JPH0638329B2 - 集束イオンビーム走査方法 - Google Patents
集束イオンビーム走査方法Info
- Publication number
- JPH0638329B2 JPH0638329B2 JP61310243A JP31024386A JPH0638329B2 JP H0638329 B2 JPH0638329 B2 JP H0638329B2 JP 61310243 A JP61310243 A JP 61310243A JP 31024386 A JP31024386 A JP 31024386A JP H0638329 B2 JPH0638329 B2 JP H0638329B2
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- Japan
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- ion beam
- focused ion
- dot
- scanned
- scanning
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、フォーカス，イオンビーム装置における、
イオンビームのマスクスキャン方法に関する。
イオンビームのマスクスキャン方法に関する。
〔発明の概要〕 この発明はフォーカス，イオンビーム装置における、イ
オンビームのスキャン方法において、マスク上スキャン
領域を狭くしてスキャンを行う場合、スキャンするマス
ク上のドットの間隔をおいて（以下間引いてと称する）
イオンビームを照射する事により、電子ビーム量を増大
する事なく、マスク上の電荷中和をはかるようにしたも
のである。
オンビームのスキャン方法において、マスク上スキャン
領域を狭くしてスキャンを行う場合、スキャンするマス
ク上のドットの間隔をおいて（以下間引いてと称する）
イオンビームを照射する事により、電子ビーム量を増大
する事なく、マスク上の電荷中和をはかるようにしたも
のである。
従来は、第７図に示すように、マスク上のスキャン領域
内を、Ｘ，Ｙ方向共に320 ドットに分割して、Ｘ(orY)
方向に１ドットずつ移動して、ビームを照射して、320
ドットの１ラインを終了すると、Ｙ（orX）方向に１ド
ット分移動して、Ｘ（orY）方向にまた、移動してビー
ム照射する。この繰り返にしより、Ｙ（orX）方向に320
ドット移動する事により、全ドットの照射を終了し、
１フレームのスキャンを終了する。
内を、Ｘ，Ｙ方向共に320 ドットに分割して、Ｘ(orY)
方向に１ドットずつ移動して、ビームを照射して、320
ドットの１ラインを終了すると、Ｙ（orX）方向に１ド
ット分移動して、Ｘ（orY）方向にまた、移動してビー
ム照射する。この繰り返にしより、Ｙ（orX）方向に320
ドット移動する事により、全ドットの照射を終了し、
１フレームのスキャンを終了する。
この時第８図に示すようにイオン源10より、イオンビー
ムをマスク上に照射し、同時に、イオン源近傍に配設さ
れている電子銃８よりイオンビーム照射量に合わせ電子
ビームを調節しながら照射して、マスク上の電荷の中和
をはかり、二次イオン検出器９で、二次イオンを検出す
る事により、マスク上のパターンを判読していた。例え
ば、特願昭60−182466号に同様なデジタルスキャン方法
が開示されている。
ムをマスク上に照射し、同時に、イオン源近傍に配設さ
れている電子銃８よりイオンビーム照射量に合わせ電子
ビームを調節しながら照射して、マスク上の電荷の中和
をはかり、二次イオン検出器９で、二次イオンを検出す
る事により、マスク上のパターンを判読していた。例え
ば、特願昭60−182466号に同様なデジタルスキャン方法
が開示されている。
しかし、従来のスキャン方法では、スキャンする面積内
のドットの数が一定であるので、パターン判読を鮮明に
するため、スキャン領域を狭くすると、マスク上の単位
面積当りのイオンビームの照射量が増大するため、電子
ビームによる電荷中和のバランスがとれなくなり、マス
ク上でチャージアップが起こり、二次イオンの検出がう
まくいかず、第４図に示すようにマスク上のパターンの
エッジ部分の判読が不正確で不鮮明なものとなってしま
う。このため電荷中和のバランスを取るために、電子ビ
ームを増大させる再調整が必要であった。このマスク上
のスキャン領域を狭くするたびに、電子ビーム量の再調
整が必要である所が従来方法の欠点であった。
のドットの数が一定であるので、パターン判読を鮮明に
するため、スキャン領域を狭くすると、マスク上の単位
面積当りのイオンビームの照射量が増大するため、電子
ビームによる電荷中和のバランスがとれなくなり、マス
ク上でチャージアップが起こり、二次イオンの検出がう
まくいかず、第４図に示すようにマスク上のパターンの
エッジ部分の判読が不正確で不鮮明なものとなってしま
う。このため電荷中和のバランスを取るために、電子ビ
ームを増大させる再調整が必要であった。このマスク上
のスキャン領域を狭くするたびに、電子ビーム量の再調
整が必要である所が従来方法の欠点であった。
そこでこの発明は、従来のこのような欠点を解決するた
めに、電荷中和のバランスをくずさずに、マスク上の狭
い領域でのパターンを判読することを目的としている。
めに、電荷中和のバランスをくずさずに、マスク上の狭
い領域でのパターンを判読することを目的としている。
上記の問題を解決するために、この発明は、マスク上を
スキャンする際、スキャン面積に比例してドットを間引
いて、イオンビームを照射しスキャンする事により、単
位面積／時間当りのイオンビーム照射量を変化させる事
なく、狭い領域のスキャンを行ない、マスク上のパター
ンの細部まで判読する事を可能とした方法である。
スキャンする際、スキャン面積に比例してドットを間引
いて、イオンビームを照射しスキャンする事により、単
位面積／時間当りのイオンビーム照射量を変化させる事
なく、狭い領域のスキャンを行ない、マスク上のパター
ンの細部まで判読する事を可能とした方法である。
上記のようなスキャン方法を行なう事により、広い領域
でマスクパターンを判読できるように、マスク上の電荷
中和を行った後、その中の１部のパターンを細部まで判
読したい場合に、電子ビームによる、電荷中和の再調整
をする事なく、パターンを判読する事が可能である。
でマスクパターンを判読できるように、マスク上の電荷
中和を行った後、その中の１部のパターンを細部まで判
読したい場合に、電子ビームによる、電荷中和の再調整
をする事なく、パターンを判読する事が可能である。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、通常スキャン領域を半分にした時の間引きス
キャン方法を図示したものである。スキャン領域を半分
にした場合、通常スキャン時の１ドットの面積に、４ド
ット分のイオンビームが照射する事になるが、これを通
常スキャン時の１ドット分の面積の1/4分割をして、そ
のイオンビーム照射順序を、1,2,3,4とし最初１の位置
に照射した後、次にＸ方向に移動し、２の位置にドット
を抜かして、次の１の位置に照射をし、この繰り返しで
次々に移動し、Ｘ方向の１ライン終了後、Ｙ方向に移動
し、３の位置のドットを抜かし、Ｙ方向の次の１の位置
のドットから、再びＸ方向に、１の位置へ照射を１ライ
ンを繰り返す。これをＹの１の位置のドット全部が終了
まで繰り返した所で、最初のドットに戻り、次の２の位
置の全ドットの照射を、１の位置のドットの照射と同様
に行なう。３，４の位置のドットについても同じように
行なう。
第１図は、通常スキャン領域を半分にした時の間引きス
キャン方法を図示したものである。スキャン領域を半分
にした場合、通常スキャン時の１ドットの面積に、４ド
ット分のイオンビームが照射する事になるが、これを通
常スキャン時の１ドット分の面積の1/4分割をして、そ
のイオンビーム照射順序を、1,2,3,4とし最初１の位置
に照射した後、次にＸ方向に移動し、２の位置にドット
を抜かして、次の１の位置に照射をし、この繰り返しで
次々に移動し、Ｘ方向の１ライン終了後、Ｙ方向に移動
し、３の位置のドットを抜かし、Ｙ方向の次の１の位置
のドットから、再びＸ方向に、１の位置へ照射を１ライ
ンを繰り返す。これをＹの１の位置のドット全部が終了
まで繰り返した所で、最初のドットに戻り、次の２の位
置の全ドットの照射を、１の位置のドットの照射と同様
に行なう。３，４の位置のドットについても同じように
行なう。
同様に２n（ｎ＝1,2,3,4……）分の１のスキャン領域を
判読する際は、２2n分割したドット位置に対して前記同
様方法で、Ｘ，Ｙ方向共に２nとびに、２2n回フレーム
スキャンを繰り返す事により、判読する事ができる。
判読する際は、２2n分割したドット位置に対して前記同
様方法で、Ｘ，Ｙ方向共に２nとびに、２2n回フレーム
スキャンを繰り返す事により、判読する事ができる。
以上、規則的に間引く方法を説明したが、本発明はマス
ク上のチャージアップを防ぐ事が目的として、イオンビ
ーム照射を間引くのであるから、アナログ的なスキャン
領域の縮小に対して、それに対応した間引き方法も可能
である 〔発明の効果〕 この発明は、以上説明したように、スキャン領域を狭く
して、マスクパターンを判読する場合、従来のように、
スキャン領域を狭くする毎に、電荷中和をする事なく、
マスク細部を判読する事ができる上に、従来のスキャン
速度に対して、２2n（ｎ＝1,2,3,……）分の１の時間
で、１画面のスキャンが終了するので、希望のパターン
をすばやく捜し出す事が可能となる効果がある。
ク上のチャージアップを防ぐ事が目的として、イオンビ
ーム照射を間引くのであるから、アナログ的なスキャン
領域の縮小に対して、それに対応した間引き方法も可能
である 〔発明の効果〕 この発明は、以上説明したように、スキャン領域を狭く
して、マスクパターンを判読する場合、従来のように、
スキャン領域を狭くする毎に、電荷中和をする事なく、
マスク細部を判読する事ができる上に、従来のスキャン
速度に対して、２2n（ｎ＝1,2,3,……）分の１の時間
で、１画面のスキャンが終了するので、希望のパターン
をすばやく捜し出す事が可能となる効果がある。
第１図は、この発明にかかわる４分割した間引スキャン
表示図、第２図は、２2n分割した間引きスキャン表示
図、第３図は、チャージアップ状態でのマスク判読図、
第４図は、第３図のIV−IVの断面図、第５図は、正常状
態でのマスク判読平面図、第６図は、第５図VI−VI断面
図、第７図は、イオンビーム照射スキャン動作図、第８
図はイオンビーム照射の模式図である。 １……１の位置のドット ２……２の位置のドット ３……３の位置のドット ４……４の位置のドット ５……ｎの位置のドット ６……ｃｒパターン ７……マスク ８……電子銃 10……イオン源
表示図、第２図は、２2n分割した間引きスキャン表示
図、第３図は、チャージアップ状態でのマスク判読図、
第４図は、第３図のIV−IVの断面図、第５図は、正常状
態でのマスク判読平面図、第６図は、第５図VI−VI断面
図、第７図は、イオンビーム照射スキャン動作図、第８
図はイオンビーム照射の模式図である。 １……１の位置のドット ２……２の位置のドット ３……３の位置のドット ４……４の位置のドット ５……ｎの位置のドット ６……ｃｒパターン ７……マスク ８……電子銃 10……イオン源
Claims (1)
- 【請求項１】集束イオンビーム加工装置の集束イオンビ
ームを試料表面の矩形領域で、Ｘ方向にＸドット数で、
Ｙ方向にＹドット数でデジタルスキャンする集束イオン
ビーム走査方法において、 前記試料上に、前記集束イオンビームを、Ｘ方向に１以
上のＸ方向ドット間隔を置いて走査させ、前記Ｘ方向の
１ラインが終了した後、 前記集束イオンビームをＸ方向は元に、Ｙ方向には１以
上のＹ方向ドット間隔をおいて戻し、再びＸ方向に前記
間隔を置いて走査させ、順次前記走査を前記矩形領域で
繰り返し走査し、 その後、始めの前記集束イオンビーム照射位置に対して
Ｘ方向の隣の位置から前記集束イオンビームをＸ方向に
前記Ｘ方向ドット間隔を置いて走査させ、前記Ｘ方向の
１ラインが終了した後、 Ｘ方向に対して前の位置に、Ｙ方向にも前記Ｙ方向ドッ
ト間隔をおいて戻し、再びＸ方向に前記Ｘ方向ドット間
隔をおいて走査させ、順次前記走査を前記矩形領域で前
記Ｘ方向に置いた間隔がなくなるまで繰り返し走査し、 更に、以上の走査を順次、Ｘ方向は始めの位置でＹ方向
においたＹ方向ドット間隔の各ドットを起点に走査を行
い、集束イオンビームを試料表面の前記矩形領域の全ド
ットを集束イオンビームで照射することを特徴とする集
束イオンビーム走査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310243A JPH0638329B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 集束イオンビーム走査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310243A JPH0638329B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 集束イオンビーム走査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168946A JPS63168946A (ja) | 1988-07-12 |
| JPH0638329B2 true JPH0638329B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=18002898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61310243A Expired - Lifetime JPH0638329B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 集束イオンビーム走査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638329B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123071A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法 |
| WO2009077450A3 (en) * | 2007-12-17 | 2009-12-03 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Scanning charged particle beams |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009114230A2 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-17 | Carl Zeiss Smt, Inc. | Reducing particle implantation |
| WO2010095392A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察方法および走査電子顕微鏡 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214151A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法 |
| JPS6166352A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-05 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP61310243A patent/JPH0638329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123071A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法 |
| DE102006048974B4 (de) | 2005-10-28 | 2021-11-25 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl, Gerät für den geladenen Teilchenstrahl, Verfahren zur Werkstückbeobachtung und Werkstückbearbeitung |
| WO2009077450A3 (en) * | 2007-12-17 | 2009-12-03 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Scanning charged particle beams |
| JP2011507202A (ja) * | 2007-12-17 | 2011-03-03 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 走査荷電粒子ビーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63168946A (ja) | 1988-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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