐熱性高分子からなる絶縁被膜としても、トレニ
ースのほかにＰＩＱ（日立化成社製） ％ｔ ＰＹＬＡ
Ｌ Ｉ Ｎ （Ｄｕ −Ｐｏ ｎ を社製〕などのポリ
イミド樹脂、ＨＩ−６００（日立化成社製〕などのポリ
アミトイζド樹脂を用いることができる。
ま九前記実施例で杜、多層配線を有する半導体装基板の
構造として、配線導体を２層としたが、技術的に容易に
予想されるように、よシ以上の多層配線にすることがで
き、同様に第１導体配線層を半導体容器上に直接形成す
ること、もしくは絶縁被膜上に直接形成することなどは
、基板表面の平坦性その他から適宜に選択できるところ
である。
構造として、配線導体を２層としたが、技術的に容易に
予想されるように、よシ以上の多層配線にすることがで
き、同様に第１導体配線層を半導体容器上に直接形成す
ること、もしくは絶縁被膜上に直接形成することなどは
、基板表面の平坦性その他から適宜に選択できるところ
である。
さらに前記実施例では、導体配線層間の耐熱性高分子か
らなる絶縁被膜の厚さを３μｍとしているが、絶縁破壊
強度、絶縁被膜に形成される開口寸法その他から、その
厚さを適宜に選択してよく、この被膜厚さは樹脂粘度、
スピナー回転数などの調節により容易に制御できる。
らなる絶縁被膜の厚さを３μｍとしているが、絶縁破壊
強度、絶縁被膜に形成される開口寸法その他から、その
厚さを適宜に選択してよく、この被膜厚さは樹脂粘度、
スピナー回転数などの調節により容易に制御できる。
そしてまた導体配線層の材料としても、アルミニウムの
ほかに金、モリブデン、ニッケル、鋼。
ほかに金、モリブデン、ニッケル、鋼。
白金、チタンなどの１）４るいは２つ以上を組み合わせ
九合金、もしくは２つ以上の多重膜としてもよく、これ
らはアルミニウム単独で用いるよりは機械的強度、熱的
安定性に優れている。
九合金、もしくは２つ以上の多重膜としてもよく、これ
らはアルミニウム単独で用いるよりは機械的強度、熱的
安定性に優れている。
以上詳述したようにこの発明によれば、ポリイミド、ポ
リアミドイミドなどの耐熱性高分子からなる絶縁被膜を
用い、この絶縁被膜をホトレジストなどの耐薬品性の被
膜でパターニング被覆した上で、選択的にエツチング開
口させるから、同開口部での絶縁被膜の傾斜角を制御で
き、併せてこの開口を通して接続される上下各導体配線
層の段差部における断線を解消し得られ、しかも絶縁被
膜は熱処通によって生ずる内部応力を吸収し得るから亀
裂、ピンホールがなく信頼性の高−多層配線構造を構成
でき、さらに絶縁被膜は周知の写真製版技術によ抄形成
できるために従来の設備をそのまま利用できるなどの特
長がある。
リアミドイミドなどの耐熱性高分子からなる絶縁被膜を
用い、この絶縁被膜をホトレジストなどの耐薬品性の被
膜でパターニング被覆した上で、選択的にエツチング開
口させるから、同開口部での絶縁被膜の傾斜角を制御で
き、併せてこの開口を通して接続される上下各導体配線
層の段差部における断線を解消し得られ、しかも絶縁被
膜は熱処通によって生ずる内部応力を吸収し得るから亀
裂、ピンホールがなく信頼性の高−多層配線構造を構成
でき、さらに絶縁被膜は周知の写真製版技術によ抄形成
できるために従来の設備をそのまま利用できるなどの特
長がある。
第１図は従来の方法による多層配線構造の半導体基板を
示す断面図、第２図はこの発明方法の一実施例を適用し
た多層配線構造の半導体装基板を示す断面図、第３図は
耐熱性高分子からなる絶縁被膜の加工性を示す説明図で
ある。 （８）・・・・セラミック基板、（９１、（Ｊυ・・・
・絶縁被膜、Ｑ（１、Ｑ３・・・・導体配線層、ｏｚ・
・・・開口部。 代理人 葛野信−（＃１が１名） 第１図 第２図 第３図 刃穴化澗朋（を）
示す断面図、第２図はこの発明方法の一実施例を適用し
た多層配線構造の半導体装基板を示す断面図、第３図は
耐熱性高分子からなる絶縁被膜の加工性を示す説明図で
ある。 （８）・・・・セラミック基板、（９１、（Ｊυ・・・
・絶縁被膜、Ｑ（１、Ｑ３・・・・導体配線層、ｏｚ・
・・・開口部。 代理人 葛野信−（＃１が１名） 第１図 第２図 第３図 刃穴化澗朋（を）
Claims (1)
- （１）基板上に耐熱性高分子からなる絶縁被膜を介して
導体配線層を多層に形成すると共に、これらの各導体配
線層間を絶縁被膜に形成した開口部を通して接続したこ
とを特徴とする多層配線をもつ半導体装基板。 （刀基板上に耐熱性高分子からなる第１の絶縁被膜を形
成する工程と、この第１０絶縁被膜上の少なくとも一部
に所定パターンＯ第１の導体配線層を形成する工程と、
この第１の導体配線層上に耐熱性高分子からなる第２の
絶縁被膜を形成する工程と、この第２の絶縁被膜に選択
的に導体間接続のためＯ開口部を形成する工程と、この
開口部を含んで第２の絶縁被膜上に少なくとも一部が嬌
在する所定パターンの第２０導体配線層を形成する工程
とを備えたことを特徴とする多層配線をもつ半導体装基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14061381A JPS5842255A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 多層配線をもつ半導体実装基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14061381A JPS5842255A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 多層配線をもつ半導体実装基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842255A true JPS5842255A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15272775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14061381A Pending JPS5842255A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 多層配線をもつ半導体実装基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842255A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611027A (ja) * | 1984-05-18 | 1986-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS611028A (ja) * | 1984-05-18 | 1986-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02503576A (ja) * | 1987-05-18 | 1990-10-25 | イギリス国 | 被覆した近αチタン品物 |
| JPH02504289A (ja) * | 1987-05-18 | 1990-12-06 | イギリス国 | 被覆した近αチタン品物 |
| JPH036359A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Sugitani Kinzoku Kogyo Kk | 粉末状金属溶射材料、その製造方法およびその用途 |
| JPH0394052A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Sugitani Kinzoku Kogyo Kk | 粉末状金属溶射材料、その製造方法およびその用途 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP14061381A patent/JPS5842255A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH02503576A (ja) * | 1987-05-18 | 1990-10-25 | イギリス国 | 被覆した近αチタン品物 |
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