JPS5852284Y2 - スパッタリング用タ−ゲット - Google Patents
スパッタリング用タ−ゲットInfo
- Publication number
- JPS5852284Y2 JPS5852284Y2 JP1581080U JP1581080U JPS5852284Y2 JP S5852284 Y2 JPS5852284 Y2 JP S5852284Y2 JP 1581080 U JP1581080 U JP 1581080U JP 1581080 U JP1581080 U JP 1581080U JP S5852284 Y2 JPS5852284 Y2 JP S5852284Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- target
- aluminum
- view
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はタンタル−アルミニウム薄膜を形成するスパッ
タリング用ターゲット、特にスパッタリングモードが均
一化するターゲット構成に関する。
タリング用ターゲット、特にスパッタリングモードが均
一化するターゲット構成に関する。
広く知られているようにスパッタリングは、真空中にア
ルゴンガス等を導入し、その雰囲気中にある２つの電極
間に直流或いは高周波高電圧を印加してグロー放電を起
こさせ、アルゴンイオンがターゲットに衝突してたたき
出された金属の原子或いは分子を、グロー中或いは陽極
上の基板に付着させ、膜形成することができる。
ルゴンガス等を導入し、その雰囲気中にある２つの電極
間に直流或いは高周波高電圧を印加してグロー放電を起
こさせ、アルゴンイオンがターゲットに衝突してたたき
出された金属の原子或いは分子を、グロー中或いは陽極
上の基板に付着させ、膜形成することができる。
そして、従来かかるスパッタリングによる薄膜抵抗とし
て、窒化タンタル膜が一般に用いられていた。
て、窒化タンタル膜が一般に用いられていた。
しかし、近来混成集積回路の高集積化を図る等に伴なっ
て、第１図の如きタンタル−アルミニウムターゲットを
使用したスパッタリングを行ない、窒化タンタル膜より
高面積抵抗値を有するタンタル−アルミニウム膜が用い
られるようになった。
て、第１図の如きタンタル−アルミニウムターゲットを
使用したスパッタリングを行ない、窒化タンタル膜より
高面積抵抗値を有するタンタル−アルミニウム膜が用い
られるようになった。
第１図の平面図ａ及び側面図すにおいて、円板形状のタ
ンタル板１の一方の面には複数のみそを並列に設け、そ
の各みぞにはそれぞれ短冊形状のアルミニウム片２を埋
設して、タンタル−アルミニウムターゲット３が構成さ
れる。
ンタル板１の一方の面には複数のみそを並列に設け、そ
の各みぞにはそれぞれ短冊形状のアルミニウム片２を埋
設して、タンタル−アルミニウムターゲット３が構成さ
れる。
即ち、所定比率でタンタル面とアルミニウム面とが形成
されたターゲット３の表面に、アルゴンガス等のイオン
を衝突させて、タンタル及びアルミニウム原子をたたき
出し、図示しない基板上にタンタル−アルミニウム薄膜
を形成していた。
されたターゲット３の表面に、アルゴンガス等のイオン
を衝突させて、タンタル及びアルミニウム原子をたたき
出し、図示しない基板上にタンタル−アルミニウム薄膜
を形成していた。
しかし、ターゲット３は冷却手段を講じであるのにかか
わらず、その表面が前記スパッタリング時に約５００℃
の高温に加熱されるようになる。
わらず、その表面が前記スパッタリング時に約５００℃
の高温に加熱されるようになる。
従って、再結晶開始温度Ｔｃが比較的低いアルミニウム
（Ｔｃ−：１５０℃）片２は、長さ方向に収縮変形して
第２図の平面図ａ及び側面図すに示したアルミニウム片
２′の如く、中央部が盛り上ると共に、両端部はタンタ
ル板１の外縁部から引込んで、前記各みぞには新規のタ
ンタル板露出部１ａを生じるようになる。
（Ｔｃ−：１５０℃）片２は、長さ方向に収縮変形して
第２図の平面図ａ及び側面図すに示したアルミニウム片
２′の如く、中央部が盛り上ると共に、両端部はタンタ
ル板１の外縁部から引込んで、前記各みぞには新規のタ
ンタル板露出部１ａを生じるようになる。
その結果、ターゲット３の中心部と周縁近傍部からたた
き出されるタンタル及びアルミニウム原子比率が異なり
、所謂スパッタリングモードが不均一になって、表面抵
抗値のばらつく欠点があった。
き出されるタンタル及びアルミニウム原子比率が異なり
、所謂スパッタリングモードが不均一になって、表面抵
抗値のばらつく欠点があった。
本考案の目的は前記欠点を除去することであり、この目
的はタンタル板の差し渡し長さより十分短かい複数のア
ルミニウム片を、前記タンタル板に分散埋設してなるこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲットを提供して
達成される。
的はタンタル板の差し渡し長さより十分短かい複数のア
ルミニウム片を、前記タンタル板に分散埋設してなるこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲットを提供して
達成される。
以下図面を用いて本考案を説明する。
第３図は本考案の一実施例に係わるタンタル−アルミニ
ウムターゲットの使用前における平面図ａ及び側面図す
であり、第４図は前記ターゲットの成る程度使用した後
における平面図ａ及び側面図すを示す。
ウムターゲットの使用前における平面図ａ及び側面図す
であり、第４図は前記ターゲットの成る程度使用した後
における平面図ａ及び側面図すを示す。
第３図において、円板形状のタンタル板１１の一方の面
には複数のみぞを並列に設け、その各みぞにはそれぞれ
複数の短冊形状アルミニウム片１２を隙間なく埋設して
、タンタル−アルミニウムターゲット１３が構成されて
いる。
には複数のみぞを並列に設け、その各みぞにはそれぞれ
複数の短冊形状アルミニウム片１２を隙間なく埋設して
、タンタル−アルミニウムターゲット１３が構成されて
いる。
かかる構成のターゲット１３を用いて、図示しない基板
上にタンタルアルミニウム抵抗膜をスパッタ形成した場
合、再結晶開始温度Ｔｃ以上に加熱されて収縮した各ア
ルミニウム片１２′は第４図に示す如く、タンタル板１
１の外縁部及び隣接するアルミニウム片１２′間に小さ
い隙間１１ ａ及び１１ ｂを作るようになる。
上にタンタルアルミニウム抵抗膜をスパッタ形成した場
合、再結晶開始温度Ｔｃ以上に加熱されて収縮した各ア
ルミニウム片１２′は第４図に示す如く、タンタル板１
１の外縁部及び隣接するアルミニウム片１２′間に小さ
い隙間１１ ａ及び１１ ｂを作るようになる。
従って、隙間１１ ａ及び１１ ｂにより生じるタンタ
ル板１１の新規露出部は、ターゲット１３の表面に分散
しているため、アルゴンスパッタリングモードは均一に
なる。
ル板１１の新規露出部は、ターゲット１３の表面に分散
しているため、アルゴンスパッタリングモードは均一に
なる。
なお、前記実施例において、ターゲット１３はタンタル
板１１に複数のみぞを設け、その各みそに複数のアルミ
ニウム片１２を埋設しているが、他の実施例として、タ
ンタル板は一方の表面に円形等の複数の四部或いは複数
の貫通穴を分散形威し、その各凹部或いは貫通穴にアル
ミニウム片を嵌合埋設して構成されたタンタル−アルミ
ニウムターゲットも、均一なスパッタリングモードが得
られることを付記する。
板１１に複数のみぞを設け、その各みそに複数のアルミ
ニウム片１２を埋設しているが、他の実施例として、タ
ンタル板は一方の表面に円形等の複数の四部或いは複数
の貫通穴を分散形威し、その各凹部或いは貫通穴にアル
ミニウム片を嵌合埋設して構成されたタンタル−アルミ
ニウムターゲットも、均一なスパッタリングモードが得
られることを付記する。
以上説明したように、本考案のスパッタリング用ターゲ
ットによれば、スパッタリングモードが均一になるため
、タンタル−アルミニウム抵抗膜の品位を高め、製造歩
留りを著しく向上し得たのみならず、ターゲットを長寿
命化した実用上の効果は極めて大きい。
ットによれば、スパッタリングモードが均一になるため
、タンタル−アルミニウム抵抗膜の品位を高め、製造歩
留りを著しく向上し得たのみならず、ターゲットを長寿
命化した実用上の効果は極めて大きい。
第１図は従来構成によるタンタル−アルミニウムターゲ
ットの使用前平面図ａ及び側面図ｂ、第２図は使用され
てアルミニウム片が収縮した前記ターゲットの平面図ａ
及び側面図ｂ、第３図は本考案の一実施例に係わるタン
タル−アルミニウムターゲットの使用前平面図ａ及び側
面図ｂ、第４図は使用されてアルミニウム片が収縮した
本考案に係わる前記ターゲットの平面図ａ及び側面図す
示す。 １．１１・・・・・・タンタル板、２．２’、１２．１
２’・・・・・・アルミニウム片、３．１３・・・・・
・ターゲット。
ットの使用前平面図ａ及び側面図ｂ、第２図は使用され
てアルミニウム片が収縮した前記ターゲットの平面図ａ
及び側面図ｂ、第３図は本考案の一実施例に係わるタン
タル−アルミニウムターゲットの使用前平面図ａ及び側
面図ｂ、第４図は使用されてアルミニウム片が収縮した
本考案に係わる前記ターゲットの平面図ａ及び側面図す
示す。 １．１１・・・・・・タンタル板、２．２’、１２．１
２’・・・・・・アルミニウム片、３．１３・・・・・
・ターゲット。
Claims (1)
- タンタル板に複数のアルミニウム片を埋設になるスパッ
タリング用ターゲットにおいて、タンタル板には、その
差し渡し長さより十分短かい複数のアルミニウム片を分
散埋設してなることを特徴とするスパッタリング用ター
ゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1581080U JPS5852284Y2 (ja) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | スパッタリング用タ−ゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1581080U JPS5852284Y2 (ja) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | スパッタリング用タ−ゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56119474U JPS56119474U (ja) | 1981-09-11 |
| JPS5852284Y2 true JPS5852284Y2 (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=29612247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1581080U Expired JPS5852284Y2 (ja) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | スパッタリング用タ−ゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852284Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984003992A1 (en) * | 1983-03-31 | 1984-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Thin-film integrated device |
-
1980
- 1980-02-08 JP JP1581080U patent/JPS5852284Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984003992A1 (en) * | 1983-03-31 | 1984-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Thin-film integrated device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56119474U (ja) | 1981-09-11 |
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