JPS5859509A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPS5859509A JPS5859509A JP15709981A JP15709981A JPS5859509A JP S5859509 A JPS5859509 A JP S5859509A JP 15709981 A JP15709981 A JP 15709981A JP 15709981 A JP15709981 A JP 15709981A JP S5859509 A JPS5859509 A JP S5859509A
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- Japan
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化インジウム、二酸化錫よりなる透明導電性
膜（以後ＩＴＯ膜と称する）の製造方法に関し、詳しく
は、高性能のＩＴＯ＠を生産性よく製造する改善された
製造方法に関する。
膜（以後ＩＴＯ膜と称する）の製造方法に関し、詳しく
は、高性能のＩＴＯ＠を生産性よく製造する改善された
製造方法に関する。
一般的に透明導電膜は、スライ÷°フィルム、マイクロ
フィルム等の透過盤画像作成の電子写真記録体、ＫＬ、
液晶あるいはエレクトロクロミック、プラズマディスプ
レー、ＰＬＺＴ専のディスプレイ用電極、透明スイッチ
、静電遮蔽材、帯電防止材あるいは熱線反射膜、面発熱
体等今日の技術の最先端の製品分野に広く利用されてい
る。 −このような透明導電膜は大別して金属薄膜
タイプと酸化物薄膜タイプとすることができるが、金属
薄膜タイプは金、パラジウム等を数百１の厚みに蒸着し
たもので、導電性はよいが透明性が悪い。
フィルム等の透過盤画像作成の電子写真記録体、ＫＬ、
液晶あるいはエレクトロクロミック、プラズマディスプ
レー、ＰＬＺＴ専のディスプレイ用電極、透明スイッチ
、静電遮蔽材、帯電防止材あるいは熱線反射膜、面発熱
体等今日の技術の最先端の製品分野に広く利用されてい
る。 −このような透明導電膜は大別して金属薄膜
タイプと酸化物薄膜タイプとすることができるが、金属
薄膜タイプは金、パラジウム等を数百１の厚みに蒸着し
たもので、導電性はよいが透明性が悪い。
一方酸化物薄膜タイブには既に述べ九ＩＴＯ膜、二酸化
錫透明導電性膜の外に酸化カドミウムと二酸化錫からな
る透明導電性膜（所８１１ＩＣＴｏ膜）等がある。当該
Ｃ１０膜の導電性はほぼ工ＴＯ膜に匹敵する程度に作成
できるが膜厚が厚くなると光の吸収端嘆より約１桁程小
さく、導電性が悪いという欠点がある。
錫透明導電性膜の外に酸化カドミウムと二酸化錫からな
る透明導電性膜（所８１１ＩＣＴｏ膜）等がある。当該
Ｃ１０膜の導電性はほぼ工ＴＯ膜に匹敵する程度に作成
できるが膜厚が厚くなると光の吸収端嘆より約１桁程小
さく、導電性が悪いという欠点がある。
工ＴＯ膜は化学的安定性では前記二酸化錫透明導電性膜
に若干劣るが、透明導′＃を膜としての生館である導電
性および透明性が優れており、しかもパターン化が容易
であるのでその用途は今日最も広い。
に若干劣るが、透明導′＃を膜としての生館である導電
性および透明性が優れており、しかもパターン化が容易
であるのでその用途は今日最も広い。
従来用いられているＩＴＯ膜の製造方法には化学、的製
法と物理的製法がある。
法と物理的製法がある。
化学的製法は四に細別すると塗布法、スプレー法あるい
はＯＶＤ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）法等があるが、一般に膜を付設する基
板を５００〜６００℃の温度に保つ必要があり、基板の
選択、及び生産性の面で好しくない。
はＯＶＤ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）法等があるが、一般に膜を付設する基
板を５００〜６００℃の温度に保つ必要があり、基板の
選択、及び生産性の面で好しくない。
一方物理的製法には、ＲＩＦイオンプレーテング法、Ｒ
Ｆスパッターリング法及び真空蒸着法等の櫨々の方法が
あるが、ＲＦイオンプレーテング法は、イオン化電極物
質のＩＴＯ膜への混入が起り易く、また蒸着物質蒸気の
濃度が高くないとイオン化が起らず、蒸着速度の制−が
困難であるなどの欠点がある。またＲＦスパッターリン
グ法は蒸着物質を厚みのある大きなプレート（ターゲッ
トと称される）に仕上げ、該ターゲットをイオン化した
アルゴン等でボンバードし基板に蒸着物質を蒸着させる
方法であるが、使用中ターゲットの酸化度が変化し再現
性が問題となるのでもし常に新しいターゲットを使用し
再現性を保つとするとターゲットのロスが大きくなるな
どの欠点がある。
Ｆスパッターリング法及び真空蒸着法等の櫨々の方法が
あるが、ＲＦイオンプレーテング法は、イオン化電極物
質のＩＴＯ膜への混入が起り易く、また蒸着物質蒸気の
濃度が高くないとイオン化が起らず、蒸着速度の制−が
困難であるなどの欠点がある。またＲＦスパッターリン
グ法は蒸着物質を厚みのある大きなプレート（ターゲッ
トと称される）に仕上げ、該ターゲットをイオン化した
アルゴン等でボンバードし基板に蒸着物質を蒸着させる
方法であるが、使用中ターゲットの酸化度が変化し再現
性が問題となるのでもし常に新しいターゲットを使用し
再現性を保つとするとターゲットのロスが大きくなるな
どの欠点がある。
真空蒸着法は一つの方法として酸素ガス中で、金属イン
ジウム、金属錫あるいはそれらの合金を蒸着物質とする
蒸発源をに気的な抵抗加熱によって熔融蒸発させ、この
蒸気を基板に蒸着する金属蒸発方法がとられる。従って
熔融したインジウム、及び錫はその融点あるいは沸点の
麿から低融点又は低沸点のものが優先して蒸発し漸次祷
発源の組成変化を起すとか、一般的に酸化不足となり易
く低級酸化物が蒸着されるため透明度、及び導電性の悪
い膜が形成されるという欠点がある。また他の方法とし
て上記並属に代えて酸化インジウム、及び酸化錫あるい
けそれらの混合物を用いる酸化物蒸発方法では、抵抗加
熱によって還元が起り低酸化物が蒸着され、また抵抗加
熱電極の成分例えばモリブデン、タンタル或はタングス
テンが高温加熱によって蒸発し、蒸着膜に混入して、透
明度、及び導電性の悪化を起すという欠点がある。
ジウム、金属錫あるいはそれらの合金を蒸着物質とする
蒸発源をに気的な抵抗加熱によって熔融蒸発させ、この
蒸気を基板に蒸着する金属蒸発方法がとられる。従って
熔融したインジウム、及び錫はその融点あるいは沸点の
麿から低融点又は低沸点のものが優先して蒸発し漸次祷
発源の組成変化を起すとか、一般的に酸化不足となり易
く低級酸化物が蒸着されるため透明度、及び導電性の悪
い膜が形成されるという欠点がある。また他の方法とし
て上記並属に代えて酸化インジウム、及び酸化錫あるい
けそれらの混合物を用いる酸化物蒸発方法では、抵抗加
熱によって還元が起り低酸化物が蒸着され、また抵抗加
熱電極の成分例えばモリブデン、タンタル或はタングス
テンが高温加熱によって蒸発し、蒸着膜に混入して、透
明度、及び導電性の悪化を起すという欠点がある。
以ヒ述べた真空蒸着法の欠点を改善するため、抵抗加熱
に代えて電子銃によって、酸化インジウム及び二酸化錫
からなる蒸発源に電子ビームを照射することによって昇
華し、昇華した蒸気を２５０℃以上に保った基板に蒸着
し、還元を抑え且つ異種金属の混入を起すことなく良好
な工ＴＯ膜を製造する方法が提亥された。
に代えて電子銃によって、酸化インジウム及び二酸化錫
からなる蒸発源に電子ビームを照射することによって昇
華し、昇華した蒸気を２５０℃以上に保った基板に蒸着
し、還元を抑え且つ異種金属の混入を起すことなく良好
な工ＴＯ膜を製造する方法が提亥された。
しかし基板を２５０℃以上に保つことは透明材料として
はガラス、特殊合成樹脂等極めて限られた材料しか基板
として採用する−ことができないなど製造上の制約のみ
ならず、工ＴＯ膜の用途を着しく狭める結果を招くとか
、真空中で基板温度を２５０℃に保つことはＩＴＯ膜の
性能上又は製造工程の能率の点で好ましくなく、基板温
度を高温にすることは、側壁等からの不純物の混入を招
き、かつ昇温及び冷却時間のロスを招くとか、さらに基
板を２５０℃以下に保って蒸着した場合には、蒸着後酸
素ガス中或は空気中で酸些再処理を行い低級酸化物を酸
化し、透明性、及び導電性を向上させる補完の工程を追
加する必要があるなどの多くの欠点が残る。
はガラス、特殊合成樹脂等極めて限られた材料しか基板
として採用する−ことができないなど製造上の制約のみ
ならず、工ＴＯ膜の用途を着しく狭める結果を招くとか
、真空中で基板温度を２５０℃に保つことはＩＴＯ膜の
性能上又は製造工程の能率の点で好ましくなく、基板温
度を高温にすることは、側壁等からの不純物の混入を招
き、かつ昇温及び冷却時間のロスを招くとか、さらに基
板を２５０℃以下に保って蒸着した場合には、蒸着後酸
素ガス中或は空気中で酸些再処理を行い低級酸化物を酸
化し、透明性、及び導電性を向上させる補完の工程を追
加する必要があるなどの多くの欠点が残る。
本発明の目的は、真空蒸着法による透明導也性工Ｔｏ膜
の製造工程において、基板加熱の必要性を除くことによ
って、真空中での加熱工程及び冷却工程を不要とし、ま
た基板材料の償択の自由度を大きくし１かつ酸化再処理
を要する低酸化物の発生、不純物混入の恐れのない、し
かも性能のすぐれた透明導電性ＩＴＯ膜の生産性の高い
製造方法を提供することにある。
の製造工程において、基板加熱の必要性を除くことによ
って、真空中での加熱工程及び冷却工程を不要とし、ま
た基板材料の償択の自由度を大きくし１かつ酸化再処理
を要する低酸化物の発生、不純物混入の恐れのない、し
かも性能のすぐれた透明導電性ＩＴＯ膜の生産性の高い
製造方法を提供することにある。
と＼に述べた本発明の目的は、真空槽内において、酸化
インジウム及び二酸化揚を蒸着物質とする蒸発源を蒸発
せしめ、基板上に前記蒸着＊質を蒸有する透明導電膜の
製造方法において、＠配蒸着物質をシ子ビーム照射によ
って昇華させ、活性酸素及び酸素イオンを含む活性ガス
の存在下に基板上に蒸着させることを特徴とする透明導
電膜の製造方法によって達することができる。
インジウム及び二酸化揚を蒸着物質とする蒸発源を蒸発
せしめ、基板上に前記蒸着＊質を蒸有する透明導電膜の
製造方法において、＠配蒸着物質をシ子ビーム照射によ
って昇華させ、活性酸素及び酸素イオンを含む活性ガス
の存在下に基板上に蒸着させることを特徴とする透明導
電膜の製造方法によって達することができる。
以Ｆに、本発明を図面に基いて具体的に説明する。
第１図は上記概念図であって、１・項において１１は真
空槽であって、ペルジャーとして現している。
空槽であって、ペルジャーとして現している。
１２は所定の蒸着物質からなる蒸発源、１２１は当該蒸
発源１２を入れるボートである。１２２は蒸発源１２を
基板１３に対して覆ったシャッターである。蒸発源１２
から放射される蒸着物質は浮＃流動することがないので
、ボート１２１と基板１３を底面として想定される立体
のシャッター１２２位置の断面の広さがあれば充分であ
る。
発源１２を入れるボートである。１２２は蒸発源１２を
基板１３に対して覆ったシャッターである。蒸発源１２
から放射される蒸着物質は浮＃流動することがないので
、ボート１２１と基板１３を底面として想定される立体
のシャッター１２２位置の断面の広さがあれば充分であ
る。
１４は酸素放電管、であって、ペルジャー１１の側壁或
は床面において、前記放電管で生成される活性ガス及び
酸素イオンを含む活性ガスを基板１３に供給するのに都
合のよい位置に設ける。１４１はグロー放１１Ｌ部であ
って、放電電流を最適に調整して当該放電管内を通過す
る酸素を活性化する。尚酸素放電管１４に供給されるガ
スは酸素ガスあるいは酸素を含んだ蒸着膜に無害なガス
例えば空気等である。
は床面において、前記放電管で生成される活性ガス及び
酸素イオンを含む活性ガスを基板１３に供給するのに都
合のよい位置に設ける。１４１はグロー放１１Ｌ部であ
って、放電電流を最適に調整して当該放電管内を通過す
る酸素を活性化する。尚酸素放電管１４に供給されるガ
スは酸素ガスあるいは酸素を含んだ蒸着膜に無害なガス
例えば空気等である。
酸素放電管１４の構造の一例を第２図に示した。
ガス人口２１を有する筒状の一方の電極部材２２と、こ
の一方の電極部材２２を一端に設けた、放電空間２３を
囲続する例えばガラス製の筒状の放電空間部材２４と、
この放電空間部材２４の他端に設けた、出口２５を有す
るリング状の他方の電極部材２６とより成り、図示の例
における放４ ”ｌ ｉｍ１部材２４は、二車管（１４
造であって冷却水を流過せしめ得る構成を４４する。２
７．２８はそれぞれ冷却水人口及び冷却水出口、２９は
一方の電極部材２２の冷却用フィンを示す。
の一方の電極部材２２を一端に設けた、放電空間２３を
囲続する例えばガラス製の筒状の放電空間部材２４と、
この放電空間部材２４の他端に設けた、出口２５を有す
るリング状の他方の電極部材２６とより成り、図示の例
における放４ ”ｌ ｉｍ１部材２４は、二車管（１４
造であって冷却水を流過せしめ得る構成を４４する。２
７．２８はそれぞれ冷却水人口及び冷却水出口、２９は
一方の電極部材２２の冷却用フィンを示す。
酸素数′ぼ肯１４の機能は酸素ガスを活性化し、粘性酸
素及び酸素イオンを含む活性ガスを生成しこれをペルジ
ャー１１の中に供給することにあるので、前記放電管１
４の放−郡１４１は、ＲＦ電圧を利用した賦活機構ある
いはイオン発生機ヤ４等とすることができる。
素及び酸素イオンを含む活性ガスを生成しこれをペルジ
ャー１１の中に供給することにあるので、前記放電管１
４の放−郡１４１は、ＲＦ電圧を利用した賦活機構ある
いはイオン発生機ヤ４等とすることができる。
第１図に戻り、１５はペルジャー１１の排気口であって
、咽系放屯官１４からのガス供給とペルジャー１１内で
のガス消耗敬にバランスｌ〜で排気し、ペルジャー１１
内を所定の酸素ガス分圧に保つ。
、咽系放屯官１４からのガス供給とペルジャー１１内で
のガス消耗敬にバランスｌ〜で排気し、ペルジャー１１
内を所定の酸素ガス分圧に保つ。
１６は基板１３に近接あるいは接触して設けたＲ挨電惨
で、ペルジャー１１の外部に設けた′峨源１６１に繋が
り、ｔａ源１６１の他端はアースされている。背後電極
１６は直流電圧Ｏ〜−１０ＫＶ、あるいは交流電圧、０
〜５ＫＶの範囲で電圧印加される。
で、ペルジャー１１の外部に設けた′峨源１６１に繋が
り、ｔａ源１６１の他端はアースされている。背後電極
１６は直流電圧Ｏ〜−１０ＫＶ、あるいは交流電圧、０
〜５ＫＶの範囲で電圧印加される。
１７はヒーターであって、低温度範囲での基板１３のＩ
Ａｉ［調節に用いられる。
Ａｉ［調節に用いられる。
以上述べた工ＴＯ膜製造装置に於て、ボー）、１２１に
酸化インジウム及び二酸化錫から成る蒸＠源例えば二畝
化錫０．３〜４０重を壬を含む酸化インジウムとの混合
物を均一に混合し加圧成形した酸化インジウム、二ば化
錫タブレット（工Ｔｏタブレット）を入れ、ペルジャー
１１を排気し、酸素放電管１４から酸素ガス或は含酸素
ガスをグロー放電部１４１によって活性化して供給し、
ペルジャー１１内の興空度を１０〜ＩＱ ｔｏｒｒ 、
より好しくは１０〜１０ ｔｏｒｒにし、電子銃（図示
せず）からの電子ビームで工Ｔｏタブレットを照射し、
背後電極に前述した印加電圧範囲、好しくけ−１〜−５
ＫＶの直流電圧を印加する。ＩＴＯタブレットの昇華状
況が所定の状輻に定率化した時点でシャッタ１２２を開
いて蒸着に入る。伺蒸発源を複数菌膜け、各々別個に昇
華蒸着させ、複層ＩＴＯ膜、あるいは膜ｌ−上下で連続
的に組成変化し九ＩＴＯ膜を作成し、■ＴＯ膜の構成制
御、ヒリえば上１−に二酸化錫を多く含ませて耐熱性の
向上等を行うことができる。このような蒸宥状況におい
て、蒸発源１２に電子ビームを照射して蒸＠源物實を相
補せしめると共に、酸素放電管１４に酸素ガスを供給し
ながら、例えば第２図の例において一方の電極部材２２
を員電位（例えば−６００Ｖ ）とし及び他方の電極部
材２６をアース電位として放電せしめると、この酸素放
電管１４よシ、酸素ガスが活性化され、各棟の活性酸素
、酸素イオン及び電子等を含む活性ガスが生成されペル
ジャー１１偽に導入される。ペルジャー１１内において
は、導入された活性ガスの存在下に基板１３上に工Ｔｏ
タブレット蒸発流が堆積してＩＴＯ膜が形成される。こ
のとき基板の背後電極１６には既述の通り−１〜−５Ｋ
Ｖｐ直流電圧が印加される前記蒸発流を前記活性酸素ガ
スと共に基板１３面に誘導して基板１３との接着性、構
造の緻密性等の点ですぐれた蒸層層を形成できるように
している。又前記背後電極１６はペルジャー１１にグロ
ー放電を生起せしめることもでき、これによって前記活
性ガス中の活性化されていないＭ素を活性化するとか、
酸素イオンと電子とが再結合して不活性化されたものを
再び活性化するとか、工Ｔｏ蒸気流を活性化し、基板１
３上により幼果的な蒸着層を形成するようにすることが
できる。
酸化インジウム及び二酸化錫から成る蒸＠源例えば二畝
化錫０．３〜４０重を壬を含む酸化インジウムとの混合
物を均一に混合し加圧成形した酸化インジウム、二ば化
錫タブレット（工Ｔｏタブレット）を入れ、ペルジャー
１１を排気し、酸素放電管１４から酸素ガス或は含酸素
ガスをグロー放電部１４１によって活性化して供給し、
ペルジャー１１内の興空度を１０〜ＩＱ ｔｏｒｒ 、
より好しくは１０〜１０ ｔｏｒｒにし、電子銃（図示
せず）からの電子ビームで工Ｔｏタブレットを照射し、
背後電極に前述した印加電圧範囲、好しくけ−１〜−５
ＫＶの直流電圧を印加する。ＩＴＯタブレットの昇華状
況が所定の状輻に定率化した時点でシャッタ１２２を開
いて蒸着に入る。伺蒸発源を複数菌膜け、各々別個に昇
華蒸着させ、複層ＩＴＯ膜、あるいは膜ｌ−上下で連続
的に組成変化し九ＩＴＯ膜を作成し、■ＴＯ膜の構成制
御、ヒリえば上１−に二酸化錫を多く含ませて耐熱性の
向上等を行うことができる。このような蒸宥状況におい
て、蒸発源１２に電子ビームを照射して蒸＠源物實を相
補せしめると共に、酸素放電管１４に酸素ガスを供給し
ながら、例えば第２図の例において一方の電極部材２２
を員電位（例えば−６００Ｖ ）とし及び他方の電極部
材２６をアース電位として放電せしめると、この酸素放
電管１４よシ、酸素ガスが活性化され、各棟の活性酸素
、酸素イオン及び電子等を含む活性ガスが生成されペル
ジャー１１偽に導入される。ペルジャー１１内において
は、導入された活性ガスの存在下に基板１３上に工Ｔｏ
タブレット蒸発流が堆積してＩＴＯ膜が形成される。こ
のとき基板の背後電極１６には既述の通り−１〜−５Ｋ
Ｖｐ直流電圧が印加される前記蒸発流を前記活性酸素ガ
スと共に基板１３面に誘導して基板１３との接着性、構
造の緻密性等の点ですぐれた蒸層層を形成できるように
している。又前記背後電極１６はペルジャー１１にグロ
ー放電を生起せしめることもでき、これによって前記活
性ガス中の活性化されていないＭ素を活性化するとか、
酸素イオンと電子とが再結合して不活性化されたものを
再び活性化するとか、工Ｔｏ蒸気流を活性化し、基板１
３上により幼果的な蒸着層を形成するようにすることが
できる。
かくして形成される蒸着膜は酸素が充分１％４／、で混
入された蒸発源物質を組成とするものであり、酸化イン
ジウムと二酸化嶋とからなるＩＴＯｐ明導電膜が形成さ
れる。
入された蒸発源物質を組成とするものであり、酸化イン
ジウムと二酸化嶋とからなるＩＴＯｐ明導電膜が形成さ
れる。
しか龜基板１３は、製造装置に基板移送機構と該機構の
ためのスペースを設ければ移送可能であり、連続して或
は間欠的に移送することによって、連続生産システムを
組むことが可能であって生産性は著しく高くなる。
ためのスペースを設ければ移送可能であり、連続して或
は間欠的に移送することによって、連続生産システムを
組むことが可能であって生産性は著しく高くなる。
又既述のように、基板１３を加熱することは不要である
から、熱に弱いものであっても基板１３として用いるこ
とができ、ガラス板、金属又は樹脂の板およびシート、
或いはこれらにアモルファスシリコン等の所望の表層を
設は丸ものを基板１３として用いてこれに透明導電膜を
形成することができる。
から、熱に弱いものであっても基板１３として用いるこ
とができ、ガラス板、金属又は樹脂の板およびシート、
或いはこれらにアモルファスシリコン等の所望の表層を
設は丸ものを基板１３として用いてこれに透明導電膜を
形成することができる。
本発明において、蒸着条件を変えることによってＩＴｏ
膜の性能を制御することができる。
膜の性能を制御することができる。
例えば基板１３の温度を３０°Ｇとして、グロー放電管
１４１の枚重′イ流を０〜ＩＡＫ ａって変化させると
、生成するＩＴｏ膜の性能を変化させることができ、放
電電流を０．５Ａとした時にえられる特性は、光透過率
８３％ ＜ ５０００Ｈの波長光）、シート抵抗ＩＫΩ
１０以下である。
１４１の枚重′イ流を０〜ＩＡＫ ａって変化させると
、生成するＩＴｏ膜の性能を変化させることができ、放
電電流を０．５Ａとした時にえられる特性は、光透過率
８３％ ＜ ５０００Ｈの波長光）、シート抵抗ＩＫΩ
１０以下である。
またＩＴＯタブレットの組成を変えることによっても工
Ｔｏ膜の特性は変化する。第３図にＩＴＯタブレットに
おいて二酸化−の含量を変えた時の、膜厚４００Ａに蒸
着したＩＴｏ膜のシート抵抗及び光ｆｉ過率の変化を示
した。横軸に二酸化−の含有重被チ、縦軸はシート抵抗
及び光透過率である。また耐久性試験として３００℃、
大気中１時間の熱処理結果を併記した。二酸化−の含量
と特性変化は図により明かである。熱処理の影響は二酸
化−が５淑−チ以下の場合、シート抵抗の劣化が顕著に
なるが、例えば液晶茂示装置の透明電極の熱劣化許容限
度ＩＫΩ１０を基準にすると３＠量チ以上の二酸化錫含
有範囲であればよい。
Ｔｏ膜の特性は変化する。第３図にＩＴＯタブレットに
おいて二酸化−の含量を変えた時の、膜厚４００Ａに蒸
着したＩＴｏ膜のシート抵抗及び光ｆｉ過率の変化を示
した。横軸に二酸化−の含有重被チ、縦軸はシート抵抗
及び光透過率である。また耐久性試験として３００℃、
大気中１時間の熱処理結果を併記した。二酸化−の含量
と特性変化は図により明かである。熱処理の影響は二酸
化−が５淑−チ以下の場合、シート抵抗の劣化が顕著に
なるが、例えば液晶茂示装置の透明電極の熱劣化許容限
度ＩＫΩ１０を基準にすると３＠量チ以上の二酸化錫含
有範囲であればよい。
その他の用途についても勘案して、二酸化−の含有曽は
０．３〜４０＊′ｔ＃、好しくは５〜２５チである。
０．３〜４０＊′ｔ＃、好しくは５〜２５チである。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例１
蒸着物質として、均一に混合し加圧成形した酸化錫含量
１０重ｔｑｂのＩＴＯタブレットを蒸発源のボートに入
れ、電子銃による電子ビーム照射により昇華させ、背後
電極に直流電圧マイナスＩＫＶを印加し、厚さ１７５μ
ｍのポリエチレンフタレートフィルムに蒸着する。基板
のポリエチレンフタレートフィルムは２５〜３０℃、グ
ロー放電部１４１に流れる電流０．７Ａ１真空度８Ｘ１
♂ｔｏｒｒ 、蒸着速度１２０Ａ ／ ｍｉｎで膜厚４
００Ａの１１’０ｈＩ１．を作った。見られたＩＴｏ膜
の５０００Ｘの波長に於るヒ通率８４チ、ノート抵抗６
００″／口 であった。
１０重ｔｑｂのＩＴＯタブレットを蒸発源のボートに入
れ、電子銃による電子ビーム照射により昇華させ、背後
電極に直流電圧マイナスＩＫＶを印加し、厚さ１７５μ
ｍのポリエチレンフタレートフィルムに蒸着する。基板
のポリエチレンフタレートフィルムは２５〜３０℃、グ
ロー放電部１４１に流れる電流０．７Ａ１真空度８Ｘ１
♂ｔｏｒｒ 、蒸着速度１２０Ａ ／ ｍｉｎで膜厚４
００Ａの１１’０ｈＩ１．を作った。見られたＩＴｏ膜
の５０００Ｘの波長に於るヒ通率８４チ、ノート抵抗６
００″／口 であった。
実施例２
本発明は基板の加熱を必要としないものであるが、加熱
を禁忌するものではないので、ガラス基板を用い、基板
温度２００℃とした時の実施例を示す。
を禁忌するものではないので、ガラス基板を用い、基板
温度２００℃とした時の実施例を示す。
ガラス基板の温度を２００℃、真空度７ Ｘ １（ｌｔ
ｏｒｒ。
ｏｒｒ。
ＩＴｏ １１ｔｉの膜厚を１００（’ＩＡとした以外は
実施例１と同条件を用いた。えられた工ＴＯ膜の特性は
、’５（ｌｆｌｉ）Ａの波長に於る透過率８２チ、シー
ト抵抗１５０ＫＵ／。
実施例１と同条件を用いた。えられた工ＴＯ膜の特性は
、’５（ｌｆｌｉ）Ａの波長に於る透過率８２チ、シー
ト抵抗１５０ＫＵ／。
であった。
以上述べたことから明かな如く、先述した本梢明の目的
は完全に達成することができて、透明慢邂性ＩＴＯ膜の
低コスト計量形の製造方法瀘提供できた。
は完全に達成することができて、透明慢邂性ＩＴＯ膜の
低コスト計量形の製造方法瀘提供できた。
第１図は本発明の方法を実施する製造装置の一例の概念
図である。第２図は酸素放′を管の断面図である。第３
図は本発明によって見られるＩＴｏ膜の特性図である。 １１・・Φペルジャー（真空槽″）Ｘ １２−・蒸発源
、１３・・・基板、１４・・・酸素枚ぼ管、１５・・・
排気口、１６・参−背？４：電極、代理人 東 原 義
犬 第１閉 市２胆 ｍ−シート括４九 一一一 透過率（５０００人） ０： 煕処工！なシ ｂ： 熱処理（５００”Ｃ，１吟閉、大気中）手続補
正書 ＩＭ＋和５７年１２１１２２１１ 特／Ｉ’ Ｉｉ長１゛１゛ 若杉和夫殿１ ・ＩＩ
イ′１ の １２ 弓・昭４１＋ ５６ ？ｔ＜特ａ
’ｆ ’ｄ（ｉ ７ｈＳ １５７０９９ ’ｊ２
発明の７１Ｖ１・ 透明導ｉｉＥ！ＩＩの製造方法 ” ｈｌｉ ＩＥ ｙ Ｉる８ ・１１１″１・との関係 特許出願人 任 所 東京都Ｉｔ １？ｉ区西新宿１ ”Ｉ’ １
１２６番２１」・ｆ、 Ｍ・ （１２７）小西六写ｓ
：ｙ ＝ｔ’、業株式会子１代ノ諏締役川本信用 ４代理人 〒１９１ １、Ｉ： 所 東帛都１１野市さくら町１市地小西
７“、写真１朶株式会社内 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、 補正の内容 （イ） 「発明の詳細な説明」の欄を下記の如く訂正す
る。 （１）第７頁第１１行目の「・・・よい位置に設ける。 １４１はグロー」を「・・・のよい位ａｌ＆（：設ける
。 伺えば第１図に示すように真空槽（第１図テハベルジャ
ー）１１の外忙設ける。このように放電管１４は真空槽
１１の外に設けられると、例えば第２図に示すように冷
却水（２′７から公へ流れる）や冷却用ファン９等釦よ
り、放電時の発熱による１４の劣化を効率よく防止ｔき
るし、又、例えば冷却水を用いた冷却方法によりても、
１４が真空槽外にあると、水もれ等が起った場合でも真
空槽１１の汚染や真空度の低下等がない。１４１ ｉｆ
グロー」と訂正する。 （２）第１４頁５行目のｒ’シー）抵抗１５０ ＫＱｌ
ｏＪを「シート抵抗１５０Ω／口」と訂正する。
図である。第２図は酸素放′を管の断面図である。第３
図は本発明によって見られるＩＴｏ膜の特性図である。 １１・・Φペルジャー（真空槽″）Ｘ １２−・蒸発源
、１３・・・基板、１４・・・酸素枚ぼ管、１５・・・
排気口、１６・参−背？４：電極、代理人 東 原 義
犬 第１閉 市２胆 ｍ−シート括４九 一一一 透過率（５０００人） ０： 煕処工！なシ ｂ： 熱処理（５００”Ｃ，１吟閉、大気中）手続補
正書 ＩＭ＋和５７年１２１１２２１１ 特／Ｉ’ Ｉｉ長１゛１゛ 若杉和夫殿１ ・ＩＩ
イ′１ の １２ 弓・昭４１＋ ５６ ？ｔ＜特ａ
’ｆ ’ｄ（ｉ ７ｈＳ １５７０９９ ’ｊ２
発明の７１Ｖ１・ 透明導ｉｉＥ！ＩＩの製造方法 ” ｈｌｉ ＩＥ ｙ Ｉる８ ・１１１″１・との関係 特許出願人 任 所 東京都Ｉｔ １？ｉ区西新宿１ ”Ｉ’ １
１２６番２１」・ｆ、 Ｍ・ （１２７）小西六写ｓ
：ｙ ＝ｔ’、業株式会子１代ノ諏締役川本信用 ４代理人 〒１９１ １、Ｉ： 所 東帛都１１野市さくら町１市地小西
７“、写真１朶株式会社内 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、 補正の内容 （イ） 「発明の詳細な説明」の欄を下記の如く訂正す
る。 （１）第７頁第１１行目の「・・・よい位置に設ける。 １４１はグロー」を「・・・のよい位ａｌ＆（：設ける
。 伺えば第１図に示すように真空槽（第１図テハベルジャ
ー）１１の外忙設ける。このように放電管１４は真空槽
１１の外に設けられると、例えば第２図に示すように冷
却水（２′７から公へ流れる）や冷却用ファン９等釦よ
り、放電時の発熱による１４の劣化を効率よく防止ｔき
るし、又、例えば冷却水を用いた冷却方法によりても、
１４が真空槽外にあると、水もれ等が起った場合でも真
空槽１１の汚染や真空度の低下等がない。１４１ ｉｆ
グロー」と訂正する。 （２）第１４頁５行目のｒ’シー）抵抗１５０ ＫＱｌ
ｏＪを「シート抵抗１５０Ω／口」と訂正する。
Claims (1)
- 真空槽内において、酸化インジウム及び二酸化錫を蒸着
物質とする蒸発源を蒸発せしめ、基板上に前記蒸着物質
を蒸着する透明導電膜の製造方法において、前記蒸着物
質を電子ビーム照射によって昇華させ、活性Ｍ素及び酸
素イオンを含む活性ガスの存在下に基板上に蒸着させる
ことを特徴とする透明導電性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15709981A JPS5859509A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15709981A JPS5859509A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5859509A true JPS5859509A (ja) | 1983-04-08 |
Family
ID=15642214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15709981A Pending JPS5859509A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5859509A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264003A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-17 | Asahi Optical Co Ltd | 光学製品のコ−ト膜 |
| JPS6415718A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display element |
-
1981
- 1981-10-01 JP JP15709981A patent/JPS5859509A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264003A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-17 | Asahi Optical Co Ltd | 光学製品のコ−ト膜 |
| JPS6415718A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toppan Printing Co Ltd | Liquid crystal display element |
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