JPS5852701Y2 - 厚膜混成集積回路 - Google Patents
厚膜混成集積回路Info
- Publication number
- JPS5852701Y2 JPS5852701Y2 JP1978135512U JP13551278U JPS5852701Y2 JP S5852701 Y2 JPS5852701 Y2 JP S5852701Y2 JP 1978135512 U JP1978135512 U JP 1978135512U JP 13551278 U JP13551278 U JP 13551278U JP S5852701 Y2 JPS5852701 Y2 JP S5852701Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- integrated circuit
- hybrid integrated
- film hybrid
- crossover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はクロスオーバーを有する厚膜混成集積回路に関
するものである。
するものである。
第１図は従来から行なわれているクロスオーバーを説明
する図で、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。
する図で、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。
厚膜混成集積回路は、セラミック基板１に下部導体２ａ
〜２ｅ、電極５ａ〜５ｄを印刷、焼威し、次にガラス等
の絶縁体３を印刷し、上部導体４を印刷焼成することに
より下部導体２ｂと電極５ｄとは電極５ｂ、５Ｃに短絡
することなく接続されクロスオーバーを形成できる。
〜２ｅ、電極５ａ〜５ｄを印刷、焼威し、次にガラス等
の絶縁体３を印刷し、上部導体４を印刷焼成することに
より下部導体２ｂと電極５ｄとは電極５ｂ、５Ｃに短絡
することなく接続されクロスオーバーを形成できる。
ところが上部導体４はパラジウム、銀の金属成分のほか
多少のガラス成分を含んでおり、又焼成時給縁体３のガ
ラス成分が拡散し上部導体４のガラス成分が増加し上部
導体４に半田付する場合は半田の濡れ性が悪くなるため
半田付を必要とする部分ではクロスオーバーを形成せず
クロスオーバーは別の部分に形成していた。
多少のガラス成分を含んでおり、又焼成時給縁体３のガ
ラス成分が拡散し上部導体４のガラス成分が増加し上部
導体４に半田付する場合は半田の濡れ性が悪くなるため
半田付を必要とする部分ではクロスオーバーを形成せず
クロスオーバーは別の部分に形成していた。
しかしながら厚膜混成集積回路の大きさを小さく又、集
積度を高くしようとするとクロスオーバーを形成してい
る部分の面積の全体の面積に対する割合が増大し集積度
が限定されるという欠点がある。
積度を高くしようとするとクロスオーバーを形成してい
る部分の面積の全体の面積に対する割合が増大し集積度
が限定されるという欠点がある。
本考案は上記した従来技術の欠点を無くし、クロスオー
バ一部を有していても従来の厚膜混成集積回路より集積
度を高くすることにある。
バ一部を有していても従来の厚膜混成集積回路より集積
度を高くすることにある。
以下本考案の実施例を図に従って説明する。
第３図は本考案を説明する平面図、第４図は第３図Ｂ−
Ｂ断面図である。
Ｂ断面図である。
第３図、第４図において、セラミック基板１に電極５ａ
、５ｄと下部導体２ａ〜２ ｅ 、２ ｂ’を印刷、焼
成し、次にガラスペーストを下部導体２ｂ’上に印刷し
、焼成して絶縁体３を形成する。
、５ｄと下部導体２ａ〜２ ｅ 、２ ｂ’を印刷、焼
成し、次にガラスペーストを下部導体２ｂ’上に印刷し
、焼成して絶縁体３を形成する。
次に絶縁体３上に導電ペーストを印刷焼成して下部導体
２Ｃ，２ｄに接続するように電極５ｂ、５Ｃを形成する
。
２Ｃ，２ｄに接続するように電極５ｂ、５Ｃを形成する
。
この時電極５ｂ、５Ｃをガラス成分を含まない導電ペー
ストで形成することにより電極５ｂ、５Ｃはガラスから
なる絶縁体３からの拡散によるガラス分のみとなり電極
５ｂ、５Ｃの半田濡れ性は悪化しない。
ストで形成することにより電極５ｂ、５Ｃはガラスから
なる絶縁体３からの拡散によるガラス分のみとなり電極
５ｂ、５Ｃの半田濡れ性は悪化しない。
又下部導体２ｂと電極５ｄは電極５ｂ、５Ｃに短絡する
ことなく接続され、クロスオーバーを形成する部分の面
積は必要なくなる。
ことなく接続され、クロスオーバーを形成する部分の面
積は必要なくなる。
以上の説明のごとく本考案によれば電極部にクロスオー
バーを形成することにより電極以外に形成されるクロス
オーバー形成面積を無くすることが出来厚膜混成集積回
路の小型化及び高集積化が可能となる効果がある。
バーを形成することにより電極以外に形成されるクロス
オーバー形成面積を無くすることが出来厚膜混成集積回
路の小型化及び高集積化が可能となる効果がある。
第１図は従来技術を説明する平面図、第２図は第１図Ａ
−Ａ断面図、第３図は本考案の実施例を説明する平面図
、第４図は第３図のＢ−Ｂ断面図である。 １：セラミック基板、２ａ〜２ｅ、２ｂ’：下部導体、
３：絶縁体、４：上部導体、５ａ〜５ｄ：電極。
−Ａ断面図、第３図は本考案の実施例を説明する平面図
、第４図は第３図のＢ−Ｂ断面図である。 １：セラミック基板、２ａ〜２ｅ、２ｂ’：下部導体、
３：絶縁体、４：上部導体、５ａ〜５ｄ：電極。
Claims (1)
- 電極部にクロスオーバーを設けたことを特徴とする厚膜
混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978135512U JPS5852701Y2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 厚膜混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978135512U JPS5852701Y2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 厚膜混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5552863U JPS5552863U (ja) | 1980-04-09 |
| JPS5852701Y2 true JPS5852701Y2 (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=29105878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978135512U Expired JPS5852701Y2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 厚膜混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852701Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143762U (ja) * | 1979-04-03 | 1980-10-15 | ||
| JPS6097050U (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 富士重工業株式会社 | 自動車用シ−ト |
-
1978
- 1978-10-04 JP JP1978135512U patent/JPS5852701Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5552863U (ja) | 1980-04-09 |
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