JPS5856442A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS5856442A JPS5856442A JP56155102A JP15510281A JPS5856442A JP S5856442 A JPS5856442 A JP S5856442A JP 56155102 A JP56155102 A JP 56155102A JP 15510281 A JP15510281 A JP 15510281A JP S5856442 A JPS5856442 A JP S5856442A
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- JP
- Japan
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- cap
- titanium
- transmitting window
- light transmitting
- light
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通悟などの万ブトエレクトロニクス分野に通
用される半導体装置およびその製造方法に係り、符にサ
ファイアなどの石英を主成分とする誘電体からなる光透
過用窓部材を備え、封止部材を用いて気密封止するキャ
ップを有する半導体装置お↓びその製造方法に関する０ 従米この樵の半導体装置における光透過用窓付キャップ
の製造方法としては、２つの方法が提案されている。第
１の方法にメタライズ法によるもマンガンなどのように
容易に酸化物を形成する金属粉末の混合ｑｍｔサファイ
アなどからなる光透過用窓部材の気密封上部に塗布して
焼成し光透過用窓部材の気密封止部の表面を予め金属化
（メタライズ処理）シ、次に銀ろうなどのろう合金を用
いてキャップと光透過用窓部材のメタライズ処理部分と
ｔ気密封止する方法で６る。
用される半導体装置およびその製造方法に係り、符にサ
ファイアなどの石英を主成分とする誘電体からなる光透
過用窓部材を備え、封止部材を用いて気密封止するキャ
ップを有する半導体装置お↓びその製造方法に関する０ 従米この樵の半導体装置における光透過用窓付キャップ
の製造方法としては、２つの方法が提案されている。第
１の方法にメタライズ法によるもマンガンなどのように
容易に酸化物を形成する金属粉末の混合ｑｍｔサファイ
アなどからなる光透過用窓部材の気密封上部に塗布して
焼成し光透過用窓部材の気密封止部の表面を予め金属化
（メタライズ処理）シ、次に銀ろうなどのろう合金を用
いてキャップと光透過用窓部材のメタライズ処理部分と
ｔ気密封止する方法で６る。
このような方法を用いた光透過用窓付キャップの断面図
全第１図に示す。
全第１図に示す。
同図においてｘ（１チタン、鉄−ニッケルーコバルト合
金（コバール）などからなるキャップ、２は光透過用窓
、３にサファイアなどからなる光透過用窓部材、４はメ
タライズ層、５は銀ろうｔ示すＯ しかしながら、このような気密封止方法は光透過用窓部
材に予め前述のメタライズ処理を施丁ことが必要で製造
工程が複雑となりコスト面で高価となる欠点がある。
金（コバール）などからなるキャップ、２は光透過用窓
、３にサファイアなどからなる光透過用窓部材、４はメ
タライズ層、５は銀ろうｔ示すＯ しかしながら、このような気密封止方法は光透過用窓部
材に予め前述のメタライズ処理を施丁ことが必要で製造
工程が複雑となりコスト面で高価となる欠点がある。
後者の方法はチタン、ジルコニウムなトド銀ろうを組み
合せた封止部材を用いる活性合金化法である。これは真
空中で高温に加熱するとチタン。
合せた封止部材を用いる活性合金化法である。これは真
空中で高温に加熱するとチタン。
ジルコニウムなどが銀ろう中に拡散するとともに光透過
用窓部材の酸化物中に拡散し酸素と強く粘付する性ＪＸ
ｔ利用して気密封止を行なうものである。この活性合金
化法による気密封止方法としては１元透過用窓部材にサ
ファイア、キャップにチタンを用い、封止部材としてチ
タン線の外周に銀ろうを被覆した１０％Ｔ１芯ＢＴろう
（チタンの重量比が１０％）を用いて真空中で９３０〜
９フＯ℃に加熱することにエフ気密封止することが提案
されている。この活性合金化法によれば光透過用窓部材
にメタライズ処理を施さなくてもしくなる反面、キャッ
プにチタンを用いなければならずメタライズ法と同様に
コスト向で高価になるという欠点がある。
用窓部材の酸化物中に拡散し酸素と強く粘付する性ＪＸ
ｔ利用して気密封止を行なうものである。この活性合金
化法による気密封止方法としては１元透過用窓部材にサ
ファイア、キャップにチタンを用い、封止部材としてチ
タン線の外周に銀ろうを被覆した１０％Ｔ１芯ＢＴろう
（チタンの重量比が１０％）を用いて真空中で９３０〜
９フＯ℃に加熱することにエフ気密封止することが提案
されている。この活性合金化法によれば光透過用窓部材
にメタライズ処理を施さなくてもしくなる反面、キャッ
プにチタンを用いなければならずメタライズ法と同様に
コスト向で高価になるという欠点がある。
ｗＩｚ図にこの場合の光透過用窓付キャップの要部断面
図を示し、２１はチタンからなるキャップ、２２はチタ
ン線、２３は銀ろうでめり、気密封止の際の加熱により
１０％Ｔ１芯ＢＴ ろうの銀ろうが溶融し、チタン線２
２と銀ろう２３とになったものでおる。なお部位２．３
に前記第１図の部位２．３と同一部位を示す。
図を示し、２１はチタンからなるキャップ、２２はチタ
ン線、２３は銀ろうでめり、気密封止の際の加熱により
１０％Ｔ１芯ＢＴ ろうの銀ろうが溶融し、チタン線２
２と銀ろう２３とになったものでおる。なお部位２．３
に前記第１図の部位２．３と同一部位を示す。
本発明は後者の活性合金化法によりキャップに制御面な
チタン【用いずに鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄
−ニッケル合金を用−て接着強度および気密特性を満足
する光透過用窓付キャップ七肩する牛導体装置＃ｔｋ安
価に提供しようとするものである。
チタン【用いずに鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄
−ニッケル合金を用−て接着強度および気密特性を満足
する光透過用窓付キャップ七肩する牛導体装置＃ｔｋ安
価に提供しようとするものである。
なお１本発明田願人は特願昭５４−１７００４９号ｔも
って鉄−ニッケルーコバルト合金またに鉄−ニッケル台
金から構成されるキャップにサファイアからなる光透過
窓部材ｔガラス【用いて気密封止する構成を提案してい
る０本発明はかかる先願発明において提案される気密封
止構造よりも更に高温域での使用が可能な気密封止構造
【提供しょうとするものであるＯ 本発明によれば鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄−
ニッケル台金からなり光透過用窓を有するキャップと石
英を主成分とする誘電体からなる光透過用窓部材’ｉ：
Ｊｊ止部材を介して気密封止してなる光透過用窓付キャ
ップｔｖする半導体装置において、前記キャップと前記
光透過用窓部材にチタン部材および銀ろつを封止部材と
して気密封止されてなること７％値とする半導体装置が
提供される。
って鉄−ニッケルーコバルト合金またに鉄−ニッケル台
金から構成されるキャップにサファイアからなる光透過
窓部材ｔガラス【用いて気密封止する構成を提案してい
る０本発明はかかる先願発明において提案される気密封
止構造よりも更に高温域での使用が可能な気密封止構造
【提供しょうとするものであるＯ 本発明によれば鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄−
ニッケル台金からなり光透過用窓を有するキャップと石
英を主成分とする誘電体からなる光透過用窓部材’ｉ：
Ｊｊ止部材を介して気密封止してなる光透過用窓付キャ
ップｔｖする半導体装置において、前記キャップと前記
光透過用窓部材にチタン部材および銀ろつを封止部材と
して気密封止されてなること７％値とする半導体装置が
提供される。
また、鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄−ニッケル
合金からなり光透過用窓を有するキャップと石英を主成
分とする誘電体からなる光透過用窓部材を封止部材を介
して気密封止してなる光透過用窓付キャップを有する半
導体装置の製造方法において、前記キャップと前記光透
過用窓部材のすることｔ−特徴とする半導体装置の＊遣
方法が提供される。
合金からなり光透過用窓を有するキャップと石英を主成
分とする誘電体からなる光透過用窓部材を封止部材を介
して気密封止してなる光透過用窓付キャップを有する半
導体装置の製造方法において、前記キャップと前記光透
過用窓部材のすることｔ−特徴とする半導体装置の＊遣
方法が提供される。
本発明は活性４！ｒ金化法の特質を利用し鉄−ニッケル
ーコバルト合金または鉄−ニッケル合金からなるキャッ
プとサファイアなどからなる光透過用窓部材との気密封
止部に憾ろうおよびチタンリング、チタンＭなどからな
るチタン部材金介在させて加熱することに工９チタンが
銀ろうの中へ拡散する合金液化現象を利用するとともに
銀ろう中のチタンが光透過用窓部材の酸化物中に拡散し
、酸素と強く結合することを利用して強固に気密封止す
るようにしたものである。
ーコバルト合金または鉄−ニッケル合金からなるキャッ
プとサファイアなどからなる光透過用窓部材との気密封
止部に憾ろうおよびチタンリング、チタンＭなどからな
るチタン部材金介在させて加熱することに工９チタンが
銀ろうの中へ拡散する合金液化現象を利用するとともに
銀ろう中のチタンが光透過用窓部材の酸化物中に拡散し
、酸素と強く結合することを利用して強固に気密封止す
るようにしたものである。
以下本発明の実施例にっ−て図面ｔ＃照しｉ＃細に説明
する。
する。
第３図は本発明にかかる光透過用窓付ギャップの気密封
止する前の組立状ａｔｍ示す断面図である。
止する前の組立状ａｔｍ示す断面図である。
同図において３１は鉄−ニッケルーコバルト合金ま九は
鉄−ニッケル合金からなるキャップ。
鉄−ニッケル合金からなるキャップ。
３２に釧ろう、３３はチタンリング、３４はカーボン、
ステンＶスなどからなる重９でおる。なお部位２．３ｒ
Ｃ前記第１図の部位礼 ３と同一部位金示す。なお、銀
ろう３′２に板状であってもよく、ま次中ヤッグ３１と
光透過用窓部材３との間にチタンリング３３といっしょ
に挾み込んでもよｉｏまたチタンリング３３は線状でも
より。なお薄板状のチタンリングはチタン板金プレス加
工などにより打抜くほか、チタンパイプを薄く切断して
も調達することができる。
ステンＶスなどからなる重９でおる。なお部位２．３ｒ
Ｃ前記第１図の部位礼 ３と同一部位金示す。なお、銀
ろう３′２に板状であってもよく、ま次中ヤッグ３１と
光透過用窓部材３との間にチタンリング３３といっしょ
に挾み込んでもよｉｏまたチタンリング３３は線状でも
より。なお薄板状のチタンリングはチタン板金プレス加
工などにより打抜くほか、チタンパイプを薄く切断して
も調達することができる。
周知の方法によりキャップ形状に成形したキャップ３１
にチタンリング３３お工びサファイアからなる光透過用
窓部材３、銀７２チ、鋼２８チの組成からなる銀ろう３
２１重ｖ３４（ｉ−図のように組立て真空中またに不活
性雰囲気中で約９５０１：に加熱することによりキャッ
プと光透過用窓部材を気密封止することができる。気密
封止後の要部断面図を第４図に示す。
にチタンリング３３お工びサファイアからなる光透過用
窓部材３、銀７２チ、鋼２８チの組成からなる銀ろう３
２１重ｖ３４（ｉ−図のように組立て真空中またに不活
性雰囲気中で約９５０１：に加熱することによりキャッ
プと光透過用窓部材を気密封止することができる。気密
封止後の要部断面図を第４図に示す。
なお・キャップと光透過用窓部材の気密封上部に介在さ
せるチタン部材は銀ろ５との重量比でチタンが１５〜６
０％とするのがよい。
せるチタン部材は銀ろ５との重量比でチタンが１５〜６
０％とするのがよい。
この実験の給米を下表に示す０これはチタン部材の重量
比？変えてその影ｖ葡気密特性との関係かかる実験によ
るとチタンの重量比が小さいと銀ろう中にチタンが十分
に拡散されず１０％以下では気密封止することができな
かった。１５％未満では気密封止はある程度まで可能で
あるが、気密特性および接着強度が十分でないため実用
上好ましくな一〇さらにチタンの重量比が大きくなり６
０％勿越えるようになると銀ろうの量が少なくなり気密
時性が悪化するとともに気密封止部における銀ろうの行
きわ交ｖが不安定となるので接着強度が低下し実用上好
ましくない。なお気密時性の判定Ｆ′ｉ、ｌ ｘ １０
−” ａｔｍ−ｃｃ／ｓｅａ、以下の検出感度′ＩＫ−
有するヘリウムリークディテクターを用いて行なり九〇 このようにして光透過用窓部材を気密封止したキャップ
に、光半導体素子を載置して該半導体素子とリード端子
とを接続線によりボンディングし任 た基板を溶接固着し、該半導体素子を気密封入すること
により本発明の半導体装置が完成される。
比？変えてその影ｖ葡気密特性との関係かかる実験によ
るとチタンの重量比が小さいと銀ろう中にチタンが十分
に拡散されず１０％以下では気密封止することができな
かった。１５％未満では気密封止はある程度まで可能で
あるが、気密特性および接着強度が十分でないため実用
上好ましくな一〇さらにチタンの重量比が大きくなり６
０％勿越えるようになると銀ろうの量が少なくなり気密
時性が悪化するとともに気密封止部における銀ろうの行
きわ交ｖが不安定となるので接着強度が低下し実用上好
ましくない。なお気密時性の判定Ｆ′ｉ、ｌ ｘ １０
−” ａｔｍ−ｃｃ／ｓｅａ、以下の検出感度′ＩＫ−
有するヘリウムリークディテクターを用いて行なり九〇 このようにして光透過用窓部材を気密封止したキャップ
に、光半導体素子を載置して該半導体素子とリード端子
とを接続線によりボンディングし任 た基板を溶接固着し、該半導体素子を気密封入すること
により本発明の半導体装置が完成される。
この状態の半導体装置の夾施例會第５図に示す〇同図に
おいて、５１に鉄−ニッケルーコバルト合金、鉄−ニッ
ケル合金などからなるアイレット、５２に該アイレット
５上上に固層されｔ光半導体素子、５３に該半導体素子
５２から導出された接続［５４が接続され九リード端子
、５５は該リード端子５３ｉアイレツト５１に固着する
ガラスである。なお部位２，３．３１〜３３ｒｒ、前記
第４図に示すそれぞれの部位と同一部位を示す。
おいて、５１に鉄−ニッケルーコバルト合金、鉄−ニッ
ケル合金などからなるアイレット、５２に該アイレット
５上上に固層されｔ光半導体素子、５３に該半導体素子
５２から導出された接続［５４が接続され九リード端子
、５５は該リード端子５３ｉアイレツト５１に固着する
ガラスである。なお部位２，３．３１〜３３ｒｒ、前記
第４図に示すそれぞれの部位と同一部位を示す。
第６図に本兄例の他の実施例を示すもので、第４図の場
せと異なるのに封止部材としてのチタンと銀ろうｔ一体
化したものｔ用いることである。
せと異なるのに封止部材としてのチタンと銀ろうｔ一体
化したものｔ用いることである。
すなわち第７図＜Ｑ）に示すよりなチタン＋ｌ！ｔ−芯
として外側に同心状に銀ろうｔクラッド法などにより被
覆した封止部材を用いて気密封止した場合のＪｆＲ部′
ｔｆｒ面図である。この封止部材はチタン線に鯖ろうｔ
被覆した線材ｔコイル状に密着巻きし切断することによ
り容易に製造することができる。本夾施例によれば、銀
ろうまたにチタン部材の組立工程が一工程省略できるの
で量産性に優れる効果がある。
として外側に同心状に銀ろうｔクラッド法などにより被
覆した封止部材を用いて気密封止した場合のＪｆＲ部′
ｔｆｒ面図である。この封止部材はチタン線に鯖ろうｔ
被覆した線材ｔコイル状に密着巻きし切断することによ
り容易に製造することができる。本夾施例によれば、銀
ろうまたにチタン部材の組立工程が一工程省略できるの
で量産性に優れる効果がある。
また同心状に限らず、第１図（切に示すようにチタンに
銀ろうｔクラッド法などにより積層状に被着させたチタ
ン板金プレスによる打抜加工などにより成形して封止部
材としてもよい。この場合、前記同心状と同様の効果の
はか更に気密封止部の銀ろうの行きわた９が極めて良好
となる効果がある。
銀ろうｔクラッド法などにより積層状に被着させたチタ
ン板金プレスによる打抜加工などにより成形して封止部
材としてもよい。この場合、前記同心状と同様の効果の
はか更に気密封止部の銀ろうの行きわた９が極めて良好
となる効果がある。
なお、封止部材は前述の縁状および板状のほか球状の銀
ろうおよびチタンを光透過用窓部材の周辺に配置して加
熱し気密封止することも可能で６る０ また、−ずれの場合にもチタ／と銀ろうの重量比はチタ
ンｔ″１５〜６０％とすることがａｔ ｔ、ｚことは前
述のとおりで６る◇ 本発明によればキャップに鉄−ニッケルーコバルト合金
またに鉄−ニッケル合金を使用しサファイアなどの石英
を主成分とする光透過用窓部材にメタライズ処理を施さ
ずにキャップと光透過用窓部材を気密封止することがで
きるため、製造工程が簡略となり、作業効率、歩留りが
向上するとともに量産性に優れ、接着強度および気密特
性を満足する光透過用窓付キャップを有する半導体装置
を提供することができる。
ろうおよびチタンを光透過用窓部材の周辺に配置して加
熱し気密封止することも可能で６る０ また、−ずれの場合にもチタ／と銀ろうの重量比はチタ
ンｔ″１５〜６０％とすることがａｔ ｔ、ｚことは前
述のとおりで６る◇ 本発明によればキャップに鉄−ニッケルーコバルト合金
またに鉄−ニッケル合金を使用しサファイアなどの石英
を主成分とする光透過用窓部材にメタライズ処理を施さ
ずにキャップと光透過用窓部材を気密封止することがで
きるため、製造工程が簡略となり、作業効率、歩留りが
向上するとともに量産性に優れ、接着強度および気密特
性を満足する光透過用窓付キャップを有する半導体装置
を提供することができる。
第１図ｒｃ従来のメタライズ処理を施した光透過用窓付
キャップの断面図、第２図は従来の１０チが・ Ｔｉ＄ＢＴ ろうｔ用いた場合の要部断面図、第３図に
本発明の実施例の組立状態を示す断面図、第４図にその
気萱封止後の要部断面図、第５図に本発明による半導体
装置の実施例を示す断面図、第向図である。 図におりて。 １．２１．３１ ・・・・・・・・・キャップ２・・
・・・・・・・・・・光透過用窓３・・・・・・・・・
・・・光透過用窓゛部材番・・・・・・・・・・・・メ
タライズ層５．２３，３２．）２ ・・・・・・・・・
銀ろう２２、〒１・・・・・・・・・チタン線３３、フ
３・・・・・・・・・チク／リング３４・・・・・・・
・・重り ５１・・・・・・・・・アイレット ５２・・・・・・・・・元手導体素子 ５３・・・・・・・・・リード端子 ６４・・・・・・・・・優続線 第６図 ？？ 算７図 （＋！１２） （ｂ）
キャップの断面図、第２図は従来の１０チが・ Ｔｉ＄ＢＴ ろうｔ用いた場合の要部断面図、第３図に
本発明の実施例の組立状態を示す断面図、第４図にその
気萱封止後の要部断面図、第５図に本発明による半導体
装置の実施例を示す断面図、第向図である。 図におりて。 １．２１．３１ ・・・・・・・・・キャップ２・・
・・・・・・・・・・光透過用窓３・・・・・・・・・
・・・光透過用窓゛部材番・・・・・・・・・・・・メ
タライズ層５．２３，３２．）２ ・・・・・・・・・
銀ろう２２、〒１・・・・・・・・・チタン線３３、フ
３・・・・・・・・・チク／リング３４・・・・・・・
・・重り ５１・・・・・・・・・アイレット ５２・・・・・・・・・元手導体素子 ５３・・・・・・・・・リード端子 ６４・・・・・・・・・優続線 第６図 ？？ 算７図 （＋！１２） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （η 鉄−ニッケルーコバルト合金ま九に鉄−ニッケル
合金からなり光透過用窓を有するキャップと石英勿土成
分とするｇ電体からなる光透過用窓部材を樹上部材ｒ介
して気密封止してなる光透過用窓付キャップ？有する半
導体装置において、前記キャップと前記光透過用窓部材
にチタン部材および釧ろうｔ−封止部材として気密封止
されてなることｔ特徴とする半導体装置。 （２）前記テクノ部材と銀ろうとの重重比はチタン部材
が１５〜６０％である特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 （３） ？−ニッケルーコバルト合金を九ｒｚｍ−ニ
ッケル会金からなり光透過用窓ｔ−有するキャップと石
英を主成分とする誘電体からなる光透過用窓部材ｙ：ｉ
ｒ：封止部材ｒ介して気密封止してなる光透過用窓付ギ
ャップを有する半導体装置の製造方法にお９て、前記キ
ャップと前記光透過用窓部材の気密封止部近傍°にチタ
ン部材２工び鉄ろうｒ配置して、前記銀ろう（！−７１
１１熱浴融させることにより気密封止することに％徴と
する半導体装置の製造方法。 （４）前記チタン部材に銀ろう層を一体に形成した封止
部材を用いて気密封止する特許請求の範囲第３項記載の
半導体ｇ＆直の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155102A JPS5856442A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155102A JPS5856442A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856442A true JPS5856442A (ja) | 1983-04-04 |
| JPS6347148B2 JPS6347148B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=15598659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155102A Granted JPS5856442A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856442A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4766095A (en) * | 1985-01-04 | 1988-08-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing eprom device |
| JPH01229917A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Nippon Soken Inc | 着火時期センサ |
| JP2008277395A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Kyocera Corp | 光素子用窓部材ならびに光素子収納用パッケージおよび光モジュール |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155102A patent/JPS5856442A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4766095A (en) * | 1985-01-04 | 1988-08-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing eprom device |
| JPH01229917A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Nippon Soken Inc | 着火時期センサ |
| JP2008277395A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Kyocera Corp | 光素子用窓部材ならびに光素子収納用パッケージおよび光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347148B2 (ja) | 1988-09-20 |
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