JPS58500679A - プレ−ナトランジスタ構造体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 プレーナトランジスタ構造体 公知技術 本発明は特許請求の範囲の上位概念によるプレーナトランジスタ構造体に関する 。この種類のトランジスタ構造は公知であるが、例えば被覆ラッカの分極作用に より生じる外部の電界により遮断特性曲線の低下を来たすという欠点がある。

発明の効果 特許請求の範囲に示された特徴を有するプレーナトランジスタ構造体はそれに対 して次の利点を有する。

即ち作動中にベース領域の周囲に形成される空間電荷領域が、延在されたエミッ タ金属化部またはベース金属化部により環状領域の内側に制限され、延在された 金属化部の下で外部の電界から遮蔽される。

実施例の説明 第１図にｎ−導電形の半導体板が１０で示されている。

半導体板１０中に上部からＰ導電形のペース領域１１が拡散されている。ペース 領域１１に半導体板１０の同じ主表面からエミッタ領域１２が拡散されている。

このエミッタ領域は計導電形である。半導体板１０の上側に不活性化層１３が拡 がっており、この不活性化層の種々の位置に接点接続窓が形成されている。エミ ッタ領域１２との接点接続のために金属化部１４が設けられている。この金属化 部はＥで示されているエミツタ端子を形成する。ペース領域１１との接点接続の ために金属化部１５が設けられておシ、この金属化部はＢで示されているベース 端子を同時に形成する。Ｃでコレクタ端子が示されている。

本発明によると半導体板１０のｎ−導電形コレクタ材にはｎ十導電形環状領域１ ６が拡散により形成されている。この領域１６はベース領域１１から所定の距離 をおいて設けられておシペース領域１１を完全に取囲んでいる。本発明ではさら にに一ス金属化部１５は不活性化層１３を介して環状領域１６の上部の範囲にま で延在している。この手法により、装置の作動の際４−ス領域１１の周囲に形成 される空間電荷領域が環状領域１６までしか拡がらず、従って延長された金属化 部１５によシ外部の電界から遮蔽される。

第２図に第２実施例が示されており、半導体板は１０、ベース領域は１１、エミ ッタ領域は１２で示されている。これらの領域１０，１１．１２のそれぞれの導 電形は第１図における実施例に一致して形成されている。エミッタ金属化部は１ ４、ペース金属化部は１５で示されている。エミッタ端子は再びＥで示され、ベ ース端子、コレクタ端子はそれぞれＢ、Ｃで示されている。

本発明の第２図の実施例においてもｎ十導電形の環状領域１６が設けられておシ 、この環状領域は所定の距離をおいてベース領域１１を取囲む。領域１６はここ でも不活性化層１３により覆われている。第１図による実施例と異なりここでは エミッタ金属化部１４が環、゛状領域１６の上部の範囲まで延在している。この 場合゛も再び作動中４−ス領域１１の周囲に形成される空間電荷領域はペース１ １と領域１６との間の範囲に制限され、それによって外部の電界から遮蔽される 。

Ｆｌ（３，１ 閑際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 コレクタ領域を形成゛するｎ−導電形の半導体板（１０）、半導体板（１０）の 主表面中へ拡散形成されたＰ導電形のベース領域（１１）、ペース領域（１１） 中へ拡散されたｎ十導電形のエミッタ領域（１２）、及び半導体板（１０）の主 表面の接点接続窓として作用しない部分を覆う不活性化層（１３）を有するプレ ーナトランジスタ構造体において、ｎ−導電形コレクタ材中にｎ十導電形環状領 域（１６）が拡散されておシ、この環状領域がベース領域（１１）を完全に囲ん でおシ、不活性化層（１３）が環状領域（１６）の上に延在し、エミッタ金属化 部（１，４）またはペース金属化部（１５）が不活性化層（１３）を介して環状 領域の上部の範囲にまで延在していることを特徴とするプレーナトランジスタ構 造体。