JPS5863140A - 薄膜集積回路 - Google Patents

薄膜集積回路

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Publication number
JPS5863140A
JPS5863140A JP56162263A JP16226381A JPS5863140A JP S5863140 A JPS5863140 A JP S5863140A JP 56162263 A JP56162263 A JP 56162263A JP 16226381 A JP16226381 A JP 16226381A JP S5863140 A JPS5863140 A JP S5863140A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
glaze
integrated circuit
film integrated
paste
Prior art date
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Pending
Application number
JP56162263A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Murakami
村上　正秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5863140A publication Critical patent/JPS5863140A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜集積回路に係り、特にセラミック基板上に
形成された薄膜回路に半導体ペレットが搭載され、上記
薄膜回路の導体部と半導体ペレットがワイヤーで接続さ
れる薄膜集積回路においてワイヤーと上記薄膜回路の導
体部との接着強度の劣化を防ぐ技術に関する。
薄膜回路が形成されたセラミック基板上に、半導体ペレ
ットを搭載する場合、Ａ’７ペーストを接着剤として使
用する方法がある。しかし、この方法はＡｐペースト中
の溶剤が上記セラミック基板上ににじみ出すという欠点
がある。溶剤は一度セラミック基板上ににじみ出すと容
易に取り除くことは不可能であり、にじみがポンディン
グパッドまで広がるとワイヤーのボンディングが不可能
になるか、或いは、可能であっても、ワイヤーの接着強
度は著しく劣化する。
本発明の目的は、このような欠点のない薄膜集積回路を
提供することにある。
本発明の特徴は、セラミック基板上に形成された薄膜回
路に半導体ペレットが搭載され、上記薄膜回路の導体部
と半導体ペレットがワイヤーで接続される薄膜集積回路
において、上記半導体ペレットが搭載されるマウントラ
ンドがグレーズ部分に形成されている薄膜集積回路にあ
る。
本発明によれば、セラミック基板上に形成される半導体
ペレットのマウントランドをグレーズ部の上に形成する
ことにより、溶剤のにじみを防止し、ワイヤーの接着強
度の劣化を防ぐことができる。すなわち、例えばＡ？ペ
ーストの溶剤のにじみというのは、セラミック基板表面
の粗さは起因するので、上記マウントランドを表面の滑
らかなグレーズ上に形成することにより、溶剤のにじみ
を防止することができる。
次に本発明の実施例について説明する。第１図は本実施
例の薄膜集積回路の部分平面図、第２図は第１図のＸ−
Ｙにおける断面図である。先ず、図のように、セラミッ
ク基板１上のマウントランド２を形成されるべき位置に
グレーズ３を形成する。但し、グレーズは端の部分が傾
斜するので、マウントランドよりも若干大きめに形成す
る。この工程は、他にグレーズ部分を造る必要のない場
合には、工程の追加となるが、コンデンサ形成等でグレ
ーズ部分を設ける必要のあるものに関しては、同時に形
成できるので有効な方法である。この後、薄膜回路を形
成して、Ａ？ペースト４をスクリーン印刷法により印刷
して、ペレット５をマウントする。
以上のように製造された薄膜集積回路は、　ＡＬ？ペー
ストの溶剤のにじみが生じなく、ワイヤーの接着強度の
劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す部分平面図で第２図は
、そのＸ−Ｙにおける断面図である。 なお図において、ｌ・・・・・・セラミック基板、２・
・・マウントランド、３・・・・・・グレーズ、４・・
・・・・Ａｆペースト、５・・・・・・ペレット、６・
旧・・ボンデインクハツト、である。 〉−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. セラミック基板上に形成された薄膜回路に半導体ペレッ
    トが搭載され、前記薄膜回路の導体部と前記半導体ペレ
    ットとがワイヤーで接続される薄膜集積回路において、
    前記半導体ペレットが搭載されるマウントランドがグレ
    ーズ部分に形成されていることを特徴とする薄膜集積回
    路。
JP56162263A 1981-10-12 1981-10-12 薄膜集積回路 Pending JPS5863140A (ja)

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JP56162263A JPS5863140A (ja) 1981-10-12 1981-10-12 薄膜集積回路

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JP56162263A JPS5863140A (ja) 1981-10-12 1981-10-12 薄膜集積回路

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Publication Number Publication Date
JPS5863140A true JPS5863140A (ja) 1983-04-14

Family

ID=15751115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56162263A Pending JPS5863140A (ja) 1981-10-12 1981-10-12 薄膜集積回路

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JP (1) JPS5863140A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014060306A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

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