JPS5851594A - 厚膜混成ｉｃ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、部品実装導体部にはんだ流れ防止用絶縁層を
ダム状に設けた厚膜混成ＩＣ基板に関するものである。

厚膜混成ＩＣ基板はアルミナセラミダク基板上に導体・
抵抗体および絶縁層等を印刷・焼成して回路を形成する
。このような厚膜混成ＩＣ基板を高周波領域で使用する
Ｋは導体面積を大きくすると同時に導体上の絶縁層面積
を可能な限シ小さくすることが必要である。一方、一般
の厚膜混成ＩＣ基板に形成される絶縁層の用途としては
、抵抗体の保護膜および部品はんだ付は時のはんだ流れ
防止用レジストがある。この後者の用途の場合、通常、
絶縁層は、導体上のはんだ付は以外の領域すべてに形成
する為、１０Ｍ以上の高周波特性が必要な場合、絶縁層
の容量が問題となり、特性上不都合を生じることが多い
。また、高周波特性を向上させる為に１絶縁層を導体上
に形成しない場合は、はんだが導体上を流れて拡が９、
結果的には部品と基板間のはんだ量が不足し、接続が不
完全な状態となる。

本発明の目的は、上述の欠点を除去した高周波用厚膜混
成ＩＣ基板を提供することにある。

本発明の厚膜混成ＩＣ基板は、その部品半田付は導体上
にダム状絶縁層を設けることを特徴とすの部品はんだ付
は時の一例を示す平面図および断面図である。第１図は
アルミナセラミック基板ｌ上に形成した導体２にチップ
コンデンサ３をはんだ４を用いてはんだ付けしたもので
あるが、はんだの流れ止めがない為、はんだ４は加熱に
よりて導体２上を濡れ拡がり、チップコンデンサ３を被
う形にならず、はんだ量不足をきえし接続が不完全にな
ることがある。第２図は、導体２のはんだ付は部以外の
領域すべてに絶縁層５を形成した導体２にチップコンデ
ンサ３をはんだ４を用いてはんだ付けしたものであるが
、１０Ｍ以上の高周波で使用すると絶縁層の容量が問題
とな）、特性に重大な支障をきたす可能性がある。

＃Ｉ３図は本発明の構造の厚膜混成ＩＣ基板の部品はん
だ付妙時の一実施例を示す平面図でおる。

ダム状絶縁層を形成する以前ははんだ付は不良は２５チ
もあったが、第３図に示すように、Ａｇ−Ｐｄ導体上に
チップコンデンサの端面より３００ｐｍ離して、幅２０
Ｇ、ａｍ、長さ平均１ｍｍ、厚さ５μｍ程度のダム状絶
縁層を印刷・焼成によ）形成することによりて、はんだ
の拡がシが抑制され、チップコンデンサの電極部をはん
だ４で被う形になシ、はんだ付は不良がはとんどなくな
った。さらに、大面積を有する導体上の絶縁層面積が小
さく　１００Ｍ以上の高周波で使用しても特性に全く影
響を与えなか−）友。

以王述ぺ喪様に本発明によれば、従来構造と比較して厚
膜混成として接続品質が向上するばかりでなく、混成Ｉ
Ｃのメリｗ）の一つでもある高周波領域での使用限界を
伸はすという優れた特性を有しているといえる。

んだ付は時の一実施例を示す平面図および断面図である
。

ｌ・・・・・・アルミナセラミック基板、２・・・・・
・導体、３・・・・・・チップコンデンサ、４・・・・
・・はんだ、５・・・・・・絶縁層。

什理人　尋硼＋　　内　Ｍ　　　畳θ￥”！’！：　％
第１図 （ｂ） 第２図 （１））

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 部品を半田付けする導体上に、半田の前記導体上への拡
   がシをさえぎるダム状絶縁層を設けると七を特徴とする
   厚膜混成ＩＣ基板。