JPS5853852A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5853852A
JPS5853852A JP56150774A JP15077481A JPS5853852A JP S5853852 A JPS5853852 A JP S5853852A JP 56150774 A JP56150774 A JP 56150774A JP 15077481 A JP15077481 A JP 15077481A JP S5853852 A JPS5853852 A JP S5853852A
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JP
Japan
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semiconductor
semiconductor pellet
pellet
thickness
semiconductor device
Prior art date
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Application number
JP56150774A
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English (en)
Inventor
Kenji Miyajima
宮島　賢治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置にかかり、特にリードフレームに
よって組立てられる半導体装置の小型化と薄型化金ハか
る改良に関する。
半導体装置の最近の傾向としてリードフレームによって
組立てられるものが急増し、小型化と薄型化に対する要
望がきわめて高くｌシつつめる。
リードフレームによって組立てられる従来の半導体装置
のマウント部分を示す第１図および第２図において、（
１）は半導体素子ベレットで、リードフレーム（２）の
半導体ベレット配設台床（２ａ）に例えは接宥剤（３）
で１看され、ベレットの各屯憔をボンディングワイヤｔ
４Ｆ、”（４つ・・・で夫々対応するリード（ｚｂ）。
（ｚｂ’）・・・に接続してマウント部分が形成されて
いる。
次に、上記７９ント部分Ｋｔ！例えばエポキシ樹脂のよ
うなモールド樹脂で封止して完成される。
叙上の従来の半導体装置には次に６ける欠点が６つ・九
゛。、すなわち、半導体ベレット配設台床の大きさは半
導体ベレットにそのダイシング残）代（しろ）余裕とし
て０．４ｍ（第５図に示されるａ）、接着余裕として０
．５ｍ（第５図に示されるｂ）を必要とし、これらの和
０．９諺が平面方向の最少限度となっている。この半導
体ベレット側面からの突出が大きいことはボンディング
ワイヤ（４つが変型して第２図に破線で示すように接触
するという重大な欠点がある。次に高さく厚さ）は半導
体ベレットの厚さ０．４ｍ（第７図に示される・）、半
纏体ペレット配設台床（リードフレーム）の厚さ０．２
ｍ（同図ｆ）、半導体ベレット上面からのモールド樹脂
層厚０．６１１１（同図ｄ）、半導体ベレット配設台床
の下面からのモー　ルド樹脂層厚０．６ｍ（同図ｇ）が
必要で、これらの和の１．８ｍ嘉限度でろる。叙上の大
きさく平面方向、商さ）の蚊小必要蓋が従来の構造で扛
低減できないという重大な欠点がめった。
この発明は上記従来の欠点を改良するためのもので、リ
ードフレームにおける半導体ベレット配設台床が半導体
ベレットの周側面を保持する枠状であることを特徴とす
る。
次にこの発明を１実施例につき第３図以降を参照して詳
細に説明する。半導体装置のマウント部分を示す第３図
および第４図において、半導体ベレット、リード、ボン
ディングワイヤについては従来と変わらないので説明を
省略し、改良点について説明する。実施例のリードフレ
ーム■における半導体ベレット配役台床（Ｘ２ｍ）が枠
状で、その内縁端（１２ｍ’）で半導体素子ベレット（
１）の周側面に接触して保持する。また、この発明は第
９図に示すように、半導体ベレット配設台床１ｚａ）に
半導体ベレット（１）を接着剤（５）を用いて接着させ
強固に保持させてもよい。このようにすれは半導体ベレ
ット配設台床における枠状の内縁端（１２ａ勺の寸法精
度を低減できる利点がめる。次に、第１θ図に示すよう
に、半導体ベレット（１勺にダイシング残シ代がない場
合でも有効でるる。なお、この場合叙上と同様に接着剤
を併用して固着を強固にしてもよい。さらに第１１図に
示すように、半導体ベレット配役台床（２２ｍ）の枠の
内縁端（２２ａりが半導体ベレットよりやや大きく形成
され、かつ複数の突出部（２２ｂ）　、　（２２ｂ’）
・・・を備え、これらの突出部で半導体ベレットの周側
面に接触し保持するようにしてもよい。
この発明によれば、半導体ベレット配設台床の千Ｎの大
きさが第６図に示すように半導体ベレットの周縁から枠
の嘱（ｃ）だけ拡げたものでよく、実際には０．２５鵡
程度でよく、すでに説明した従来の０、’Ｊｎに比し顕
著に小型化している。次に高さく厚さ）について第８図
に示すように、半導体ベレットの厚さ０．４關（ｅ）（
従来に比し不変）、半導体ベレットの上面からのモール
ド樹脂層厚０．６１１１　（ｄ）（不変）、半導体ベレ
ットの下面からのモールド樹脂層厚０．６　ｗ　（ｇ）
　（従来の牛導体ベレット配設苔床の下面からのモール
ド樹脂層厚に等しい）の計１．６０でよく、従来の第７
図に示される１、８Ｏ以上に対しリードフレームの厚さ
０．２ｍｍ分とこれに加えて半纒体ベレッ）１配設台床
に接着（ダイボンディング）するための接着剤層の層厚
分だけ低減できる。叙上の如くこの発明によれは平面形
状（大きさ）、高さく厚さ）ともに縮減できるので半導
体装置（ＩＣ，ＬＳＩ等を含む）の小型化、高密度化が
容易に達成できる顕著な利点がある。また、半導体ベレ
ット配役台床の突出幅が小さいためにボンディングワイ
ヤの変型に対して不所望の接触を防止できる利点もめる
。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図に従来のマウント部分を示す第１図
は上面図、第２図は第１図のＡＡ’線に沿う＠面断面図
、第３図および第４図は１実施例のマウント部分を示す
第３図は上面図、第４図に第３図のＢＢ’線に沿う側面
断面図、第５図ないし第８図にいずれもこの発明の効果
を説明するためのいずれも＠ｔｈ＋＃而図で、面５図お
よび第７図は従来の構造、第６図およびｍｓ図ｔｌ！ｌ
実施例の構造？示す、第９凶ないし第１１１はこの発明
の別の実施例を示し第９図および第１Ｏ図社マウント部
分の側面断佃図、第１１図れ半導体はレット配設部の上
■図でめる。 １．１′　　　　　　半導体ベレット ４．４′・・・　　　　ボンディングワイヤ１２１．２
２ｍ　　　　　半導体ベレット配設台床１２ａ′、２２
ｍ’　　　　半導体はレット配役台床の内縁端２２ｂ　
、　２２ｂ’・・・　　　半導体ベレット配設台床の内
縁端の突出部 代理人　弁理士　　井　上　−男 第　　１　　図 第　　２　　＠ 第　　４　　図 第　　５　　図 第６図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームによって組立てられる半導体装置におい
    て、リードフレームにおける半導体ベレット配設台床が
    半導体ベレットの周側面を保持する枠状でるることを特
    徴とする半導体装置。
JP56150774A 1981-09-25 1981-09-25 半導体装置 Pending JPS5853852A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56150774A JPS5853852A (ja) 1981-09-25 1981-09-25 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56150774A JPS5853852A (ja) 1981-09-25 1981-09-25 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS5853852A true JPS5853852A (ja) 1983-03-30

Family

ID=15504122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56150774A Pending JPS5853852A (ja) 1981-09-25 1981-09-25 半導体装置

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JP (1) JPS5853852A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0283961A (ja) * 1988-09-20 1990-03-26 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法、それにより得られる半導体装置およびそれに用いる半導体ウエハ
JPH0324751A (ja) * 1989-06-22 1991-02-01 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置とその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0283961A (ja) * 1988-09-20 1990-03-26 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法、それにより得られる半導体装置およびそれに用いる半導体ウエハ
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