JPS5854009Y2 - 電気調理器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、例えばアルミ製のプレートや鍋の如き調理用
の被加熱体の底面にはゾ環状のヒータを取付け、このヒ
ータによって被加熱体を加熱すると共に、調理時におけ
る被加熱体の温度変化を検知してヒータの温度を自動制
御し得るようにした電気調理器Ｏこ関するものである。

」二連の如き電気調理器には、いわゆるホットプレート
や電気鍋等がある。

第１図及び第２図は従来のホットプレートの一例を示す
ものであって、円形状のプレート１はアルミニウム板を
用いて浅い皿形に形成されたものであり、その底面には
円環状に形成されたヒータ２が取付けられている。

またプレート１の底面の周辺部でヒータ２の両端部２
ａ ｔ ２ ｂ間には円筒状の感熱部３が取付けられて
いる。

なおヒータ両端部２ａ 、２ｂ及び感熱部３部分にはコ
ネクター４が取付けられている。

そしてホットプレートの使用に際しては、第３図に示す
如く電源コード５が接続され、且つバイメタルを使用し
た感熱棒６を有するバイメタル式のサーモスタット７が
使用され、これをコネクター４に差込んで感熱棒６を感
熱部３に挿入すると共に、ヒータ２との接続を行う。

この状態でヒータ２への通電がなされると、これにより
プレート１が加熱され、その温度は感熱棒６によって検
知される。

そしてプレート１の温度が設定された温度まで上昇する
と、バイメタルによってサーモスタット７が動作し、ヒ
ータ２への通電が遮断される。

従ってプレート１の調理面（プレートの中心附近）Ｓの
温度は、第４図に特性Ａで示す如く設定温度を基準にし
て所定の温度に自動制御される。

ところで上記従来のホットプレートでは、使用されてい
るバイメタル式のサーモスタットγ自体の熱容量が大き
くて、調理面Ｓの温度変化に対する応答が遅い上に、感
熱部３が前記調理面Ｓから遠く離され、ヒータ２の両端
部２ａ 、２ｂに接近された位置に取付けられている。

従って感熱部３は前記調理面Ｓの温度変化より、むしろ
ヒータ２の温度変化の影響を受は易い。

このため感熱部３の温度変化は、前記調理面Ｓの温度変
化に正確に追随することが出来ず、第４図に示す特性Ｂ
の如く調理面Ｓの温度変化に対しずれがある。

従って実際の調理に際して、例えば第４図における調理
開始位置Ｐ１で、前記調理面Ｓ４こ被調理物を載せたと
すると、その瞬間に調理面Ｓの温度が急激に低下する。

しかしながら、前述の如く感熱部３ではその調理面Ｓの
温度を検知するまでに大きな時間遅れＴを要してしまう
。

このことは被調理物を載せてから、調理面Ｓの温度が設
定温度まで上昇復帰する迄に長い時間を要することにな
り、調理上不都合であるばかりか、調理時間もその分だ
け長くなってしまい好ましくない。

なお第４図で調理面Ｓの設定温度と感熱部３の温度との
差が大きいのは、感熱棒６がプレート１の上面に対して
下がった位置に取付けられて、調理面Ｓの温度よりも低
い温度を検知するためである。

更にバイメタル式のサーモスタット７は、その構造から
設定温度の経時変化が大きく、信頼性に欠けるものであ
る。

またサーモスタット７の接点の可動速度が遅いために、
前記接点がオン・オフ動作する際に接点の焼付きが多く
なり、これに起因して接点が摩滅する。

このため接点がオン・オフされる温度位置がづれてしま
い、設定温度がづれてしまうといった欠陥がある。

本考案は上述の如き欠陥を是正すべく考案されたもので
あって、調理面の温度変化を素早く正確に検知して、ヒ
ータの自動温度制御を行なえるようにした電気調理器を
提供しようとするものである。

次に本考案の一実施例を第５図〜第Ｔ図によって説明す
る。

本考案でいう被加熱体としてのアルミ製プレート（以下
において単にプレートと記載する）１０の底面には、は
ゾ円環状に形成されたシーズヒータ１１が、プレート１
０とはゾ同−中心で取付けられている。

そしてプレート１０の中心からシーズヒータ１１の取付
位置までの半径をｌとすると、は’、’１７／４〜３１
／４までの領域Ｘ１に、感温抵抗素子の一例であるサー
ミスタ１２が取付けられている。

なお前記感温抵抗素子としてはサーミスタ１２の他にも
、例えばポジスタ−（正特性サーミスタ、（株）村田製
作所の商品名）、熱電対等を用いることが出来る。

そしてシーズヒータ１１の両端とサーミスタ１２から導
出されたリード線（図示せず）とは、コネクター１３に
接続されている。

またコネクター１３には、第５図に示す如くアダプター
１４が差込まれ、これによりシーズヒータ１１、サーミ
スタ１２が、第６図に示す制御回路に接続される。

次にサーミスタ１２による温度制御動作を説明する。

制御回路に電源電圧ｅ１が供給されると、整流用ダイオ
ードＤ１によって半波整流され、抵抗Ｒ１、コンデンサ
Ｃ１によって直流化された電源電圧が得られる。

この時点では、トランジスタＴＲ１がオン状態であるか
ら、リレーＲＶが動作してリレースイッチＳＷ、もオン
状態になる。

従ってシーズヒータ１１に電源電圧ｅ１から電流が流れ
、プレート１０が次第に加熱される。

これと同時に、抵抗Ｒ２を介してサーミスタ１２に電流
が流れ、抵抗Ｒ３を介して温度設定用の可変抵抗器（以
下において単にＶＲと記載する）１６に電流が流れる。

モしてＶＲｌ ６を調整して所定の温度に設定すると、
これに対応して■１点のレベルが決定され、以後Ｙ１点
の電圧レベルを基準（こしてプレート１０の温度制御が
なされる。

即ち、シーズヒータ１１に通電されると、プレート１０
の温度が次第に上昇し、この温度がサーミスタ１２によ
って検知される。

従ってサーミスタ１２の抵抗値が、プレート１０の温度
上昇に反比例して低下し、Ｙ２点の電圧レベルが低下す
る。

そしてＹ２点に電圧レベルがＹ１点の電圧レベルよりも
低下した時点で、コンパレータ１５が動作し、その出力
信号の極性が正極性から負極性に反転する。

こ０ためトランジスタＴＲ１がオフ状態になり、リレー
Ｒｙが非動作状態になる。

従ってリレースイッチＳＷ１もオフ状態になされ、シー
ズヒータ１１に通電されなくなるので、プレート１０の
温度が次第に低下する。

なお抵抗Ｒ４，Ｒ５は、電圧調整用のものであり、ダイ
オードＤ２はリレーＲｙの逆起電圧をキャンセルするた
めのものである。

ところで、プレート１０の温度が低下すると、これに反
比例してサーミスタ１２の抵抗値が高くなり、７２点の
電圧レベルも次第に高くなる。

そして７２点の電圧レベルが￥１点の電圧レベルよりも
高くなった時点でコンパレータ１５が動作し、その出力
信号の極性が負極性から正極性に反転する。

このため、トランジスタＴＲ１がオン状態になり、リレ
ーＲｙが再び動作する。

従ってリレースイッチＳＷ１もオン状態になされ、シー
ズヒータ１１に再び通電される。

このように設定温度に対応した￥１点の電圧しベルを基
準にして、シーズヒータ１１への通電が制御されるので
、プレート１０の調理面Ｓの温度が設定温度を中心にし
て、第５図に特性Ａ′で示すように変化する。

しかして上記の如き自動温度制御を正確に行うためには
、サーミスタ１２の取付位置が問題となる。

この点に関しこの実施例では前記１１／４〜３１／４ま
での領域Ｘ１内にサーミスタ１２を取付けたので、シー
ズヒータ１１の温度変化に余り影響されることなく、調
理面Ｓの温度変化を正確に検知することが出来る。

従ってサーミスタ１２によって検知される温度は特性Ｂ
′の如く、調理面Ｓの温度変化に正確（こ追随する。

このため実際の調理に際して、例えば第７図における調
理開始位置Ｐ′１で前記調理面Ｓに被調理物を載せたと
すると、その瞬間に調理面Ｓの温度が急激に低下する。

一方この際サーミスタ１２はその調理面Ｓの温度を素早
く検知するので、調理面Ｓの温度変化に対するサーミス
タ１２が検知する温度変化に時間遅れが殆んど発生しな
い。

このことは被調理物を載せてから、調理面Ｓの温度が設
定温度まで一ヒ昇復帰するまで（こ要する時間が非常（
こ短いこと（こなり、調理上の不都合がなく調理を素早
くおいしく出来る。

ところでこの実施例において、プレート１０の中心附近
にサーミスタ１２を取付けることも考えられる。

しかしながらこの実施例におけるシーズヒータ１１は、
円環状をなしているため上記位置にサーミスタ１２を取
付けた場合には、シーズヒータ１１に対して最も遠く離
れた位置にサーミスタ１２が取付けられることになる。

従ってこの場合には、前述の如く調理面Ｓに被調理物が
載せられて、その調理面Ｓの温度が急激に低下した瞬間
の温度検知は素早く行なえるが、被調理物が載っていな
い時（無負荷状態の時）にはシーズヒータ１１から最も
遠く離れた位置の温度を検知することになる。

従って調理面Ｓの温度を素早く、且つ正確に検知するこ
とが出来ず、結果的に調理面Ｓの温度の振り巾が大きく
なる不都合がある。

従って円環状（又は正方形、正多角形）をなすシーズヒ
ータ１１を用いた場合には、この実施例の如く１１／４
〜３１／４までの領域Ｘ１内にサーミスタ１２を取付け
るのが最も好ましい。

なおサーミスタ１２はそれ自体の熱容量が非常に小さく
て温度変化に対する抵抗変化が大きいので、調理面Ｓの
温度変化が微小に変化しても￥２点の電圧レベルが大き
く変化し、調理面Ｓの温度変化に対する応答が速い。

また経時変化が少なく、接点不良を起こすようなことが
一切ない。

なお上述した実施例では、本考案でいう被加熱体として
プレートを示したが、鍋その他これらに類似するような
ものであってもよい。

また本考案でいうヒータはシーズヒータに限られること
なく、各種のヒータを用いてよい。

本考案は上述の如く、被加熱体の底面に取付けられたは
マ環状のヒータと、このヒータに囲繞された領域内で、
且つその中心部からの半径がは７１／４〜３／４の領域
内に取付けられたサーミスタ等の温度変化に応じて抵抗
値が変化する感温抵抗素子と、この感温抵抗素子の抵抗
値の変化により前記ヒータへの通電を制御する電子回路
とを夫夫具備し、前記被加熱体の温度を前記感温抵抗素
子によって検知し、前記ヒータの温度制御を行うように
した電気調理器である。

従って本考案によれば、調理面の温度を検知する素子と
して、熱容量が小さくて温度変化に対する抵抗変化が大
きいことから、調理面の微小な温度変化を素早く検知（
応答が速い）することが出来るサーミスタ等の感温抵抗
素子を用い、しかもこの感温抵抗素子を調理面の中央よ
りや＼はずれた位置（はマ環状のヒータに囲繞された領
域内でその中心部からの半径がはゾ１／４〜３／４の領
域内）に配置して、ヒータの温度に余り影響されず、し
かも調理面に被調理物が載っていない時と調理面に被調
理物が載った時との両方について、その調理面の微小な
温度変化を素早く、且つ正確に検知することが出来るよ
うにし、そしてこの感温抵抗素子による調理面の微小な
温度変化の素早く、且つ正確な検知に応じて、ヒータの
温度を電子回路により素早く、且つ正確に制御出来るよ
うにしたものである。

これにより、本考案によれば、調理面の温度変化に対し
て時間遅れが非常に少ない（応答が速い）状態でヒータ
の自動温度制御を行うことが出来る。

従って調理を素早く、おいしく出来る。

またサーミスタ等の感温抵抗素子Ｏこよれば、バイメタ
ル式のものと異なり、設定温度の経時変化が少なく、接
点不良もなくて信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は従来のホットプレートの一例を示すも
のであって、第１図はホットプレートの要部の側面図、
第２図はホットプレートの要部の底面図、第３図はサー
モスタットの外形図、第４図は温度特性図である。 第５図〜第７図は本考案の第１の実施例を示すものであ
って、第５図はホットプレートの要部の底面図、第６図
は温度制御回路の回路図、第７図は温度特性図である。 なお図面に用いられる符号において、１０・・・・・・
アルミ製プレート、１１，２１・・・・・・シーズヒー
タ、１２．２２・・・・・・サーミスタ、２０・・・・
・・ホットプレートである。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 被加熱体の底面に取付けられたは＼゛環状ヒータと、こ
   のヒータに囲繞された領域内で、且つその中心部からの
   半径がはマ１／４〜３／４の領域内に取付けられたサー
   ミスタ等の温度変化に応じて抵抗値が変化する感温抵抗
   素子と、この感温抵抗素子の抵抗値の変化により前記ヒ
   ータへの通電を制御する電子回路とを夫々具備し、前記
   被加熱体の温度を前記感温抵抗素子によって検知し、前
   記ヒータの温度制御を行うようにした電気調理器。