JPS5868743A - 放射線感応性有機高分子材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は半導体素子、磁気バブルメモリ素子集積回路等
の製造に必要な微細パターン形成に好適な電子線、Ｘ線
、イオンビーム等の放射線に高い感応性を示すポジ形放
射線感応性有機高分子材料に関する。 従来、半導体素子、磁気バブルメモリ素子。 集積回路等の電子部品を製造するためのパターン形成法
としては、紫外線または可視光線に感応するフォトレジ
ストを利用する方法が幅広く実用化されているが、近年
、半導体素子等の高密度化、高集積化を計る目的で、１
μｍ以下の幅のパターンを形成する方法が要求されてい
る。 しかし、上記の光を使用する方法では、その光の固有な
性質である、回折、散乱および干渉等により、１μｍ以
下の幅のパターンを精度よ（形成することは極めて困難
であり、同時に歩留りの低下も著しく、紫外線または可
視光線を使用する方法は、１μｍ以下の幅のパターンを
形成する方法としては不適であった。 これに対処して、最近、紫外線または可視光線を使用し
て微細加工を施す写真食刻技術に代って、たとえば電子
線、Ｘ線、イオンビーム等の高エネルギーの放射線を用
いるリソグラフィ技術が開発、研究され、これに伴って
上記放射線に対して感応性を示すイ」料が抽々検Ｎ−Ｊ
されている。なかでも放射線の照射によって高分子鎖の
切断反応を詩起して、その被照射部分が現像液に可溶性
となりパターンを形成するポジ形放射線感応性イｊ機品
分子利料、たとえばポリ（メタクリル酸メチル）、ポリ
−（１−ブテンスルホン）等は放射線の照射によって架
橋反応な訪起して、その被照射部分が現像液に不浴性と
なりパターン形成するネガ形感応性有機月別に比して、
感度時性曲線からイυられるガンマ値が太きいために、
旨解像度のパターンを生成せしめ、微細加工用レジス）
Ｉ料としては極めて好都合である。しかし、前記した拐
料をはじめとしてポジ形感応性有機高分子祠料はネガ形
のそれに比して、その感度が１／１０〜１／１ｏｏｏと
低く、その結果パターン形成に要する時間が長くなり実
用性に乏しいものであった。 また、近年、半導体素子等の高密度化、高集積化ととも
に、微細加工技術には従来の湿式エツチングに代ってプ
ラズマまたは加速イオンを用いるドライエツチングが多
用される傾向にあり、放射線感応性有機高分子拐料には
上記ドライエツチングに耐えることが必須になりつつあ
る、しかしながら、ポジ形感応性有機高分子材料はネガ
形のそれに比して耐ドライエツチング性に劣っており、
実用上の決定的な欠点であった。 本発明の目的は上記したような従来技術の欠点をな（す
る、電子線、Ｘ線、イオンビーム等の高エネルギーな放
射線に対して商い感応性を有するポジ形放射蘇ａ＜応性
有機高分子材料を提供することＫあり、とくに放射線照
射により分子中にカルボキシル基（−ＣＯＯＮ　）が生
成することにより被照射部分がアルカリ溶液に可溶性と
なることから、アルカリ現像ができることを特徴とする
ポジ形放射線感応性有機１１＆１分子−４Ａ科を提供す
イ）ことにある。 上記の目的を達成するために、・ト発明者等は放射線感
応性を有すると思われる有機高分子材料を種々険削の結
果、この種の（イ刺と

【２て、ＣＩ−ＩＩも。 Ｈ，。 （式中１り１．はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
又はフェニル基を表わし、１（２，は氷水、アルギル基
、アリール基又はアルアルキル基ん（アルギル基にアリ
ール基が置換したもの）を表わし、１も、は水素、アル
キル基、アリール基、アルアルキル基又はハロゲン原子
を表わす。ｎ　しｔ重合１Ｗを示す数値を表わす。） あるいは Ｃ（Ｃ’Ｉ（Ｊ）几 几 （式中１もはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基又は
フェニル基を表わし、凡はアルキル基、アリール基、又
はアルアルキル基を表わし、比は水素、アルキル基、ア
リール基、アルアルキル基又はハロゲン原子を表わす。 ｎは重合度を示す数値を表わす。） で示されるα−置換アクリル酸エステル系重合体を見い
出すに至った。 尚、前記したα−置換アクリル酸エステル系重合体は単
独重合体又は２種以上の単量体の共重合体として使用さ
れる。 更には、前記一般式で示されるα−置換アクリル酸エス
テル系重合体からなる反復単ｆ＋’ＬとＧｌ。 ＝Ｃ基を有する付加知合性単ｌｉｔ体の１１１合により
得た反復単位を含む共１１【合体もｌｊ’ｔ　ＱＪ線熱
感応性有機高分子材料して使用できる。 すなわち、上記のようなＩＩＬ合体は１′１王子線、Ｘ
線、イオンビーム等の高エネルギーな放射線の照射によ
って高分子鎖の切断反応を線用するほかに、分子中にカ
ルボキシル基（−Ｃ（に）ＩＩ）が生成し、その結果そ
の被照射部分が”アルｈ　ＩＪ　％液に可溶性となるこ
とから、アルカリ現像ができるポジ形放射線感応性有機
高分子（（料として使用でき、分子中に芳香族環構造を
含有１〜ているために、耐ドライエツチング１／ｊ：に
対する耐性に優れているものである。 かつ又、被照射部分のみがアルカリ現像故に可溶性とな
るために極めてｉｉ４＋　ｌ’）’Ｉ’像性のレジスト
パターンが得られ、放射線感応１／ｌ：　ｄ）アルカリ
現１□□□を行なうことにより極めてｌｌ／Ｉ＜　／：
「るというｌ＋、′ｆ、徴を有し、ているー 例えば、ポリメタクリル酸α、α−ジメチルベンジル（
前記した一般式（２）において、Ｒ１がメチル基を、■
（，２がメチル基を、Ｒ８が水素を表わす。）を電子線
照射した場合の赤外線吸収スペクトルの変化を示すと図
のようになる。すなわち、電子線照射を行なう前のポリ
メタクリル酸α、α−ジメチルベンジルの赤外線吸収ス
ペクトルは図の１に示す通りであるが、これにｔ６ｘ１
　ｏ　−’　Ｃ／ａｌｒ　の電子線照射を行なうと、図
の２に示す如く、１７２９．１１３２．７６４及び７０
０ｃｍ−’のポリメタクリル酸α、α−ジメチルベンジ
ルに特有の吸収が減少し、かわってポリメタクリル酸に
特有の１７０７．１１７５及び１２６５ｔｙｎ’の吸収
が現われ、ポリマ中にカルボキシル基（−（：００Ｈ）
が生成していることが確認された。尚、図の６は別途合
成したポリメタクリル酸の赤外線吸収スペクトルであり
、参考として掲げた。電子線照射により生成したポリメ
タクリル酸はアルカリ可溶性であるために、アルカリ現
像を行なうことにより選択的に電子線照射部のみを除１
モすることができ、ポジ形のレジストパターンが得られ
る。 次に、本発明に１Ｍいてイφ）ｔｊ　′４−る４」本１
について説明する。 本発明において使用される放射線感応性有機高分子月利
は以下のようにして得ろことができる。 すなわち、 １？。 、１ 晶１ら １（６ （式中Ｒ，はメチル基、エチルみ、＋１−プロピル基又
はフェニル基を表わし、Ｉｔ、は水素、アルギル基、了
り−ル基又はアルアルギルＪ、ｌ；　（アルキル基にア
リール基が置換したもの）を衣わし、几。 は水素、アルキル基、アリール基、アルアルキル基又は
ハロゲン原子を表わす。士−４４−合一度−郁１も 一般式［相］二　　　〇乱＝Ｃ ■ −０ ζ 孔 （式中りはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基又はフ
ェニル基を表わし、比はアルキル基、アリール基、又は
アルアルキル基を表わし、凡は水素、アルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基又はハロゲン原子を表わす。＋
−＋お垂合一度−を一氷づＩ１値−を−表−ｂ−すう−
） で示される単量体の一棟以上をラジカル１合又はアニオ
ン重合などによりビニル１合させるととにより得た高分
子月利、あるいは一般式（５）又は（１勺で示した単１
体の一種以１−とＣ１■、＝Ｃ基を有する付加重合性単
量体の−ｆｉｌｉ　ｌ：Ｊ、」−とをビニル重合により
共１■合さぜた高分子Ｈ料が放射線感応性有機高分子月
利として使用される。 なお、一般式（Ａ）又は（１勺で示１７た単量体と共重
合させるＣＩ（、＝Ｃ基を有する伺加１ｊ合性単解体に
ついて述べると、メタクリル酸アルキルエステルなどの
ように、放射線の照射によりそのポリマー中にカルボキ
シル基（−０００１１）が生成するものでは、前記した
一般式（Ａ）又は（１’９で示した単量体といかなる共
重合組成でも使用され、α−メチルスチレン、イソブチ
レンなどのように放射線の照射により、そのポリマー中
にカルボキシル基が生成しないものでは、その共重合組
成は前記一般式（八又は（檜で示した単ｂｔ体より得た
重合単位１０〜９９９モル係に対し、９０〜００１モル
チであることが望ましい。９０モル係より多い場合には
放射線照射後の被照射部分のアルカリ可溶性が大きくな
く、その結果、放射線感応性が低くなり、実用に供し難
い。 本発明の放射線感応性有機高分子材料を半導体素子等の
パターンを形成するために使用する場合には、例エバ・
　トルエン等の通常の有機溶媒に溶解させたものが使用
され、通常は素子基板にスピンコーティングされる。コ
ーテイング後、適当な温度条件でプリベークしたのち、
所望のパターンに放射線を照射後、被照射部分を現像液
に溶解させることによりレジストパターンが得られる。 この際、使用される現像液としては、メチルイソブチル
ケトン　−イソグロビルアルコール系有機溶媒も使用で
きるが、少ない放射線照射針で、高解像性のレジスＦ　
パターンを得るためには、アルカリ性の現像液たとえば
、ナトリウムアルコラードをアルコールに溶解させた現
像液、ピリジ／、ピペリジン、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドなどの有機、無機塩基性物質
をアルコール等に溶解させた現歇液などを用いると極め
て好都合である。 以下に本発明を合成例および実施例につぎ具体的に詳細
に説明する、 合成例１ 攪拌器、冷却器、２１ね下口−１−を伺した３１の三っ
［１フラスコに２５０ｍ１！のエチルヨー−チルを入れ
、α。 α−ジメチルベンジルアルコール１３９．！Ｉ＋　、）
１　）　１）エチルアミン２５０ｍ１を加えてづ＃押し
、７Ｎ　−１”　ｏ　−トよりメタクリル酸クロライド
１５６ｇとエチルエーテル２００ｙｙ＋ｌ　　の混合浴
液を約５時間で滴下１〜だ。滴下後、ＩＷ拌を続けなが
ら上ｄ己フラスコを水浴で加熱し、反応混介物を約５時
間還流させた。 還流後、水５００Ｔｎｌを加えて反応を停止１−シ、エ
ーテル層をデカンテーションにより分離し、飽和塩化ア
ンモニウム水ｔａ液で６回、つづいて飽和炭酸ナトリウ
ム水浴液で３回洗浄ｌ〜、最後に上記エーテル浴液に無
水ｌｌ１ｆ酸ナトリウムを添加１〜で一昼夜放置して乾
燥した。乾燥剤を分離後、エチルエーテルを留去し、θ
、ＮＩに法面によりメタクリル酸α、α−ジメチルベン
ジル（？Ｊｌｉ　点：　５８〜６１℃１０．６配置１ソ
）１２９ｇを得た、 合成例２ 攪拌器、冷却器、滴下ロートを付した３１の三つロフラ
スコに２００ｍ１のエチルエーテルを入れ、１−フェニ
ルエタノール１２９ｇとトリエチルアミン２００ｍ１を
加えて攪拌し、滴下ロートよりメタクリル酸クロライド
１３０．Ｆと２００ｍ１のエチルニーデルの混合浴液を
約２時間で滴下した。滴下終了後、攪拌を続けながら上
記フラスコを水浴で加熱し、反応混合物を約１０時間還
流させた。 還流後、水５ＤＯｍｌを加えて反応を停止し、エーテル
層をデカンテーションにより分離し、５１普％の塩醒水
溶液で６回、つづいて１０重量んの炭酸水素す）　ＩＪ
ウム水浴液で６回洗浄し、最後に上記エーテル浴液に無
水硫酸ナトリウムを添加して一昼夜放置して乾燥した。 乾燥剤を分離後、エチルエーテルを留去し、減圧法面に
よりメタクリル酸α−メチルベンジル（沸点：６０〜６
６℃１０．２ｎｏｎｉ（ｊ’　）　１５０１を得た。 合成１＋Ｉｔ　５ メタクリルｌ’１２１−（七）置換フェニル）エチルの
合成は、合成例１〜２で示さ才ｌた手順と同様にして行
なった。なお、合成スギームは次の通りである。 １も （但し、ｌｔｌはアルギル基、アリール楠、アルアルキ
ル基又はハロゲン原子を表わす。）すなわち、１−（モ
ノ置換フェニル）エタノールとトリエチルアミンをエー
テル中で攪１’ｌ’　Ｌ、それにメタクリル酸クロライ
ドな滴下して、脱堪酸反応を行なうことによりメタクリ
ル酸１−（モノ置換フェニル）エチルを得た。 合成例４ メタクリル酸１−メチＡ−１−（モノ置換フェニル）エ
チルの合成は合成例１〜２で示された手順と同様にして
行なった。なお、合成スキームは次の通りである。 Ｃト１゜ ｒｉ。 （但し、Ｈ，はアルキル基、アリール基、アルアルキル
基又はハロゲン原子を表わす。）すなわち、１−メチＡ
−１−（モノ置換フェニル）エタノールとトリエチルア
ミンをエーテル中で攪拌し、それにメタクリル酸クロラ
イドを１薗下して、脱塩酸反応を行なうことによりメタ
クリル酸１−メチＡ−１−（モノ置換フェニル）エチル
ヲ得た。 合成例５ 攪拌器、還流冷却器、滴下ロートをイ・ｊした１１の三
つロフラスコにシフＴニルノ大？ノール１３ｓｙ、ｔ−
ＩＪエチルアミン１０６ｇ、乾燥エーテル２４０ｍ１と
塩化第一銅２．４　ｇを入れ、滴下ロートからメタクリ
ル酸クロライド９４．９と乾燥エーテル２４０ｍｅの混
合浴液を攪拌しなから約１時間で滴下した。その後３時
間加熱還流させて反応さ）にだ。上澄みの反応生成物の
エーテルＭ　７＆を分１１１１ｆしたのち、残存する固
体中の生成物をエーテルで７１１ｊｌ　ｊｌｂ　ｌハし
た。両エーテルＭｉを合わせて水３０［］ｍｌで４回洗
浄した。この洗＃Ｉｋをニーデル１５０ｍ／で２回抽出
し、前者のエーテル浴液と合わせ、これを杓ひ水５００
ｍ１で１回、次いで２Ｎ−Ｊ’ＡＡ　１１１！ｌ７３０
０ｙｎ／でろ回、史に０．７Ｎ−ｊｇ、炭酸ナトリウｉ
、、　６００ｍ１　テ２　回洗浄したのち、５０＆の無
水１ｐＩＣ酸マグネシウムで一昼夜乾燥させた。この重
液からエーテルを溜去し、メタクリル酸ジフェニルメチ
ルの粗結晶を得た。これを石油エーテルより再結晶した
のち、を種度Ｉ】−ヘキサンで円結晶して翁ｑ製メタク
リル酸ジフェニルメチル１ｓ２ｙ　（融点ニア８〜７９
℃）を得たー 合成例６ 合成例１で得たメタクリル酸α、α−ジメチルペンジノ
し５ｇをアゾビスイソブチロニトリル００４ｇ　を重合
開始剤として１．４ｉ０Ｃで１０時間、塊状重合させた
。尚、重合はＮ２ガスを封入した封管中で行なった。 得られた重合物を約２０ｍ１のトルエンに溶解しガラス
フィルターで濾過して少量の不溶物を除いたのち、約５
００ｍＡ！のメタノール中に投じ、白色粉末状の重合体
を得た。この重合体のＮ量平均分子量は液体クロマトグ
ラフィーにより測定した結果、ポリスチレン換算で約１
２０万であった。 合成例７ 合成例２で得たメタクリル酸α−メチルベンジル５ｇを
アゾビスイソブチロニトリル０．０４．９　を重合開始
剤として、６０℃で１０時間、塊状重合させた。得られ
た１合物を合成例６と同様にして精製し、重量平均分子
量約１５０万のポリ（メタクリル酸α−メチルベンジル
）を得た。 実施例１ 合成例６で得たポリ（メタクリル酸α、α−ジメチルベ
ンジル）をトルエンに溶）ｉ’ｒさせ、５ｍｆｉｔ％の
レジスト溶液を作成した。つづいて、上記レジスト溶液
をシリコンウェハ上に１１００Ｏｒｐででスピンコーテ
ィング［２て、０７μｍ厚の高分子被膜を形成させた。 これを９０℃で３０分間シリベークしたのち、電子線照
射装置内に入れて、真空中加速電圧２０ＫＶの電子線に
よって、場所的に照射量の異なる照射を行なった。これ
をす）　ＩＪウムメチラートの５重量％のメタノール溶
液からなる現像液あるいはメチルイソブチルケトンーイ
ソグロビルアルコール（１：３容積比）からなる現像液
に６分間浸漬したのち、メタノールあるいはイングロビ
ルアルコールでリンスし、被照射部分を溶解させて除去
した。種々の異なる照射量で１ｉｔ（射した箇所につい
て、薄膜段差計を用いて残存高分子被膜の膜厚を測定し
、現像後残存膜厚（規格化）を電子線照射量（クーロン
／ｃａｌ　）に対してブロットシ、感電子線特性を表わ
す第２図不−得た。 これより残膜率が零となる最ｌ」・照射量を求めたとこ
ろ、前記したアルカリ現像液を用いた場合、８Ｘ１０−
’クーロン／Ｃ肩でキ）す、有機現像液を用いた場合６
Ｘ１０−’クーロン／′詞であり、アルカリ現像を行な
うことにより、たとえば代表的なポジ形レジストである
ポリメタクリル酸メチルに比し、１桁以上の高い感度を
示すことがわかった。 次いで、アルゴンガス圧２Ｘ１０−’　Ｔｏｒｒ１イオ
ンエネルギー密度０．２５Ｗ／Ａ＊Ｉによるイオンエツ
チングを行なったところ、この重合体のイオンエツチン
グ速度は２００Ａ／分であり、ポリメタクリル酸メチル
のイオンエツチング速度の約５０％であり、低かった。 シリコン酸化膜のイオンエツチング速度は約２００４／
分であることから、エツチングの不均一性等を考慮して
シリコン酸化膜の２倍以十の厚さのレジスト膜を塗布す
ることにより基板のエツチングが可能である。 実施例２ 合成例７で得たポリ　（メタクリル酸α−メチルベンジ
ル）を６］Ｌ量％のトルエン＠液とし実施例１と同様に
してシリコンウェハ」−に１μｍ厚の高分子被膜な形成
させた。ついで９０℃で３０分間、プリベークしたのち
加速電圧２０ＫＶの電子線を照射し、ナトリウムメナラ
ートの５　、ｉｆｆ　ｉｆｆ％メタノール済液で現像し
た、残膜率が零となる最小照射量を求めた所５Ｘ１０−
’クーロン／ＩＩであり、コントラストを示ずガンマ値
が５と大きく、Ｗｒ像性に優れていることが確認された
１、 実施例３〜８ 合成例６および７と同様にして各種組成の放射線感応性
高分子材料を合成し、実施例１および２と同様にしてト
ルエンに溶解させてレジスト浴液を作成した。これをシ
リコンウェハ上にスピンコーティングして、約１μｍ厚
の高分子被膜を形成させた。 次いで、加速電圧２０！＜Ｖの電子線または加速電圧１
　ｏＫＶの回転水冷式銀の対陰イがからの波長４．２Ａ
の軟Ｘ線を用いて電子線感度またはＸ態感度を求　めブ
こ。 それらの結果をまとめて表に示すが、いずれも放射線に
対する感応性が茜く、また解像性もすぐれており、すぐ
れたポジ形レジストの得られていることが確認された。 実施例９ 実施例１と同様にして作成したシリコンウェハ上のポリ
（メタクリル酸（χ、α−ジメチルベンジル）の０．７
μ７ｉ厚の薄膜に、場所的に照射６１の異なる電子線照
射を行ない、トリエチルアミンの５重量％のメタノール
溶液からなる現像液、水酸化ナトリウムの５重置％のメ
タノール溶液からなる原像液、あるいはテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドの５皿量％水浴液からな
る現像級を用いて、被照射部分を溶解させて除去した。 実施例１と同様にして残膜率が′岑と／ｊる最小照射量
を求めたところ、それぞれ８Ｘ１０’Ω包、　１．２Ｘ
１０　’つ祇１．２Ｘ１０　’　Ｃ，台であり、現像液
として神々のアルカリ浴液が使用できることか確認され
た。 比較例１，２ 実施例と同様にして谷４１１！組成の放射線感応性高分
子材料（但し、本発明によるものではないもの）を合成
１〜、電子線感度を求めた。その結果を表に示したが、
本比較例におけるものはいずれも電子線に対する感応性
が悪（、実用に供し得ぬものでル）った。 以−Ｌの１説明に明らかなように、本発明による放射線
感応計高分子拐料を、例えば電子線レジストと１〜で半
導体素子製作用クロムマスクの製作に用いれば極めてパ
ターン精度の高いマスクを作製することができる。また
、電子線照射による重接描画やＸ線の一括照射により極
めてパターン精度の高いレジスト膜を形成させることが
でき、半導体工業の分野において、従来の写真食刻技術
に代って、超微細化半導体等の製造に実用できるもので
ある。以上のようにして、本発明による一分子材料は極
めて効用の大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はポリメタクリル酸α、α−ジメチルベンジルの
電子線照射ｌｌ１ｌおよび醒子線照射後の赤外線吸収ス
ペクトルと、ポリメタクリル酸の赤外応性高分子材料の
感電子線％’＋４を示す図である。 １〜３：赤外純吸収スペクトル

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　電子線、Ｘ線、イオンビーム等の高エネルギーな放
   射線の照射によって分子中にカルボキシル基（−ＣＯＯ
   Ｈ）が生成する有機高分子化合物からなることを特徴と
   するポジ形レジストとなる放射線感応性有機高分子制別
   。 ２　有機高分子化合物が １へ ！ ＣＨＬも。 （式中１（１はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基又
   はフェニル基を表わし、Ｒ１は水素、アルキル基、アリ
   ール基又はアルアルキル基（アルキル基にアリール基が
   置換したもσ））を表わし、１へは水素、アルキル基、
   アリール基、アルアルキル基又はノ・ロゲン原子を表わ
   す。 ｎは重合度を示す数値を表わす。） ■ Ｃ（Ｃ＋　Ｌ　）　ｌｉ、。 １（、。 （式中Ｉｔ、はメチル基、エチル基、［１−プロピル基
   又はフェニル基を表わし、１モ、はアルキル基、アリー
   ル基、又はアルアルキル基【（を表わし、■も、は水素
   、アルキル基、アリール基、アルアルキル基又はハロゲ
   ン原子を表わす。■は重合度を示す数値を表わす。） を有するα−ＩＫ換アクリル酸エステル系垂合体からな
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射線
   感応性有機高分子材料。 ６、　有機高分子化合物が ＣＨＲ。 ｔｓ （式中１ｔ１はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基又
   はフェニル基を表わし、几、は水素、アルキル基、アリ
   ール基又はアルアルキル基（アルキル基にアリール基が
   置換したもの）を表わし、Ｒ１は水素、アルキル基、ア
   リール基、アルアルキル基又はハロゲン原子を表わす。 ｎは重合度を示す数値を表わす。、） あるいは 喝 Ｃ（ＣＩ　１．　）　１１．。 ■ｔＪ （式中Ｒ，はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基又は
   フェニル基を表わし、Ｉｔ、はアルキル基、アリール基
   、又はアルアルキルＪ、９を表わし、１％、は水素、ア
   ルキル基、アリール基、アルアルキル基又はハロゲン原
   子を表わす。ｎは重合度を示す数値を表わす。） を有するα−置換アクリル酸エステル系重合体と、Ｃｌ
   −１，＝Ｃ基を有する伺加１１１．合性単針体の重合に
   より得られた反復学位を含む共重合体であることを特徴
   とする特♂Ｉ・請求の範囲第１項記載の放射線感応性有
   機高分子材料。