JPS5862004A - セラミツク薄板の製造法 - Google Patents
セラミツク薄板の製造法Info
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- JPS5862004A JPS5862004A JP56161817A JP16181781A JPS5862004A JP S5862004 A JPS5862004 A JP S5862004A JP 56161817 A JP56161817 A JP 56161817A JP 16181781 A JP16181781 A JP 16181781A JP S5862004 A JPS5862004 A JP S5862004A
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Landscapes
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- Ceramic Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、面積度が良好で緻密なセラミック薄板の製造
法に関する。
法に関する。
セラミックは粉末を出発原料とし粉末冶金法によって製
造されている。このため、たとえば厚さ/vnm以下の
薄板は焼結後に切削加工によって造るという方法しかな
かった。こ゛の方法では加工費用がかかるばかりでなく
、厚さがo、swm以下の薄板の製造は殆んど不可能で
あった。
造されている。このため、たとえば厚さ/vnm以下の
薄板は焼結後に切削加工によって造るという方法しかな
かった。こ゛の方法では加工費用がかかるばかりでなく
、厚さがo、swm以下の薄板の製造は殆んど不可能で
あった。
近年のコーティング技術の進歩により、ヨーティング技
術を用いてセラミック薄板を経済的に製造することが可
能となるようになってきた。
術を用いてセラミック薄板を経済的に製造することが可
能となるようになってきた。
コーティング技術とは、化学、物理蒸着法であるが、何
れもコーティングする基板の精度によってコーティング
層の1!密度や表面精度が大きく左右される。また蒸着
によって形成される層はエピタキシャルに生長するため
、基板と弱いながら接着する。このため特に薄い板を製
造する場合1基板から蒸着層を剥離する方法が問題とな
る。
れもコーティングする基板の精度によってコーティング
層の1!密度や表面精度が大きく左右される。また蒸着
によって形成される層はエピタキシャルに生長するため
、基板と弱いながら接着する。このため特に薄い板を製
造する場合1基板から蒸着層を剥離する方法が問題とな
る。
本発明は蒸着基板に錫もしくは亜鉛を蒸着して、蒸着し
た錫もしくは亜鉛の表面にセラミックを蒸着し、蒸着し
た錫もしくは亜鉛の融点以上の温度で蒸着基板から蒸着
したセラミックを分離して、セラミック薄板を得やこと
により上記の問題を解決したものである。
た錫もしくは亜鉛の表面にセラミックを蒸着し、蒸着し
た錫もしくは亜鉛の融点以上の温度で蒸着基板から蒸着
したセラミックを分離して、セラミック薄板を得やこと
により上記の問題を解決したものである。
錫、亜鉛は5oor:以下の融点をもち、セラミックの
何れとも反応が少ないので基板を選びさえすれば、良好
なセラミック薄板を製造できる。
何れとも反応が少ないので基板を選びさえすれば、良好
なセラミック薄板を製造できる。
本発明方法ではセラミックの蒸着を、錫や亜鉛の融点以
下で行なうことが必要であるが、これにけイオンブレー
ティングやスパッタリング法を用いればよい。また蒸着
によって得るセラミック薄板の緻密度や面精度は、基板
表面に蒸着した錫や亜鉛の面精度に影響されるので、基
板上への錫や亜鉛の蒸着法としては、精度の高い真空蒸
着やスパッタリング法を用いるのがよい。
下で行なうことが必要であるが、これにけイオンブレー
ティングやスパッタリング法を用いればよい。また蒸着
によって得るセラミック薄板の緻密度や面精度は、基板
表面に蒸着した錫や亜鉛の面精度に影響されるので、基
板上への錫や亜鉛の蒸着法としては、精度の高い真空蒸
着やスパッタリング法を用いるのがよい。
実施例/
表面を研摩して平滑にしたニッケル板の表面に錫をQ、
/關の厚さに真空蒸着し、蒸着した錫の表面に公知のイ
オンブレーティングにてアルミナをQ、/ltnの厚さ
に蒸着させた。これを300Cに加熱してアルミナを剥
した。
/關の厚さに真空蒸着し、蒸着した錫の表面に公知のイ
オンブレーティングにてアルミナをQ、/ltnの厚さ
に蒸着させた。これを300Cに加熱してアルミナを剥
した。
このようにして製作したアルミナ板の錫と接していた側
は、わずか/、5μmの凹凸を持つ極めて面精度の高い
平滑面であっ□た。
は、わずか/、5μmの凹凸を持つ極めて面精度の高い
平滑面であっ□た。
実施例コ
表面を研摩して平滑にしたアルミナ板を蒸着基板とし、
この蒸着基板の平滑面に7枚には亜鉛を、/&には銅を
夫々公知のスパッタリング法によって0.3馴の厚さに
蒸着した。そして亜鉛及び銅の表面に公知のイオンブレ
ーティング法によってSi3N4を2鰭の厚さに蒸着し
た。次いで亜鉛を蒸着したものはgooc、銅を蒸着し
たものは/200Cの温度に加熱してSiN 板を剥し
た。亜鉛を蒸着4 した本発明方法によるものは、亜鉛と接していた面に何
等不純物が見つからなかった。しかし銅を使用したもの
では、銅と接していた面から0.3關の深さにわたって
粒界に銅の存在・が詔められた。
この蒸着基板の平滑面に7枚には亜鉛を、/&には銅を
夫々公知のスパッタリング法によって0.3馴の厚さに
蒸着した。そして亜鉛及び銅の表面に公知のイオンブレ
ーティング法によってSi3N4を2鰭の厚さに蒸着し
た。次いで亜鉛を蒸着したものはgooc、銅を蒸着し
たものは/200Cの温度に加熱してSiN 板を剥し
た。亜鉛を蒸着4 した本発明方法によるものは、亜鉛と接していた面に何
等不純物が見つからなかった。しかし銅を使用したもの
では、銅と接していた面から0.3關の深さにわたって
粒界に銅の存在・が詔められた。
実施例3
銅板の平滑な表面に、1枚には錫を真空蒸着し、他の1
枚には化学メッキにより夫々Q、/醇の厚さに被′覆し
、錫の表面にスパッタリング法で夫々、ZrOを1.5
LIIII+の厚さに蒸着し、g、oocに加熱してZ
rO蒸着層を剥しZrO板を得た。
枚には化学メッキにより夫々Q、/醇の厚さに被′覆し
、錫の表面にスパッタリング法で夫々、ZrOを1.5
LIIII+の厚さに蒸着し、g、oocに加熱してZ
rO蒸着層を剥しZrO板を得た。
2 2本発
明によって錫を真空蒸着して得たZrO板では、錫と接
していた側も平滑で空孔もなかったが、化学メッキで施
した錫層を介して得たZrO板は、錫に接していた側も
、その反対側もlOμmu以上の凹凸があり、錫と接し
ていた側には深さコoμmにわたり3pm程度の空孔が
見られた。
明によって錫を真空蒸着して得たZrO板では、錫と接
していた側も平滑で空孔もなかったが、化学メッキで施
した錫層を介して得たZrO板は、錫に接していた側も
、その反対側もlOμmu以上の凹凸があり、錫と接し
ていた側には深さコoμmにわたり3pm程度の空孔が
見られた。
出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (ハ 蒸着基板に錫もしくは亜鉛を蒸着し、蒸゛着した
錫もしくは亜鉛の表面1物理蒸着法によりセラミックを
蒸着して、蒸着した錫もしくは亜鉛の融点以上の温度で
蒸着基板から蒸着したセラミックを分離することを特徴
とするセラミック薄板の製造法。 ((2)セラミックの蒸着をイオンブレーティングもし
くはスパッタリング法で行なう特許請求の範囲(1)項
記°載のセラミック薄板の製造法。 (,71錫もしくは亜鉛の蒸着を真空蒸着もしくはスパ
ッタリング法で行なう特許請求の範囲(1)項又は(−
項記載のセラミック薄板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161817A JPS5862004A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | セラミツク薄板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161817A JPS5862004A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | セラミツク薄板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862004A true JPS5862004A (ja) | 1983-04-13 |
Family
ID=15742467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56161817A Pending JPS5862004A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | セラミツク薄板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862004A (ja) |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP56161817A patent/JPS5862004A/ja active Pending
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