JPS61278532A - 末端ヒドロキシフエニルラダ−ポリシロキサンの製法 - Google Patents
末端ヒドロキシフエニルラダ−ポリシロキサンの製法Info
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- JPS61278532A JPS61278532A JP12191985A JP12191985A JPS61278532A JP S61278532 A JPS61278532 A JP S61278532A JP 12191985 A JP12191985 A JP 12191985A JP 12191985 A JP12191985 A JP 12191985A JP S61278532 A JPS61278532 A JP S61278532A
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- polysiloxane
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- ladder polysiloxane
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は側鎖に感光基を有する末′４＋ニトロキシフェ
ニルラダーポリシロキサンの製法に関する。
ニルラダーポリシロキサンの製法に関する。
［従来の扶ｉ１
従来から電子部品あるいはＬＳＩの層間絶縁膜などの感
光性耐熱材料の開発がなされているが、感光性耐熱材料
のなかでも高分子材料の開発には２つの流れがある。１
つは従来の７オトレジストの耐熱性向上を目的としたも
の、もう１つは耐熱性高分子材料に感光性を付与するこ
とを目的としたものである。前者としては環化ポリブタ
ジェン（［ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス］、１９８０年、第１９巻、４６０頁
）、後者としては感光性ポリイミド樹脂（「エレトロニ
クス」、１９８１年、）３頁）などがあげられる。
光性耐熱材料の開発がなされているが、感光性耐熱材料
のなかでも高分子材料の開発には２つの流れがある。１
つは従来の７オトレジストの耐熱性向上を目的としたも
の、もう１つは耐熱性高分子材料に感光性を付与するこ
とを目的としたものである。前者としては環化ポリブタ
ジェン（［ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス］、１９８０年、第１９巻、４６０頁
）、後者としては感光性ポリイミド樹脂（「エレトロニ
クス」、１９８１年、）３頁）などがあげられる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の光重合性化合物はその分子構造が鎖
状であるため耐熱性に劣り、また基板との密着性がわる
いため下地処理が必要であるなどの問題がある。
状であるため耐熱性に劣り、また基板との密着性がわる
いため下地処理が必要であるなどの問題がある。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
である。
である。
［問題を解決するための手段１
本発明は、フェニルトリクロロシランおよび一般式（■
）： １（Ｉ） ＣＨ＝ Ｃ）Ｉ云ＣＨ，〜ＳｉＣム （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基またはフェ
ニル基、ＸはＯ〜４の整数を示す）で表わされる化合物
を共加水分解することによりえちれた中間体を、触媒と
してクロロギ酸エステル類で縮合重合させることにより
側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポ
リシロキサンの製法に関する。
）： １（Ｉ） ＣＨ＝ Ｃ）Ｉ云ＣＨ，〜ＳｉＣム （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基またはフェ
ニル基、ＸはＯ〜４の整数を示す）で表わされる化合物
を共加水分解することによりえちれた中間体を、触媒と
してクロロギ酸エステル類で縮合重合させることにより
側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポ
リシロキサンの製法に関する。
［実施例］
本発明によればフェニルトリクロロシランおよび一般式
（Ｉ）： １（Ｉ） ＣＨ＝ ＣＨ→ＣＨ，〜ＳｉＣム （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基または７ヱ
ニル基、肩はＯ〜４の整数を示す）で表わされる化合物
を共加水分解することによりえられた中間体を、触媒と
してクロロギ酸エステル類で縮合重合させることにより
側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポ
リシロキサンかえられる。
（Ｉ）： １（Ｉ） ＣＨ＝ ＣＨ→ＣＨ，〜ＳｉＣム （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基または７ヱ
ニル基、肩はＯ〜４の整数を示す）で表わされる化合物
を共加水分解することによりえられた中間体を、触媒と
してクロロギ酸エステル類で縮合重合させることにより
側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポ
リシロキサンかえられる。
前記一般式（１）で示されるシラン化合物は、化合物中
に一般式（■）： １（■） Ｃ）Ｉ＝Ｃ）Ｉ云Ｃ１１，〜 で表わされる感光基を有する化合物であるが、Ｘは製造
される末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリシロキサンを
感光させたばあい、光重合性にすぐれている、水素原子
、メチル基、エチル基または７ヱニル基が好ましく、マ
たｌは耐熱性の面から０〜４の整数であるのが好ましい
。
に一般式（■）： １（■） Ｃ）Ｉ＝Ｃ）Ｉ云Ｃ１１，〜 で表わされる感光基を有する化合物であるが、Ｘは製造
される末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリシロキサンを
感光させたばあい、光重合性にすぐれている、水素原子
、メチル基、エチル基または７ヱニル基が好ましく、マ
たｌは耐熱性の面から０〜４の整数であるのが好ましい
。
前記一般式（Ｉ）で示されるシック化合物としては、た
とえばビニルトリクロロシラン、アリルト１７ クロロ
シラン、２−フェニルビニル） ＋７クロロシラン、３
−フェニルアリルトリクロロシランなどがあげられるが
、これらのみに限定されるものではない。
とえばビニルトリクロロシラン、アリルト１７ クロロ
シラン、２−フェニルビニル） ＋７クロロシラン、３
−フェニルアリルトリクロロシランなどがあげられるが
、これらのみに限定されるものではない。
前記共加水分解反応はフェニルトリクロロシランと一般
式（Ｉ）で示される化合物とを調合し、これを調合液と
同一体積の有機溶媒に溶解させたのち、多量のイオン交
換水中に攪拌しながら滴下し、発生した塩酸をイオン交
換水によって洗浄することにより行なわれる。＊た前記
えられた中間体は低分子量の化合物のため、適当な沈澱
剤がないので、溶媒を留去して乾燥することにより、固
体の化合物としてえられる。
式（Ｉ）で示される化合物とを調合し、これを調合液と
同一体積の有機溶媒に溶解させたのち、多量のイオン交
換水中に攪拌しながら滴下し、発生した塩酸をイオン交
換水によって洗浄することにより行なわれる。＊た前記
えられた中間体は低分子量の化合物のため、適当な沈澱
剤がないので、溶媒を留去して乾燥することにより、固
体の化合物としてえられる。
脱水縮合反応はつぎのようにして行なわれる。
加水分解してえられた共加水分解物を有機溶媒に溶解さ
せて均一層とする。
せて均一層とする。
前記有機溶媒は、たとえばメチルイソブチルケトン、メ
チルエチルケトン、アセトンなどのケト’ Ｒ，９エチ
ルエーテル、イソプロピルエーテルなどのエーテル類、
キシレン、トルエン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素な
どの加水分解する化合物を溶解しうる溶剤があげられる
が、非水溶媒系溶媒を１種または２種以上混合して用い
るのが好ましい。
チルエチルケトン、アセトンなどのケト’ Ｒ，９エチ
ルエーテル、イソプロピルエーテルなどのエーテル類、
キシレン、トルエン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素な
どの加水分解する化合物を溶解しうる溶剤があげられる
が、非水溶媒系溶媒を１種または２種以上混合して用い
るのが好ましい。
またこのぽあい中間体の濃度は重合反応を促進するため
に前記有機溶媒中に４０重景％以上含まれるのが好まし
い。
に前記有機溶媒中に４０重景％以上含まれるのが好まし
い。
前記縮合重合反応に用いられる触媒はたとえば有機溶媒
に可溶である、クロロギ酸メチル、クロロギ酸エチル、
クロロギ酸ブチル、クロロギ酸イソプロピルなどのクロ
ロギ酸エステルなどがあげられ、これらを１種または２
種以上混合して前記中間体を溶解させてえられた溶液に
添加して用いられる。
に可溶である、クロロギ酸メチル、クロロギ酸エチル、
クロロギ酸ブチル、クロロギ酸イソプロピルなどのクロ
ロギ酸エステルなどがあげられ、これらを１種または２
種以上混合して前記中間体を溶解させてえられた溶液に
添加して用いられる。
このばあい前記触媒の添加量は中間体のヒドロキシル基
の数および目的とする感光性末端ヒドロキシフェニルラ
ダーポリシロキサンの分子量によって決定される。触媒
添加量が増加すると該分子量は増加し、スピンナーを用
いて基板上に回転塗布したときに厚膜がえられやすいが
、通常中間体１重量部に対して前記触媒を０．０１〜０
．５重量部添加して用いられる。かかる添加量は０．０
１重量部末端のばあい重合性に劣り、また０、５重量部
をこえると副反応が主反応となるので好ましくない。
の数および目的とする感光性末端ヒドロキシフェニルラ
ダーポリシロキサンの分子量によって決定される。触媒
添加量が増加すると該分子量は増加し、スピンナーを用
いて基板上に回転塗布したときに厚膜がえられやすいが
、通常中間体１重量部に対して前記触媒を０．０１〜０
．５重量部添加して用いられる。かかる添加量は０．０
１重量部末端のばあい重合性に劣り、また０、５重量部
をこえると副反応が主反応となるので好ましくない。
縮合重合反応は反応式（■）：
で示されるように進行するが、上記反応の進行構想は生
成するＨＣｌ、ＣＯ２あるいはアルコールを検出するこ
とにより確認される。
成するＨＣｌ、ＣＯ２あるいはアルコールを検出するこ
とにより確認される。
反応に要する時間は、一般に反応温度が高いほど短いが
、上記反応においでは反応温度１３０℃で約５時間であ
ればよい。
、上記反応においでは反応温度１３０℃で約５時間であ
ればよい。
上記反応終了後、えちれた反応溶液をメタノールあるい
はｎ−ヘキサンなどの沈澱剤中に注入することにより、
感光基を側鎖に有する末端ヒドロキシフェニルラダーポ
リシロキサンが沈澱物としてえられる。
はｎ−ヘキサンなどの沈澱剤中に注入することにより、
感光基を側鎖に有する末端ヒドロキシフェニルラダーポ
リシロキサンが沈澱物としてえられる。
えられた末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリシロキサン
は、アスピレータ一ついでロータリーポンプで減圧乾燥
することにより、容易に未分離の塩酸を除去しうる。
は、アスピレータ一ついでロータリーポンプで減圧乾燥
することにより、容易に未分離の塩酸を除去しうる。
こうしてえられた末端ヒドロキシフェニルラダーポリシ
ロキサンを赤外分光法で分析したところ、Ｓ！−ＣＪｓ
に帰属される吸収ピークが１５９５ｃ置−１と１４３０
ｃｚ−’に、また該ポリマーがラダー構造を有すること
を示す５ｉ−０−Ｓｉの逆対称伸縮振動に帰属する吸収
ピークが１１３５ｃ＋＋＋−’と１０１０４５ｃ’に、
基板との密着性に寄与する５ｉ−ＯＨに帰属される吸収
ピークが３４００ｃｚ−’に、さらには該ポリマーが感
光性であることを示すビニル基に帰属される吸収ピーク
が１２フ０ｃＪｌ″″にそれぞれ観測される。
ロキサンを赤外分光法で分析したところ、Ｓ！−ＣＪｓ
に帰属される吸収ピークが１５９５ｃ置−１と１４３０
ｃｚ−’に、また該ポリマーがラダー構造を有すること
を示す５ｉ−０−Ｓｉの逆対称伸縮振動に帰属する吸収
ピークが１１３５ｃ＋＋＋−’と１０１０４５ｃ’に、
基板との密着性に寄与する５ｉ−ＯＨに帰属される吸収
ピークが３４００ｃｚ−’に、さらには該ポリマーが感
光性であることを示すビニル基に帰属される吸収ピーク
が１２フ０ｃＪｌ″″にそれぞれ観測される。
これらの結果から上記ポリマーが側鎖に感光基を有する
末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリシロキサンであるこ
とが確認される。
末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリシロキサンであるこ
とが確認される。
つぎに本発明の末端ヒドロキシフェニルラダーポリシロ
キサンの製法を実施例にもとすいて説明するが、本発明
はかかる実施例のみに限定されるものではない。
キサンの製法を実施例にもとすいて説明するが、本発明
はかかる実施例のみに限定されるものではない。
参考例１
フェニルトリクロロシラン（Ｃ，ＨｓＳｉＣｊ！５）１
０５．８ｇ（０，５０モル）およびビニルトリクロロシ
ラン（ＣＨ２＝ＣＨ−３ｉＣ１，＊）８．１ｇ（０，０
５０モル）をジエチルエーテル２００ｍ１に溶解させた
溶液を攪拌機および温度計を取付け、水浴で冷却された
２１の４つロフラスコ内のイオン交換水１０００ｘｆの
中に攪拌しながら温度を１０℃以下に保持して約３時間
かけて徐々に滴下して加水分解を行なった。そののち液
温を室温にもどし、さらに３０分間攪拌し、加水分解反
応を完結させた。
０５．８ｇ（０，５０モル）およびビニルトリクロロシ
ラン（ＣＨ２＝ＣＨ−３ｉＣ１，＊）８．１ｇ（０，０
５０モル）をジエチルエーテル２００ｍ１に溶解させた
溶液を攪拌機および温度計を取付け、水浴で冷却された
２１の４つロフラスコ内のイオン交換水１０００ｘｆの
中に攪拌しながら温度を１０℃以下に保持して約３時間
かけて徐々に滴下して加水分解を行なった。そののち液
温を室温にもどし、さらに３０分間攪拌し、加水分解反
応を完結させた。
えられた２層に分離した反応液からエーテル層を分取し
たのち、イオン交換水で中性になるまで数回水洗した。
たのち、イオン交換水で中性になるまで数回水洗した。
該中間体は低分子量のため、適当な沈澱剤がないので減
圧下で溶剤を留去して、白色粉末として回収した。
圧下で溶剤を留去して、白色粉末として回収した。
えちれた白色粉末を赤外分光法で分析したところ、３４
００ｃｍ””に５ｉ−ＯＨの吸収ピークが、さらにジャ
ーナル・オプ・ポリマー・サイエンス（１９６３年刊）
Ｃ−１巻、８３真に記載されているようなＳ ｉ −０
−Ｓ ｉの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピークが１１
３５ｃｍ−’と１０４５ｃ漏伺に、またＣ１．＝ＣＨ−
にもとすく吸収ピークが１２７０ｃｚ−’に観測された
。
００ｃｍ””に５ｉ−ＯＨの吸収ピークが、さらにジャ
ーナル・オプ・ポリマー・サイエンス（１９６３年刊）
Ｃ−１巻、８３真に記載されているようなＳ ｉ −０
−Ｓ ｉの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピークが１１
３５ｃｍ−’と１０４５ｃ漏伺に、またＣ１．＝ＣＨ−
にもとすく吸収ピークが１２７０ｃｚ−’に観測された
。
これらの結果からえられた白色粉末が側鎖にビニル基を
有する末端ヒドロキシフェニルラグ−型シロキサンであ
ることを確認した。
有する末端ヒドロキシフェニルラグ−型シロキサンであ
ることを確認した。
また該粉末は溶融温度が約９０℃で、分子量が約１５０
０のものであった。
０のものであった。
参考例２〜６
第１表に示す配合量で参考例１と同じ方法で中間体を作
製した。えられた中間体は、赤外分光法によって側鎖に
感光基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−型シロキ
サンであることを確認した。
製した。えられた中間体は、赤外分光法によって側鎖に
感光基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−型シロキ
サンであることを確認した。
えられた中間体はいずれも約９０℃で溶融し、分子量は
約１５００であった。
約１５００であった。
実施例１
還流冷却器、攪拌機、温度計を取付は
フラスコに参考例１でえられた中間体１０．ｃ９シンン
３０ｔｌを入れて溶解しクロロギ酸エチル０，１．を加
え、その均一層を約１３０℃で３時間反応させた。
３０ｔｌを入れて溶解しクロロギ酸エチル０，１．を加
え、その均一層を約１３０℃で３時間反応させた。
反応終了後溶液を冷却し、１０倍体積量のメタノール中
に注いで白色沈殿をえた。えられた白色沈澱はアスピレ
ータ−１ついでロータリーポンプを用いて減圧乾燥し、
収量を測定したところ約９ｇであった。
に注いで白色沈殿をえた。えられた白色沈澱はアスピレ
ータ−１ついでロータリーポンプを用いて減圧乾燥し、
収量を測定したところ約９ｇであった。
つぎにえられた白色粉末を赤外分析法で分析したところ
、３４００ｃ瀧−１に５ｉ−Ｏｆｆの吸収ピークが、ま
た５ｉ−０−Ｓｉの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピー
クが１１３５ｃｇ−’と１０４５ｃｚ−’とに、またＣ
Ｈ，＝ Ｃ）ｌ−にもとづく吸収ピークが１２７０ｃｍ
−’に観測された。参考例でえちれた白色粉末に比較し
て３４００ｃｘ””の吸収ピークの相対強度は減少し、
１１３５ｃｚ−’と１０４５ｃｍ−’の二つの吸収ピー
クのくびれは深くなったが、１２フ０ｃｊＩ−’の吸収
ピークの変化は認められなかった。
、３４００ｃ瀧−１に５ｉ−Ｏｆｆの吸収ピークが、ま
た５ｉ−０−Ｓｉの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピー
クが１１３５ｃｇ−’と１０４５ｃｚ−’とに、またＣ
Ｈ，＝ Ｃ）ｌ−にもとづく吸収ピークが１２７０ｃｍ
−’に観測された。参考例でえちれた白色粉末に比較し
て３４００ｃｘ””の吸収ピークの相対強度は減少し、
１１３５ｃｚ−’と１０４５ｃｍ−’の二つの吸収ピー
クのくびれは深くなったが、１２フ０ｃｊＩ−’の吸収
ピークの変化は認められなかった。
これらの結果により、えられた白色粉末が側鎖にビニル
基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリシロキサ
ンであることを確認した。
基を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリシロキサ
ンであることを確認した。
該ポリマーの分子量は測定したところ約２５０００で加
熱して溶融せず、熱重量測定（窒素雰囲気下、昇温速度
１０℃／分）を行なったところ、４５８℃で重量減少が
みちれた。
熱して溶融せず、熱重量測定（窒素雰囲気下、昇温速度
１０℃／分）を行なったところ、４５８℃で重量減少が
みちれた。
また該ポリマーのトルエン溶ｔ（１５重量％）の粘度は
、約５ｅＰでこの溶液をスピンナーを用いて回転数約２
０００ｒｐ曽でガラス基板上に塗布したところ、約２μ
瀧の薄膜かえられた。
、約５ｅＰでこの溶液をスピンナーを用いて回転数約２
０００ｒｐ曽でガラス基板上に塗布したところ、約２μ
瀧の薄膜かえられた。
実施例２〜１２
＠２表に示す配合量で実施例１の方法にしたがって本発
明のシリコーン化合物を製造した。えちれたシリコーン
化合物は赤外分光法により分析したところ側鎖に感光基
を有する末端ヒドロキシフェニルラグーボ＋１シロキサ
ンであることがわかった・ えられたシリコーン化合物の分子量、トルエン１５重景
％溶液の粘度、熱重量およびガラス基板上の回転塗布膜
の膜厚を実施例１の方法にしたがって測定した。その結
果を第２表に示す。
明のシリコーン化合物を製造した。えちれたシリコーン
化合物は赤外分光法により分析したところ側鎖に感光基
を有する末端ヒドロキシフェニルラグーボ＋１シロキサ
ンであることがわかった・ えられたシリコーン化合物の分子量、トルエン１５重景
％溶液の粘度、熱重量およびガラス基板上の回転塗布膜
の膜厚を実施例１の方法にしたがって測定した。その結
果を第２表に示す。
比較例１
耐熱性高分子材料であるポリイミドに、感光性を付与し
た感光性耐熱材料を以下のように製造した。
た感光性耐熱材料を以下のように製造した。
温度計、攪拌機、窒素導入管、塩化カルシウム管を配置
した１００ｔｌの４つロア？スコに、４，４′−ジ７ミ
７ノフェニルエーテル２ ｇ（０，０１モル）と乾燥し
たＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、Ｎｌ４Ｐという
）１５ｇをよく混合した。えられた溶液に３．３’、４
．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の３
．２２゜（０，６１モル）を加え、２５℃で４時間攪拌
することによりポリアミド酸をえた。
した１００ｔｌの４つロア？スコに、４，４′−ジ７ミ
７ノフェニルエーテル２ ｇ（０，０１モル）と乾燥し
たＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、Ｎｌ４Ｐという
）１５ｇをよく混合した。えられた溶液に３．３’、４
．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の３
．２２゜（０，６１モル）を加え、２５℃で４時間攪拌
することによりポリアミド酸をえた。
上記ポリアミド酸溶液に、２−（アジリジニル）エチル
メタクリレートの３，１ｇ（０，０２モル）を加え、３
０°Ｃで４時間反応させることによって感光性耐熱材料
を製造した。
メタクリレートの３，１ｇ（０，０２モル）を加え、３
０°Ｃで４時間反応させることによって感光性耐熱材料
を製造した。
この感光性耐熱材料は実施例１と同様の方法で熱重量測
定（、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分）を行なった
ところ、４００℃で重量減少がみられた。
定（、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分）を行なった
ところ、４００℃で重量減少がみられた。
また該ポリマーの１５重量％ＮＭＰ溶液の粘度は約１０
００ｃＰでこの溶液をスピンナーを用いて回転数的２０
００ｒｐｍでガラス基板上に塗布したところ、約５［発
明の効果１ 上記のように本発明の方法によると耐熱性が良好でしか
も光重合性を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリ
シロキサンを容易に製造しうるという効果を奏する。
００ｃＰでこの溶液をスピンナーを用いて回転数的２０
００ｒｐｍでガラス基板上に塗布したところ、約５［発
明の効果１ 上記のように本発明の方法によると耐熱性が良好でしか
も光重合性を有する末端ヒドロキシフェニルラグ−ポリ
シロキサンを容易に製造しうるという効果を奏する。
Claims (1)
- （１）フェニルトリクロロシランおよび一般式（ I ）
：▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基またはフェ
ニル基、ｎは０〜４の整数を示す）で表わされる化合物
を共加水分解することによりえられた中間体を、触媒と
してクロロギ酸エステル類で縮合重合させることにより
側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフェニルラダーポ
リシロキサンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12191985A JPS61278532A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 末端ヒドロキシフエニルラダ−ポリシロキサンの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12191985A JPS61278532A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 末端ヒドロキシフエニルラダ−ポリシロキサンの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278532A true JPS61278532A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14823157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12191985A Pending JPS61278532A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 末端ヒドロキシフエニルラダ−ポリシロキサンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61278532A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03207719A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 高純度末端ヒドロキシフェニルラダーシロキサンプレポリマーの製造方法および高純度末端ヒドロキシフェニルラダーポリシロキサンの製造方法 |
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