JPS585357U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS585357U
JPS585357U JP1981098094U JP9809481U JPS585357U JP S585357 U JPS585357 U JP S585357U JP 1981098094 U JP1981098094 U JP 1981098094U JP 9809481 U JP9809481 U JP 9809481U JP S585357 U JPS585357 U JP S585357U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
annular region
semiconductor
abstract
substrate
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Pending
Application number
JP1981098094U
Other languages
English (en)
Inventor
「あま」田　秀雄
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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Publication of JPS585357U publication Critical patent/JPS585357U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は半導体装置の一例を示す平面図、第２図は第１
図Ａ−Ａ断面図、第３図は本考案の一例を示す平面図、
第４図は本考案による半導体素子の拡大平面図、第５図
は第４図Ｂ−Ｂ断面図である。 ６・・・・・・半導体素子、７・・・・・・半導体基板
、７ａ・・・　□・・・主面、１３・・・・・・環状領
域、１４・・・・・・電極。 第３図 第４図　　゛

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板の主面外周面に沿って基板と逆導電型の環状
    領域を形成すると共に上記環状領域に電極を形成した半
    導体素子を具備したことを特徴とする半導体装置。
JP1981098094U 1981-06-30 1981-06-30 半導体装置 Pending JPS585357U (ja)

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JP1981098094U JPS585357U (ja) 1981-06-30 1981-06-30 半導体装置

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JPS585357U true JPS585357U (ja) 1983-01-13

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ID=29892863

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