JPS5862004A - セラミツク薄板の製造法 - Google Patents

セラミツク薄板の製造法

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JPS5862004A
JPS5862004A JP56161817A JP16181781A JPS5862004A JP S5862004 A JPS5862004 A JP S5862004A JP 56161817 A JP56161817 A JP 56161817A JP 16181781 A JP16181781 A JP 16181781A JP S5862004 A JPS5862004 A JP S5862004A
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JP
Japan
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deposited
vapor
tin
zinc
ceramic
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Pending
Application number
JP56161817A
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English (en)
Inventor
直治 藤森
陽 土居
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
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  • Ceramic Products (AREA)
  • Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、面積度が良好で緻密なセラミック薄板の製造
法に関する。
セラミックは粉末を出発原料とし粉末冶金法によって製
造されている。このため、たとえば厚さ/vnm以下の
薄板は焼結後に切削加工によって造るという方法しかな
かった。こ゛の方法では加工費用がかかるばかりでなく
、厚さがo、swm以下の薄板の製造は殆んど不可能で
あった。
近年のコーティング技術の進歩により、ヨーティング技
術を用いてセラミック薄板を経済的に製造することが可
能となるようになってきた。
コーティング技術とは、化学、物理蒸着法であるが、何
れもコーティングする基板の精度によってコーティング
層の1!密度や表面精度が大きく左右される。また蒸着
によって形成される層はエピタキシャルに生長するため
、基板と弱いながら接着する。このため特に薄い板を製
造する場合1基板から蒸着層を剥離する方法が問題とな
る。
本発明は蒸着基板に錫もしくは亜鉛を蒸着して、蒸着し
た錫もしくは亜鉛の表面にセラミックを蒸着し、蒸着し
た錫もしくは亜鉛の融点以上の温度で蒸着基板から蒸着
したセラミックを分離して、セラミック薄板を得やこと
により上記の問題を解決したものである。
錫、亜鉛は5oor:以下の融点をもち、セラミックの
何れとも反応が少ないので基板を選びさえすれば、良好
なセラミック薄板を製造できる。
本発明方法ではセラミックの蒸着を、錫や亜鉛の融点以
下で行なうことが必要であるが、これにけイオンブレー
ティングやスパッタリング法を用いればよい。また蒸着
によって得るセラミック薄板の緻密度や面精度は、基板
表面に蒸着した錫や亜鉛の面精度に影響されるので、基
板上への錫や亜鉛の蒸着法としては、精度の高い真空蒸
着やスパッタリング法を用いるのがよい。
実施例/ 表面を研摩して平滑にしたニッケル板の表面に錫をQ、
/關の厚さに真空蒸着し、蒸着した錫の表面に公知のイ
オンブレーティングにてアルミナをQ、/ltnの厚さ
に蒸着させた。これを300Cに加熱してアルミナを剥
した。
このようにして製作したアルミナ板の錫と接していた側
は、わずか/、5μmの凹凸を持つ極めて面精度の高い
平滑面であっ□た。
実施例コ 表面を研摩して平滑にしたアルミナ板を蒸着基板とし、
この蒸着基板の平滑面に7枚には亜鉛を、/&には銅を
夫々公知のスパッタリング法によって0.3馴の厚さに
蒸着した。そして亜鉛及び銅の表面に公知のイオンブレ
ーティング法によってSi3N4を2鰭の厚さに蒸着し
た。次いで亜鉛を蒸着したものはgooc、銅を蒸着し
たものは/200Cの温度に加熱してSiN 板を剥し
た。亜鉛を蒸着4 した本発明方法によるものは、亜鉛と接していた面に何
等不純物が見つからなかった。しかし銅を使用したもの
では、銅と接していた面から0.3關の深さにわたって
粒界に銅の存在・が詔められた。
実施例3 銅板の平滑な表面に、1枚には錫を真空蒸着し、他の1
枚には化学メッキにより夫々Q、/醇の厚さに被′覆し
、錫の表面にスパッタリング法で夫々、ZrOを1.5
LIIII+の厚さに蒸着し、g、oocに加熱してZ
rO蒸着層を剥しZrO板を得た。
2                     2本発
明によって錫を真空蒸着して得たZrO板では、錫と接
していた側も平滑で空孔もなかったが、化学メッキで施
した錫層を介して得たZrO板は、錫に接していた側も
、その反対側もlOμmu以上の凹凸があり、錫と接し
ていた側には深さコoμmにわたり3pm程度の空孔が
見られた。
出願人  住友電気工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (ハ 蒸着基板に錫もしくは亜鉛を蒸着し、蒸゛着した
    錫もしくは亜鉛の表面1物理蒸着法によりセラミックを
    蒸着して、蒸着した錫もしくは亜鉛の融点以上の温度で
    蒸着基板から蒸着したセラミックを分離することを特徴
    とするセラミック薄板の製造法。 ((2)セラミックの蒸着をイオンブレーティングもし
    くはスパッタリング法で行なう特許請求の範囲(1)項
    記°載のセラミック薄板の製造法。 (,71錫もしくは亜鉛の蒸着を真空蒸着もしくはスパ
    ッタリング法で行なう特許請求の範囲(1)項又は(−
    項記載のセラミック薄板の製造法。
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