JPS5863155A - 保護回路 - Google Patents

保護回路

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Publication number
JPS5863155A
JPS5863155A JP56162254A JP16225481A JPS5863155A JP S5863155 A JPS5863155 A JP S5863155A JP 56162254 A JP56162254 A JP 56162254A JP 16225481 A JP16225481 A JP 16225481A JP S5863155 A JPS5863155 A JP S5863155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
designates
numeral
vdd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56162254A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Sato
佐藤 好洋
Heihachi Matsumoto
松本 平八
Kazutoshi Miyamoto
和俊 宮本
Kokichi Sawada
沢田 功吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP56162254A priority Critical patent/JPS5863155A/ja
Publication of JPS5863155A publication Critical patent/JPS5863155A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、電源端子に過電圧を印加した時の過電流に
よる回路破壊を防ぐ保護回路に関するものである。
第1図に一例として、従来のNチャネル接合形半導体装
置を用いた保護回路を示す。
図において、(1)はAn?電極で電源電圧VDDが印
加されている。(2)もkl電極で、隣接する内部負荷
回路につながっている。(3)はN十形拡散層、(4)
はP形半導体基板で接地につながっている。(5)は絶
縁層である。
従来の回路はP形見板(4)にN十形拡散層(3)を形
成してチャネルとじN十拡散爛(3)に流れる過電流を
抑制−iるも(7)テ、?+ル。A[I#14i1i1
i(1)にV、が印加されると、電流が(1)→(3)
 −” (2)へ流れる。電流は、印加電圧VDDに依
存して、Vnoが増すとtIY流も増加する。
従来のものでは、過電流にJ:る回路破壊を防ぐのに充
分とは誂えず、なお回路が破壊するという欠点があった
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、!ICIC圧電圧ってチャネルの
抵抗値を積属的に変化させ、電流を制御することで回路
破壊を防ぐ事を目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第2
図において、(])はA[?lf極でVDDが印加され
Cいる。(2)もA61ff、極で、隣接する内部負荷
回路につながっている。(:1)はチャネルを形成する
N十形拡散7&、(4)はP形半導体ノ^板で接地にっ
なかっている。(5)は絶縁層、(6)はN十形拡散層
(3)内に形成されたP十形拡散層、(7)は゛A4電
極で接地につながっている。
A4電極(1)にVDDを印加するとP十形拡散層(6
)のまわりに空乏層ができる。この空乏層によって(1
)→(3)→(2)へ流れる電流を制御する。つま’)
VDDを大きくすると、N十層(3)の電位が上がり、
空乏層が広がるために、電流が流れにくくなる。
なお、上記実施例ではP形見板上に形成したN+十形散
層内にP十形拡散層を設けたが、N形見板上に形成しな
P+十形散層内−にN十形拡散層を設けても同等の効果
が得られる。
以上のように、この発明によれば、電源電圧の増加によ
って起こる過電流による回路破壊を確実に防ぐ効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のNチャネル接合形半導体装置を示す断面
図、第2図はこの発明の一実施例によるNチャネル接合
形半導体装置を示す断面図である。 (1)・・・AIWiL極、(2)・・・i電極、(3
)・・・N十形拡散層(4)・・・P形基板、(5)・
・・絶縁層、(6)・・・P十形拡散層、(7)・・・
A1m極 代理人  葛 野 信 − )1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1導電形の半導体基板、この半導体基板の一主面に形
    成されチャネルを形成する第2導電形の第1領域、この
    第1領域内に設けられた第1導電形の第2領域、上記チ
    ャネルの両端に形成された一対のttiを備え、上記半
    導体基板及び第2領域を所定電位に接続し、上記一方の
    電極を電源に、他方の電極を負荷回路に接続した保護回
    路。
JP56162254A 1981-10-12 1981-10-12 保護回路 Pending JPS5863155A (ja)

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JPS5863155A true JPS5863155A (ja) 1983-04-14

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