JPS5862040A - 帯電防止されたプラスチツクフイルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプラスチックフィルムの帯電防止に関するもの
である。更に詳しく言えばプラスチックフィルムに透明
て、かつ電導性をもつ金属酸化物中導体層を付与するこ
とに関するものである。

一般にプラスチックフィルムは電気絶縁性であシ表面抵
抗率に、常温常温下でｉｏ　　Ω〜、ｌ　４（１以上で
ある。従って、これらのプラスチックフィルムを取扱う
時、同種又は異種物質と間での接触摩擦や接触剥離の操
作が入ると、静電荷を帯ひ１埃を付着したり作業者に電
撃を与えたシ、あるいは放電を生じ、重大故障をひきお
こすことがしばしばある。

これら静電気による故障をなくす最も良い方法に、表面
の電気伝導性を上げて静電荷を短時間に漏洩させてしま
うことである。その危めにプラスチックフィルムの帯電
防止Ｋ１１ｒ１無機塩をｅ湿性物質と共に塗布し、導電
層とし次り、界面活性剤や高分子電解質を含有する層を
設は導電層としたりする方法が良く知られている。こバ
らの方法は友とえば、丸茂秀雄“帯電防止剤ゝ（幸書房
）に詳しく記述されている。

しかしこれらのイオン性化合物を塗布して、帯電防止を
する方法では、帯電防止性能に１湿度依存性があ゛る。

すなわち塗布層の導電性は湿度が低くなると減少し、目
的とする帯電防止性を果さなくなる。

これらの欠点を改良するものとして、プラスチックフィ
ルムの表面に金属酸化物の層を蒸着して導電性を付与す
る方がある。例えば、米［１４１１許第Ｊ、Ｉ７’ｌ、
１７９号、同第３，１７４Ａ、１７１号、同第３，１０
／　、３２１号、特開昭１０−／４ｔ／３コＪなどＫは
写真用支持体あるいはプラスチックフィルムの帯電防止
のために金属酸化物の蒸着膜を使用する技術が開示され
ている。

じゃ−じながらこれらの特許明細書からもわかるように
、完全に酸化され几金属酸化智は導電性がなくなるため
、非化学量論的な酸化状態で導電性のある状ｌｉｅして
いる。その危め導電性の蒸着膜は空気中にさらされ長時
間経時すると、次第に酸化状態が進み導電性は減少して
いく、又、この酸素欠陥酸化物はハロゲン化銀写真材料
などと接触すると、接触している感光材料を還元し、悪
影響を及はすことがしばしばある。

これを防ぐ危め、導電性状態の金属酸化物の上に更に保
醗層を蒸着する方法などがとられるが、この方法では１
租が複雑となりコスト高にもなる。

本発明の第１の目的は、帯電防止さｎ友プラスチックフ
ィルムを提供することである。

本発明の第λの目的汀、低湿時においても帯電防止性の
すぐれたプラスチックフィルムを提供スゐことである。

本発明の第３の目的は、安価で透明性のすぐれた帯電防
止フィルムを提供することである。

本発明の第グの目的は、経時による費化のない帯電防止
性を有するプラスチックフィルムを提供することである
へ 本発明のこれらの目的は、透明性のある金属酸化物導電
膜の上に酸素透過率がλＯｗｄ　／　ｔｍ　”・ｈｒ−
ａｔａｎ（２ｏｏｃ　　ａｏ嘔ＲＨ）以下の膜を付与す
ることによって達せられることがわかった。

酸素透過率の低い塗膜（以下、「酸素不透過層」と記す
）ｔ−設ける事により金属酸化物の導電膜層の酸化が更
に進むことを防ぎ、導電性の経時変化を防ぐことができ
ることがわかった。

本発明の酸素不透過層の酸素透過率は、コＱ−／ｍ２ｅ
ｈｒｅａｔｏｍ（コ０’Ｃ４ＡＯ’１ＲＨ）以下により
目的が達せられるが、好ましくａコ＠ｇ　／　Ｉｌｌ　
２ｅｈｒ−ａｔｏｍ　　（２０°ＣＦ０４ＲＨ）以下で
ある。

本発明の酸素不透過層の厚さＶＣ％に制限はなく、酸素
透過率がコＯｇｄ１ｗ２ａｈｒ−１ｔＯｍ　　（２０″
ＩＣ＄−０ＩＲＨ）以下になるような厚さにすればよい
訳であるが、好ましくは、ｏ、ｚ−ｉｏｏμｍ％に／、
１０μ偽であることが望ましい。

本発明の酸素不透過層は、バインダーとしてのポリマー
の他に１必ＩＦＶＣよ抄、酸化チタ／、硫酸バリウムの
如きフィラー、螢光増白剤、紫外線吸収剤を含有するこ
とができる。酸化チタン及び硫酸バリウムの如きフィラ
ーを含有する時はバインダーに対してＪＯ重量憾以下で
あることが好ましい。

本発明の酸素不透過層を構成するバインダーとしてのポ
リマーは、アクリロニトリル、アクリル酸アルキルエス
テル（例えばアクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、ア
クリル酸ブチルなど）、メタクリル酸アルキルエステル
（例えばメタクリル酸メチル、メタクリル酸エチルなど
）、メタクリロニトリル、アルキルビニルエステル（例
工ばビニルアセテート、ビニルプロピオネート、ビニル
エチルブチレート、ビニルフェニルアセテートな　□ト
）、アルキルビニルエーテル（例えばメチルビニルエー
テル、ブチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエー
テルなト）、ビニルアルコール、塩化ビニル、塩化ビニ
リデン、フッ素化ビニル、スチレン、酢酸ビニル等のホ
舌ポリマー及びコポリマー（コモノマーとしては上記の
他にエチル／、プロピレン）、酢酸セルロース（例えば
ジアセチルセルロニス１、トリアセチルセルロース）、
ポリニスｆ　ル（ｆｌ、ｔ　ｔｆ　ホ！Ｊエチレンテレ
フタレート）、フッ素樹脂、ポリアミド（ナイロン）、
ポリカーボネート、ポリサッカライド、ブルラ／及びセ
ロファン等を挙けることがでさゐがこれらに限定される
ものではない。

これらのポリマーの内、本発明ｒｃ％に好ましく用いら
れるのけ、ビニルアルコールのホモポ１７７−及びコポ
リマーである。

＊ｒｃ好ましいのは１　ビニルアルコールとエチレンの
コポリマーであり、例えばエバール（クラレ（株）製）
なる商品名で市販されている。

本発明に於て、酸素不透過層を設ける方法に特に制限は
なく、通常、ポリマーの皮膜を形成するのじ用いられる
方法を用いることができる。

例えば溶融押出し法（エクストル−ジョン法）、コーテ
ィング法、及びラミネート法ケ挙げることが出来る。

溶融押出し法としてａ１融解し友ポリマーを押出し機の
先端の線状のスリット金有するダイス（Ｔ−ダイ）から
フィルム状に押出すことにより、支持体上に酸素不透過
ｒｆｋヲ設ける方法が有利である。コーティング法とし
ては、ポリマーを水又は有機溶剤に溶解し、これを導電
層上に均一に塗布し熱風で乾燥する方法と、ポリマーの
エマルジョンを塗布・乾燥する方法がある。

本発ｑＡＫ於て、酸素不透過層は、プラスチックフィル
ムに設けた導電層上に直接設けてもよいし、該導電性層
上に別の機能の層を設け、その上に設けてもよい。

プラスチックフィルム上へ導電層を設けるＫＨｌ特に制
御１１％はないが、たとえば特開昭３０−１１７参６７
、同６０−／≠／３λ３、米国特許第Ｊｌ！＄／ＪＪ号
等に記載の方法ｙｃより蒸着層ケ設けい。一般ｆｌｃｔ
ｒｌ、支持体となるプラスチックフィルムに直接あるい
は表面処理しで、金属を単独本しくに組合せて高膚空下
（友とえばｔｏ　　　ｔｏｒｒ〜１０　　　ｔｏｒｒ）
で間接抵抗加熱法あるいは電子ビーム加熱法により蒸発
させ、その蒸気を支持体表面に凝縮させて、金属又は金
１［化物の蒸着膜を支持体表面に形成させる。次いでこ
の膜を強制酸化させる。この強制酸化処理法と］７ては
、減圧下（たとえば、真空度１ｏ　ｔｏｒｒ−ｉｏ　　
　ｔｏｒｒ）、あるいｔ−ｒ＊素置換された減圧下（た
とえば、真空度／　Ｏｔｏｒｒ　〜／　Ｏｔｏｒｒ）で
のグロー放電；無電極放電及び大気圧下での陽極酸化、
有機酸化剤による酸化などがある。

この蒸着層の電気抵抗値としては、帯電防止の目的から
表面抵抗率で１０１２Ω以下にする必要があり、’ｆｉ
ｒｃｉ　ｏ　１０Ω以下であることが好ましい。

本発明に於る導電層は、酸化によシ更に導電性が減少し
、光学濃度が低下しうる層である。導電層の厚さは、光
学濃度を上げないために、ＩＯ〜ｉ、ｏｏθオングスト
ロームであることが好ましいが％ＶＣｊＯ〜ｊＯＯオン
グストロームであることが好ましい。

本発明の透明帯“電防正性マイルムの支持体としては、
例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート、ポリカーボネート、セルロースアセテート、
セルロースナイトレート、セルロースアセテートプロピ
オネート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレ
／、ポリプロピレンなどが使用しうる。

支持体の厚さに特に制限はないが、ｌＯ〜３００μ愼、
特ＫＪＯ〜−〇〇μ集であることが好ましい。

本発明の導電層及びＷＲ１不透過層を有するプラスチッ
クフィルムは、ノ・ロゲン化鋏写真感光材料用支持体、
電子写真用支持体、オー／９−ヘッドプロジェクタ−用
フィルム支持体として用いうる、本発明のプラスチック
フィルムｔノ・ロゲン化鋏写真感光材料用支持体として
用いる場合について述べる。

例えば、〜ポリエチレンテレフタレートフィルム上に蒸
着法により導電層を設け、その上Ｋｌｌ！素不遺過層を
設けた後、さらにハロゲン化銀乳剤層、中間層、表面保
護層等の写真層を設ける。

又、１つの例は、ポリエチレンテレフタレートフィルム
上に上記の如く、導電層及び酸素不透過層を設け、反対
側の面に下１１を介して写真層ケ設ける。

写真層を構成する各穫素材、例えば親水性コロイドバイ
／グー、ハ【１ゲンイヒ銀粒子、カブリ防止剤、増感剤
、カラーカプラー、界面活性剤、硬膜剤、分光増感剤等
についても特に制限はなく、リサーチディスクロージャ
ー誌（ＲｅｓｅａｒｃｈＤｒｓｃｌｏｓｕｒｅ）第１７
０１＠２　／〜ｕ　Ｐ頁（／Ｐ７を年１２月）の記載を
参考にすることが出来る。

以下に実施例を挙げて説明するが本発明はこれに限定さ
れるものではない。

実施例１゜ 厚さｌＯＯμのポリエチレンテレフタレートフィルムを
、真空度コＸ１０　　　ｔｏｒｒ（Ｄ酸素雰囲気中のグ
ロー放電（放電出力ｚｏｏＷ、ｚ秒間）により表面活性
化処理をし、引続いて同−真空槽内代でチタ：ｙｆｊＯ
ｋの厚さに蒸着（蒸着源温度ｆ１７！Ｏ”Ｃ，真空度コ
×１０　　　ｔｏｒｒ）ｌ。

た。

更に同−真空槽内にて、酸素雰囲気中のグロー放電（真
空度ｚｘｉｏ”””ｔｏｒｒ、放電出力１０ＱＷ、処理
時間７０秒）により強制酸化し、酸化チタン薄膜とした
。この時の酸化チタン薄膜の光学濃度はｏ、ｏｊであり
薄膜の表面抵抗率７×１０Ωであった。

こうして得られたフィルムの蒸着面にエパール（クラレ
■製の商品名）！ｉｋ水コＯＣＸ、メタノールＪＯＣＬ
、プロ、Ｒノールｚｏｃｒ、の混合溶剤に溶解し、乾燥
働布量がｌμになるようｖｃ、ｍ布し、乾燥した。

酸化チタン蒸着のみの試料（Ａ）と酸化チタン蒸着後エ
バーＡｌｔ−塗布した試料（Ｂ）とを温ｆ参０′Ｃ１相
対湿度ｊｏ＊ＲＨの雰囲気中で強制経時試験を行い表面
抵抗率の変化をしらぺ几。結果は表面抵抗率の変化が小
さいことがわかる。

実施例２ 厚さｌＯＯμのポリエチレ／テレフタレートフィルム支
持体表面を、真空度ｊｘ１０　　　ｔｏｒｒの酸素雰囲
気中のグロー放電（放電比カフ４０Ｗ。

１秒間）により表面活性処理を施し引続いて、同一真空
槽内にてスズを真空度ｊ×１０　　　ｔｏｒｒの酸素雰
囲気中で蒸着（蒸着源温度ｌコア０　”Ｃ。

膜厚ｒｏ人）せしめ友。ｊｌｌ同−真空槽ＩＥ３ＩＣで
、酸素雰囲気中のグロー放電（真空度！×１０　　ｔｏ
ｒｒ。

放電出力ｚｏｏＷ、放電時間λ参秒）Ｋより強制酸化せ
しめ酸化スズの薄膜を形成させた。

この時の酸化スズ蒸着薄膜の光学濃度は０．０Ｊであシ
薄膜の表ｒｋｉ抵抗率は、！×１０’Ωであった。

この蒸着層に、エバールコｔを水ＪにＩｃｃ、メタノー
ルコＯａｌ：、プロパツールよｏｃｃｏ混台浴剤に溶解
し、乾燥塗布厚が０．ｊμになるように塗布し、乾燥し
た。

蒸着面と反斜面にはゼラチン下ｆＸｋをし、更に間接Ｘ
−レイ用ハロゲン化銀４真乳剤を塗布し、感光性写真フ
ィルムとした。このフィルムのエパール向に電＆をあて
表面抵抗量を測定した結果３×ｉｏ”Ωであった。これ
を２１　’Ｃ，Ａｊ俤ＲＨの雰囲気中へコケ月放置して
おき、再度表面抵抗高を測足し九結果、何ら変化はみら
れなかつ九。

％許出願人　富士与臭フィルム株式会社手続補正書（７
ｊ劃 昭和１７年　１５５／〆（Ｉ 特許庁長官　島　１）春　樹　　殿 １、事件の表示　　　　昭和！１年特願第１１／λり３
号２、発明の名称　　帯電防止され九プラスチックフィ
ルム３、補正をする者 事件との関係　　　　　　　特許出願人件　所　　神奈
川県南足柄市中沼２１０番地表　補正指令書の日付　　
昭和５４年λ月参日＆　補正の対象　　明細書 １　補正の内容 明細書の浄書（内容に変更なし）を提出致します。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 表面抵抗率が７６１２Ω以下の金ｌＩ４酸化物よりなる
   導電層及び酸素透過率が一〇　ｍ／−２ｑｈ　ｒ−ａｔ
   ｍ（コ０＠（：１　≠０４ＲＨ）以下の層を有すること
   ｔ％黴とするプラスチックフィルム。