JPH0245711B2 - Kinhakumakunoetsuchinguhoho - Google Patents

Kinhakumakunoetsuchinguhoho

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JPH0245711B2
JPH0245711B2 JP16340281A JP16340281A JPH0245711B2 JP H0245711 B2 JPH0245711 B2 JP H0245711B2 JP 16340281 A JP16340281 A JP 16340281A JP 16340281 A JP16340281 A JP 16340281A JP H0245711 B2 JPH0245711 B2 JP H0245711B2
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JP
Japan
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etching
film
gold
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thin
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JP16340281A
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JPS5867868A (ja
Inventor
Takashi Nakamura
Masanori Hiraishi
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DAISERU KAGAKU KOGYO KK
NITSUKO PUROSESU KK
Original Assignee
DAISERU KAGAKU KOGYO KK
NITSUKO PUROSESU KK
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Publication date
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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • C23F1/40Alkaline compositions for etching other metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は金薄膜のエツチング方法に関するもの
であり、更に詳しくは基板上に蒸着された金薄膜
をNaOH、LiOH、KOHの如きアルカリ金属の
水酸化物1〜60重量%の水溶液でエツチングする
ことを特徴とするエツチング方法である。 基板上に金薄膜が蒸着されたものとしては、二
軸延伸ポリエステルフイルム等の透明プラステイ
ツクフイルム上に金が30〜500Å蒸着された透明
導電性フイルム、ポリイミド等の耐熱性フイルム
に500Å以上蒸着された電極用フイルム、又ガラ
ス板上に蒸着されたものがある。これらの金薄膜
が蒸着されたものは配線基板やヒーター及びタツ
チパネルの電極等に用いられるため、一般に蒸着
された部分のうち一部分を取り除く目的でエツチ
ング処理が施される。このエツチングにはエツチ
ング液として金をよく溶解する王水が一般に用い
られているが、エツチング中に有毒ガスが発生し
たり、取り扱いが困難で廃液処理が難しいという
欠点があり、エツチング方法の改良が望まれてい
た。 本発明者らはこの王水によるエツチングにかわ
り、取り扱いが容易で、簡単に金薄膜をエツチン
グする方法を鋭意検討した結果、本発明に到達し
たものである。即ち、本発明者らは驚くべきこと
に基板上に蒸着した金薄膜をKOH、NaOH、
LiOH等のアルカリ金属の水酸化物の1重量%以
上の水溶液に浸潰した場合に容易に金薄膜がエツ
チングされることを発見した。 本発明のこのようなアルカリ金属の水酸化物の
水溶液によつて金薄膜をエツチングする場合、王
水によるエツチングとは異なり、エツチング液用
の特別な容器を用いる必要がなく、エツチング中
に有毒ガスを発生せず、廃液処理が容易であると
ともに、エツチングの仕上りも王水と同等以上で
ある。 本発明においても金薄膜とは蒸着によつて基板
上に施された厚み1000Å以下の金層をいう。1000
Å以上だと本発明のエツチング方法ではエツチン
グに時間がかかりすぎる。蒸着法としては真空蒸
着法、RF及びDCスパツタリング法及びイオンプ
レーテイング法などを用いることができる。金薄
膜の基板としては本発明のアルカリによるエツチ
ングに耐えられるものなら何でもよく、二軸延伸
ポリエステルフイルム、ポリイミドフイルム、ポ
リスルホンフイルム、トリアセテートフイルム及
びガラス等があるがこれらに限定されるものでは
ない。無論、フイルム以外の成形品にも適用され
る。 エツチング方法としては一般に浸潰法が用いら
れる。しかし、エツチング液を金薄膜に吹きつけ
てエツチングするスプレー法も、浸潰法のエツチ
ングを加速する目的で用いることができる。又、
浸潰法においても、金薄膜を浸潰中に高速度でエ
ツチング液を撹拌してエツチングを加速する方法
も用いることができる。 本発明においてアルカリ金属の水酸化物の濃度
は1〜60重量%であることが必要である。1重量
%未満ではエツチングに要する時間が極めて長く
なり実用的でなく、又60重量%を越えるとエツチ
ング時間は短縮できるが、過エツチングになり、
エツジがシヤープにならないことが多く、場合に
よつては基板を損傷させることがある。 エツチングの速度及び損傷等を考慮すると、金
薄膜の厚み、エツチング液の温度、エツチング方
法等により多少左右されるが、好ましい濃度は5
〜40重量%である。エツチング液の温度に関して
は、20℃前後の室温でよいが、必要な場合加熱す
るとエツチングが加速される。 実際のエツチングにあたつては種々のパターン
を残存させるためマスクを施すが、このマスクは
本発明のエツチングに耐えるものなら何でもよ
い。マスクは例えばシルクスクリーン印刷や、フ
オトレジストを感光及び現像して施すことができ
る。 以下、本発明方法を実施例によつて詳述する。 実施例 1 市販のポリエステルフイルム(ダイヤホイル
125μm厚み)にACスパツタリング(日電アネル
バ製SPF−210H型使用)によつて厚み100Åの金
薄膜を蒸着した。このフイルムにフオトレジスト
(三宝化学研究所製SPR)を用いて、エツチング
部分の巾が0.5mmのパターン状マスクを施した後、
種々の濃度のNaOH、KOH、LiOHの水溶液
(温度20℃)でエツチングした。そして、エツチ
ング部分が電気的に絶縁(電気抵抗10MΩ以上)
される時間を測定し、表−1に示した。この測定
はマスクを剥離した後テスターで測定することに
よつて行つた。 表−1に示したように、NaOH、KOH、及び
LiOHのいずれの水溶液も1重量%以上の濃度で
エツチングは1時間以内に完了した。 濃度が1重量%以下だとエツチングに非常に長
い時間を必要とする。
【表】 チングするのに必要な時間を表わす。
比較例 1 エツチング液として王水(濃硝酸と濃塩酸の重
量比1:3)、濃塩酸、濃硝酸、濃硫酸を用い、
実施例1と同様に二軸延伸ポリエステルフイルム
上に金薄膜を施し、実施例1と同様のパターンを
マスクしたフイルムをエツチングした。その結
果、濃塩酸、濃硝酸、濃硫酸ともエツチング不可
能で、王水を用いた場合のみ1分間でエツチング
できた。しかし、エツチング中有毒ガスが発生
し、又取り扱いが困難であつた。 実施例 2 実施例1と同様に二軸延伸ポリエステルフイル
ム上に厚み50Å、200Å、600Å、1000Åの金薄膜
をRFスパツタリングによつて施したフイルムを
35重量%のNaOH水溶液を用いて、エツチング
液の温度及びエツチング方法を変化させてエツチ
ングし、エツチングに必要な時間を表−2に示し
た。 表−2に示したように本発明によるエツチング
によつて1000Å以下の金薄膜を容易に短時間でエ
ツチングできる。
【表】 実施例 3 市販の金蒸着透明導電性フイルム セレツクG
−4FX(ダイセル化学工業製)及び東レハイビー
ム1002−GB(東レ製)に実施例1と同様のマス
クを施し、35重量%のNaOH水溶液(室温)に
浸潰し、エツチングした。セレツクG−4FXは15
分、東レハイビーム1002−GBは10分でエツチン
グすることができた。 実施例 4 ポリイミドフイルム、ポリスルホンフイルム、
トリアセテートフイルムに実施例1と同様、AC
スパツタリングによつて厚み100Åの金薄膜を蒸
着し、実施例1と同様のマスクを施した後、15重
量%のNaOH水溶液(室温)でエツチングした
が、すべて15分でエツチングすることができた。
エツチング時間が短時間であるのでポリイミド、
ポリスルホン、トリアセテートとも外観に損傷は
なかつた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板上に蒸着された金薄膜をアルカリ金属の
    水酸化物の1〜60重量%の水溶液でエツチングす
    ることを特徴とする金薄膜のエツチング方法。
JP16340281A 1981-10-15 1981-10-15 Kinhakumakunoetsuchinguhoho Expired - Lifetime JPH0245711B2 (ja)

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JPS5867868A JPS5867868A (ja) 1983-04-22
JPH0245711B2 true JPH0245711B2 (ja) 1990-10-11

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