JPH0139913B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0139913B2 JPH0139913B2 JP59230837A JP23083784A JPH0139913B2 JP H0139913 B2 JPH0139913 B2 JP H0139913B2 JP 59230837 A JP59230837 A JP 59230837A JP 23083784 A JP23083784 A JP 23083784A JP H0139913 B2 JPH0139913 B2 JP H0139913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- print head
- thermal print
- film layer
- tantalum pentoxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、サーマルプリントヘツド、特に保
護膜層に特徴を有するサーマルプリントヘツドに
関する。
護膜層に特徴を有するサーマルプリントヘツドに
関する。
(ロ) 従来の技術
一般にサーマルプリントヘツドは、セラミツク
等の基板上に、発熱抵抗体が形成され、この発熱
抵抗体の上部に、ドツト形成部分を除いて１対の
導体電極が積層され、さらに発熱抵抗体のドツト
形成部分及び導体電極を覆つてSiO2層、保護膜
層が形成されて構成されている。
等の基板上に、発熱抵抗体が形成され、この発熱
抵抗体の上部に、ドツト形成部分を除いて１対の
導体電極が積層され、さらに発熱抵抗体のドツト
形成部分及び導体電極を覆つてSiO2層、保護膜
層が形成されて構成されている。
この種のサーマルプリントヘツドの保護膜（耐
摩耗膜）としては、従来より、Ta2O5（五酸化タ
ンタル）が多く用いられている。（例：特開昭56
−154974号、特開昭57−102373号）このTa2O5層
の形成は、保護膜を形成すべき基板をO2ガスを
含むアルゴンガス中に置き、Ta2O5を焼結ターゲ
ツトに用いてスパツタリングを行つていた。
摩耗膜）としては、従来より、Ta2O5（五酸化タ
ンタル）が多く用いられている。（例：特開昭56
−154974号、特開昭57−102373号）このTa2O5層
の形成は、保護膜を形成すべき基板をO2ガスを
含むアルゴンガス中に置き、Ta2O5を焼結ターゲ
ツトに用いてスパツタリングを行つていた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
上記Ta2O5膜は、耐熱衝撃性に優れているとい
う利点がある反面、膜硬度がHv700程度であると
ころから走行方向に傷が入り易く、ヘツドの寿
命を加速度的に短くすること。上記を防止す
るため膜厚を大きく（通常10μm程度）形成する
が、このため熱応答性が悪くなる。という欠点が
あつた。
う利点がある反面、膜硬度がHv700程度であると
ころから走行方向に傷が入り易く、ヘツドの寿
命を加速度的に短くすること。上記を防止す
るため膜厚を大きく（通常10μm程度）形成する
が、このため熱応答性が悪くなる。という欠点が
あつた。
この発明は、上記に鑑み、膜硬度が高く、それ
でいて耐熱衝撃性に優れた保護膜を持つサーマル
プリントヘツドを提供することを目的としてい
る。
でいて耐熱衝撃性に優れた保護膜を持つサーマル
プリントヘツドを提供することを目的としてい
る。
(ニ) 問題点を解決するための手段及び作用
この発明のサーマルプリントヘツドは、上記目
的を達成するために、保護膜層として、炭化ケイ
素（SiC）と五酸化タンタル（Ta2S5）の混合物
を使用するようにしている。
的を達成するために、保護膜層として、炭化ケイ
素（SiC）と五酸化タンタル（Ta2S5）の混合物
を使用するようにしている。
炭化ケイ素は、高い硬度を有するが、スパツタ
された膜は大きい内部応力を持つため、クラツク
が入り易く、単体では保護膜として使用するのに
難がある。しかし、炭化ケイ素に五酸化タンタル
を混ぜることにより、内部応力が緩和されて、ク
ラツク性が改善され、五酸化タンタル単体より膜
硬度の高い、かつ耐熱衝撃性に優れたものが得ら
れる。
された膜は大きい内部応力を持つため、クラツク
が入り易く、単体では保護膜として使用するのに
難がある。しかし、炭化ケイ素に五酸化タンタル
を混ぜることにより、内部応力が緩和されて、ク
ラツク性が改善され、五酸化タンタル単体より膜
硬度の高い、かつ耐熱衝撃性に優れたものが得ら
れる。
(ホ) 実施例
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、この発明の１実施例を示すサーマル
プリントヘツドの断面図である。このサーマルプ
リントヘツド１は、セラミツク等の基板上に、発
熱抵抗体３が形成され、この発熱抵抗体３の上部
にドツト形成部分４を除いて共通導体電極５と個
別の導体電極６が形成され、さらに発熱抵抗体３
及び導体電極５，６上に保護膜層７が形成されて
いる。この保護膜層７は、炭化ケイ素と五酸化タ
ンタルの混合物である。
プリントヘツドの断面図である。このサーマルプ
リントヘツド１は、セラミツク等の基板上に、発
熱抵抗体３が形成され、この発熱抵抗体３の上部
にドツト形成部分４を除いて共通導体電極５と個
別の導体電極６が形成され、さらに発熱抵抗体３
及び導体電極５，６上に保護膜層７が形成されて
いる。この保護膜層７は、炭化ケイ素と五酸化タ
ンタルの混合物である。
この保護膜層７は発熱抵抗体３及び導体電極
５，６が形成された基板２をアルゴンガス雰囲気
中におき、例えば第２図に示す炭化ケイ素板８
に、五酸化タンタル板９を貼り付けたものをスパ
ツタリングターゲツトとしてスパツタリングを行
うことにより形成される。混合比は、炭化ケイ素
板８を五酸化タンタル板９の表面積比によつて定
まる。
５，６が形成された基板２をアルゴンガス雰囲気
中におき、例えば第２図に示す炭化ケイ素板８
に、五酸化タンタル板９を貼り付けたものをスパ
ツタリングターゲツトとしてスパツタリングを行
うことにより形成される。混合比は、炭化ケイ素
板８を五酸化タンタル板９の表面積比によつて定
まる。
以上のようにして形成される保護膜層７の五酸
化タンタルの面積比（混合比）と膜硬度の関係を
図示すると第３図に示す通りである。この図によ
ると、五酸化タンタルの面積比が30％で、膜硬度
がHv1500程度となる。図より五酸化タンタルの
混合比20％〜50％が実用的である。
化タンタルの面積比（混合比）と膜硬度の関係を
図示すると第３図に示す通りである。この図によ
ると、五酸化タンタルの面積比が30％で、膜硬度
がHv1500程度となる。図より五酸化タンタルの
混合比20％〜50％が実用的である。
今、硬度がHv1250となる程度に混合形成され
た上記保護膜層７を採用した場合のサーマルプリ
ントヘツドの熱衝撃性テスト結果を第４図に示し
ている。第４図において、横軸はドツト毎の印加
電力、縦軸は抵抗値変化率である。図中の曲線ａ
は従来の五酸化タンタル膜であり、曲線ｂは本実
施例の炭化ケイ素膜の場合である。この図による
と、曲線の方がより高印加電力まで抵抗値変化率
が±10％内に入つており、本実施例の炭化ケイ素
系膜の方が熱衝撃性が良いことがわかる。この実
施例サーマルプリントヘツドは、従来設けられて
いた発熱抵抗体と保護膜間の耐酸化防止膜（例：
SiO2）を設ける必要がなく、保護膜層の厚さを
従来のヘツドの２分の１以上とすることができ
る。また、この実施例サーマルプリントヘツドに
おいて、感熱体による摩耗度を測定したところ、
五酸化タンタル保護膜層に用いた従来のものに対
し、半分程度であつた。
た上記保護膜層７を採用した場合のサーマルプリ
ントヘツドの熱衝撃性テスト結果を第４図に示し
ている。第４図において、横軸はドツト毎の印加
電力、縦軸は抵抗値変化率である。図中の曲線ａ
は従来の五酸化タンタル膜であり、曲線ｂは本実
施例の炭化ケイ素膜の場合である。この図による
と、曲線の方がより高印加電力まで抵抗値変化率
が±10％内に入つており、本実施例の炭化ケイ素
系膜の方が熱衝撃性が良いことがわかる。この実
施例サーマルプリントヘツドは、従来設けられて
いた発熱抵抗体と保護膜間の耐酸化防止膜（例：
SiO2）を設ける必要がなく、保護膜層の厚さを
従来のヘツドの２分の１以上とすることができ
る。また、この実施例サーマルプリントヘツドに
おいて、感熱体による摩耗度を測定したところ、
五酸化タンタル保護膜層に用いた従来のものに対
し、半分程度であつた。
なお、上記実施例において、保護膜層７を形成
するためのスパツタリングターゲツトとして、炭
化ケイ素板上に五酸化タンタル板を貼り付けたも
のを示したが、これに代え、炭化ケイ素と五酸化
タンタルの混合焼結体をスパツタリングターゲツ
トとしてもよい。
するためのスパツタリングターゲツトとして、炭
化ケイ素板上に五酸化タンタル板を貼り付けたも
のを示したが、これに代え、炭化ケイ素と五酸化
タンタルの混合焼結体をスパツタリングターゲツ
トとしてもよい。
(ヘ) 発明の効果
この発明のサーマルプリントヘツドによれば、
保護膜の硬度が大となつたので、走行方向の傷等
が生じることなく、従つてサーマルプリントヘツ
ドの寿命が伸びる。また保護膜の硬度が大となつ
た分、膜厚を小さくすることができ、その結果、
生産性が向上し、熱対応性も向上する。また耐酸
化防止層を設ける必要がないので、小型化、コス
トダウンが完現する。
保護膜の硬度が大となつたので、走行方向の傷等
が生じることなく、従つてサーマルプリントヘツ
ドの寿命が伸びる。また保護膜の硬度が大となつ
た分、膜厚を小さくすることができ、その結果、
生産性が向上し、熱対応性も向上する。また耐酸
化防止層を設ける必要がないので、小型化、コス
トダウンが完現する。
第１図は、この発明の１実施例を示すサーマル
プリントヘツドの断面図、第２図は同サーマルプ
リントヘツドの保護膜層を形成する際に使用され
るスパツタリングターゲツトの１例を示す図、第
３図は、同サーマルプリントヘツドに使用される
保護膜層の五酸化タンタルの面積比と膜硬度の関
係を示す図、第４図は、同サーマルプリントヘツ
ドの熱衝撃性テスト結果を示す図である。 １：サーマルプリントヘツド、２：基板、３：
発熱抵抗体、４：ドツト部分、５，６：導体電
極、７：保護膜層。
プリントヘツドの断面図、第２図は同サーマルプ
リントヘツドの保護膜層を形成する際に使用され
るスパツタリングターゲツトの１例を示す図、第
３図は、同サーマルプリントヘツドに使用される
保護膜層の五酸化タンタルの面積比と膜硬度の関
係を示す図、第４図は、同サーマルプリントヘツ
ドの熱衝撃性テスト結果を示す図である。 １：サーマルプリントヘツド、２：基板、３：
発熱抵抗体、４：ドツト部分、５，６：導体電
極、７：保護膜層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、ドツト部分を含む発熱抵抗体が形
成され、この発熱抵抗体の上部に、ドツト形成部
分を除いて１対の導体電極が積層され、さらに少
なくとも前記ドツト形成部分及び導体電極を覆つ
て保護膜層が形成されてなるサーマルプリントヘ
ツドにおいて、 前記保護膜層が炭化ケイ素と五酸化タンタルの
混合物で形成されたものであることを特徴とする
サーマルプリントヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230837A JPS61108569A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | サ−マルプリントヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230837A JPS61108569A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | サ−マルプリントヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108569A JPS61108569A (ja) | 1986-05-27 |
| JPH0139913B2 true JPH0139913B2 (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=16914055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230837A Granted JPS61108569A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | サ−マルプリントヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108569A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2340243B1 (es) * | 2008-10-01 | 2011-05-09 | Jecsalis Dissenys I Patents, S.L. | Motor por interaccion selectiva de campos magneticos de imanes permanentes. |
| JP6258783B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2018-01-10 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59230837A patent/JPS61108569A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61108569A (ja) | 1986-05-27 |
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