JPS586131A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents

電子ビ−ム露光方法

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Publication number
JPS586131A
JPS586131A JP56104018A JP10401881A JPS586131A JP S586131 A JPS586131 A JP S586131A JP 56104018 A JP56104018 A JP 56104018A JP 10401881 A JP10401881 A JP 10401881A JP S586131 A JPS586131 A JP S586131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
marks
wafer
electron beam
irradiated
chips
Prior art date
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Application number
JP56104018A
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English (en)
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JPH0328049B2 (ja
Inventor
Takayuki Miyazaki
宮崎 隆之
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS586131A publication Critical patent/JPS586131A/ja
Publication of JPH0328049B2 publication Critical patent/JPH0328049B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045Object or beam position registration

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子ビームの露光方法に係り、41にウェハー
に形成した位置合せマークにより露光を行うようにした
電子ビーム露光方法に関する。
従来の電子ビーム露光方法は一般には電子銃より放出さ
れた電子ビームを集束及び偏向レンズ系を通じて、ウェ
ハー等の被照射物を露光している。
第1図につい【詳記すると、電子銃1より放出した電子
ビーム2はビームブランキングコイル3を通じて集束用
の第1.第2及び第3のコンデンサ1/7.IIe4 
、5 、6を経て終段V7Je7のア/臂−チャを通過
したのち、偏向フィル等の偏向レンズ系8で電子ビーム
2を偏向させて被照射物9に電子ビームを照射する。
更に、テレタイプ等の人力信号12を計算機13に与え
、#計算機゛で=ントロー化される走査制御部14より
の制御信号をブランキング回路11SK加え、#ブラン
キング回路よりのプランキンダノ臂ルスなビームブラン
キングコイル3に与えている。
又、偏向コイル9には偏向増幅器16に鋸歯状波を与え
て電子ビーム2を偏向する。
更に計算機13よりの出力を毫−タ躯動−路17に与え
【パルスモータ18等の毫−夕を駆動して被照射物9を
載置した載量台勢な移動させ【いる。
被照射物9はウェハーの鳩舎、誼つェハー上に塗布した
レジストを電子ビームで露光する時に露光される領域に
は限界があるため通常°は第2図のようにチップ19毎
にマーク20を付して、これらチップのマークを検出す
ることでチップ位置及び1転に関する記号を電子ビーム
走査系等KfIlk遺していた。
このよ5にしてウェハー9のチップの位置づれや回転ず
れの補正が行なわれていたがこのような構成によるとチ
ップ毎にマークを付けなければならず高集積化が出来な
いだけでなくチップ毎に位置検出するため検出時間が長
くなる欠点を有していた。
本発明は上述の欠点を除去した電子ビーム電光方法を提
供するものでありその目的とするところはチップ毎に位
置合せ処理を行うことなくウェハー上に5ケ所の位置合
せマークを付加してこれら1−りを基準として位置合せ
を行うよ5Kした電子ビーム露光方法を得ようとするも
のである。
以下本発明の1実施例を#I3図乃至第6図について詳
記する。
第3図は本発明の被照射物9を示すものでウェハー上の
各チップ19上の5ケ所に中心22の検出が出来るよう
なマーク21a、21b*2IC。
21d、21eを付加する。即ち、十字朧にウェハー上
に選択された5つのチッ′f19には第4図に示すよう
に2つの対角線で構成したX字状マーク2.1a〜21
eが形成され骸マークは第4図A−A断面矢視図の第5
図に示すようK例えば幅1゜μ×深さ1μ程度の#$2
3を刻般し2つの対角−の交点22をマーり21a、2
1b、21c。
21d、21eの中心とする。
上述のように5つのチップ19にマーク211〜21e
をつけたウェハー9即ち被照射物を露光のために載置台
上に乗せて電子ビーム偏向をさせる動作を第6図につい
て説明する。
第6図は本発明の電子ビーム露光装置の1実施例を示す
ものであるが第1図と同一部分には同じ符号を付して重
複説明は省略する。被照射物のウェハー9上の5つのチ
ッfにつけられたマーク21a〜218に照射された電
子ビーム2は2次電子等を発生する。該2次電子をシン
チレータ等の反射電子検出器24で検出し、2次−子を
光変換するためにホトマルチプライヤ25を通した信号
をアナ驕グ デジタル変換回路尋の信号処理回路26で
デジタル変換したのちに計算機13に送る。計算機13
ではウェハーのX軸方向のマーク21a、21bにより
載置台30系に対するウェハー9の回転角eを求める。
次に計算機13へ人力信号12として人力されたマーク
21a、21b間の設計値t、xに対するウェハーの伸
び△LXを求める。更にウェハーのY軸方向のマーク2
1c。
21dKよってマーク21c、21a間の距11Lyを
求めてウェハー9のY軸方向の伸びΔLyを求める。か
くすることでY軸方向とX軸方向のチップの直交度△e
が求められる。これらのファクタを持つ検出信号成分は
偏向増幅回路16よりの出力と計算機13で比較されて
走査位置の位置ずれ量及び回転角度eを算出し、この結
果を偏向制御補正回路29を介して偏向コイルに加えて
ウェハー9に補正された偏向ビームを照射して露光させ
る。
偏向フィールドを2mm口で露光したとして次のフィー
ルドを露光するためにはパルスモータ18により載置台
30をXY軸方向に移動させレーデ 5− 干渉針等の銅長@27を介して上記載置台30の移動量
を測定しなから載置台30を移動させる。
この段階で偏向系と載置台の移動系の整合処理を行うた
めにムLx/Lx+ΔLr/ Lr 、 e等の値を加
味して両系の補正を行うことは勿論である。
又露光をする時は例えばマーク211のついたチップを
中心にオフセット量を定めて各チップ19を露光させ、
チップ間のY軸方向の移動には直交度△0を加味する。
又電子ビーム畔のドリフトの問題を解決するためには一
定時間おき忙中心のチップ19のマーク21eでオフセ
ット量を求めて補正を行うよ5にすればよい。
以上詳細に説明したように本発明による電子ビーム露光
方法は位置合せマークとしてウェハー中の5つのチップ
を除いてすべてのチップにペンチマークを付す必要がな
いために集積度が高められるだけでなく高精度を維持し
ながらマーク検出時の露光速度を速めることが出来る特
徴を有するものである。
【図面の簡単な説明】
6− 第1図は従来の電子ビーム露光方法の位置合せ方法を説
明するための説明図、第2図は従来の被照射物(ウェハ
ー)の位置会せマークを示すウェハーの平面図、第3図
は本発−のウェハー位置合せマークの説明図、第4図は
第3図中のウェハーのマーク拡大図、第5図は第4図の
A−人断面矢視図、第6図は本発明の電子ビーム露光方
法を説明するための系統図である。 1・・・電子銃、2・・・電子ビーム、3・・・ビーム
ブランキ/グプイル、4.5.6・・・コンデンサレン
ズ。 8・・・偏向レンズ、9・・・被照射物(ウェハー)。 13・・・計算機、14・・・走査制御部、1B・・・
I#ルスモータ、25・・・反射電子検出器、26・・
・信号処理回路、28・・・検出回路、29・・・補正
回路。 7−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電子銃より発射された電子ビームでウエノ・−等の被照
    射物を露光させる露光方法に於て、上記ウェハーの5つ
    のチップにマークを形成し、該マークを電子ビーム走査
    することでウェハーの伸び。 回転角及びまたはチップの直交度を求めこれら値に基づ
    く補正信号によって電子ビームの偏向系及び被照射物載
    置台の移動を制御して露光を行うことを特徴とする電子
    ビーム露光方法。
JP56104018A 1981-07-03 1981-07-03 電子ビ−ム露光方法 Granted JPS586131A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56104018A JPS586131A (ja) 1981-07-03 1981-07-03 電子ビ−ム露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56104018A JPS586131A (ja) 1981-07-03 1981-07-03 電子ビ−ム露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS586131A true JPS586131A (ja) 1983-01-13
JPH0328049B2 JPH0328049B2 (ja) 1991-04-17

Family

ID=14369513

Family Applications (1)

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JP56104018A Granted JPS586131A (ja) 1981-07-03 1981-07-03 電子ビ−ム露光方法

Country Status (1)

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JP (1) JPS586131A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5452223A (en) * 1977-10-03 1979-04-24 Toyota Motor Corp Exhaust gas recirculating system for operation of internal-combustion engine at high ground
JPS5538117U (ja) * 1978-08-30 1980-03-11

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5452223A (en) * 1977-10-03 1979-04-24 Toyota Motor Corp Exhaust gas recirculating system for operation of internal-combustion engine at high ground
JPS5538117U (ja) * 1978-08-30 1980-03-11

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Publication number Publication date
JPH0328049B2 (ja) 1991-04-17

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