JPS5846786B2 - 円筒磁区記憶装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はマイク・ループと、入力部と出力部の配置さ
れている移動路と、マイク・ループと移動路間で情報の
転送を制御する手段を有する円筒磁区素子を用いた記憶
装置に関するものであり、特にマイク・ループの欠陥に
対処する手段を備えた円筒磁区記憶装置に関するもので
ある。

本発明の円筒磁区記憶装置に使用される第１図に示すよ
うなメイジャ・マイク・ループ方式の円筒磁区記憶素子
の構成が、１９７１年６月に発行された雑誌「サイエン
ティフィック・アメリカン」（５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ
Ａｍｅｒｉｃａｎ ）、第２２４巻、第６号、第７８頁
〜第９０頁（文献１）、特に第９０頁に提案されている
。

図において矢印の付された実線は円筒磁区（磁区）の移
動路を表わしている。

複数個のマイク・ループ１１１〜１１６には情報が記憶
されている。

マイク・ループ１１１〜１１６はメモリ・ゲート１４１
〜１４６を介して入力部と出力部の配置されているメイ
ジャ・ループ１１７に連結されている。

入力部は、回転磁界の１周期毎に磁区を発生する磁区発
生１１３Ｌ磁区消去器１３２、および書込みゲート１４
７からなる書込み部と、磁区消去器１３３、および消去
ゲート１４８からなる消去部とからなり、出力部は磁区
検出器１３４からなる検出部で構成される。

読取り・書込みの動作の説明は前記文献１に詳細になさ
れているので参照されたい。

なお、以後の説明では第１図の構成の円筒磁区素子を円
筒磁区素子の１単位としている。

円筒磁区記憶素子（円筒磁区素子）を用いた記憶装置に
おいては、円筒磁区素子の価格が全体の価格に占める割
合が大きいので、円筒磁区素子の歩留りを向上させるこ
とが記憶装置の低価格化につながる。

記憶素子の歩留りを決定するのは、円筒磁区を保持する
磁性単結晶の欠陥と、円筒磁区を移動するために設けら
れる軟磁性材料や導体の欠陥である。

欠陥を含むため全く動作しない、あるいは動作マージン
の狭いような欠陥マイク・ループを有する円筒磁区素子
が多数生産されたとき、このような円筒磁区素子を装置
に組込まないようにすると、円筒磁区素子の歩留りは低
下し記憶装置の価格は上昇してしまう。

これに対し、欠陥マイク・ループは存在するが、メイジ
ャ・ループには欠陥のない円筒磁区素子であれば、これ
を記憶装置に組込み、欠陥マイク・ループを使用しない
ようにすると、円筒磁区素子の歩留りは向上するので、
記憶装置の価格を低下せしめることができる。

この場合、円筒磁区素子内のとのマイナ・ループに欠陥
が存在するかを示す情報、すなわち欠陥マイナ・ループ
位置情報（欠陥位置情報）に基づいて、欠陥マイナ・ル
ープを使用しないように書込み情報に対応する信号や読
取り情報に対応する信号の配列を制御することが必要で
ある。

円筒磁区素子をバイアス磁界装置と一体として取扱うよ
うにすれば、円筒磁区素子を不揮発性記憶素子とみなす
ことができる。

この特長を活用すれば、円筒磁区素子を媒体交換可能な
記憶素子として使用することができる。

欠陥マイナ・ループを有する円筒磁区素子を媒体交換可
能な記憶素子として使用する場合には、円筒磁区素子と
欠陥位置情報との対応を確実に管理しておかなければな
らない。

しかし、この対応関係を外部の記憶回路に記憶しておく
と、この対応関係が乱されるおそれがあった。

さらに、円筒磁区素子を記憶装置に装着する毎に欠陥位
置情報を記憶回路から読取って記憶装置にロードするこ
とは、煩雑であった。

円筒磁区素子を媒体交換可能な記憶素子として使用する
使用しないにかかわらず、メイジャ・マイナ・ループで
構成される円筒磁区素子の単位毎に欠陥位置情報を記憶
するための記憶回路の存在は、記憶装置の価格の上昇を
もたらしていた。

この発明の第１の目的は、記憶装置の価格上昇を伴なわ
ずに、欠陥マイナ・ループを有する記憶素子を組込み可
能とする記憶装置を得ることにある。

この発明の第２の目的は、媒体交換可能な記憶装置にお
いて、記憶装置の欠陥マイナ・ループに関する情報の管
理を容易で確実なものにすることにある。

次にこの発明について図面を参照して説明する。

第２図はメイジャ・マイナ・ループ方式の円筒磁区素子
に欠陥マイナ・ループ位置晴報を記憶した状態を示して
いる。

第１図に示した円筒磁区素子と異なり、第２図の円筒磁
区素子では、入出力部は省略され、メモリ・ケートは簡
略化されて実線で示されている。

記憶情報用マイナ・ループは１４個必要であるが、２個
の欠陥マイナ・ループの存在を許すものとして、１６個
の記憶情報用マイナ・ループ４−０〜４−１５を配置し
ている。

マイナ・ループ４−１６は１個の円筒磁区を格納してい
るタイミング用のマイナ・ループである。

マイナ・ループ４−１７〜４−２０は欠陥位置情報を記
憶するためのマイナ・ループである。

各マイナ・ループとメイジャ・ループ１間の情報の転送
単位は２ビツトであるとする。

なお、注目する磁区位置の情報は、黒丸によって１″が
表現され、白丸によってＯ′”が表現されるものとする
。

マイナ・ループ４−１６に格納されている唯１個の円筒
磁区が、たとえば、磁区位置ＰＴに存在するときを基準
にして、マイナ・ループ４−０〜４−２０の各磁区位置
に存在する情報の番地が規定される。

なお、ここでは、２磁区位置、たとえばＰ２とＰｌに存
在する情報が１個の番地に属する情報としている。

ここで、マイナ・ループ４−３とマイナ・ループ４−１
０が欠陥マイナ・ループであるとする。

記憶情報用マイナ・ループが１６個存在するので、欠陥
位置情報は４ビツトで表わされ、この場合には００１１
．１０１０となる。

４ビツトで表わされる２個の欠陥位置情報の各々は、マ
イナ・ループ４−１７および４−１８並びに４−１９お
よび４−２０の各番地に格納されている。

すなわち、欠陥位置情報００１１の下位ビット１１はマ
イナ・ループ４−１７の各番地に繰返し記憶され、上位
ビット００はマイナ・ループ４−１８の各番地に繰返し
記憶されている。

欠陥位置情報１０１０の下位ビット１０はマイナ・ルー
プ４−１９の各番地に繰返し記憶され、上位ビット１０
はマイナ・ループ４−２０の各番地に繰返し記憶されて
いる。

欠陥位置情報のマイナ・ループ４−１７〜４−２０への
書込みは、マイナ・ループ４−１７〜４−２０、４−０
〜４−１５の各番地に書込み情報１１０００１０１００
０・・・・・・・・・００を書込むことによって達成さ
れる。

この書込みは、記憶装置の外部で行なわれることもある
し、記憶装置で行なわれることもある。

欠陥位置情報のマイナ・ループ４−１７〜４２０からの
読取りは次のようになされる。

記憶情報用マイナ・ループ４−０〜４−１５の指定され
た番地に記憶されている情報を読取るために、その情報
をメイジャ・ループ１に転送して出力部で信号に変換す
ると、Ｔ１１０００１０１ＸＸＸ・・・・・・・・・×
×という読取り情報が得られる。

この情報の第２番目〜第５番目の情報１１００が第１の
欠陥位置情報となり、第６番目〜第９番目の情報０１０
１が第２の欠陥位置情報となる。

ここで、Ｔはタイミング用マイナ・ループ４−１６から
の読取り情報で一般にはＯである。

また×××・・・・・・・・・××は記憶情報用マイナ
・ループ４−０〜４１５からの指定された番地の読取り
情報である。

×はＯあるいは１である。

このように任意の番地を指定して読取り・書込み動作を
行なう場合、読取りに際してはその番地に属している情
報が検出器に移動する以前に欠陥位置情報を読取ること
ができる。

同様に、書込み根際しては、その番地に書込むべき情報
を書込むべき情報を書込み部から入力する以前に欠陥位
置情報を読取ることができる。

任意の番地を指定して行なわれる動作時毎に、選択され
る円筒磁区素子の欠陥位置情報を読取ることができるの
で、欠陥位置情報を記憶しておくレジスタやメモリは不
必要となる。

第２図において、欠陥マイナ・ループが１個の場合には
もう１個の欠陥位置情報を１１１１とし、欠陥マイナ・
ループが全熱存在しない場合には欠陥位置情報を１１１
０と１１１１とする。

第２図のように欠陥位置情報をマイナ・ループに記憶す
ることによって、欠陥のある円筒磁区素子をも記憶装置
に組込むことが可能になるが、円筒磁区素子中の記憶情
報用のマイナ・ループ以外には欠陥が存在しないことが
必要である。

第３図は本発明による記憶装置の構成図である。

メモリ・スタック４０１には、欠陥マイナ・ループを含
む円筒磁区素子が１個以上格納されている。

円筒磁区素子の各構成要素に接続される周辺回路として
、書込みゲート駆動回路４０２、消去ゲート駆動回路４
０３、メモリ・ゲート駆動回路４０４、センス増幅器４
０５が設けられている。

さらに円筒磁区を安定に存在せしめるためのバイアス磁
界を供給するバイアス磁界装置４０６、円筒磁区を移動
せしめるための回転磁界を供給する回転磁界装置４０７
が設げられている。

これらの回路および装置は制御回路４０８により制御さ
れる。

便宜上、記憶装置に供給される番地情報、読取り書込み
を指定する情報などの制御情報、入力情報、および記憶
装置から外部回路へ供給される出力情報は、制御回路４
０８を径由するものとする。

第４図によって、メイジャ・マイナ・ループ方式の円筒
磁区素子から欠陥マイナ・ループ位置情報を読取ったり
書込んだりするときの制御回路４０８の動作を説明する
。

なお、ここでは欠陥位置情報は第２図のように円筒磁区
素子に記憶されているものとする。

第４図の回路は制御回路４０８に含まれる回路である。

端子５０１には、第３図に示されたセンス増幅器４０５
の出力端子から供給される論理レベルの信号が供給され
ている。

端子５０２には、マイナ・ループから記憶情報とともに
メイジャ・ループに転送された欠陥位置情報が、磁区検
出器を通過する８周期の間、１１１１Ｔレベルとなる信
号５１０が印加される。

端子５０２に゛°１″信号が印加されている間、欠陥位
置情報はアンド・ゲート５０８を径て８ビツト長のシフ
ト・レジスタ５０４に入力される。

欠陥位置情報、すなわち００１１と１０１０とがシフト
・レジスタ５０４にセントされ、端子５０５から制御回
路４０８内の読取り信号と書込み信号列の配列を制御す
る制御部に供給される。

端子５０２からの信号がインバータ５０６によってイン
バートされた信号５１１が、アンド・ゲート５０７の一
方に入力されているので、端子５０８からは、メイジャ
・ループに転送された情報のうち欠陥位置清報を除いた
情報、すなわちマイナ・ループ４−０、４−１ 、・・
・・・・・・・、４−１５からの情報が得られる。

通常の読取り動作時には、端子５０８から得られた読取
り信号の配列は、端子５０５がら得られた欠陥位置情報
に基づいて制御され、欠陥マイナ・ループからの情報を
含まない連続した読取り信号が得られる。

一方通常の書込み動作時には、端子５０５から得られる
欠陥位置情報に基づいて、欠陥マイナ・ループを使用し
ないように書込み信号の配列が制御される。

書込みゲート１駆動回路４０２は、この配列の制御され
た書込み信号に基づいて動作する。

これらの詳細な動作は、特願昭４８−５５８８３号に示
されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来からあるメイジャ・マイナ・ループ方式の
円筒磁区素子の構成図、第２図は欠陥マイナ・ループ位
置情報を記憶するマイナ・ループの記憶状態の図、第３
図は本発明の記憶装置のブロック図、第４図は第３図の
ブロック図に示された制御回路の一部を示す図である。 図において、１はメイジャ・ループ、４−０〜４−１５
は記憶情報用マイナ・ループ、４−１７〜４−２０は欠
陥マイナ・ループ位置情報を記憶するマイナ・ループで
ある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数個の長さの等しいマイク・ループと、入力部と
   出力部の配置されている移動路と、前記マイク・ループ
   と前記移動路間で情報の転送を制御する手段とを有する
   円筒磁区記憶素子を用いた記憶装置において、欠陥マイ
   ク・ループ位置情報を繰返し記憶し前記出力部に近接す
   る欠陥位置情報用マイク・ループと、欠陥マイク・ルー
   プ位置情報の読取り、書込みを制御する制御手段とを備
   えたことを特徴とする円筒磁区記憶装置。