JPS5854583A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
- Publication number
- JPS5854583A JPS5854583A JP56154256A JP15425681A JPS5854583A JP S5854583 A JPS5854583 A JP S5854583A JP 56154256 A JP56154256 A JP 56154256A JP 15425681 A JP15425681 A JP 15425681A JP S5854583 A JPS5854583 A JP S5854583A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- insulating layer
- light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電界発光素子に関し、具体的には絶縁層の
構造に関するものである。
構造に関するものである。
従来例
第１図は、従来の電界発光素子の要部断面図で、表示媒
体である発光層１を第１．第２の絶縁層２゜３で挟持し
、さらに使用目的に応じた形状の電極４と反射面の働き
を有する金属背面電極５とで挾み、こヤらをガラス基板
６上に支持するようになっている。なお、７は表示面側
を除いた周囲に形成される防湿保護層ズあ、う。
体である発光層１を第１．第２の絶縁層２゜３で挟持し
、さらに使用目的に応じた形状の電極４と反射面の働き
を有する金属背面電極５とで挾み、こヤらをガラス基板
６上に支持するようになっている。なお、７は表示面側
を除いた周囲に形成される防湿保護層ズあ、う。
る電圧によって電界発光を制御し、表示や照明などを行
う。
う。
ところで、このような構成では発光層１内の発光中心が
励起され十分な輝度の発光を得るには第八 ３図の破線で示すように電極３，４間に相当の電圧を印
加する必要があり、言わゆる発光しきい値電圧が高いき
いう欠点があった。このため消費電力が大きく、回路構
成も容易でなく、実用化に際し大きな問題となっていた
。
励起され十分な輝度の発光を得るには第八 ３図の破線で示すように電極３，４間に相当の電圧を印
加する必要があり、言わゆる発光しきい値電圧が高いき
いう欠点があった。このため消費電力が大きく、回路構
成も容易でなく、実用化に際し大きな問題となっていた
。
この発明は前記従来の問題を解決するだめになされたも
のであり、前記第２絶縁層と発光層との間に元素周期表
ＩＶ ｂ属の元素のひとつもしくはそれらの化合物の何
れかの層を設けることにより、発光層内の発光中心が励
起されて電界発光を開始する発光しきい値電圧が低い電
界発光素子の提供を目的とするものである。
のであり、前記第２絶縁層と発光層との間に元素周期表
ＩＶ ｂ属の元素のひとつもしくはそれらの化合物の何
れかの層を設けることにより、発光層内の発光中心が励
起されて電界発光を開始する発光しきい値電圧が低い電
界発光素子の提供を目的とするものである。
以下この発明の詳細な説明する。
実施例
第２図は、この発明の電界発光素子の実施例の要部断面
図であり、１０は透明なガラス基板、１１は表示や照明
など使用目的に応じてガラス基板１０上に電極材料とし
てＩＴＯを２００ＯＡの厚さに電子ビーム加熱蒸着法で
成膜し、ドライヱツチングでパターンを決めた後、熱処
理を施しだ透明電極、１２は透明電極１１上にＹｚＯ，
を３００ＯＡの厚さに電子ビーム加熱蒸着法で成膜した
第１絶縁層、１３は第１絶縁層１２の上に発光中心を形
成する活性物質として庵を添加したＺ、Ｓ薄膜をｓ ｏ
ｏ ｏＡの厚さに電子ビーム加熱蒸着法で成膜した後
、熱処理を施した発光層、１４は発光層１３の上に元素
周期表■ｂ属の元素のひとつであるＧｅを厚さ１０００
〜２０００大に電子ビーム加熱蒸着法で成膜したＧｅ層
、１５はα層１４の上にＹ２Ｏ，を厚さ３０００＾に電
子ビーム加熱蒸着法で成膜した第２絶縁層４つＪ６は第
２絶縁層１５の上にＭを３００ＯＡの厚さに電子ビーム
加熱蒸着法で成膜した金属背面電極、１７は透明電極１
１．第１絶縁層１２、発光層１３、Ｇｅ層１４、第２絶
縁層１５．背面基板１６を外気から隔離するＳｊ Ｏ２
を５０００＾の厚さに電子ビーム加熱着法で成膜した防
湿保護層である。
図であり、１０は透明なガラス基板、１１は表示や照明
など使用目的に応じてガラス基板１０上に電極材料とし
てＩＴＯを２００ＯＡの厚さに電子ビーム加熱蒸着法で
成膜し、ドライヱツチングでパターンを決めた後、熱処
理を施しだ透明電極、１２は透明電極１１上にＹｚＯ，
を３００ＯＡの厚さに電子ビーム加熱蒸着法で成膜した
第１絶縁層、１３は第１絶縁層１２の上に発光中心を形
成する活性物質として庵を添加したＺ、Ｓ薄膜をｓ ｏ
ｏ ｏＡの厚さに電子ビーム加熱蒸着法で成膜した後
、熱処理を施した発光層、１４は発光層１３の上に元素
周期表■ｂ属の元素のひとつであるＧｅを厚さ１０００
〜２０００大に電子ビーム加熱蒸着法で成膜したＧｅ層
、１５はα層１４の上にＹ２Ｏ，を厚さ３０００＾に電
子ビーム加熱蒸着法で成膜した第２絶縁層４つＪ６は第
２絶縁層１５の上にＭを３００ＯＡの厚さに電子ビーム
加熱蒸着法で成膜した金属背面電極、１７は透明電極１
１．第１絶縁層１２、発光層１３、Ｇｅ層１４、第２絶
縁層１５．背面基板１６を外気から隔離するＳｊ Ｏ２
を５０００＾の厚さに電子ビーム加熱着法で成膜した防
湿保護層である。
この構成では、電極１１．１６間に電圧が印加されると
、電極１１．１６間に介在された発光層１３内の発光中
心が励起されて黄色の電界発光を行い、この光線が直接
あるいは背面電極１６で反射されてガラス基板１０を通
して使用者Ｍ側へ照射され、よって電極１１．１６の形
状による照明や表示動作を得ることができる。
、電極１１．１６間に介在された発光層１３内の発光中
心が励起されて黄色の電界発光を行い、この光線が直接
あるいは背面電極１６で反射されてガラス基板１０を通
して使用者Ｍ側へ照射され、よって電極１１．１６の形
状による照明や表示動作を得ることができる。
、 しかもＣａ層１４により、発光層１３にキャリア
が有効的に注入されることにより、第３図の実線Ｂ・で
示すように発光層１３内の発光中心が励起されて電界発
光を開始する時の電極１１．１６間の電圧、言わゆる発
光しきい値電圧が従来のものと比べて低くなる。
が有効的に注入されることにより、第３図の実線Ｂ・で
示すように発光層１３内の発光中心が励起されて電界発
光を開始する時の電極１１．１６間の電圧、言わゆる発
光しきい値電圧が従来のものと比べて低くなる。
この発明は、前記の構成および作用を具備したものであ
るから、 （１） 発光しきい値電圧が従来の素子に比べて低く
なるため、低輝度で照明や表示動作を行う場合には消費
電力が従来のものに比べて小なくなり、まだ駆動用の回
路構成も簡略化でき、よって商品としての実用化が容易
に達成できる。
るから、 （１） 発光しきい値電圧が従来の素子に比べて低く
なるため、低輝度で照明や表示動作を行う場合には消費
電力が従来のものに比べて小なくなり、まだ駆動用の回
路構成も簡略化でき、よって商品としての実用化が容易
に達成できる。
（２）文字や記号等を表示する装置として使用する場合
、発光層と第Ｖ・絶縁層・と・め間にＧｅｔｌどの／ｌ
を設けることに皺、す、発光層の背面を黒化し、前方の
ガラス板から入る外部光線の吸収を高めて発光層の電界
発光とのコントラスト比を大きくすることができるため
、昼間等周囲が明るい状況下でも良好な表示動作を得る
ことができん（３）高電圧で駆動する場合、従来の素子
に比べて輝度が低いが、前記コントラスト比の増大によ
って照明効率や表示能力の低下がカバーされるため所望
の機能を得ることができ、通常の使用に際して何ら不都
合はなく、十分実用に耐える性能を得られる。
、発光層と第Ｖ・絶縁層・と・め間にＧｅｔｌどの／ｌ
を設けることに皺、す、発光層の背面を黒化し、前方の
ガラス板から入る外部光線の吸収を高めて発光層の電界
発光とのコントラスト比を大きくすることができるため
、昼間等周囲が明るい状況下でも良好な表示動作を得る
ことができん（３）高電圧で駆動する場合、従来の素子
に比べて輝度が低いが、前記コントラスト比の増大によ
って照明効率や表示能力の低下がカバーされるため所望
の機能を得ることができ、通常の使用に際して何ら不都
合はなく、十分実用に耐える性能を得られる。
等の効果を有し、比較的低い電圧での駆動が可能で、か
つ照明表示動作性能も良好な電界発光素子の実現普及に
大きな寄与があるものである。
つ照明表示動作性能も良好な電界発光素子の実現普及に
大きな寄与があるものである。
なお、前記実施例では発光層と第２絶縁層との間に設け
る層にＧｅを使用する場合について述べたが、Ｓ之等他
の元素周期表ＴＶｂ属の元素のひとつもしくはそれらの
化合物を用いても前記同様の効果を得ることが期待でき
ぞ。
る層にＧｅを使用する場合について述べたが、Ｓ之等他
の元素周期表ＴＶｂ属の元素のひとつもしくはそれらの
化合物を用いても前記同様の効果を得ることが期待でき
ぞ。
第１図は、従来の電界発光素子の要部断面図、第２図は
、この発明の電界発光素子の実施例の要部断面図、 第３図は、従来およびこの発明の実施例の電界発光素子
における印、加電圧−輝度特性の測定データを示す図で
ある。 １０ニガラス基板 １１：透明電極１２：第１絶縁
層 １３：発光層 １４ ： Ｇｅ層 １５：第２絶縁層１６：
背面電極 Ｉ７：防湿保護層１１ 図 マＭ 第２図 Ｖ腫 第３図 ｒｐ加電／ｉ ＥＶ）
、この発明の電界発光素子の実施例の要部断面図、 第３図は、従来およびこの発明の実施例の電界発光素子
における印、加電圧−輝度特性の測定データを示す図で
ある。 １０ニガラス基板 １１：透明電極１２：第１絶縁
層 １３：発光層 １４ ： Ｇｅ層 １５：第２絶縁層１６：
背面電極 Ｉ７：防湿保護層１１ 図 マＭ 第２図 Ｖ腫 第３図 ｒｐ加電／ｉ ＥＶ）
Claims (1)
- 発光層を第１．第２の絶縁層で挾持し、さらに透明電極
と背面電極とで挟み、これらを縛豫性ｅ基組に支持する
構成の電界発光素子において、前記発光層と第２絶縁層
との間に元素周期表ｙｂ属の元素のひとつもしくはそれ
らの化合物の何れかの材料で形成した層を設けたことを
特徴とする電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154256A JPS5854583A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154256A JPS5854583A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854583A true JPS5854583A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15580225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154256A Pending JPS5854583A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239598A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-24 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61245491A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249789A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric field light emitting plate |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP56154256A patent/JPS5854583A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249789A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric field light emitting plate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239598A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-24 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61245491A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
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