JPS5854579A - 低漏洩磁束型高周波誘導加熱用変成器 - Google Patents

低漏洩磁束型高周波誘導加熱用変成器

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Publication number
JPS5854579A
JPS5854579A JP56152920A JP15292081A JPS5854579A JP S5854579 A JPS5854579 A JP S5854579A JP 56152920 A JP56152920 A JP 56152920A JP 15292081 A JP15292081 A JP 15292081A JP S5854579 A JPS5854579 A JP S5854579A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
secondary coil
magnetic flux
coil
leakage magnetic
annular
Prior art date
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Granted
Application number
JP56152920A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6262425B2 (ja
Inventor
小泉 忠司
平井 敏彦
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Koshuha Netsuren KK
Original Assignee
Koshuha Netsuren KK
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Publication date
Application filed by Koshuha Netsuren KK filed Critical Koshuha Netsuren KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、−次コイル封入型の新規な高周波誘導加熱用
変圧器に関する。
本発明は、−次コイルを流れる電#1により生起した磁
束の洩れによる電波障害等を実質上無くす仁とができる
低漏洩磁束の高周波誘導加熱用変圧器を提供することを
目的とし。
円環状をなす閉鎖盤の多巻コイルを一次コイルとし、こ
れを、中空環状をなす単巻二次コイル内に封入して磁束
を二次コイル内に封じ込めるようにしたことを特徴とす
る。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第1図〜第5図において、1は、−次コイルであって、
多巻回導体をコイル端相互が近接する円環状に形成して
なり、中空環状の単巻導体の二次コイル2内に封入され
て−・る。
この二次コイル2は *状容器体21と環状蓋体22に
より構成され、一方の環状容器体21は、−次コイル1
全体もしくはその殆んどを収納しうる深さを有し、第5
図の展開図に示されるように%開口端側で内環壁部21
mを閉塞する端子板部23を具え、外環壁部21bの開
口端に外方へ折曲する7ランジ25が形成され、開口端
と反対側の底部側に。
一対のリードを引出すための引出し部2Tが形成されて
℃・る。上記端子板部23の外面には図示の如く中央か
らや\右寄りに出力端子3が引出されて(・る。他方の
環状蓋体22も。
開口端側で内環壁部22mを閉塞する端子板部24を有
し、外環壁部22bの開口端に外方へ折曲する7ランジ
26が形成されて〜・る。
上記端子板部24は、その外面中央からや\左寄りに立
設された出力端子4を具えると共K、前記環状容器体2
1側の出力端子3を引出す為のスリン)24mが中央か
らや\右寄りに形成されて(・る。二次コイル2は、上
記の構造を持つ環状容器体21の開口部を上記る如く、
又端子板部23.24相互は絶縁物5を介在せしめて、
夫々ボルト等で連結して成る。勿論、出力端子4と、ス
リット241から外部へ引出された出力端子3間も絶縁
物6で電気的に絶縁されて(・るう 二次コイル2に封入された一次コイル1は、パイプ導体
を用〜・て構成されており、一方のリード1a及び他方
のリード1bは、絶縁材からなるキャップ28から個別
に引出され。
リード11端には冷却水人口11が、又他方のリード1
b端には冷却水出口12が設けられると共に、リード1
aはキャップ28と冷却水人口11の間に、またリード
1bはキャップ28と冷却水出口12の関に、夫々入力
端子7及び8が堆付けられて〜・る。
尚−次コイル1と二次コイル2間の絶縁は。
環状容器体21の外環壁部21b内周面及び内環壁部2
1m内周面に貼られた環状の絶縁スペーサ91及び9b
で、また、底部内面及び環状蓋体22の内面に貼られた
絶縁スペーサ9e、1ldKより確保されている。
又、−次コイル1は、絶縁゛スペーサ9 a s9bの
一次コイル1側に、該−次コイル10′各コイル辺部な
嵌入可能な巾方向スロット9m1%1lbtを設け、該
スロットに、対応するコイル辺部を係止させることKよ
って固定される。
該変成器の入力端子7.8を交流電源に接続して一次コ
イル1に一次電流を通ずると、該−次電流による磁束Φ
は、−次コイル1が。
円環状をなしコイル端相互が近接対向して℃・ることK
より、第6図に示す如く、閉ループを形成して環流する
。他方、二次コイル2は。
上記閉ループを包む中空円環状をなして(゛るから、磁
束Φがループ全長で二次コイル2と鎖交し、この結果、
鎖交数に応じた二次電流が二次コイル2に生起し、出力
端子3.4間に巻数比で変圧された電圧が現われる。
この−次コイル1は、上記のようにコイル端が近接対向
した閉鎖型である為、開放型のコイルの場合に比べてコ
イル端での磁束の発散は少〈な〜・。又二次コイル2は
、−次コイル1を完全に包んでいる為、シールド体とし
ての作用を呈し、磁束Φは、全て二次コイル2内に封じ
込められる。
以上の如く1本発明によれば、−次コイルとして多巻回
導体を円環状に形成したコイルを用(・、これを、中空
環状に形成した単巻導体の二次コイル内に封入したこと
Kより、−次コイルを流れる電流による磁束の殆んどが
、二次コイルが作る環状空間を流れて該二次コイルと鎖
交するので両コイル間に変成作用を行わせることができ
、しかも二次コイルが上記磁束に対してシールド体の役
目を果すので。
二次コイル外への、磁束漏洩を著るしく低くおさえる仁
とかで龜る。この為、高周波電源に接続しても、高周波
振動する磁束の漏洩が殆んどな〜・ので電波障害を実質
上、防ぐことができる高周波誘導加熱用変成器として極
めてすぐれた実用性をもつ。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による低漏洩磁束型高周波置場加熱用
変成器の実施例の正面図、第2図は、第1図の右側面図
、第3図は、第1図の人−人矢視図、第4図は、第1図
の一部破断斜視図、第5図は、上記実施例の二次コイ−
ルの構造を説明する為の展開図、第6図は。 上記実施例の作用を説明する為の図である。 1・・・・・・−次コイル  1瓢、1b・・・・・・
リート2・・・・・・二次コイル  3,4・・・・・
・出力端子5.6・・・・・・絶縁物  7.8・・・
・・・入力端子91〜9d・・・・・・絶11&xヘ−
+21・・・・・・環状容器体  21m・・・・・・
外環壁部21b・・・・・・内環壁部  22・・・・
・・環状蓋体22凰・・・・・・外環壁部  22b・
・・用内環壁部23゛、24・・・・・・接続板部 24m・・・・・・スリット 25.26・・・・・・7ランジ 27・・・・・・−次コイル引出し部 特許出願人 高周波熱錬株式会社 代理人 弁理士 小 林  傅

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 多巻回導体を円環状に形成してなる一次コイルを、
    単巻回導体を中空環状に形成してなる二次コイル内に封
    入して構成したことを特徴とする低漏洩磁束型高周波誘
    導加熱用変成器。 2 電気的に開路された中空環状体を二次コイルとし、
    該二次コイル内に、多巻回導体を円環状に形成してなる
    一次コイルを上記二次コイルとの間に絶縁物を介在して
    封入し、上記二次コイルの電気的に開路された部分から
    出力端子を引出すと共に、−次コイルの両端を上記二次
    コイルから引出したことを特徴とする低漏洩磁束蓋霞導
    加熱用変成器。 3 二表コイルが、環状容器体と環状蓋体からな抄1両
    者の外環郁相互は直接に、又内環部相互は絶縁物を介在
    して連結されて(・ることを特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載の低漏洩磁束型高周波誘導加熱用変成器。 4 内環部が軸方向に電気的に分断され、一方の分断端
    及び他方の分断端を夫々閉鎖する端子板部を持つ中空環
    状の二次コイル内に、多巻回導体を円環状に形成してな
    る一次コイルが封入され、両端子板部の両者に出力端子
    が夫々立設されると共に一方の端子板部には更にスリッ
    トが形成され、該スリットを通して他方端子板部の出力
    端子が引出されていることを特徴とする低漏洩磁束型高
    周波誘導加熱用変成器。
JP56152920A 1981-09-29 1981-09-29 低漏洩磁束型高周波誘導加熱用変成器 Granted JPS5854579A (ja)

Priority Applications (1)

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JP56152920A JPS5854579A (ja) 1981-09-29 1981-09-29 低漏洩磁束型高周波誘導加熱用変成器

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JP56152920A JPS5854579A (ja) 1981-09-29 1981-09-29 低漏洩磁束型高周波誘導加熱用変成器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5854579A true JPS5854579A (ja) 1983-03-31
JPS6262425B2 JPS6262425B2 (ja) 1987-12-26

Family

ID=15551033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56152920A Granted JPS5854579A (ja) 1981-09-29 1981-09-29 低漏洩磁束型高周波誘導加熱用変成器

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JP (1) JPS5854579A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141981A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Meito Sangyo Kk 整合変圧器
JP2012216694A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Iq Four:Kk 高周波トランス

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141981A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Meito Sangyo Kk 整合変圧器
JP2012216694A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Iq Four:Kk 高周波トランス

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Publication number Publication date
JPS6262425B2 (ja) 1987-12-26

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