JPS5852429B2 - ゲ−トタ−ンオフサイリスタノセイギヨソウチ - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタノセイギヨソウチ

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JPS5852429B2
JPS5852429B2 JP50118883A JP11888375A JPS5852429B2 JP S5852429 B2 JPS5852429 B2 JP S5852429B2 JP 50118883 A JP50118883 A JP 50118883A JP 11888375 A JP11888375 A JP 11888375A JP S5852429 B2 JPS5852429 B2 JP S5852429B2
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JP
Japan
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turn
gate
current
circuit
thyristor
Prior art date
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JP50118883A
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JPS5244151A (en
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比佐雄 天野
紀一 徳永
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はゲートターンオフサイリスクの制御装置に係り
、ゲートターンオフサイリスクの通電電流に応じて適切
なターンオフが行えるゲートターンオフサイリスタの制
御装置に関する。
ゲートターンオフサイリスク(以下、GTOサイリスク
と称す)を用いて直流を単相交流に交換するインバータ
主回路の一例を示したのが第1図である。
第1図に於て、インバータ主回路は電源1、GTOサイ
リスタ2,3、変圧器4、負荷5、ダイオード6.7、
制御回路100から構成される。
電源1のマイナス電極にGTOサイリスタ2,3の各々
のカソードを共通接続し、更に、GTOサイリスクの各
々のアノード側は変圧器4の一次巻線の両端に接続され
る。
また、電源1のプラス電極は変圧器4の一次巻線の中点
に接続される。
変圧器4の2次巻線には負荷5が接続され、負荷に電力
が供給される。
GTOサイリスタ2のゲート・カソード間には制御回路
100が設けられている。
尚、GTOサイリスタ3にも必要であるが第1図には図
示されていない。
上記構成におけるインバータ主回路の動作としては、G
TOサイリスタ2,3のゲートに交互にターンオン、タ
ーンオフすることにより変圧器4に交流電圧を発生させ
る。
そして、この交流電圧を変圧器4の2次巻線に誘起させ
、負荷5に交流電力を供給するものである。
尚、ダイオード6゜7はサイリスタ2,3に生ずるスパ
ーク電圧の吸収用である。
第2図は第1図に示した制御回路100の詳細な回路図
を示すものである。
第2図に於て、制御回路100は電源101、トランジ
スタ102、抵抗103、コンデンサ104、ダイオー
ド105、リアクルト106゜107、トランジスタ1
08、抵抗109、ダイオード110から構成される。
GTOサイリスタ2のターンオンはトランジスタ102
をオンさせることにより、電源1の電流を抵抗103を
介してGTOサイリスタ2のゲートに順バイアスが印加
されるようにして順電流を流す。
コンデンサ104はトランジスタ102のオン期間、す
なわち、GTOサイリスタ2の導通期間に、電源101
からトランジスタ102、ダイオード105、リアクト
ル106、GTOサイリスタ2を介して充電される。
この充電は次の段階でGTOサイリスタ2をターンオフ
させるために必要なものである。
GTOサイリスタ2のターンオフはトランジスタ102
をオフにし、同時にトランジスタ108をオンにしてコ
ンデンサ104の充電電圧を電源とし、リアクトル10
7及びトランジスタ108を介してGTOサイリスタ2
のゲートに逆バイアスが印加されるようにして負電流を
流して行う。
ターンオフを行うためにゲートに流す負電流は、負荷の
大小には無関係にほぼ一定である。
このため、負荷の増大時や負荷短絡等の事故発生時には
、GTOサイリスタ2のターンオフ能力が不足する。
結果として、ターンオフ失敗が生じ所望の出力が得られ
ないとともに、ゲートターンオフサイリスクの破壊を招
くことになる。
従って、負荷の増大時や負荷短絡等の事故発生時にもタ
ーンオフが可能とするには、電源101の電圧を増大さ
せるか、又はコンデンサ104の容量を増大させ、ある
いはまた、電圧、コンデンサ容量共に増大させることに
より、ターンオフ用の負電流を大きくする必要がある。
しかし、このように制御回路100の大容量化と共に、
損失も増大されるという欠点がある。
本発明の目的は、上記した従来の欠点を無くするもので
あり、効率良<、シかもGTOサイリスクに流れる電流
に応じた適切なターンオフ能力を備えたGTOサイリス
クの制御回路を提供するにある。
本発明は、GTOサイリスクに流れる電流に相当する電
流を検出し、その検出量に応じたターンオフ信号を形威
し、さらにはターンオフ時のGTOサイリスクに流れる
電流を減少させる手段を備えてターンオフ性能の向上を
図ったものである。
以下、本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。
第3図は本発明の実施例を示す主回路図である。
本実施例は第1図に示した従来例に直流変流器(以下、
DCCT)8、電流検出回路9、制御回路200を追加
した構成となっている。
その他の素子については第1図に示した従来例と同一で
あり、同一符号を付している。
DCCT8はGTOサイリスタ2,3に流れる電流を検
出するのに用いられる。
この検出された電流のレベル判定を行うのが電流検出回
路である。
制御回路200はGTOサイリスタ2,3のターンオン
用信号と電流検出回路9の出力信号に応じたターンオフ
用信号とを作成する。
第4図は制御回路200を示す回路図である。
第4図に於てはGTOサイリスタ2に関連した部分のみ
を示しているが、GTOサイリスタ3についてはGTO
サイリスタ2と同様であるので、省略され示されていな
い。
制御回路200は信号回路201、トランジスタ202
、電源203、抵抗204、アンド回路205、アンド
回路206、トランジスタ207、変圧器208、ダイ
オード209、抵抗210、ダイオード211、ツェナ
ーダイオード212、トランジスタ213、ダイオード
214、ダイオード215から構成される。
(尚、前述したようにGTOサイリスク2個のみの構成
を示している。
)信号回路201はGTOサイリスク2をターンオン及
びターンオフさせるためのオン・オフの指令を与えるの
に用いられる。
上記構成に於ける本発明の実施例の動作を図面に基いて
詳細に説明する。
信号回路201によりオン信号が与えられると、トラン
ジスタ202はオンとなる。
これにより電源203の電流は抵抗204を介してGT
Oサイリスタ2のゲートに順バイアスとして印加され、
GTOサイリスタ2はオンされる。
信号回路201がオン指令からオフ指令に変わると、電
流検出回路9はDCCT8よりの検出電流値が設定値(
第1の設定値)よりも小さい場合には入力端子10に第
1の出力信号を与え、検出電流値が設定値(第1の設定
値)よりも大きい場合には入力端子11に第2の出力信
号を与える。
どちらの入力端子に信号が入力されたかによって、各々
の入力端子に接続されているアンド回路205゜206
のいずれかが選択される。
アンド回路205が選択されたときはトランジスタ20
7がオンし、アンド回路206が動作するときはトラン
ジスタ213がオンされる。
トランジスタ207がオンされる場合は、電源203の
電圧は変圧器208の1次巻線に印加され、これによっ
て変圧器208の2次巻線に誘起された電圧はダイオー
ド209、トランジスタ207、抵抗210を介してG
TOサイリスタ2のゲートに逆バイアスとして印加され
るので、負電流が流れる。
この負電流によってGTOサイリスタ2はオフになる。
尚ダイオード211とツェナーダイオード212との直
列回路はGTOサイリスタ2のゲートに印加される負電
圧が過大にならぬように抑制するものである。
GTOサイリスタ消弧時にDCCT8により検出した電
流が設定値以上である場合は、アンド回路206が動作
し、トランジスタ213がオンされる。
トランジスタ213のコレクタは変圧器208の1次巻
線の途中から接続されるため、トランジスタ213がオ
ンのときは変圧器208の巻数比が上昇されたことにな
る。
従って、変圧器208の2次巻線の電圧は高くなり、こ
の電圧がGTOサイリスタ2のゲート・カソード間に逆
バイアスとして印加されるので、GTOサイリスタ2の
ケートに流れる負電流は大きくなる。
これにより、ターンオフ能力は増し、ターンオフ失敗の
防止が可能となる。
尚、ダイオード215はスパーク電圧の吸収用であり、
ダイオード209゜214は各々トランジスタ207,
213の相互干渉を防止するために用いられる。
本発明の実施例に於ては、更に、負荷短絡の如き事故が
発生して過大電流が流れる場合、電流検出回路9は信号
回路201に停止信号を与える。
この停止信号に応じて信号回路201はオン指令を停止
し、ただちにオフ指令を出力してGTOサイリスタ2を
オフにする。
これにより、GTOサイリスク等の破壊に至る事故の波
及が回避できる。
上記本発明の詳細な説明に於ては、ターンオフ用信号を
2段階に変える場合について述べたが、2段階に限らず
更に増加できることはもちろんである。
また、電流検出GTOサイリスクや出力側で行なうこと
も可能である。
第5図は本発明の他の実施例を示す回路図である。
本実施例が第4図に示した実施例と異る点は、電流検出
回路9の出力信号で動作トランジスタの選択を行ってい
たのを別の方法で行ったものである。
すなわち、DCCT8で検出した電流に比例した電圧、
例えば、検出した直流電流を抵抗に流した時の抵抗の両
端の電圧の如き従属電源215を用いるようにしたもの
である。
電源203と検出電源に応じた電圧値を有する従属電源
215の和の電圧でコンデンサ216を充電するため、
信号回路201から与えられたオフ指令によりトランジ
スタ207をオンした時のGTOサイリスタ2のゲート
に流れるターンオフ用信号は、第4図に示した実施例よ
りも更に適切な値にできる。
第6図は本発明の他の実施例を示す回路図である。
本実施例が第4図に示した実施例と異る点は、トランジ
スタ207,213の代りにサイリスク216.217
を用いたことである。
信号回路201がオフ指令を発し、このオフ指令と電流
検出回路9の出力信号とによりアンド回路205が動作
し、サイリスタ216がオンすると、電源203、ダイ
オード218、抵抗219、サイリスク216の回路が
できる。
従って、サイリスタ216がオフの期間にコンデンサ2
20に充電(電源203、ダイオード218、抵抗21
9、コンデンサ220、変圧器208の1次巻線の回路
による)されていた電圧がサイリスタ216を介して変
圧器206の1次巻線に印加される。
変圧器208の2次巻線に誘起された電圧は抵抗210
、トランジスタ221(サイリスタ216と同時にオン
動作を行う)を介してGTOサイリスタ2のゲートに負
電流を流してオフにさせる。
尚、第5図に示した実施例と同様に、従属電源215と
電源203の和の電圧でコンデンサ216を充電するよ
うにすれば、検出電流に応じて点弧するサイリスクを選
択することなしにGTOサイリスタ2に流れる電流に応
じたターンオフ用信号を作成することができる。
第7図は本発明の他の実施例を示す回路図である。
本実施例が第3図の実施例と異る点はターンオフ時のG
TOサイリスタ2,3に流れる電流を減するための補助
回路30を備えたことである。
補助回路30は抵抗31、ダイオード32、抵抗33、
ダイオード34、及び逆極性電流通流回路40.50と
から構成される。
逆極性電流通流回路40はサイリスタ41、リアクトル
42、コンデンサ43から構成される。
また、逆極性電流通流回路50はサイリスタ51、リア
クトル52、コンデンサ53から構成される。
GTOサイリスタ2がオンとされると、抵抗31、ダイ
オード34を介して変圧器4の1次巻線の電圧によりコ
ンデンサ43は第7図に示すような極性で充電される。
この後、GTOサイリスタ2がオフにされると、第8図
に示すように時刻t、で制御回路200より信号を与え
、逆極性通流回路40のサイリスタ41をオンさせる。
この結果、コンデンサ43の充電電圧はりアクドル42
、サイリスタ41を介してGTOサイリスク2の両端に
印加される。
この時、GTOサイリスタ2を通して流れる電流が第8
図に示す電流iaである。
このため、GTOサイリスタ2の電流はibの如くに減
少する。
電流ibが最少になる近傍の時刻t2では制御回路20
0からGTOサイリスタ2のゲートに電流i。
で示した負電流が流れ、GTOサイリスタ2をオフにす
る。
従って、本実施例によれば、ターンオフ時の電流が減少
されるため、GTOサイリスタ2,3のゲートに与える
負電流の値を小さくすることができる。
サイリスタ41の電流iaはGTOサイリスタ2に流れ
る電流より大きくすることは可能である。
また、ケートに流す電流ibはサイリスタ41のオン時
刻t1と同時もしくは時刻t1の前から時刻t1後に渡
って流すこともω論可能である。
以上より明らかなように、本発明によればGTOサイリ
スタに流れる電流に応じたターンオフ用信号が得られる
ため常に必要とするターンオフ能力を有し、安定した運
転が行える利点がある。
更に、ターンオフ時にGTOサイリスタに流れる電流を
減するための補助回路を併設することにより、小さなタ
ーンオフ用信号で充分なターンオフ能力を備えることが
できるという効果も碍られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は単相インバータの主回路図、第2図は従来の制
御回路を示す図、第3図は本発明の一実施例に係る単相
インバータの主回路図、第4図は本発明の一実施例を示
す回路図、第5図及び第6図は本発明の他の実施例を示
す回路図、第7図は本発明の補助回路を備えた他の実施
例を示す回路図、第8図は第7図に示した実施例の動作
波形図である。 符号の説明、2,3・・・・・・ゲートターンオフサイ
リスク、8・・・・・・直流変流器、9・・・・・・電
流検出回路、30・・・−・・補助回路、200・・・
・・・制御回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ゲートターンオフサイリスクのゲート・カソード間
    に順バイアスを印加して順電流を流すことにより該ゲー
    トターンオフサイリスクをターンオンせしめ、前記ゲー
    ト・カソード間に逆バイアスを印加して負電流を流すこ
    とにより該ゲートターンオフサイリスクをターンオフせ
    しめるゲートターンオフサイリスクの制御装置において
    、該サイリスクに流れる電流を検出し、その検出信号に
    応じた出力信号を出力せしめる手段と、この手段からの
    該出力信号とあらかじめ設定した第1の設定値とを比較
    し、その設定値よりも上記出力信号が下回る時は第1の
    出力信号を発生し、上記第1の設定値を上回る時は第2
    の出力信号を発生する電流検出回路と、該電流検出回路
    からの第1.第2の出力信号を取り込み、上記ターンオ
    フサイリスクのターンオンが行われている状態下で、上
    記第1、第2の出力信号のいずれかが入力された時には
    、これに基づいて上記ゲートターンオフサイリスクに流
    れる電流に応じた上記ゲートターンオフサイリスクをタ
    ーンオフせしめるのに必要なる大きさの負電流を上記ゲ
    ートターンオフサイリスクのゲートに与え、上記ゲート
    ターンオフサイリスクをターンオフせしめる制御回路と
    、を具備してなるゲートターンオフサイリスクの制御装
    置。
JP50118883A 1975-10-03 1975-10-03 ゲ−トタ−ンオフサイリスタノセイギヨソウチ Expired JPS5852429B2 (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5237944B2 (ja) * 1973-04-17 1977-09-26

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