JPS5859222A - オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法 - Google Patents
オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法Info
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- JPS5859222A JPS5859222A JP15788581A JP15788581A JPS5859222A JP S5859222 A JPS5859222 A JP S5859222A JP 15788581 A JP15788581 A JP 15788581A JP 15788581 A JP15788581 A JP 15788581A JP S5859222 A JPS5859222 A JP S5859222A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、側鎖に低級アルキル基及びアルケニル基を有
し、耐熱性の優れた溶媒可溶性のボ ゛リシルセスキオ
キサン及びその製造方法に関するものである。
し、耐熱性の優れた溶媒可溶性のボ ゛リシルセスキオ
キサン及びその製造方法に関するものである。
従来、フェニル基、トリル基のようなアリール基を有す
るポリシルセスキオキサン、あるいはメチル基、イノブ
チル基、イソアミル基などのアルキル基を有する溶媒可
溶性のポリシルセスキオキサンが知られていた( J、
Amer 、Chem 。
るポリシルセスキオキサン、あるいはメチル基、イノブ
チル基、イソアミル基などのアルキル基を有する溶媒可
溶性のポリシルセスキオキサンが知られていた( J、
Amer 、Chem 。
8oc、、 82巻6194頁< 1960年) ;
J、Polymer 8ci、、 C−1巻お頁(19
63年) ; Vysokamol、 5oyed、
A 12巻663頁(1970年) ; IZV、 A
kad、 Nauk 5SSR,8er Khim、
625J[(1969年):%開開50−139900
;特開昭53−88099など〕。
J、Polymer 8ci、、 C−1巻お頁(19
63年) ; Vysokamol、 5oyed、
A 12巻663頁(1970年) ; IZV、 A
kad、 Nauk 5SSR,8er Khim、
625J[(1969年):%開開50−139900
;特開昭53−88099など〕。
また、G、 HlWagnerらは、ビニルトリクロル
シランをエーテル中で加水分解して数平均分子量380
0 程度のビニルポリシルセスキオキf7を合成してい
る( Ind、Big Chem、 45巻367頁(
1953年)〕。最近山崎らはビニルトリアルコキシシ
ランや(メタ)アクリロキシアルキルトリアルコキシシ
ランをフェニルトリアルコキンシランと共加水分解して
分子量1000程度のオリゴマーを得たのち、さらにこ
れをアルカリ触媒下に縮合反応を行なうという2段階の
反応で、分子量1万程度の側鎖にフェニル基並びにビニ
ル基若しくは(メタ)アクリロキシアルキル基を有する
ポリシルセスキオキサンを得ているが〔第四回高分子学
会年次大会予講集、四巻、1号、73頁(1980年)
〕、ここで得られたポリジアルカリ触媒はIII&温で
はオルガノポリシルセスキオキサンの解重合触媒として
働くため、耐熱性はあまシ期待できない。そこで本発明
者らは耐熱性が高く、かつ反応性に富むアルケニル基を
側鎖に有するオルガノポリシルセスキオキサンを得るべ
く鋭意研究を重ねた結果、本発明に到達した。
シランをエーテル中で加水分解して数平均分子量380
0 程度のビニルポリシルセスキオキf7を合成してい
る( Ind、Big Chem、 45巻367頁(
1953年)〕。最近山崎らはビニルトリアルコキシシ
ランや(メタ)アクリロキシアルキルトリアルコキシシ
ランをフェニルトリアルコキンシランと共加水分解して
分子量1000程度のオリゴマーを得たのち、さらにこ
れをアルカリ触媒下に縮合反応を行なうという2段階の
反応で、分子量1万程度の側鎖にフェニル基並びにビニ
ル基若しくは(メタ)アクリロキシアルキル基を有する
ポリシルセスキオキサンを得ているが〔第四回高分子学
会年次大会予講集、四巻、1号、73頁(1980年)
〕、ここで得られたポリジアルカリ触媒はIII&温で
はオルガノポリシルセスキオキサンの解重合触媒として
働くため、耐熱性はあまシ期待できない。そこで本発明
者らは耐熱性が高く、かつ反応性に富むアルケニル基を
側鎖に有するオルガノポリシルセスキオキサンを得るべ
く鋭意研究を重ねた結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、一般式(I)
で示される熱溶媒可溶性のオルガノポリシルセスキオキ
サンにおいて、側鎖である几及びWとして低級アルキル
基、アルケニル基及び必要に応じてさらにアリール基が
結合していることを特徴とするオルガノポリシルセスキ
オキサンを提供するものであシ、さらに低級アルキルト
リハロゲノシラン、アルケニルトリど1iゲノシラン及
び必要に応じてさらにアリールトリハロゲノシランを溶
媒に溶解し、この溶液に水を添加して加水分解し九のち
、該加水分解物を縮合させることを特徴とするオルガノ
ポリシルセスキオキサンの製造方法を提供するものであ
る。
サンにおいて、側鎖である几及びWとして低級アルキル
基、アルケニル基及び必要に応じてさらにアリール基が
結合していることを特徴とするオルガノポリシルセスキ
オキサンを提供するものであシ、さらに低級アルキルト
リハロゲノシラン、アルケニルトリど1iゲノシラン及
び必要に応じてさらにアリールトリハロゲノシランを溶
媒に溶解し、この溶液に水を添加して加水分解し九のち
、該加水分解物を縮合させることを特徴とするオルガノ
ポリシルセスキオキサンの製造方法を提供するものであ
る。
次に本1発明の詳細な説明する。
本発明のオルガノポリシルセスキオキサンにおいて、側
鎖に結合する低級アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、・プロピル基iどを、側鎖に結合するアルケニル
トリ プロペニル基、アリル基などを挙げることができる。ま
た必要に応じて側鎖に結合させるアリール基としてはフ
ェニル基、トリル基などを挙げることができる。
鎖に結合する低級アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、・プロピル基iどを、側鎖に結合するアルケニル
トリ プロペニル基、アリル基などを挙げることができる。ま
た必要に応じて側鎖に結合させるアリール基としてはフ
ェニル基、トリル基などを挙げることができる。
好ましい低級アルキル基及びアリール基並びに必要に応
じて結合させるアルケニル基としては、メチル基、フェ
ニル基及びビニル基を挙げることかでき、この場合は特
に優れた耐熱性を有スるオルガノポリシルセスキオキサ
ントナリ、かつ合成が比較的容易である。
じて結合させるアルケニル基としては、メチル基、フェ
ニル基及びビニル基を挙げることかでき、この場合は特
に優れた耐熱性を有スるオルガノポリシルセスキオキサ
ントナリ、かつ合成が比較的容易である。
また本発明のオルガノポリシルセスキオキサンにおいて
、側鎖に結合する低級アルキル基及びアルケニルトリ、
〜びに必要に応じて結合させるアリール基6割合は、全
側鎖100に対してそれぞれ50〜99,1〜50及び
θ〜49が好ましく、特に70〜99,1〜30及びθ
〜29が好ましい。低級アルキル基が全側鎖°100に
対して(資)以上の割合で存在することにより、さらに
熱耐性の優れたオルガノポリシルセスキオキサンとなり
、またアルケニル基が全側鎖100に対して1以上の割
合で存在することにより、特に優れた反応性を有するオ
ルガノポリシルセスキオキサンニナル。
、側鎖に結合する低級アルキル基及びアルケニルトリ、
〜びに必要に応じて結合させるアリール基6割合は、全
側鎖100に対してそれぞれ50〜99,1〜50及び
θ〜49が好ましく、特に70〜99,1〜30及びθ
〜29が好ましい。低級アルキル基が全側鎖°100に
対して(資)以上の割合で存在することにより、さらに
熱耐性の優れたオルガノポリシルセスキオキサンとなり
、またアルケニル基が全側鎖100に対して1以上の割
合で存在することにより、特に優れた反応性を有するオ
ルガノポリシルセスキオキサンニナル。
なお本発明のオルガノポリシルセスキオキサンの末端は
、通常一般式(I)のように水素及び水酸基が結合して
いる。
、通常一般式(I)のように水素及び水酸基が結合して
いる。
(几、R/及びnは前記一般式中と同様)次に本発明の
製造方法を説明する。
製造方法を説明する。
本発明の製造方法における、低級アルキルトリハロゲノ
シランとしては、例えばメtルト1ノクロロ7ラン、エ
チルトリクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、メ
チルトリブロモシランなどを用いることができ、アルケ
ニルトリノ・ロゲノシランとしては、ビニルトリクロロ
シラン、フロベニルトリクロロシラン、ア9ルトリクロ
ロシラン、ビニルトリフ゛ロモシランナトヲ用いること
ができ、必要に応じて使用するアリールトリフ10ゲノ
シランとしては、フェニルトリクロロシラン、トリルト
リクロロシラン、フェニルトリブロモシランなどを用い
ること力;できる。
シランとしては、例えばメtルト1ノクロロ7ラン、エ
チルトリクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、メ
チルトリブロモシランなどを用いることができ、アルケ
ニルトリノ・ロゲノシランとしては、ビニルトリクロロ
シラン、フロベニルトリクロロシラン、ア9ルトリクロ
ロシラン、ビニルトリフ゛ロモシランナトヲ用いること
ができ、必要に応じて使用するアリールトリフ10ゲノ
シランとしては、フェニルトリクロロシラン、トリルト
リクロロシラン、フェニルトリブロモシランなどを用い
ること力;できる。
低級アルキルトリノ・ロゲノシラン、アルケニルトリノ
・ロゲノシラン及び必要に応じて使用するアリールトリ
フ10ゲノンランの使用量は、目的とするオルガノポリ
シルセスキオキサンの側鎖に結合する低級アルキル基及
びアルケニル基並びに必要に応じて結合させるアリール
基の割合により適宜法めることができるが、好ましくは
低級アルキルトリノーロゲノシラン父〜替モルチ、特に
70〜99モルチ、アルケニルトリノ・ロゲノシラン1
〜50モル−1特に1−(9)モルチ及ヒアリールトリ
ノ〜ロゲノシラン0〜49モルチ、特に0−29モルチ
である。アリールトリノーロゲノシランを使用すること
によって、オルガノポリシルセスキオキサンの合成がさ
らに容易になる。
・ロゲノシラン及び必要に応じて使用するアリールトリ
フ10ゲノンランの使用量は、目的とするオルガノポリ
シルセスキオキサンの側鎖に結合する低級アルキル基及
びアルケニル基並びに必要に応じて結合させるアリール
基の割合により適宜法めることができるが、好ましくは
低級アルキルトリノーロゲノシラン父〜替モルチ、特に
70〜99モルチ、アルケニルトリノ・ロゲノシラン1
〜50モル−1特に1−(9)モルチ及ヒアリールトリ
ノ〜ロゲノシラン0〜49モルチ、特に0−29モルチ
である。アリールトリノーロゲノシランを使用すること
によって、オルガノポリシルセスキオキサンの合成がさ
らに容易になる。
また溶媒としては1例えばメチルエチルケトン、ジエチ
ルケトン、メチルイノブチルケトンなどのケトン;エチ
レングリコールジメチルニー テk 、 ’)ノルマル
プロピルエーテル、ジオキサン、ジエチレングリコール
、ジメチルエーテルなどのエーテル;ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素;トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素91,2−ジクロロエタン、1゜1.2−
)!Jジクロロエタン1.3−)クロロプロパン、クロ
ルベンゼンなどのノ・ロゲン化炭化水素;n−プロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、イソブチルアルコ
ールなどのアルコール;エチルプロピオネート、エチル
イソブチレート、イソブチルアセテートなどのエステル
などを用いることができるが、目的とするオルガノポリ
シルセスキオキサンの合成が容易である点から、ケトン
及び/又はエーテルを切モル≠以上、4!にωモルチ以
上含有する溶媒が好ましい。
ルケトン、メチルイノブチルケトンなどのケトン;エチ
レングリコールジメチルニー テk 、 ’)ノルマル
プロピルエーテル、ジオキサン、ジエチレングリコール
、ジメチルエーテルなどのエーテル;ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素;トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素91,2−ジクロロエタン、1゜1.2−
)!Jジクロロエタン1.3−)クロロプロパン、クロ
ルベンゼンなどのノ・ロゲン化炭化水素;n−プロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、イソブチルアルコ
ールなどのアルコール;エチルプロピオネート、エチル
イソブチレート、イソブチルアセテートなどのエステル
などを用いることができるが、目的とするオルガノポリ
シルセスキオキサンの合成が容易である点から、ケトン
及び/又はエーテルを切モル≠以上、4!にωモルチ以
上含有する溶媒が好ましい。
溶媒の使用量は低級アルキルトリノ・ロゲノゾラン、ア
ルケニルトリノ・ログノシラン及び必要に応じて使用す
るデリールトリノ・ロゲノシラン(以下これらのシラン
をシラ/類と記す)の合計1容量部に対して4〜20容
量部程度力;好ましい。
ルケニルトリノ・ログノシラン及び必要に応じて使用す
るデリールトリノ・ロゲノシラン(以下これらのシラン
をシラ/類と記す)の合計1容量部に対して4〜20容
量部程度力;好ましい。
加水分解反応は、シラン類を溶解した溶液に水を添加す
ることにより行なう。この場合、反応の制御を容易にす
るために溶液を例えば10〜団℃に冷却し、攪拌下に水
を徐々に添加する方法が好ましい。また加水分解に使用
する水の量は、シラン類の合計1モルに対して3〜30
モル程度が好ましい。
ることにより行なう。この場合、反応の制御を容易にす
るために溶液を例えば10〜団℃に冷却し、攪拌下に水
を徐々に添加する方法が好ましい。また加水分解に使用
する水の量は、シラン類の合計1モルに対して3〜30
モル程度が好ましい。
加水分解終了後、反応混合液を油浴などで加熱して縮合
反応を行なう。加熱温度は通常130℃以下であるが、
70〜110℃で1時間〜6時間程度加熱するのが好ま
しい。
反応を行なう。加熱温度は通常130℃以下であるが、
70〜110℃で1時間〜6時間程度加熱するのが好ま
しい。
なお縮合反応中は、反応混合液を攪拌してもよく、たん
に反応混合液を還流するままにしておいてもよい。
に反応混合液を還流するままにしておいてもよい。
またシラ/類を加水分解し、さらに縮合させる際にアミ
ンを共存させると、シラン類の濃度の高いところでもス
ムーズに反応が進行して高分子量のオルガノポリシルセ
スキオキサンが得られる。
ンを共存させると、シラン類の濃度の高いところでもス
ムーズに反応が進行して高分子量のオルガノポリシルセ
スキオキサンが得られる。
アミンとしては1級〜3級までの種々のアミン、例えば
トリエチルアミン、トリノルマルプロビルアミン、トリ
イソプロピルアミン、ジエチルアミン2.エチルアミン
、ピリジン、エチレンジアミンなどを挙げることができ
る。
トリエチルアミン、トリノルマルプロビルアミン、トリ
イソプロピルアミン、ジエチルアミン2.エチルアミン
、ピリジン、エチレンジアミンなどを挙げることができ
る。
アミンを使用する場合の使用量は、通常7ラン類の合計
1モルに対して3モル以下であυ。
1モルに対して3モル以下であυ。
好ましくはO1β〜2モル程度である。
アミンを使用する場合、シラ/類の溶液に水を滴下して
いくと次第にアミンの塩酸塩の白い。
いくと次第にアミンの塩酸塩の白い。
沈澱が生成してくる。なおも水を滴下してい七と、その
白い沈澱は溶解する。水の滴下終了後にアミンを加えな
い場合と同じように反応混合液を加熱し縮合反応を行う
。
白い沈澱は溶解する。水の滴下終了後にアミンを加えな
い場合と同じように反応混合液を加熱し縮合反応を行う
。
縮合反応終了後は、アミンを使用した場合も使用しない
場合も有機溶媒層を分離し、この有機溶媒層を水で洗浄
する。洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、必要
に応じて無水硫酸カル7ウム、モレキュラー7−ブスな
どの乾燥剤で有機溶媒層を乾燥し濃縮乾固する方法、あ
るいは適当な濃度に濃縮した液を得られたオルガノポリ
シルセスキオキサンを溶解しない溶剤。
場合も有機溶媒層を分離し、この有機溶媒層を水で洗浄
する。洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、必要
に応じて無水硫酸カル7ウム、モレキュラー7−ブスな
どの乾燥剤で有機溶媒層を乾燥し濃縮乾固する方法、あ
るいは適当な濃度に濃縮した液を得られたオルガノポリ
シルセスキオキサンを溶解しない溶剤。
つて目的とするオルガノポリシルセスキオキサンを得る
。このようにして得られるオルガノポリシルセスキオキ
サンのポリスチレン換算数平均分子量は通常3000〜
200,000程度で、長時間、例えば2〜3ケ月間保
存してお、いても、不溶化するこ″とが無く保存安定、
性の良いものである。
。このようにして得られるオルガノポリシルセスキオキ
サンのポリスチレン換算数平均分子量は通常3000〜
200,000程度で、長時間、例えば2〜3ケ月間保
存してお、いても、不溶化するこ″とが無く保存安定、
性の良いものである。
禾発明のオルガノポリシルセスキオキサ、ンの赤外−吸
収スペクトルには、 1120cm 付近と1 1040 ml’付、近に強い吸収が観測されるが、前
記一般式(1)で示される溶媒可溶性のオルガノポリシ
ルセスキオキサンは、赤外線吸収スペクトルにおいて1
135 CIl”付近及び1040 cm−’付近に5
i−0−S i結合の伸縮運動に基づく強い特異的な2
本の吸収を示すことが知られており(J、Polym。
収スペクトルには、 1120cm 付近と1 1040 ml’付、近に強い吸収が観測されるが、前
記一般式(1)で示される溶媒可溶性のオルガノポリシ
ルセスキオキサンは、赤外線吸収スペクトルにおいて1
135 CIl”付近及び1040 cm−’付近に5
i−0−S i結合の伸縮運動に基づく強い特異的な2
本の吸収を示すことが知られており(J、Polym。
Sci、、C−1巻、83頁(1963年)、特開昭5
0−139900なトコ1本発明のオルガノポリシルセ
スキオキサンも前記一般式(1)の構造を有するものと
判断される。
0−139900なトコ1本発明のオルガノポリシルセ
スキオキサンも前記一般式(1)の構造を有するものと
判断される。
本発明のオルガノポリシルセスキオキサンの耐熱性Lg
4鎖に結合する低級アルキル基及びアルケニル基並びに
必要により結合させるアリール基によ〕異表るが、通常
600〜650℃程度であり、低級アルキル基、特にメ
チル基の存在量が多い程高くなる。
4鎖に結合する低級アルキル基及びアルケニル基並びに
必要により結合させるアリール基によ〕異表るが、通常
600〜650℃程度であり、低級アルキル基、特にメ
チル基の存在量が多い程高くなる。
マ九本発明のオルガノポリシルセスキオキサンは、lI
I鎖にアルケニル基が存在するために。
I鎖にアルケニル基が存在するために。
感光性架橋剤などと混合することによって感光性を付与
することも可能であり、さらに有機ポリマーをグラフト
させることも可能であるため、非常に広範な用途に利用
できる。
することも可能であり、さらに有機ポリマーをグラフト
させることも可能であるため、非常に広範な用途に利用
できる。
具体的用途例としては、集積回路などの絶縁保鏝膜又は
層間絶縁膜;液晶配向補助膜、耐熱性塗料、有機ポリマ
ー表面の改質剤などである。
層間絶縁膜;液晶配向補助膜、耐熱性塗料、有機ポリマ
ー表面の改質剤などである。
以下に本発明方法の実施例を示す。各実施例において、
分子量は下記に示すゲルバーミエイションクロマトグラ
フイー(以下GPCと記す。)によって求めた標準ポリ
スチレン換算数平均分子量である。
分子量は下記に示すゲルバーミエイションクロマトグラ
フイー(以下GPCと記す。)によって求めた標準ポリ
スチレン換算数平均分子量である。
(GPC測定条件)
装 置;米国ウオーターズ社製高温高速ゲル浸透クロ
マトグラム(モデ ル150− CALC/GPC) カ ラ ム;昭和電工■製 8HODgX A−8M。
マトグラム(モデ ル150− CALC/GPC) カ ラ ム;昭和電工■製 8HODgX A−8M。
長さ50cs
測定温度;荀℃
流 速; 1 cc/分
上記条件において、テトラヒドロフランを溶媒として使
用し、オルガポリシルセスキオキサンIFを100 c
cのテトラヒドロフランに溶解して試料とした。ま九標
準ポリスチレンは、米国プレッシャーケミカル社製標準
ポリスチレ/を使用し九。
用し、オルガポリシルセスキオキサンIFを100 c
cのテトラヒドロフランに溶解して試料とした。ま九標
準ポリスチレンは、米国プレッシャーケミカル社製標準
ポリスチレ/を使用し九。
実施例1゜
還流冷却管1滴下ロート、撹拌棒を備え九反応容器にジ
オキサン(175j+7.2.05モル)を加え、これ
にトリエチルアミン(14m、 0.1モル)を加えた
のちCHBSiC& (15m、 0.125モル)C
aHiSiC& (2m、 0.013モル)及びCH
*=C=CH81CJ f3 m、 0.063モル)
を加える。
オキサン(175j+7.2.05モル)を加え、これ
にトリエチルアミン(14m、 0.1モル)を加えた
のちCHBSiC& (15m、 0.125モル)C
aHiSiC& (2m、 0.013モル)及びCH
*=C=CH81CJ f3 m、 0.063モル)
を加える。
反応容器を水冷下、攪拌しながら水(40m。
2.22モル)をゆっくり滴下する。このときの溶液温
度は15〜30℃であった。しだいに塩酸トリエチルア
ミンの白色沈澱が生成−i ルA(、水をなおも加える
ことによってその白色沈澱は溶解する。
度は15〜30℃であった。しだいに塩酸トリエチルア
ミンの白色沈澱が生成−i ルA(、水をなおも加える
ことによってその白色沈澱は溶解する。
水の滴下終了後、油浴を用いて油浴温度100℃で反応
混合液を攪拌下2時間加熱する。反応終了後、有機溶媒
層を分離し、洗浄水力監中性になるまで水で洗浄し、無
水硫酸カルシウムで乾燥する。その彼乾燥剤を除去し、
濃縮乾固してオルガノポリシルセスキオキサンを得る。
混合液を攪拌下2時間加熱する。反応終了後、有機溶媒
層を分離し、洗浄水力監中性になるまで水で洗浄し、無
水硫酸カルシウムで乾燥する。その彼乾燥剤を除去し、
濃縮乾固してオルガノポリシルセスキオキサンを得る。
得られたオルガノポリシルセスキオキサンの分子量は1
1旬であり、窒素下での熱分解温度は590℃で6つ九
。
1旬であり、窒素下での熱分解温度は590℃で6つ九
。
実施例2゜
トリエチルアミン(14m4,0.1モル)。
d、 0.025モル)及びCH2= CHSt C
13s (5m 。
13s (5m 。
0.040モル)をメチルイソブチルケトy (175
m。
m。
1.4モル)に溶解し、水(4Qscj、 2.22モ
ル)を滴下して実施例1と同様な方法で加水分解したの
ち、100℃で4時間加熱する。次いで実施例1と同様
の操作を行いオルガノポリシルセスキオキサン141を
得る。分子量は10,000であり、窒素下での熱分解
温度は600℃であった。赤外吸収スペクトルを第2図
に示す。
ル)を滴下して実施例1と同様な方法で加水分解したの
ち、100℃で4時間加熱する。次いで実施例1と同様
の操作を行いオルガノポリシルセスキオキサン141を
得る。分子量は10,000であり、窒素下での熱分解
温度は600℃であった。赤外吸収スペクトルを第2図
に示す。
実施例3゜
トリエチルアミン(14wi、0.1モル)をメチルイ
ソブチルケトン(170M、 1.36モル)に溶解し
、ついで、 CHsSiCJs (18ml 、 0−
151モル)CsHs8iC4h (1,3d、 o、
oo8モル)及びC’H,=CH8j C11s (5
,2WLl、 0.041モル)を加え、水(切d、2
.22モル)を滴下して加水分解したのち、100℃で
4時間加熱する。次いで実施例1と同11の操作により
オルガノポリシルセスキオキサン14 f ′t−得る
。分子量#′i50,000であり、窒素下での熱分解
温度は610℃であった。赤外吸収スペクトルを第3図
に示す。
ソブチルケトン(170M、 1.36モル)に溶解し
、ついで、 CHsSiCJs (18ml 、 0−
151モル)CsHs8iC4h (1,3d、 o、
oo8モル)及びC’H,=CH8j C11s (5
,2WLl、 0.041モル)を加え、水(切d、2
.22モル)を滴下して加水分解したのち、100℃で
4時間加熱する。次いで実施例1と同11の操作により
オルガノポリシルセスキオキサン14 f ′t−得る
。分子量#′i50,000であり、窒素下での熱分解
温度は610℃であった。赤外吸収スペクトルを第3図
に示す。
実施例4゜
CH*8jC13s(24m 、 0.201モル)
及びCjh=CH8iCJs (2,2m、 0.01
7モル)をメチルイングチルケトン(18311114
,1’、46モル)に溶解し、水(41,7m117.
2.32モル)を滴下して実施例1と同様な方法で加水
分解したのち100℃で4時間加熱する。次いで、実施
例1と同様の操作を行いオルガノポリフルセスキオキサ
ン13 Fを得る。分子量は40,000であり、窒素
Fでの熱分解温度は650℃でおった。赤外吸収スペク
トルを第4図に示す0 実施例5゜ 実施例1〜4で得九オルガノポリシルセスキオキサンを
それぞれメチルインブチルケトンろいずれも可溶でめっ
た。
及びCjh=CH8iCJs (2,2m、 0.01
7モル)をメチルイングチルケトン(18311114
,1’、46モル)に溶解し、水(41,7m117.
2.32モル)を滴下して実施例1と同様な方法で加水
分解したのち100℃で4時間加熱する。次いで、実施
例1と同様の操作を行いオルガノポリフルセスキオキサ
ン13 Fを得る。分子量は40,000であり、窒素
Fでの熱分解温度は650℃でおった。赤外吸収スペク
トルを第4図に示す0 実施例5゜ 実施例1〜4で得九オルガノポリシルセスキオキサンを
それぞれメチルインブチルケトンろいずれも可溶でめっ
た。
また実施例1〜4で得たオルガツボ1ノフルセスキオキ
サンを4〜メチル−ペン・タノールの加重量%溶液とし
、8℃で2ケ月保存したところ粘度変化は10%以下で
あった。
サンを4〜メチル−ペン・タノールの加重量%溶液とし
、8℃で2ケ月保存したところ粘度変化は10%以下で
あった。
実施例6。
、実施例1〜4で得たオルガツボ1フルセスキオキサン
の核磁気共鳴スペクトルを+111定した結果、δ=
0.05 <−重線)、δ=6.07(−重線)及びJ
.7.20〜g.oo <多重線)にそれぞれメチル基
,ビニル基及びフェニル基の吸収が観測された。これら
の吸収を積分することにより、実施例1〜4のオルガツ
ボ1ノシルセスキオキサンの側鎖の有機基の割合を求め
丸。
の核磁気共鳴スペクトルを+111定した結果、δ=
0.05 <−重線)、δ=6.07(−重線)及びJ
.7.20〜g.oo <多重線)にそれぞれメチル基
,ビニル基及びフェニル基の吸収が観測された。これら
の吸収を積分することにより、実施例1〜4のオルガツ
ボ1ノシルセスキオキサンの側鎖の有機基の割合を求め
丸。
七の結果を表1に示す。
表 1゜
図面は、実施例1〜4によって得たオルガノポリシルセ
スキオキサンの赤外吸収スペクトルをそれぞれ示す図で
あり、第1図は実施例1によるもの、第2図は実施例2
によるもの、第3図は実施例3によるもの、第4図は実
施例4によるものである。
スキオキサンの赤外吸収スペクトルをそれぞれ示す図で
あり、第1図は実施例1によるもの、第2図は実施例2
によるもの、第3図は実施例3によるもの、第4図は実
施例4によるものである。
Claims (2)
- (1) 一般式(り で示される溶媒可溶性のオルガノポリシルセスキオキサ
ンにおいて、側鎖であるR及びR′として低級アルキル
基、アルケニル基及び必要に応じてさらにアリール基が
結合していることを特徴とするオルガノポリシルセスキ
オキサン。 - (2) 低級アルキルトリハロゲノシラン、アルケニ
ルトリハロゲノシラン及び必要に応じてさらにアリール
トリハロゲノ7ランを溶媒に溶解し、この溶液に水を添
加して加水分解したのち、該加水分解物を縮合させるこ
とを特徴とするオルガノポリシルセスキオキサンの製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15788581A JPS5859222A (ja) | 1981-10-03 | 1981-10-03 | オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法 |
| DE8282305223T DE3278567D1 (en) | 1981-10-03 | 1982-09-30 | Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same |
| EP82305223A EP0076656B1 (en) | 1981-10-03 | 1982-09-30 | Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same |
| US06/779,617 US4626556A (en) | 1981-10-03 | 1985-09-25 | Solvent-soluble organopolysilsesquioxane, process for producing the same, and semi-conductor using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15788581A JPS5859222A (ja) | 1981-10-03 | 1981-10-03 | オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5859222A true JPS5859222A (ja) | 1983-04-08 |
Family
ID=15659539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15788581A Pending JPS5859222A (ja) | 1981-10-03 | 1981-10-03 | オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5859222A (ja) |
Cited By (10)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS61278532A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 末端ヒドロキシフエニルラダ−ポリシロキサンの製法 |
| JPS62227929A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-06 | Fujitsu Ltd | レジスト材料 |
| JPH01308429A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-12-13 | Fujitsu Ltd | ポリオルガノシルセスキオキサン及びその製法ならびにパターン形成材料 |
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| JPH0381663A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-08 | Hitachi Cable Ltd | 石英ガラスキャピラリカラム |
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| JP2007502333A (ja) * | 2003-08-01 | 2007-02-08 | ダウ・コーニング・コーポレーション | 光起電アプリケーション用のシリコーンベース誘電被膜及びフィルム |
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-
1981
- 1981-10-03 JP JP15788581A patent/JPS5859222A/ja active Pending
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