JPS584817B2 - ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS584817B2 JPS584817B2 JP50128598A JP12859875A JPS584817B2 JP S584817 B2 JPS584817 B2 JP S584817B2 JP 50128598 A JP50128598 A JP 50128598A JP 12859875 A JP12859875 A JP 12859875A JP S584817 B2 JPS584817 B2 JP S584817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- psg
- melting
- phosphorus
- window
- seizou
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に窓開き工程にお
いて、絶縁膜例えば酸化被膜のステップに傾斜をつけ、
金喝を蒸着して電極とした際の断線を少くし、同時に窓
開きを施した部分に拡散処理を行う方法に関するもので
ある。
いて、絶縁膜例えば酸化被膜のステップに傾斜をつけ、
金喝を蒸着して電極とした際の断線を少くし、同時に窓
開きを施した部分に拡散処理を行う方法に関するもので
ある。
半導体素子の表面シリコン層に電極形成のため、Ａｌ等
の金属を蒸着する際、あるいは表面シリコン層の特定領
域で選択拡散を行う際、蒸着される領域あるいは拡散さ
れる領域の酸化膜が直前にフォトエッチングにより取除
かれ、いわゆる窓開き処理が行われる。
の金属を蒸着する際、あるいは表面シリコン層の特定領
域で選択拡散を行う際、蒸着される領域あるいは拡散さ
れる領域の酸化膜が直前にフォトエッチングにより取除
かれ、いわゆる窓開き処理が行われる。
この窓開き工程において生じる、酸化被膜と表面シリコ
ン層とのステップは、その後の処理、例えば上記のＡｌ
蒸着時に多大な影響を与える。
ン層とのステップは、その後の処理、例えば上記のＡｌ
蒸着時に多大な影響を与える。
すなわち、表面の酸化被膜の段差の大きい個所で、配線
のくびれや断線が生じ易い等の欠点がある。
のくびれや断線が生じ易い等の欠点がある。
この場合、テーパーの付いたステップにすれば、断線は
きわめて少くなる。
きわめて少くなる。
また、従来、シリコン中に不純物を拡散し、さらにその
上に電極を形成するためには、拡散処理の後、電極形成
の処理を行うことが必要で、二つの工程を必要としてい
る。
上に電極を形成するためには、拡散処理の後、電極形成
の処理を行うことが必要で、二つの工程を必要としてい
る。
本発明は、上記のような問題点を解決する方法で、その
目的は、窓開き工程において、半導体素子に悪影響を及
ぼすことなく、酸化被膜の段差に傾斜をつけることがで
き、それによって断線を少くすると同時に、窓開きを施
された部分に拡散を行うことにある。
目的は、窓開き工程において、半導体素子に悪影響を及
ぼすことなく、酸化被膜の段差に傾斜をつけることがで
き、それによって断線を少くすると同時に、窓開きを施
された部分に拡散を行うことにある。
本発明においては、半導体素子上に酸化膜を設ける工程
と該酸化膜上にＰＳＧを設ける工程と、該酸化膜とＰＳ
Ｇをエッチングにより窓開きする工程と燐を含むガス中
でＰＳＧをメルトして窓の部分のステップにテーパーを
形成すると同時に拡散処理を行うことによって、上記目
的を達成している。
と該酸化膜上にＰＳＧを設ける工程と、該酸化膜とＰＳ
Ｇをエッチングにより窓開きする工程と燐を含むガス中
でＰＳＧをメルトして窓の部分のステップにテーパーを
形成すると同時に拡散処理を行うことによって、上記目
的を達成している。
以下、図面により、さらに詳細に説明する。
第１図は、本発明の製造方法による半導体素子の断面図
である。
である。
同図中、イはＮ層シリコン、２はＳｉＯ２保護膜、３，
５はＰＳＧ、４はメルトしたＰＳＧにより形成されるテ
ーパ一部である。
５はＰＳＧ、４はメルトしたＰＳＧにより形成されるテ
ーパ一部である。
シリコン層１の上にＳｉ０２保護膜２を設け更にＳｉＯ
２膜上にＰＳＧ（燐・シリコン・ガラス）３をかなり低
い温度で成長し、Ｓｉ０２とＰＳＧをエッチングしてス
テップを形成する。
２膜上にＰＳＧ（燐・シリコン・ガラス）３をかなり低
い温度で成長し、Ｓｉ０２とＰＳＧをエッチングしてス
テップを形成する。
次に、９００℃以上の高温で焼鈍すると、ＰＳＧ３はメ
ルトする。
ルトする。
メルトしたＰＳＧは、丸みを有するテーパ４を形成する
。
。
この際、ＰＳＧ３は、あるメルディング雰囲気によって
は、「アレ」を生ずる場合がある。
は、「アレ」を生ずる場合がある。
その際に、ＰＳＧ３は、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５の成分で構
成され、またＰ２Ｏ５の濃度と温度の関係は第２図で表
わされる。
成され、またＰ２Ｏ５の濃度と温度の関係は第２図で表
わされる。
図の曲線Ａは、液体（ＩＪ）から固体化する温度曲線で
あって、例えばＴ１の温度で平衡状態にあるＰＳＧが、
Ｔ２に温度を上昇させると、Ｐ２Ｏ５はＣ２の濃度で液
体となる。
あって、例えばＴ１の温度で平衡状態にあるＰＳＧが、
Ｔ２に温度を上昇させると、Ｐ２Ｏ５はＣ２の濃度で液
体となる。
したがって、高温になればなるほどＰＳＧ中のほとんど
燐が液化してしまい燐の流出量は多くなる。
燐が液化してしまい燐の流出量は多くなる。
上記の「アレ」の原因が、すべての燐の流出によるもの
ではないにしても、Ｐ２Ｏ５の減少が大きな影響を与え
ていることは間違いない。
ではないにしても、Ｐ２Ｏ５の減少が大きな影響を与え
ていることは間違いない。
ここで流出する燐はＳｉＯ２中に拡散されている。
また、すでに窓開きを施した部分には、ＰＳＧあるいは
ＰＳＧ及びＳｉＯ２が存在しないため、露出したシリコ
ン表面が直接メルテイング雰囲気にさらされることにな
る。
ＰＳＧ及びＳｉＯ２が存在しないため、露出したシリコ
ン表面が直接メルテイング雰囲気にさらされることにな
る。
この場合、メルティング温度がかなり高温であると、雰
囲気中の窒素によりシリコン表面に電極とのコンタクト
不良を生ずるような膜の形成がみられる。
囲気中の窒素によりシリコン表面に電極とのコンタクト
不良を生ずるような膜の形成がみられる。
そこで、本発明においては、メルティング雰囲気中にあ
る量の燐を含ませてメルトを行わせることによって、ア
ウト・ディヒュージョン（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ
）等によるＰＳＧ中の燐の濃度減少を防ぐことができ、
安定したＰＳＧのメルティングが行なえる様にした。
る量の燐を含ませてメルトを行わせることによって、ア
ウト・ディヒュージョン（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ
）等によるＰＳＧ中の燐の濃度減少を防ぐことができ、
安定したＰＳＧのメルティングが行なえる様にした。
また、露出したシリコン層１中には同時に燐拡散が行え
る。
る。
すなわち、メルテイング雰囲気中の燐がＰＳＧ中に拡散
されるため、ＰＳＧがメルトした際、ＰＳＧ中の燐がＳ
ｉＯ２中に拡散された分が補充される。
されるため、ＰＳＧがメルトした際、ＰＳＧ中の燐がＳ
ｉＯ２中に拡散された分が補充される。
又、メルティング雰囲気中の燐が露出したシリコン中に
拡散され、窒素等によるコンタクト不良を生じさせる膜
が生成しない。
拡散され、窒素等によるコンタクト不良を生じさせる膜
が生成しない。
その後、露出したシリコン表面１ａに付着したＰＳＧ５
を取去り、電極を形成する。
を取去り、電極を形成する。
すなわち、エッチング・レートの高いＰＳＧをシリコン
表面１ａに積極的に付着することにより、窒素ガス雰囲
気による膜の形成もなく、簡単にエッチングでＰＳＧを
取去って、そこに良好なコンタクトで金属を蒸着するこ
とができる。
表面１ａに積極的に付着することにより、窒素ガス雰囲
気による膜の形成もなく、簡単にエッチングでＰＳＧを
取去って、そこに良好なコンタクトで金属を蒸着するこ
とができる。
普通の場合には、先にメルトした後、窓開きを行い、ス
テップにはエッチングでテーパーをつけるのであるが、
本発明では最初窓開きを行ってからＰＳＧでメルトする
ので、スアツプのテーパー付けと拡散が同時に行える。
テップにはエッチングでテーパーをつけるのであるが、
本発明では最初窓開きを行ってからＰＳＧでメルトする
ので、スアツプのテーパー付けと拡散が同時に行える。
尚本発明において、ガスはＰＯＣｌ３等を用いる。
以上説明したように、本発明は、半導体素子表面に絶縁
膜とＰＳＧとを設けて、拡散領域を形成するための窓を
開けた後、燐を含む雰囲気中でＰＳＧのメルト温度に加
熱し、窓の部分のステップにテーパーを形成すると同時
に拡散処理を行うものであり、窓の部分のステップにテ
ーパーか形成されるから、Ａｌ等の配線に断線が生じる
ことがなくなり、燐を含む雰囲気中でＰＳＧのメルトを
行うことにより、安定したＰＳＧのメルトを行うことが
できると共に、コンタクト不良の原因となる不要の膜が
形成されないものとなる。
膜とＰＳＧとを設けて、拡散領域を形成するための窓を
開けた後、燐を含む雰囲気中でＰＳＧのメルト温度に加
熱し、窓の部分のステップにテーパーを形成すると同時
に拡散処理を行うものであり、窓の部分のステップにテ
ーパーか形成されるから、Ａｌ等の配線に断線が生じる
ことがなくなり、燐を含む雰囲気中でＰＳＧのメルトを
行うことにより、安定したＰＳＧのメルトを行うことが
できると共に、コンタクト不良の原因となる不要の膜が
形成されないものとなる。
更に、ＰＳＧのメルトと同時に拡散処理を行うものであ
るから、処理工程数を従来例より少なくすることかでき
る利点がある。
るから、処理工程数を従来例より少なくすることかでき
る利点がある。
第１図は本発明の製造方法を示す半導体素子の断面図、
第２図はＰＳＧにおけるＰ２０５の液化の濃度と温度の
関係曲線図である。 １：Ｎ形シリコン層、２：ＳｉＯ２保護膜、３：ＰＳＧ
，４：ＰＳＧのメルテイングによるテーパ一部、５：Ｐ
ＳＧ、Ｌｇ：液体、Ａ：液化温度曲線。
第２図はＰＳＧにおけるＰ２０５の液化の濃度と温度の
関係曲線図である。 １：Ｎ形シリコン層、２：ＳｉＯ２保護膜、３：ＰＳＧ
，４：ＰＳＧのメルテイングによるテーパ一部、５：Ｐ
ＳＧ、Ｌｇ：液体、Ａ：液化温度曲線。
Claims (1)
- １ 半導体素子の表面に絶縁膜を設ける工程と、該絶縁
膜上にＰＳＧを設ける工程と、該絶縁膜とＰＳＧとをエ
ッチングして窓開きする工程と、燐を含む雰囲気中で前
記ＰＳＧをメルトして前記窓の部分のステップにテーパ
ーを形成すると同時に拡散処理を行う工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50128598A JPS584817B2 (ja) | 1975-10-25 | 1975-10-25 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50128598A JPS584817B2 (ja) | 1975-10-25 | 1975-10-25 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5252576A JPS5252576A (en) | 1977-04-27 |
| JPS584817B2 true JPS584817B2 (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14988720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50128598A Expired JPS584817B2 (ja) | 1975-10-25 | 1975-10-25 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584817B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182508U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-19 | ||
| JPS63182188U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106148A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314183B2 (ja) * | 1972-05-25 | 1978-05-16 |
-
1975
- 1975-10-25 JP JP50128598A patent/JPS584817B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182508U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-19 | ||
| JPS63182188U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5252576A (en) | 1977-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4271582A (en) | Process for producing a semiconductor device | |
| JPS6242385B2 (ja) | ||
| JP2751223B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6234152B2 (ja) | ||
| JPS5842254A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62291146A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6222437A (ja) | コンタクト穴の形成方法 | |
| JPH0318034A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62104078A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS62213141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61203652A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62235752A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0669156A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH03165515A (ja) | コンタクトの形成方法 | |
| JPS62143422A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0140506B2 (ja) | ||
| JPS6092664A (ja) | 高融点金属ゲ−トｍｏｓ型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0441510B2 (ja) | ||
| JPS6038876A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0268926A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03155131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59126628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60167357A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61156853A (ja) | 相補型半導体装置の製造方法 | |
| JPH01109716A (ja) | 半導体装置のコンタクト形成方法 |