JPS5852648A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5852648A JPS5852648A JP15094481A JP15094481A JPS5852648A JP S5852648 A JPS5852648 A JP S5852648A JP 15094481 A JP15094481 A JP 15094481A JP 15094481 A JP15094481 A JP 15094481A JP S5852648 A JPS5852648 A JP S5852648A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- amorphous silicon
- amorphous
- carbon
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複写８Ｍ、あるいはプリンタ等に用いられる電
子写真用感光体に関する。
子写真用感光体に関する。
一般に市、子写真用感光体の導電性基体上に構成さ扛る
感光層としては、表面が平滑であること、電荷保持性能
として要求される高暗抵抗および像形成に必要な光応答
速度が大きいこと、寸た光あるいは熱などの外的架内に
対する安定性、さらに複写お↓び印刷プロセスにおいて
不０Ｔ避の機械的接触に対する耐久性が要求さｎる。従
来はこの工うな感光／Ｉを構成する光導電性材料として
非晶質セレンあるいに非晶質セレンを生体とした曾金材
料がその高感度性および低疲労、長寿命などの利点を生
かして最も多く使用されてきた。しかしセレン系光導電
性材料は、Ａｇ２Ｓｅ、系金除いてそのガラス転移温度
（Ｔｇ）および結晶化温度ＩＴｃ）ががなり低いこと、
またＡ３２Ｓｅｌ系の場合はやや光疲労効果が大きいこ
とが欠点とさ扛ていた。こ７″Ｌに対し最近非晶質シリ
コンが感光体の光導電性材料として取上げら扛ておりそ
の筒感度性、高耐熱性および耐摩耗性は極めてすぐ扛で
いるが、抵抗値が低く、暗減衰および特性の温度依存性
が犬きく、さらに平滑な感光層表面が得難いという欠点
を有１〜でいる。
感光層としては、表面が平滑であること、電荷保持性能
として要求される高暗抵抗および像形成に必要な光応答
速度が大きいこと、寸た光あるいは熱などの外的架内に
対する安定性、さらに複写お↓び印刷プロセスにおいて
不０Ｔ避の機械的接触に対する耐久性が要求さｎる。従
来はこの工うな感光／Ｉを構成する光導電性材料として
非晶質セレンあるいに非晶質セレンを生体とした曾金材
料がその高感度性および低疲労、長寿命などの利点を生
かして最も多く使用されてきた。しかしセレン系光導電
性材料は、Ａｇ２Ｓｅ、系金除いてそのガラス転移温度
（Ｔｇ）および結晶化温度ＩＴｃ）ががなり低いこと、
またＡ３２Ｓｅｌ系の場合はやや光疲労効果が大きいこ
とが欠点とさ扛ていた。こ７″Ｌに対し最近非晶質シリ
コンが感光体の光導電性材料として取上げら扛ておりそ
の筒感度性、高耐熱性および耐摩耗性は極めてすぐ扛で
いるが、抵抗値が低く、暗減衰および特性の温度依存性
が犬きく、さらに平滑な感光層表面が得難いという欠点
を有１〜でいる。
本発明は非晶質ンリコンの持つすぐれた電子写真用感光
体えかつその欠点を除去した電子写真用感光体全提供す
ることを目的とする。
体えかつその欠点を除去した電子写真用感光体全提供す
ることを目的とする。
この目的は感光体の導電性基体上に設けられる感光層が
基体側の非晶質セレンあるいはそれを主体とした合金か
らなる層と、表面側の非晶質シリコンからなる層と全備
えることによって達成さ扛る。（以下、非晶質セレン、
非晶質シリコン等はａ−８ｅ、ａ−８ｉのように略記す
るン。表面側のａＳＩ 層に炭素全添加した硬度が高く
、またエネルギーギャップの広いａ−８ｉ（Ｃ１層を用
いてもよい。
基体側の非晶質セレンあるいはそれを主体とした合金か
らなる層と、表面側の非晶質シリコンからなる層と全備
えることによって達成さ扛る。（以下、非晶質セレン、
非晶質シリコン等はａ−８ｅ、ａ−８ｉのように略記す
るン。表面側のａＳＩ 層に炭素全添加した硬度が高く
、またエネルギーギャップの広いａ−８ｉ（Ｃ１層を用
いてもよい。
以下図全引用して本発明の実施例について説明する。第
１図において基体１は従来の電子写真用感光体に用いら
扛ているアルミニウムアルいハステンレス′ｓ４などの
４電性材料からなる基体、または樹脂、カラスなどの電
気絶縁性基体の表面に導を層金設けたものである。形状
は）・ラム状でもシート状でもよい。基体１０衣而は平
滑化した後清浄化し、必要によって酸、アルカリなどで
エツチングする。この基体１の上に通常真空蒸着により
ａ−８ｅあるいはａ−８ｅｉ主体とした、例えばａ−８
ｃ、／’ｌ’ｅの蒸着層からなる第一層２を形成する。
１図において基体１は従来の電子写真用感光体に用いら
扛ているアルミニウムアルいハステンレス′ｓ４などの
４電性材料からなる基体、または樹脂、カラスなどの電
気絶縁性基体の表面に導を層金設けたものである。形状
は）・ラム状でもシート状でもよい。基体１０衣而は平
滑化した後清浄化し、必要によって酸、アルカリなどで
エツチングする。この基体１の上に通常真空蒸着により
ａ−８ｅあるいはａ−８ｅｉ主体とした、例えばａ−８
ｃ、／’ｌ’ｅの蒸着層からなる第一層２を形成する。
第一層２の膜厚は５μｍ以下あるいＶ１１００μｍ月以
上では帯電、性能および暗減衰性能に満足な結果をイｎ
ることが難しく、まｆＣ５〜１００μｍの範囲において
も３０〜７０μｍが最適である。この工うにして゛つく
らｆｌ、た第一層２の表面は、基体１の衣αｎに：／Ｊ
ｌｌ工縞があってもっぷさ扛て極めて平滑な面を崩して
いる。第一層２の上にａｓｉＪｉｉ３會第二層として形
成する。６−８ｉ層３は通常８ｉＨ，ガスなどのグロー
数箱”分解法あるいはスパッタリング法などによって形
成さ扛る。よく知られているように、その暗抵抗および
光応速度の制御を目的として通常１〜４０原子饅の水素
全含有させる。ａ−８ｉのエネルギーギャップを広げる
ために、 Ｓｉ、、、Ｃｘで表わした場合にＸが０．１
〜０８の範囲になるように添加する。このようなａ−８
ｔ（（０層は、例えはａ−８ｉ層をグロー放電分解に↓
す形成する際に室温で気体状を呈する炭素の化合物ＣＨ
，。
上では帯電、性能および暗減衰性能に満足な結果をイｎ
ることが難しく、まｆＣ５〜１００μｍの範囲において
も３０〜７０μｍが最適である。この工うにして゛つく
らｆｌ、た第一層２の表面は、基体１の衣αｎに：／Ｊ
ｌｌ工縞があってもっぷさ扛て極めて平滑な面を崩して
いる。第一層２の上にａｓｉＪｉｉ３會第二層として形
成する。６−８ｉ層３は通常８ｉＨ，ガスなどのグロー
数箱”分解法あるいはスパッタリング法などによって形
成さ扛る。よく知られているように、その暗抵抗および
光応速度の制御を目的として通常１〜４０原子饅の水素
全含有させる。ａ−８ｉのエネルギーギャップを広げる
ために、 Ｓｉ、、、Ｃｘで表わした場合にＸが０．１
〜０８の範囲になるように添加する。このようなａ−８
ｔ（（０層は、例えはａ−８ｉ層をグロー放電分解に↓
す形成する際に室温で気体状を呈する炭素の化合物ＣＨ
，。
Ｃ２Ｈ４等１８ｉＨ，などのガスと同時に導入するか、
あるいはスパッタリング法ではターゲットとして炭素を
含むＳｌ板を用いることによって生成さ扛る。
あるいはスパッタリング法ではターゲットとして炭素を
含むＳｌ板を用いることによって生成さ扛る。
−！たさらに、周期律表川原あるいはＶ族の不純物を導
入することにより、ａ８＋層２の導電形全ｐ形あるいは
ｎ形に制御することも可能であり、さらには導電形の異
なる２１−から構成することもできる。しかし本発明に
おいては％ａ−８ｉ層の欠点である大きな暗減衰特性が
基体側に形成さ扛るａ −８ｅなどからなる第一層２で
十分に補うことが可能であるから、ａ−８ｉ層３が第一
層２と異なる導電形を有するヘテロ接合全形成する必要
はない。従って、第一層のａ−８ｅあるいはａ−８ｅｔ
主体とした合金からなる層がｐ形であるから、第二層の
ａ−８ｉ層はＢ、Ａｔなど全添加したｐ ｍあるいはｒ
ｔｔｔｉにされる。この場合の１３．Ａｔなど周期律
表第川原の元来の添加前は第二層３の特性に応じて決定
され、通常ＪＯ〜１０ 原子チであることが望ましい。
入することにより、ａ８＋層２の導電形全ｐ形あるいは
ｎ形に制御することも可能であり、さらには導電形の異
なる２１−から構成することもできる。しかし本発明に
おいては％ａ−８ｉ層の欠点である大きな暗減衰特性が
基体側に形成さ扛るａ −８ｅなどからなる第一層２で
十分に補うことが可能であるから、ａ−８ｉ層３が第一
層２と異なる導電形を有するヘテロ接合全形成する必要
はない。従って、第一層のａ−８ｅあるいはａ−８ｅｔ
主体とした合金からなる層がｐ形であるから、第二層の
ａ−８ｉ層はＢ、Ａｔなど全添加したｐ ｍあるいはｒ
ｔｔｔｉにされる。この場合の１３．Ａｔなど周期律
表第川原の元来の添加前は第二層３の特性に応じて決定
され、通常ＪＯ〜１０ 原子チであることが望ましい。
第二層３の厚さは第一層１ｖｃ関連して決定されるが通
常０．１〜５０μｍの範囲にあｎばよく、０．５〜１０
μｍが最適である。このようにして得られた感光体の特
性を以下の実験例に関して述べる。
常０．１〜５０μｍの範囲にあｎばよく、０．５〜１０
μｍが最適である。このようにして得られた感光体の特
性を以下の実験例に関して述べる。
実験例］：
表面を鏡面加工した直径１２０■、長さ３００簡のアル
ミニウム製ドラムに硝酸溶液にてエツチング処理を施（
−た後、真空蒸着槽内に設けられ１回転機構お工び加熱
装置の伺い７’Ｃ，１１４に装着し、ドラムの温度全６
５℃保持しながら純度９９．９９％のＳｅ全加熱、蒸発
させて１．５μｍ／ｍｉｎの蒸着速度で蒸着し、層厚４
５μｍ″ｃ表面にはドラムの加工縞の出ない極めて平滑
な純ａ−８ｅＮｋ形成した。次いで ５− このドラムを第２図に示すようなグロー放電分解槽４の
中に同様に回転機構および加熱機構を具備した軸５に固
定し、メーンバルブ６を介して約５Ｘ１０Ｔｏｒｒの真
空度まで排気した後、ドラム７の温度をヒータ８により
４０℃に保持し、さらに槽４内にパルプ９全介して５ｉ
ｌ（４ガス全導入して真空度’ｒ Ｏ，０８Ｔｏｒｒ
ｉＣ保持しｆＣ８ついで高周波電源１（ＮＣより誘導コ
イル１１に１３．５６ ＭＨｚ の高周波電圧全印加
してグロー放ｔを発生させ、ＳｉＨ。
ミニウム製ドラムに硝酸溶液にてエツチング処理を施（
−た後、真空蒸着槽内に設けられ１回転機構お工び加熱
装置の伺い７’Ｃ，１１４に装着し、ドラムの温度全６
５℃保持しながら純度９９．９９％のＳｅ全加熱、蒸発
させて１．５μｍ／ｍｉｎの蒸着速度で蒸着し、層厚４
５μｍ″ｃ表面にはドラムの加工縞の出ない極めて平滑
な純ａ−８ｅＮｋ形成した。次いで ５− このドラムを第２図に示すようなグロー放電分解槽４の
中に同様に回転機構および加熱機構を具備した軸５に固
定し、メーンバルブ６を介して約５Ｘ１０Ｔｏｒｒの真
空度まで排気した後、ドラム７の温度をヒータ８により
４０℃に保持し、さらに槽４内にパルプ９全介して５ｉ
ｌ（４ガス全導入して真空度’ｒ Ｏ，０８Ｔｏｒｒ
ｉＣ保持しｆＣ８ついで高周波電源１（ＮＣより誘導コ
イル１１に１３．５６ ＭＨｚ の高周波電圧全印加
してグロー放ｔを発生させ、ＳｉＨ。
を分解してａ−８ｉ層をドラム７のａ−Ｂｅ層の上に形
成した。この際のａ−８ｉ層の成長速度は約５Ｖｓｅｃ
であり、最終的に形成された層の厚さは１，５μｍであ
り、表面は極めて平滑であつ７ｃｏ第３因はこのように
して得られた感光体（曲線３１）とａ−８ｅ層のみを備
えた感光体（曲線３２）の童子効率の波長分光感度を示
し、本発明による感光体はａ−８ｅ層のみの感光体に比
して白色光感度で約１０倍の応答速度を有する。それに
もかかわらず第４図の暗減衰特性および第５図の帯電圧
の温度依存性においてそ扛ぞ扛曲線４１．５１にＪ：す
示す ６ − ように５曲線４２．５２によって示されるａ−８ｉ層の
み全備えた感光体の場合に比して本発明による感光体は
格段にすぐ扛た特性金有し、かつ耐刷性も良好で複写機
に装＞１６ して連続１０万枚のコピーを行った後でも
その表面への損傷はなく、良好な画像を得た。
成した。この際のａ−８ｉ層の成長速度は約５Ｖｓｅｃ
であり、最終的に形成された層の厚さは１，５μｍであ
り、表面は極めて平滑であつ７ｃｏ第３因はこのように
して得られた感光体（曲線３１）とａ−８ｅ層のみを備
えた感光体（曲線３２）の童子効率の波長分光感度を示
し、本発明による感光体はａ−８ｅ層のみの感光体に比
して白色光感度で約１０倍の応答速度を有する。それに
もかかわらず第４図の暗減衰特性および第５図の帯電圧
の温度依存性においてそ扛ぞ扛曲線４１．５１にＪ：す
示す ６ − ように５曲線４２．５２によって示されるａ−８ｉ層の
み全備えた感光体の場合に比して本発明による感光体は
格段にすぐ扛た特性金有し、かつ耐刷性も良好で複写機
に装＞１６ して連続１０万枚のコピーを行った後でも
その表面への損傷はなく、良好な画像を得た。
実験例２：
実験例１に対して、アルミニウム製ドラムの寸法′！ｉ
１″直径９０唾、長さ２５０叫にし、第一層として真空
蒸層にエリａ−Ａｓ２５ｅ３ｉ ０．６μｎｌ ／Ｉｎ
Ｉ ｎの蒸着速度で３０μＩｎの層を形成し、かつグ
ロー放軍法の際のドラム温度を１５０ ℃にした以外は
全く同様にして電子写真用感光体全形成した。得られた
感光体はＬ−８ｉ層の表向にやはり加工縞が見られず、
極めて平滑性が良好であり、波陛分光感度特性金測定し
たところ、４０（Ｊ〜７５（１ｍａ＋の波長の光に対し
て極めて優扛た光応答性を示］〜、画像も実験例１と同
様に良好であった。
１″直径９０唾、長さ２５０叫にし、第一層として真空
蒸層にエリａ−Ａｓ２５ｅ３ｉ ０．６μｎｌ ／Ｉｎ
Ｉ ｎの蒸着速度で３０μＩｎの層を形成し、かつグ
ロー放軍法の際のドラム温度を１５０ ℃にした以外は
全く同様にして電子写真用感光体全形成した。得られた
感光体はＬ−８ｉ層の表向にやはり加工縞が見られず、
極めて平滑性が良好であり、波陛分光感度特性金測定し
たところ、４０（Ｊ〜７５（１ｍａ＋の波長の光に対し
て極めて優扛た光応答性を示］〜、画像も実験例１と同
様に良好であった。
実験例３
実験例１と同様に】２０φＸ３００ｔのアルミニウムド
ラム全使用し、第一層と１７で表面平滑なａ−８ｅｆＴ
ｅＪ層（Ｔｅ１０重量％）を形成した後、第２図に示す
装置においてドラム温度を５０℃に保持しＢ、Ｈ，／Ｓ
ｉＨの値が１５ｐｐＭとなるようにＳ ｉ Ｈ。
ラム全使用し、第一層と１７で表面平滑なａ−８ｅｆＴ
ｅＪ層（Ｔｅ１０重量％）を形成した後、第２図に示す
装置においてドラム温度を５０℃に保持しＢ、Ｈ，／Ｓ
ｉＨの値が１５ｐｐＭとなるようにＳ ｉ Ｈ。
およびＢ、Ｈ６全ガスを調整してバルブ９より導入し、
実験例１と同様にグロー放電分解によって第二層のａ−
８ｉ層を約４Ａ／ｓｅｃ の成長速度で２μｍ厚に形
成した。こうして得られた電子写真用感光体は１５万連
続コピーを行う間、リファイニング等の処理を一度も行
うことな１−に良好な画像を得ることができた。
実験例１と同様にグロー放電分解によって第二層のａ−
８ｉ層を約４Ａ／ｓｅｃ の成長速度で２μｍ厚に形
成した。こうして得られた電子写真用感光体は１５万連
続コピーを行う間、リファイニング等の処理を一度も行
うことな１−に良好な画像を得ることができた。
実験例４：
実験例１と同様なアルミニウム製ドラムに同様な方法で
第一層として表面平滑なα−８ｅｔＴｅＪ層ｆＴｅ
５重量％）全４５μｍの層厚で形成【７１次いで第２図
に示す装置を用い槽４内にＣ２Ｈ４と５ｉＩ−１゜と金
その体積比全調整して配合してアルゴンガスと共に導入
し、他は実験例１と同様な条件、でグロー放電分解によ
り第二層としてａ−８ｉ（（、ｉ層全形成した。このよ
うにして得られた電子写真用感光体はａ−８ｉ層のみよ
りなる感光体に比１〜ですぐれた暗減衰特性および温度
特性を有する。一方炭素分の増加と共にエネルギーギャ
ップが広がるので分光感度が短波長側にずれ、例えばａ
−８ｉＣの０７ ０３ 組成金有する第二層をＭ層した感光体は、第３図の曲線
３３に示す工うな量子効率の波長分光感度を有する。従
ってＣ７ＩＩ４とＳｉｎ、の配合比を調整することによ
り分光感度を調整でき、例えば印鑑などの赤色に感じな
い（黒く複写される）感光体の製作に役立つ。さらに前
述のようにこの感光体は炭素を含まないａ−８ｒ）−よ
り硬度の高い表面層全有するので耐刷性が一層すぐれて
いる。
第一層として表面平滑なα−８ｅｔＴｅＪ層ｆＴｅ
５重量％）全４５μｍの層厚で形成【７１次いで第２図
に示す装置を用い槽４内にＣ２Ｈ４と５ｉＩ−１゜と金
その体積比全調整して配合してアルゴンガスと共に導入
し、他は実験例１と同様な条件、でグロー放電分解によ
り第二層としてａ−８ｉ（（、ｉ層全形成した。このよ
うにして得られた電子写真用感光体はａ−８ｉ層のみよ
りなる感光体に比１〜ですぐれた暗減衰特性および温度
特性を有する。一方炭素分の増加と共にエネルギーギャ
ップが広がるので分光感度が短波長側にずれ、例えばａ
−８ｉＣの０７ ０３ 組成金有する第二層をＭ層した感光体は、第３図の曲線
３３に示す工うな量子効率の波長分光感度を有する。従
ってＣ７ＩＩ４とＳｉｎ、の配合比を調整することによ
り分光感度を調整でき、例えば印鑑などの赤色に感じな
い（黒く複写される）感光体の製作に役立つ。さらに前
述のようにこの感光体は炭素を含まないａ−８ｒ）−よ
り硬度の高い表面層全有するので耐刷性が一層すぐれて
いる。
以上述べたように本発明は電子写真用感光体の感光層と
して、非晶質セレンあるいは非晶質セレンを主成分とす
る合金からなる層とその上に設けられる非晶質シリコン
あるいは炭素を含む非晶質シリコンからなる層との積層
構造を用いることによって非晶質シリコン層の平滑な表
面も得ることを可能にして画質全向上させるほかに電荷
保持性。
して、非晶質セレンあるいは非晶質セレンを主成分とす
る合金からなる層とその上に設けられる非晶質シリコン
あるいは炭素を含む非晶質シリコンからなる層との積層
構造を用いることによって非晶質シリコン層の平滑な表
面も得ることを可能にして画質全向上させるほかに電荷
保持性。
温度特性がすぐれ、かつきわめて迷い光応薯速度 ９−
全有し、さらに耐刷性能が格段にすぐ扛た電子写よびそ
の両機能を備えたインテリジェントコピアなど、極めて
幅広い分野に有効に応用可能である。
の両機能を備えたインテリジェントコピアなど、極めて
幅広い分野に有効に応用可能である。
第１図は本発明による感光層の構成を示す断面図、第２
図は本発明の実施に使用される非晶質シリコン層生成装
置の一例を示す説明図、第３図は不発明二つの実施例の
感光体と非晶質セレンのみからなる感光層を有する感光
体との量子効率の波長分光感度曲線、第４図は本発明の
一実施例の感光体と非晶質シリコンのみからなる感光層
を有する感光体との暗減衰曲線、第５図は同じく帯電圧
の温度特性曲線である。 １・・・基体、２・・・第一層（非晶質セレン層または
非晶質セレン合金層）、３・・・第二層（非晶質シリコ
ン層）。 イモ埋火弁理士 山 口 泌 １０−
図は本発明の実施に使用される非晶質シリコン層生成装
置の一例を示す説明図、第３図は不発明二つの実施例の
感光体と非晶質セレンのみからなる感光層を有する感光
体との量子効率の波長分光感度曲線、第４図は本発明の
一実施例の感光体と非晶質シリコンのみからなる感光層
を有する感光体との暗減衰曲線、第５図は同じく帯電圧
の温度特性曲線である。 １・・・基体、２・・・第一層（非晶質セレン層または
非晶質セレン合金層）、３・・・第二層（非晶質シリコ
ン層）。 イモ埋火弁理士 山 口 泌 １０−
Claims (1)
- １）導電性基体上に設けられる感光層が、基体側の非晶
質セレンあるいは非晶質セレンを主体とした合金からな
る層と、表面側の非晶質シリコンあるいは炭素を含む非
晶質シリコンからなる層と全備えたことを％徴とする電
子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094481A JPS5852648A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094481A JPS5852648A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852648A true JPS5852648A (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15507823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15094481A Pending JPS5852648A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088955A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP15094481A patent/JPS5852648A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088955A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
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