JPS5846631A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPS5846631A
JPS5846631A JP56144794A JP14479481A JPS5846631A JP S5846631 A JPS5846631 A JP S5846631A JP 56144794 A JP56144794 A JP 56144794A JP 14479481 A JP14479481 A JP 14479481A JP S5846631 A JPS5846631 A JP S5846631A
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JP
Japan
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layer
titanium
aluminum
silicide
platinum
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Pending
Application number
JP56144794A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Kanamori
金森　周一
Masamichi Mori
正道 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/069—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by forming self-aligned vias or self-aligned contact plugs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/64—Electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/66—Wet etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/663—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only
    • H10P50/667—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only by liquid etching only
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/90—Bond pads, in general

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、シリコン半導体装置において、高い耐熱性を
有し大電流密度に耐えうるオーミック接触またはショッ
トキ接合を供する半導体装置およびその製造方法に関す
るものである。
従来、シリコン半導体装置用電極としては、オー建ツク
接触抵抗が低い仁と、導電率が高いこと、シリコン酸化
膜との密着力が強いこと、ボンディング強度が強いこと
、パターニングが容易なことなどの理由から、アルミニ
ウムが多く用いられてさたが、電極パターンの微細化お
よび拡散層のシャロク化に伴い、オーンツク処理工程に
おけるアル（ニクムのシリコンとの反応や大電流密度下
におけるエレクトロマイグレーションなどによ多接合短
絡や抵抗増大などの不良が発生し易くなるためにオーミ
ック接触には高温で安定な金輌シリサイドが使われるこ
とが多くなった。ショットキ接合について本同様であシ
、耐熱性の低いアル１ニウム電極に代わり、安定な金属
シリサイドが使用されるようになった。しかし配線材料
としてのアルミニウムの利点は捨て難く集積回路の配線
材料の主流を成している。
しかし、オーミック接触やショットキ接合に金属シリサ
イドを使用し、かつ第２層にアルミニウムを配線材料と
して使用した場合、金属シリサイドとアル１ニウムとの
間で金属間化合物を形成し、アルミニウムのシリコンと
の合金化による接合翅絡ないしはショットキ接合障壁の
高さが変わるなどの不良が生じ、アーミーウ疋−独で用
いた場合と同じ結果となり、金−シリサイドを使用する
ことの利点がなくなることが知られており、両者の反応
を阻止するための第３Ｑ層の必要性が高まっていた。
本発明は金属シリサイドとアルミニウム相互間の反応を
防止するために、第３の層として窒化チタン層を挿入す
る構造を提供するものであり、さらに窒化チタンの耐熱
性と安定性を利用してアルオニつ五層形成後に熱処理を
し金属シリサイドを形成することと、アル２ニウムをマ
スクとして窒化チタンをエツチングする方法をも提供す
るものである。
第１図は本発明の実施例であって、ｌはシリコン基転　
２はシリコン酸化膜、３は金属シリサイド、４は窒化チ
タン、５はアルミニウムである。
この構造の製造方法はまずシリコン基板にオーミック接
触またはショットキ接合を形成するためのチタンまたは
白金などの金属をスパッタリング法または真空蒸着法に
よシ大略２００Ｘ付着させ４５０°Ｃ１ｓ分＠ｔの熱処
理をすることによりチタニウムシリサイドまたは白金シ
リサイドを形成する。つづいて熱処理により反応せずに
残つ九シリコン酸化膜上のチタンまたは白金をエツチン
グ除去した後、アルゴン、窒素混合ガス中の反応性スパ
ッタリング法などにより窒化チタンを例えば１ｏｏｏ　
Ｘ形成し、つづいてアルミニウムをスパッタリング法ま
たは真空蒸着法により例えば１．５μｍ形成する。
パターン形成は通常の方法によシアルきニウムについて
まず行なう。つづいて窒化チタンのエツチングは過酸化
水素水１１に対してＥＤＴム（エチレンジアミン四酢ｅ
ＩＲ）１ｙの割合で混ぜたものを使用すればアルミニウ
ムは侵されずに窒化チタンのみがエツチング除去される
。このようにして第１図の構造のものが完成される。こ
の構造により、従来のアルミニウム単体の場合よりは高
い耐熱性を有し、高電流密度に耐えうる電極を提供しう
る。
また、窒化チタンのシリコン酸化膜への付着強度につい
ては実用上十分なものである。
第２図は本発明の他の実施例であり第１図の例とは製造
方法が異なる。即ち、金属シリサイド形成のだめの熱処
理工程を通さずにチタンまたは白金よりなる第１層、そ
の上に窒化チタンのｔｓ２層及びアルミニウムの第３層
を順に形成し、アルミニウムのエツチングを行う。その
後熱処理を施し金属シリサイドを形成する。第２図にお
いて１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３はチタ
ンまたは白金シリサイド、３′はシリサイドとならずに
残ったチタンまたは白金、４は窒化チタン、５はアルミ
ニウムである。この方法によれば、第１層から第３層ま
で同一の装置でつづけて形成できること、シリサイド形
成の熱処理は窒化チタンが優れた耐熱性と安定性をもつ
ことによシ完成品に近い状態でも実施できるために他の
高温プロセス例えば表面保ｍ膜形成工程などと併用でき
ることなど、工程の簡略化に与える利点も生ずる。
以上説明したようにシリコン半導体装置のオーミック接
触またはショットキ接合に対してチタニウムシリサイド
または白金シリサイドを使用し、かつ最外層としてアル
ミニウムを使用する電極において、シリサイド層とアル
ミニウム層の中間に第３の層として窒化チタン層を使用
する構造とすることによシ、オー建ツク処理等の熱処理
工程においてアルきニラみのシリコン中への侵入による
接合蝮絡やショットキ接合障壁の高さの異常などの発生
が抑えられることから着しい歩留り向上が得られるはか
、大電流密度下におけるエレクトロマイグレーシ１ンが
抑えられるために実用動作の面でも着しい信頼性の向上
が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は他の実施
例の１面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・チタニウムシリサイドまたは白金シリサイド、３・
・・チタンまたは白金、４・・・脅化チタン、Ｓアルミ
ニウム特許出願人 第１図 第２図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）シリコン半導体装置のオーミック接触を九はショ
    ットキ接合に対してシリコン基板上に形成されたチタニ
    ウムシリサイドまたは白金シリサイドよりなる第１層と
    、その上に形成された窒化チタンよりなる第２層と、さ
    らにその上に形成されたアルミニウムからなる第３層と
    を備えることを特徴とするシリコン半導体装置。
  2. （２）シリコン半導体装置のオーミック接触またはショ
    ット４−接合に対して、シリコン基板上にチタンまたは
    白金により第１層を形成して熱処理を行い、その上に第
    ２層として窒化チタン、さらに第３層としてアルミニウ
    ムを形成することを特徴とするシリコン半導体装置の製
    造方法。
  3. （３）シリコン半導体装置のオーミック接触またはクヨ
    ットキ接合に対し、シリコン基板上にチタン管たは白金
    により第１層を形成し、その上に第２層ヒして窒化チタ
    ン、さらに第３層としてアルミニウムを形成したのち、
    熱処理を施すことを特徴とするシリコン半導体装置の製
    造方法。
JP56144794A 1981-09-16 1981-09-16 半導体装置及びその製造方法 Pending JPS5846631A (ja)

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