JPS6088955A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS6088955A JPS6088955A JP58196117A JP19611783A JPS6088955A JP S6088955 A JPS6088955 A JP S6088955A JP 58196117 A JP58196117 A JP 58196117A JP 19611783 A JP19611783 A JP 19611783A JP S6088955 A JPS6088955 A JP S6088955A
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- mandrel
- drum
- mandrels
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファス・シリコン（以下、ａ−８１と略
す）膜をプラズマＣＶＤ法で製作する装置に係り、とく
に電子写真用感光体として用いるａ−８ｉ膜製作用のプ
ラズマＣＶＤ装置に関するものである。
す）膜をプラズマＣＶＤ法で製作する装置に係り、とく
に電子写真用感光体として用いるａ−８ｉ膜製作用のプ
ラズマＣＶＤ装置に関するものである。
公知のようにａ−８ｉｖ、は、伝導型及び不純物密度の
制御ができること、光感度をもつ波長範囲がＳｔ単結晶
に比し広いこと、大面積の膜が比較的容易に且つ安価に
得られることなどの理由から近時注目され、立腹トラン
ジスタ、太陽電池など、ａ−８１膜で形成した半導体素
子の製作が広く実用化されるようになってきている。そ
してそのａ−８ｉ膜の生成法としては、通常プラズマＣ
Ｖ Ｄ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）法と呼ばれる方法が採られており、それは
真空状急にしうる適当な容器内にａ−８１膜を生成する
だめの基板を設置し、ＳｉＨ◆やＳｉＦ４などの気体状
の物質を導入して外部からの電力（直流電力或いは誘導
結合や客足結合による高周波電力）によってグロー放電
を起こさせ、反応生成物としてのａ−８ｔ膜を基板上に
堆積させるものである。
制御ができること、光感度をもつ波長範囲がＳｔ単結晶
に比し広いこと、大面積の膜が比較的容易に且つ安価に
得られることなどの理由から近時注目され、立腹トラン
ジスタ、太陽電池など、ａ−８１膜で形成した半導体素
子の製作が広く実用化されるようになってきている。そ
してそのａ−８ｉ膜の生成法としては、通常プラズマＣ
Ｖ Ｄ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）法と呼ばれる方法が採られており、それは
真空状急にしうる適当な容器内にａ−８１膜を生成する
だめの基板を設置し、ＳｉＨ◆やＳｉＦ４などの気体状
の物質を導入して外部からの電力（直流電力或いは誘導
結合や客足結合による高周波電力）によってグロー放電
を起こさせ、反応生成物としてのａ−８ｔ膜を基板上に
堆積させるものである。
最近になってこのａ−８ｉ膜が電子写真用感光体として
要求される光感度特性、温度特性、機械的強度、寿命な
どの諸特性を充分満足しうる優れた性質を有しているこ
とが見出されたため鋭意研究が進められ、その結実現在
ではこのａ−８ｉ感光体の性能及び製作技術は基本的な
研究開発段階から実用化の段階にまで向上してきている
。
要求される光感度特性、温度特性、機械的強度、寿命な
どの諸特性を充分満足しうる優れた性質を有しているこ
とが見出されたため鋭意研究が進められ、その結実現在
ではこのａ−８ｉ感光体の性能及び製作技術は基本的な
研究開発段階から実用化の段階にまで向上してきている
。
しかしながら、ａ−Ｓｔ感光体を市場製品として通用さ
せるためには、安定した性能のａ−８ｉ感光体を如何に
安価に量産しうるがといった大量生産方式のとれる製造
技術或いは方式や装置が必要となるのであるが、現段階
では未だ確立しておらず、それが今後の最大の問題とな
っている。
せるためには、安定した性能のａ−８ｉ感光体を如何に
安価に量産しうるがといった大量生産方式のとれる製造
技術或いは方式や装置が必要となるのであるが、現段階
では未だ確立しておらず、それが今後の最大の問題とな
っている。
従来の製造装置がもつ問題点、すなわち量産に不適当で
ある理由について以下に記述する。プラズマＣＶＤ法に
ょるａ−８ｌ膜をａ−８１感光体とする場合の基本的な
製造方法や製造条件については、本発明者らによって特
開昭５７−３７３５２号公報や同特開昭５７−７８５４
６号公報などにおいて提案され、また小規模ながらも従
来の範囲で実用性の高い製造装置としては、同じ本発明
者らによって特願昭５８−４０６３５号、特願昭５８−
４０６３６号゛°′ 明 細書にその内容が詳細に述べられており、はぼ確立され
たと見てよい。しかしながら、これらが大足生産の可能
なプラズマＣＶＤ装置に適用しようとした場合、さらに
問題点が存在していたのである。この問題点は基板の設
置方法から発生するわけであるが、これについて第１図
および第２図を用いて詳述する。
ある理由について以下に記述する。プラズマＣＶＤ法に
ょるａ−８ｌ膜をａ−８１感光体とする場合の基本的な
製造方法や製造条件については、本発明者らによって特
開昭５７−３７３５２号公報や同特開昭５７−７８５４
６号公報などにおいて提案され、また小規模ながらも従
来の範囲で実用性の高い製造装置としては、同じ本発明
者らによって特願昭５８−４０６３５号、特願昭５８−
４０６３６号゛°′ 明 細書にその内容が詳細に述べられており、はぼ確立され
たと見てよい。しかしながら、これらが大足生産の可能
なプラズマＣＶＤ装置に適用しようとした場合、さらに
問題点が存在していたのである。この問題点は基板の設
置方法から発生するわけであるが、これについて第１図
および第２図を用いて詳述する。
太陽電池などの半導体素子の製作や電子写真用感光体の
製作において、ａ−８ｉｐをプラズマＣＶＤ法で基板上
に堆積させる場合、基板の大きさや形状等の相違に拘ら
ず反応容器内に基板を縦にして設置することが通常行わ
れている。第１図は本発明者らによって提案され特開昭
５７−３７３５２号公報に開示されたａ−８ｌ感光体の
製造装置の例を概略的に示したものである。この装置で
は容量結合型で高周波電力が供給されるのであるが、各
部分のｆＩ＋４成について簡単に説明する。排気装置９
を有する開閉可能な密閉容器の基底部をなすベースプレ
ート８及びペルジャー４の中に金り性円筒形基板１（電
子写真用の感光体であるためこのようなドラムを基板に
することが多い）が垂直、すなわち縦型に設置される。
製作において、ａ−８ｉｐをプラズマＣＶＤ法で基板上
に堆積させる場合、基板の大きさや形状等の相違に拘ら
ず反応容器内に基板を縦にして設置することが通常行わ
れている。第１図は本発明者らによって提案され特開昭
５７−３７３５２号公報に開示されたａ−８ｌ感光体の
製造装置の例を概略的に示したものである。この装置で
は容量結合型で高周波電力が供給されるのであるが、各
部分のｆＩ＋４成について簡単に説明する。排気装置９
を有する開閉可能な密閉容器の基底部をなすベースプレ
ート８及びペルジャー４の中に金り性円筒形基板１（電
子写真用の感光体であるためこのようなドラムを基板に
することが多い）が垂直、すなわち縦型に設置される。
この基板１はモータ７によって回転できるようにし、且
つドラム状基板内にシーズヒータ３などを挿入してドラ
ムを加熱する。また、ドラム状基板１を囲繞するような
円筒型の電極２が設けられるが、この例では電極それ自
体が反応気体供給装置６に接続されており、反応ガスを
均一に基板面に供給できるよう電極２の表面には多数の
ガス噴出孔が穿設されている。
つドラム状基板内にシーズヒータ３などを挿入してドラ
ムを加熱する。また、ドラム状基板１を囲繞するような
円筒型の電極２が設けられるが、この例では電極それ自
体が反応気体供給装置６に接続されており、反応ガスを
均一に基板面に供給できるよう電極２の表面には多数の
ガス噴出孔が穿設されている。
そして高周波電力供給源５から基板１と電極２とニ電力
が供給されグロー放電が行われるのである。
が供給されグロー放電が行われるのである。
このように基板を縦型に設置していた最大の理由は次の
ようなことである。グロー放電による分解によってａ−
８ｉなどが反応生成物として堆積するのであるが、グロ
ー放電は電極と基板とが対向している領域内に限られる
ものではなく容器内のあらゆるところで発生するので、
プラズマＣＶＤによる反応生成物が容器内のあらゆる個
所に堆積することは避けられないのである。この反応生
成ａｌｌハａ−８１、ａｔ微結晶またはそれらの混合物
或いは未反応ガスや既反応ガスをもとりこんだ形のもの
など種々のものが存在し、これらは微粉末状、細片状、
綿状などの形状を有している。これらの反応生成物はガ
ス噴出孔近傍や電極端部などグロー放電が変化する位匠
に多く堆積するので、これらがプラズマＣＶＤ過程に熱
膨張係数の違いや自重や何らかの８１ Ｈ７によって剥
頗脱落することが多い。そこで、これらの微粉、細片が
基板面に落下し°て堆積したａ−８ｔ膜を損傷したり、
とりこまれて膜の性能に悪影響を与えることを避けるこ
とが基板を縦型に設置し′できた理由なのである０薄膜
トランジスタ、太陽電池などの半導体素子を製作する場
合には、基板を上に電極を下になるよう水平に設置し上
の基板にａ−８ｉが堆積するいわゆるデボアップ法がと
られる場合もあるが、通常は上述してきたように基板を
縦型に股「していた。しかしながら、反応生成物の基板
面への落下を違けるために、基板を横型でなく縦型に設
置しても実際にはそれ程の効果がなく、場合によっては
却って大きく悪影響を及ぼすこともあること、また社屋
方式をとろうとした場合には基板を縦型に設置すると膜
質の良い感光体を量産するには却って問題点が多いこと
が実験の結果判明したのである。すなわち、第１図のよ
うな基板を縦型に設置したプラズマＣＶＤ装置でグロー
放電分解を起させると、第２図に装置の一部分を拡大し
て示したように、電極２端部のグロー放電が急激に変化
する領域と電極のはぼ上に対応する容器壁に主に粉末状
の反応生成物１０が堆積することが判った。
ようなことである。グロー放電による分解によってａ−
８ｉなどが反応生成物として堆積するのであるが、グロ
ー放電は電極と基板とが対向している領域内に限られる
ものではなく容器内のあらゆるところで発生するので、
プラズマＣＶＤによる反応生成物が容器内のあらゆる個
所に堆積することは避けられないのである。この反応生
成ａｌｌハａ−８１、ａｔ微結晶またはそれらの混合物
或いは未反応ガスや既反応ガスをもとりこんだ形のもの
など種々のものが存在し、これらは微粉末状、細片状、
綿状などの形状を有している。これらの反応生成物はガ
ス噴出孔近傍や電極端部などグロー放電が変化する位匠
に多く堆積するので、これらがプラズマＣＶＤ過程に熱
膨張係数の違いや自重や何らかの８１ Ｈ７によって剥
頗脱落することが多い。そこで、これらの微粉、細片が
基板面に落下し°て堆積したａ−８ｔ膜を損傷したり、
とりこまれて膜の性能に悪影響を与えることを避けるこ
とが基板を縦型に設置し′できた理由なのである０薄膜
トランジスタ、太陽電池などの半導体素子を製作する場
合には、基板を上に電極を下になるよう水平に設置し上
の基板にａ−８ｉが堆積するいわゆるデボアップ法がと
られる場合もあるが、通常は上述してきたように基板を
縦型に股「していた。しかしながら、反応生成物の基板
面への落下を違けるために、基板を横型でなく縦型に設
置しても実際にはそれ程の効果がなく、場合によっては
却って大きく悪影響を及ぼすこともあること、また社屋
方式をとろうとした場合には基板を縦型に設置すると膜
質の良い感光体を量産するには却って問題点が多いこと
が実験の結果判明したのである。すなわち、第１図のよ
うな基板を縦型に設置したプラズマＣＶＤ装置でグロー
放電分解を起させると、第２図に装置の一部分を拡大し
て示したように、電極２端部のグロー放電が急激に変化
する領域と電極のはぼ上に対応する容器壁に主に粉末状
の反応生成物１０が堆積することが判った。
一般にａ−８ｉｌＪｌａ光体として用いる場合には、ａ
−８＋膜は２０〜６０μｍ程度の厚さが必要であり、ま
た感光体の表面積は大面積であるために、供給するＳｉ
Ｈ４などの反応ガスの量は非常に多量となり、且つａ−
８ｔ膜の生膜速度を考えると堆積に要する時間が長いた
め、上述した反応生成物１０の量はかなりのものとなり
１０Ｗｍ以上の厚みにも達する場合がある。そのため、
ａ−ｓｔ成膜成中に反応生成物１０としての粉末が前述
した熱膨張係数の違いや自重などで剥離崩壊して落下す
る確率が非常に多くなるのである。基板面が垂直である
から落下物が表面に接触しにくい或いは付着、損傷しに
くいとはいっても、生成物の脱落、崩壊、落下という串
象が起りやすいので全体として見た場合のａ−８ｌ膜の
損俗確率は横型に設置する場合と変らなくなってしまう
ことが判った。
−８＋膜は２０〜６０μｍ程度の厚さが必要であり、ま
た感光体の表面積は大面積であるために、供給するＳｉ
Ｈ４などの反応ガスの量は非常に多量となり、且つａ−
８ｔ膜の生膜速度を考えると堆積に要する時間が長いた
め、上述した反応生成物１０の量はかなりのものとなり
１０Ｗｍ以上の厚みにも達する場合がある。そのため、
ａ−ｓｔ成膜成中に反応生成物１０としての粉末が前述
した熱膨張係数の違いや自重などで剥離崩壊して落下す
る確率が非常に多くなるのである。基板面が垂直である
から落下物が表面に接触しにくい或いは付着、損傷しに
くいとはいっても、生成物の脱落、崩壊、落下という串
象が起りやすいので全体として見た場合のａ−８ｌ膜の
損俗確率は横型に設置する場合と変らなくなってしまう
ことが判った。
脱落、崩壊、落下してくる反応生成物は、その大きさに
よってかなりの速度で落下するものから浮遊するものま
であるが、容器上部からのある大きさをもった生成落下
物は基板面に沿って落下することが多く、それが基板面
に接触または付着したような場合には、接触跡の悪影響
は感光体のかなりの範囲に亘って生じることになる。感
光体を大量生産する場合には、ドラムを複数個垂直に重
ねて同時に成膜することが望ましいのであろうが、上述
した反応生成物の堆積、落下はますます激しくなるので
縦型は量産性に乏しいことが判明したのである。加えて
複数個のドラムを積み重ねることは、反応容器の高さを
大きくとらねばならず、真空排気の点、ドラムの加熱の
点、さらに作業性、安全性の点や価格の点からも大量生
産に不向きであることが判った。
よってかなりの速度で落下するものから浮遊するものま
であるが、容器上部からのある大きさをもった生成落下
物は基板面に沿って落下することが多く、それが基板面
に接触または付着したような場合には、接触跡の悪影響
は感光体のかなりの範囲に亘って生じることになる。感
光体を大量生産する場合には、ドラムを複数個垂直に重
ねて同時に成膜することが望ましいのであろうが、上述
した反応生成物の堆積、落下はますます激しくなるので
縦型は量産性に乏しいことが判明したのである。加えて
複数個のドラムを積み重ねることは、反応容器の高さを
大きくとらねばならず、真空排気の点、ドラムの加熱の
点、さらに作業性、安全性の点や価格の点からも大量生
産に不向きであることが判った。
以上のことから理解されるように、小規模のプラズマＣ
ＶＤ装置によってａ−８ｔ感光体を作製する場合には、
電極などに堆積した生成物の基板上への落下を避けるに
は基板を縦型に設置することは横型に比し優位性を有す
るが、縦型で量産をしようとした場合には、生成物の基
板上への接触付着確率は小さくとも落下確率が大きくな
るために全体としての損傷確率は横型に比し決して優位
性がなく、むしろ損傷を受けた時には悪影響が大きいと
いうこと、そして基板を縦型に設置する方法をとりなか
ら景産装置とするには問題点が多ずぎることが判明した
のである。
ＶＤ装置によってａ−８ｔ感光体を作製する場合には、
電極などに堆積した生成物の基板上への落下を避けるに
は基板を縦型に設置することは横型に比し優位性を有す
るが、縦型で量産をしようとした場合には、生成物の基
板上への接触付着確率は小さくとも落下確率が大きくな
るために全体としての損傷確率は横型に比し決して優位
性がなく、むしろ損傷を受けた時には悪影響が大きいと
いうこと、そして基板を縦型に設置する方法をとりなか
ら景産装置とするには問題点が多ずぎることが判明した
のである。
本発明の目的は前記従来の製造技術に基礎を置きながら
も、これを大皿生産の実用域に達せしめることにあり、
より詳しくは反応容器内にマンドレルを介して複数個の
円筒形基板（ドラム）を横型為すなわちドラム軸を水平
に設置しグロー放電分解によってａ−８１を基板に堆穆
させ感光ドラムを量産化しうるプラズマＣＶＤ装置を提
供することにある。前述してきたように電極等に堆積し
た生成物の脱落、落下がａ−８ｉの膜質に大きな彫物を
与えるので、本発明では生成物の脱落が起きにくい電極
として本発明者らによって特願昭５８−４０６３５号明
細書で提案された金網状電極を用いること、−４をその
基本に置くも□のである。基板の対向電極として金網状
電極を２用いれば、電極に生成物が付着しても細線であ
るため熱膨張係数の差による歪応力は分散吸収されやす
いので生成物の剥離、脱落が起りにくくなるといった効
果と、金網であるため反応容器内の既反応ガスの停滞、
滞留が起りにくく生成物ができにくいという効果が発揮
できるが、本発明者らはさらに鋭意横割の結果、ドラム
を横型に設置した場合のＮｔ＃として極めて効果的な電
極であることを見出して本発明に到達したものである。
も、これを大皿生産の実用域に達せしめることにあり、
より詳しくは反応容器内にマンドレルを介して複数個の
円筒形基板（ドラム）を横型為すなわちドラム軸を水平
に設置しグロー放電分解によってａ−８１を基板に堆穆
させ感光ドラムを量産化しうるプラズマＣＶＤ装置を提
供することにある。前述してきたように電極等に堆積し
た生成物の脱落、落下がａ−８ｉの膜質に大きな彫物を
与えるので、本発明では生成物の脱落が起きにくい電極
として本発明者らによって特願昭５８−４０６３５号明
細書で提案された金網状電極を用いること、−４をその
基本に置くも□のである。基板の対向電極として金網状
電極を２用いれば、電極に生成物が付着しても細線であ
るため熱膨張係数の差による歪応力は分散吸収されやす
いので生成物の剥離、脱落が起りにくくなるといった効
果と、金網であるため反応容器内の既反応ガスの停滞、
滞留が起りにくく生成物ができにくいという効果が発揮
できるが、本発明者らはさらに鋭意横割の結果、ドラム
を横型に設置した場合のＮｔ＃として極めて効果的な電
極であることを見出して本発明に到達したものである。
以下、本発明の実施例を第３図ないし第５図を参照して
説明する。
説明する。
ｆＡ’５３図は本発明による反応容器内の反応部の構成
を機略的に示したものであり、基板としてのドラム１（
図では直列に２個）は横型に水平に設置されており、ド
ラム１を回転可能に支持する基板加熱体１６（以下、マ
ンドレルと称す）がこのドラム内に挿入されている。対
向する電極２はドラムを囲繞するような金網状電極で構
成されており、その外側に多数の反応ガス噴出孔を有す
るガス導入管１１が１本ないし複数本設置されている。
を機略的に示したものであり、基板としてのドラム１（
図では直列に２個）は横型に水平に設置されており、ド
ラム１を回転可能に支持する基板加熱体１６（以下、マ
ンドレルと称す）がこのドラム内に挿入されている。対
向する電極２はドラムを囲繞するような金網状電極で構
成されており、その外側に多数の反応ガス噴出孔を有す
るガス導入管１１が１本ないし複数本設置されている。
第３図のような反応部を有するプラズマＣＶＤ装置全体
を構成的に示したものが第４図である。
を構成的に示したものが第４図である。
この装置では容且結合による高周波電力がグロー放電に
用いられている。ベースプレート８及び移動可能な容器
４によって作られる反応容器内に第３図の反応部が収納
されている。符号７はドラムを回転させるモータであり
、９は排気装置、５は高周波電源、１２はマンドレル１
６に熱を供給する熱源で、マンドレルが電熱ヒータで加
熱される場合にはこの熱源は電源であり、熱媒を循環使
用して加熱される場合には温浴槽である。また、６は流
量制御装置を有する反応ガス供給装置であり、ここから
供給されるガスは導入管１１の噴出孔より噴出される。
用いられている。ベースプレート８及び移動可能な容器
４によって作られる反応容器内に第３図の反応部が収納
されている。符号７はドラムを回転させるモータであり
、９は排気装置、５は高周波電源、１２はマンドレル１
６に熱を供給する熱源で、マンドレルが電熱ヒータで加
熱される場合にはこの熱源は電源であり、熱媒を循環使
用して加熱される場合には温浴槽である。また、６は流
量制御装置を有する反応ガス供給装置であり、ここから
供給されるガスは導入管１１の噴出孔より噴出される。
金網状電極を採用することによって反応生成物の発生お
よび剥離が最小にできるので、小規模の装置でも従来縦
型にせざるを得ながった基板設置法も優位性がなくなり
、基板設置法としては縦型でも横型でも良くなったが、
社屋を考えた場合には横型の方が週かに良いのである。
よび剥離が最小にできるので、小規模の装置でも従来縦
型にせざるを得ながった基板設置法も優位性がなくなり
、基板設置法としては縦型でも横型でも良くなったが、
社屋を考えた場合には横型の方が週かに良いのである。
例えば第３図のドラム支持を兼ねるマンドレル１６、金
網状電極２、ガス導入管１１を横方向に長くとりさえす
れば作業性を悲くすることなく複数個のドラムを脱着す
ることが可能である。また、金網状電極を大きくし、生
成物の地積が比較的大きい電極端部に対峙しない場所に
ドラムを設置すれば、もし剥離および脱落した生成物の
粉末、細片があったとしても殆んど影響を受けなくする
ことができる。
網状電極２、ガス導入管１１を横方向に長くとりさえす
れば作業性を悲くすることなく複数個のドラムを脱着す
ることが可能である。また、金網状電極を大きくし、生
成物の地積が比較的大きい電極端部に対峙しない場所に
ドラムを設置すれば、もし剥離および脱落した生成物の
粉末、細片があったとしても殆んど影響を受けなくする
ことができる。
ドラムを横型に設置する場合にはドラムを保持回転させ
る機措が必要となるが、その機措を第３図で述べたよう
に加熱体（マンドレル）が有するようにすることは技術
的には何ら問題はない。逆にこのマンドレルが使用され
ることによって金網状電極の採用と相俟って従来になか
った性能の向上が図られる。一般にこのマンドレルは温
度の均一性と熱応答に優れているが、特に液体である熱
媒を強制帖環させる方法は横型において加熱温度の均一
性に優れた効果を発揮するので、ａ−８ｌｌ感光ドラム
体の性能の均一性を図るには非常に好都合なのである。
る機措が必要となるが、その機措を第３図で述べたよう
に加熱体（マンドレル）が有するようにすることは技術
的には何ら問題はない。逆にこのマンドレルが使用され
ることによって金網状電極の採用と相俟って従来になか
った性能の向上が図られる。一般にこのマンドレルは温
度の均一性と熱応答に優れているが、特に液体である熱
媒を強制帖環させる方法は横型において加熱温度の均一
性に優れた効果を発揮するので、ａ−８ｌｌ感光ドラム
体の性能の均一性を図るには非常に好都合なのである。
また、マンドレルがドラム内部に接することになるので
ドラムの内側でグロー放電が起らず反応生成物が堆積し
ないので、ドラムの熱輻射能、熱伝達能も変らず膜質の
局部的変化も起りに＜＜シかもドラムとしての美観をも
損ねることもないのである。
ドラムの内側でグロー放電が起らず反応生成物が堆積し
ないので、ドラムの熱輻射能、熱伝達能も変らず膜質の
局部的変化も起りに＜＜シかもドラムとしての美観をも
損ねることもないのである。
プラズマＣＶＤを終了したら反応容器を開いて容器内の
あらゆる場所に付着した生成物を除去清掃することが必
要であるが、内部を完全に露出させてこれを行うために
は横型が遥かにすぐれていることは容易に理解できよう
。本発明の装置において金網状電極やガス導入管などを
着脱自在にすれば作秦が更に効率化されうる。
あらゆる場所に付着した生成物を除去清掃することが必
要であるが、内部を完全に露出させてこれを行うために
は横型が遥かにすぐれていることは容易に理解できよう
。本発明の装置において金網状電極やガス導入管などを
着脱自在にすれば作秦が更に効率化されうる。
大ｆｆｉ生産のためにマンドレルを長くして複数個のド
ラムをそれに装着できることは前述したが、装置の機能
性や量産性を高めるには、同一反応容器内に複数個のマ
ンドレルを配置した方が一層効果的である。これらの先
行方法や構成は種々考えられるが、その実施例について
反応部のみを模式的に示したものが第５図である◇この
図で（、）は複数個のマンドレル１３を同一容器内に配
置しかつ個々のマンドレルを各金網状電極２で囲繞した
もあであり、同図（ｂ）は複数個のマンドレルが配置さ
れているが、それらを囲繞する形で金網状電極２が設け
られたものである。なおこの場合側々のマンドレルは自
転するが全体としても公転するいわゆるプラネタリ形式
をとらせることも可能である。同図（Ｃ）は複数個の並
設したマンドレルを対向する一対の金網状電極間に配置
した場合である。
ラムをそれに装着できることは前述したが、装置の機能
性や量産性を高めるには、同一反応容器内に複数個のマ
ンドレルを配置した方が一層効果的である。これらの先
行方法や構成は種々考えられるが、その実施例について
反応部のみを模式的に示したものが第５図である◇この
図で（、）は複数個のマンドレル１３を同一容器内に配
置しかつ個々のマンドレルを各金網状電極２で囲繞した
もあであり、同図（ｂ）は複数個のマンドレルが配置さ
れているが、それらを囲繞する形で金網状電極２が設け
られたものである。なおこの場合側々のマンドレルは自
転するが全体としても公転するいわゆるプラネタリ形式
をとらせることも可能である。同図（Ｃ）は複数個の並
設したマンドレルを対向する一対の金網状電極間に配置
した場合である。
以上に述べたように、本発明によればａ−８ｔ感光体を
高速度で大量生産しうる実用的なプラズマＣＶＤ装置が
提供されるものであって、たとえ従来試訣的規松で横車
で感光ドラムが作製されたことがあったとしても、それ
によって本発明が何らの制約をも受けないことは勿論の
ことである。
高速度で大量生産しうる実用的なプラズマＣＶＤ装置が
提供されるものであって、たとえ従来試訣的規松で横車
で感光ドラムが作製されたことがあったとしても、それ
によって本発明が何らの制約をも受けないことは勿論の
ことである。
第１図は従来のａ−８ｉ感光体を製造するためのプラズ
マＣＶＤ装置の概略図。 第２図は第１図において反応生成物の堆積発生を示す部
分拡大図。 第３図は本発明によるａ−８ｌ感光体を製造するプラズ
マＣＶＤ装置の反応部の構成を示す斜視図。 第４図はプラズマＣＶＤ装置の全体を示す模式第５図（
ａ）＋（ｂ）、（ｃ）は本発明による同一反応容器内に
複数個のマンドレルを配置する場合の配置措成例を示す
斜視図である。 １・・・ドラム状基板；２・・・金網状電極；４・・・
容器（ペルジャー）；６・・・反応気体供給装置；７・
・・モータ；１０・・・反応生成物；１１・・・導入管
；１２・・・熱源；ｉ６・・・マンドレル。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代理人：弁理士海津保三 同 ：弁理士 平 山 −幸
マＣＶＤ装置の概略図。 第２図は第１図において反応生成物の堆積発生を示す部
分拡大図。 第３図は本発明によるａ−８ｌ感光体を製造するプラズ
マＣＶＤ装置の反応部の構成を示す斜視図。 第４図はプラズマＣＶＤ装置の全体を示す模式第５図（
ａ）＋（ｂ）、（ｃ）は本発明による同一反応容器内に
複数個のマンドレルを配置する場合の配置措成例を示す
斜視図である。 １・・・ドラム状基板；２・・・金網状電極；４・・・
容器（ペルジャー）；６・・・反応気体供給装置；７・
・・モータ；１０・・・反応生成物；１１・・・導入管
；１２・・・熱源；ｉ６・・・マンドレル。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代理人：弁理士海津保三 同 ：弁理士 平 山 −幸
Claims (9)
- （１）反応ガスを導入し、反応室内でグロー放電分解に
よってアモルファス参シリコンをドラム状基板に成膜す
るプラズマＣＶＤ装置丁おいて、該ドラム状基板を横方
向に１個以上保持し且つ回転させることができる水平方
向に回転軸を有したマンドレルが上記反応室内に少くと
も１個以上配置されていることを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ装置。 - （２） 前記ドラム状基板を保持回転させる前記マンド
レルが、該ドラム状基板の内面に対し実質的に全面にお
いて接触していることを／Ｐ？徴とする、特＃’ｉ’Ｌ
９求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置。 - （３）前記マンドレルの加熱手段としてその内部に電熱
器を有していることを特徴とする特許請求の範囲第１ｍ
または第２頂記戴のプラズマＣＶＤ装置。 - （４） 前記マンドレルの加熱手段としてその内部を循
環する液状の熱媒を有していることを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項記載のプラズマＣＶＤ装置
。 - （５）前記反応室内に前記マンドレルが複数個配置され
ており且つ各々のマンドレルに対応して複数個の金網状
電極が各マント１／ルを囲繞するように設置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
ＣＶＤ装置。 - （６） 前記反応室内に前記マンドレルが複数個配置さ
れており且つこれらのマンドレルを全体的に囲繞するよ
うな金網状電極が設置されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装ｆｉｌ。 - （７）前記複数個のマンドレルの各々が自転すると共に
それら全体が公転するよう構成されていることを特徴と
する特許請求の範ｖＪＪ第１項または第６項記載のプラ
ズマ・ＣＶＤ装置。 - （８） 前記反応室内に前記マンドレルが複数個並列に
配置されており、これらのマンドレルの全数が対向する
一対の平行な金網状電極の間にあることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置。 - （９） 前記反応室を植成する密閉容器が前記マンドレ
ルの回転軸方向に移動可能に配設されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196117A JPS6088955A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196117A JPS6088955A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088955A true JPS6088955A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH0114998B2 JPH0114998B2 (ja) | 1989-03-15 |
Family
ID=16352520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58196117A Granted JPS6088955A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088955A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011242424A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造装置 |
| CN104607343A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-13 | 湖州中科天宏新材料科技有限公司 | 电热膜板的反应釜式生产方法及反应釜 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122471A (en) * | 1976-03-22 | 1977-10-14 | Rca Corp | Schottky barier semiconductor device |
| JPS5328871A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Komatsu Ltd | Device for transmitting rotary drive of tool for machine tool |
| JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
| JPS5852648A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS5889943A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法 |
| JPS58101735A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-17 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP58196117A patent/JPS6088955A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122471A (en) * | 1976-03-22 | 1977-10-14 | Rca Corp | Schottky barier semiconductor device |
| JPS5328871A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Komatsu Ltd | Device for transmitting rotary drive of tool for machine tool |
| JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
| JPS5852648A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS5889943A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法 |
| JPS58101735A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-17 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011242424A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造装置 |
| CN104607343A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-13 | 湖州中科天宏新材料科技有限公司 | 电热膜板的反应釜式生产方法及反应釜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0114998B2 (ja) | 1989-03-15 |
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