JPS5868928A - 電子線露光方法 - Google Patents
電子線露光方法Info
- Publication number
- JPS5868928A JPS5868928A JP56166915A JP16691581A JPS5868928A JP S5868928 A JPS5868928 A JP S5868928A JP 56166915 A JP56166915 A JP 56166915A JP 16691581 A JP16691581 A JP 16691581A JP S5868928 A JPS5868928 A JP S5868928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- exposure
- size
- section
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. program control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＠明は描画精度の極めて高い電子線露光方法に関する
。
。
集積回路の高ｗ度化６ζ伴い、微小−寸ターンを高精度
で描くことの可能な電子線による直接露光の開発が進み
、一部で実用化されているＯこの様な直接露光を行う場
合、経済性を確保するため、高精度を保証したまま高速
度の露光が必要となるＯ斯る要求を満たすため可変断面
電子ビーム露光方法乃至は装置が開発されている。これ
は二つの多角形状スリットの間に電子レンズと電子線偏
向器とを置いた電４ビーム断＝可変装置を電子線通路に
組み込み、コンピュータからの指令により露光Ｉｆター
ンＳＣ応じてビーム＃面の大きさ及び形状を可変しなが
ら露光するもので、微小スポットの電子ビームを用いて
塗りつぶす方式に比べ、−じるしく高速露光が可能であ
る。
で描くことの可能な電子線による直接露光の開発が進み
、一部で実用化されているＯこの様な直接露光を行う場
合、経済性を確保するため、高精度を保証したまま高速
度の露光が必要となるＯ斯る要求を満たすため可変断面
電子ビーム露光方法乃至は装置が開発されている。これ
は二つの多角形状スリットの間に電子レンズと電子線偏
向器とを置いた電４ビーム断＝可変装置を電子線通路に
組み込み、コンピュータからの指令により露光Ｉｆター
ンＳＣ応じてビーム＃面の大きさ及び形状を可変しなが
ら露光するもので、微小スポットの電子ビームを用いて
塗りつぶす方式に比べ、−じるしく高速露光が可能であ
る。
しかしｉら、この方式においてはビーム断面を形成する
矩形の中に多（の電子が入っているので、電子レンズに
より結像した場合空間電荷効果によりビーム＃面のエツ
ジ部がボケでしまう。このボケ具合はビーム電流６ζ比
例するめで、電子ビームの電流密度が一定の場合、ビー
ム断面が大きくなるにつれてボケが多くなる。
矩形の中に多（の電子が入っているので、電子レンズに
より結像した場合空間電荷効果によりビーム＃面のエツ
ジ部がボケでしまう。このボケ具合はビーム電流６ζ比
例するめで、電子ビームの電流密度が一定の場合、ビー
ム断面が大きくなるにつれてボケが多くなる。
第１図はこの状態を示すもので神）図は、ビーム＃面が
小さい場合（鉤えば試料上での１辺ｌ］が１、ｇｍ）、
＋ｂ１図はビーム＃面が大きい場合（例えば試料上での
１辺１２が１０μｍ）であ５゜図かられかるようＣ１７
面が小さいときはビーム電流の分布が略矩形をしており
、エツジが非常にシャープであるが、断面が大きくなる
と分布は台形の様になり、エツジがボケでいる〇 一般（こ−パターンの形成は露光後現像処理を行うわけ
であるが、この出来上ったパターンはフォトレジストの
感度や現像条件等積々な要因の影響を受ける。そして、
第１図（ｍｌの如き電子ビームで露光した場合よりも（
ｂｌの如き電子ビームで露光した場合の方がその影響が
強（現われ、指定寸法ｊ２に対し、実際ＩＣは飼えば点
線で示すｌ！の寸法のパターンが形成されてしまう０こ
の□指定寸法１２からのずれｔ（１２と１２“の差、又
は比）はビーム断面が大きくなるｌこつれて加速度的に
多くなるので、大きい断面のビーム１こより露光した場
合、／クターンの精度が著じるしく低下してしまう。
小さい場合（鉤えば試料上での１辺ｌ］が１、ｇｍ）、
＋ｂ１図はビーム＃面が大きい場合（例えば試料上での
１辺１２が１０μｍ）であ５゜図かられかるようＣ１７
面が小さいときはビーム電流の分布が略矩形をしており
、エツジが非常にシャープであるが、断面が大きくなる
と分布は台形の様になり、エツジがボケでいる〇 一般（こ−パターンの形成は露光後現像処理を行うわけ
であるが、この出来上ったパターンはフォトレジストの
感度や現像条件等積々な要因の影響を受ける。そして、
第１図（ｍｌの如き電子ビームで露光した場合よりも（
ｂｌの如き電子ビームで露光した場合の方がその影響が
強（現われ、指定寸法ｊ２に対し、実際ＩＣは飼えば点
線で示すｌ！の寸法のパターンが形成されてしまう０こ
の□指定寸法１２からのずれｔ（１２と１２“の差、又
は比）はビーム断面が大きくなるｌこつれて加速度的に
多くなるので、大きい断面のビーム１こより露光した場
合、／クターンの精度が著じるしく低下してしまう。
本発明はこの様な空間電荷効果による２寸ターン精度の
低下を防止することを目的とするもので、前述の指定寸
法１２からのずれ量は露光条件、レジスト条件、現像条
件等が一定であれば一定となるという事実に着目し、こ
の一定のずれを各寸法毎に予じめ測定しておき、指定寸
法（１２）のｚ４ターンを露光するとき、前記測定値に
基づき指定寸法を大きく、又は小さくするように補正す
ることをｌ！＃儀とするしのである。
低下を防止することを目的とするもので、前述の指定寸
法１２からのずれ量は露光条件、レジスト条件、現像条
件等が一定であれば一定となるという事実に着目し、こ
の一定のずれを各寸法毎に予じめ測定しておき、指定寸
法（１２）のｚ４ターンを露光するとき、前記測定値に
基づき指定寸法を大きく、又は小さくするように補正す
ることをｌ！＃儀とするしのである。
第２図は本発明の方法を実施した装置の一例を示すもの
で、１は電子銃である。この電子銃の下には偏向器２．
ア−（−チャ６からなるブランキング装置４が置かれて
−おり、これを通過した電子ビームは集束レンズ５によ
り集束され、ビーム断面可変装置６１こ入射する。この
装置は矩形の電子ビーム通過穴を有する第１スリツト板
７と、同一形状の第２スリツト板８と、その間に置かれ
た偏向器９と、結像レンズ１０とから構成され、第１ス
リツトの電子ビーム通過穴の像を結像レンズ１０Ｉこよ
りＩＲ２スリット板８）：に投影し、偏向器９（こより
顔像を移動させるととＩこ上り、第２スリツト板の電子
ビーム通過穴から所望の形状及び夫きさの断面をもつ電
子ビームを下方に取り出す。このビーム断面可変装置６
からの所定電子ビームは投影レンズｉｌｌこより縮小さ
れて試料（半導体ウェハ）１２とに投射される。投影レ
ンズと試料との関着こは偏向器１６が置かれ、整形さ。
で、１は電子銃である。この電子銃の下には偏向器２．
ア−（−チャ６からなるブランキング装置４が置かれて
−おり、これを通過した電子ビームは集束レンズ５によ
り集束され、ビーム断面可変装置６１こ入射する。この
装置は矩形の電子ビーム通過穴を有する第１スリツト板
７と、同一形状の第２スリツト板８と、その間に置かれ
た偏向器９と、結像レンズ１０とから構成され、第１ス
リツトの電子ビーム通過穴の像を結像レンズ１０Ｉこよ
りＩＲ２スリット板８）：に投影し、偏向器９（こより
顔像を移動させるととＩこ上り、第２スリツト板の電子
ビーム通過穴から所望の形状及び夫きさの断面をもつ電
子ビームを下方に取り出す。このビーム断面可変装置６
からの所定電子ビームは投影レンズｉｌｌこより縮小さ
れて試料（半導体ウェハ）１２とに投射される。投影レ
ンズと試料との関着こは偏向器１６が置かれ、整形さ。
れなビームを試料とで移動させ所望の２寸ターンを描く
ｏ１４は制御用コンピュータ、１５．１６及び１７はＤ
−Ａ変換器、１８，１９及び２０は増＠器であり、これ
らを介してコンピュータからの信号が丸々の偏向器２，
９及び１５番こ送られ、所定の？パターンが露光される
。
ｏ１４は制御用コンピュータ、１５．１６及び１７はＤ
−Ａ変換器、１８，１９及び２０は増＠器であり、これ
らを介してコンピュータからの信号が丸々の偏向器２，
９及び１５番こ送られ、所定の？パターンが露光される
。
ビーム断面可変用のＤ−Ａ変換器１６とコンピュータ１
４との間にはビーム形データレジスタ２１及び掛算回路
２２が接続され、又、掛算回路ｌζは定数メモリ２６よ
りビーム形データ（こ応じた定数が送られ、生のビーム
形データと掛算される。定数メモリ２５には前述した指
定寸法とのずれに対応する定数が各ビーム断面の形状、
大きさ毎＋Ｃ記憶されており、レジスタ２１に転送され
たビーム形データ（形状、大きさ）ｌど応じて所定の定
数が１！、”＞出され、掛算回路２２に送られ、生のビ
ーム形データと掛算される０即ら、本発明においては、
特定の露光条件、レジスト条件、現像条件において、種
々の指定寸法と実際に描画されたパターンのビーム寸法
とのずれを定数として測定し、メモリ２５＋こ記憶して
おき、レジスタに送られた指定寸法のデータ１こ上記定
数を掛算して、ビーム寸法を指定値より大きく、成いは
小さくなるようｊｃ修正せしめ、現像後の最終ｔ４ター
ンの寸法が所定値基こなるように補正するものである〇 上記定数を掛算する方式Ｉこ代えて、指定寸法とのずれ
鎗を加算式いは減算する方式を採用しても良い。又、上
記は定数メモリや掛算回路等を用いてハード的ｌこ補正
を行ったが、測定したずれに基づきコンピュータ１４１
Ｃｉ５憶されているビーム形データをソスト的Ｉこ補正
するよう１こなしても良い。
４との間にはビーム形データレジスタ２１及び掛算回路
２２が接続され、又、掛算回路ｌζは定数メモリ２６よ
りビーム形データ（こ応じた定数が送られ、生のビーム
形データと掛算される。定数メモリ２５には前述した指
定寸法とのずれに対応する定数が各ビーム断面の形状、
大きさ毎＋Ｃ記憶されており、レジスタ２１に転送され
たビーム形データ（形状、大きさ）ｌど応じて所定の定
数が１！、”＞出され、掛算回路２２に送られ、生のビ
ーム形データと掛算される０即ら、本発明においては、
特定の露光条件、レジスト条件、現像条件において、種
々の指定寸法と実際に描画されたパターンのビーム寸法
とのずれを定数として測定し、メモリ２５＋こ記憶して
おき、レジスタに送られた指定寸法のデータ１こ上記定
数を掛算して、ビーム寸法を指定値より大きく、成いは
小さくなるようｊｃ修正せしめ、現像後の最終ｔ４ター
ンの寸法が所定値基こなるように補正するものである〇 上記定数を掛算する方式Ｉこ代えて、指定寸法とのずれ
鎗を加算式いは減算する方式を採用しても良い。又、上
記は定数メモリや掛算回路等を用いてハード的ｌこ補正
を行ったが、測定したずれに基づきコンピュータ１４１
Ｃｉ５憶されているビーム形データをソスト的Ｉこ補正
するよう１こなしても良い。
更に、露光条件、レジスト条件、現像条件等を変えて描
画する場合には夫々の条件毎Ｊこ予じめ補正データを測
定しておけば良い。
画する場合には夫々の条件毎Ｊこ予じめ補正データを測
定しておけば良い。
以上詳述した構成となせば、ビーム断面可変装置６１こ
よりビーム断面の大きさ、形状を任意に変えながら露光
しても、空間電荷効果１こよる寸法誤差は殆んど生ぜず
、従って高速、高精度の電子線露光が可能となる。
よりビーム断面の大きさ、形状を任意に変えながら露光
しても、空間電荷効果１こよる寸法誤差は殆んど生ぜず
、従って高速、高精度の電子線露光が可能となる。
第１図は空間電荷効果によるビーム断面エツジ部のボケ
を説明する図、第２図は本発明方法を実施した装置例を
示すブロック線図である。 ′１：電子銃、５：集束レンズ、６：ビーム断面可変装
置、７：第１スリツト板、８：第２スリツト板、９：偏
向器、１０：結像レンズ、１１：投影レンズ、１２：試
料、１６：偏向器、１４：コンピュータ、２１：ビーム
形データレジスタ、２２：掛算回路、２６：定数メモリ
。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄 ｆｌｌ」 （ＣＩ） Ｃｂ）
を説明する図、第２図は本発明方法を実施した装置例を
示すブロック線図である。 ′１：電子銃、５：集束レンズ、６：ビーム断面可変装
置、７：第１スリツト板、８：第２スリツト板、９：偏
向器、１０：結像レンズ、１１：投影レンズ、１２：試
料、１６：偏向器、１４：コンピュータ、２１：ビーム
形データレジスタ、２２：掛算回路、２６：定数メモリ
。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄 ｆｌｌ」 （ＣＩ） Ｃｂ）
Claims (1)
- 電子ビーム断面の形状及び大きさを描画すべきｐ４ター
ンに応じて可変しながら露光する方法ＩＣおいて、指定
されたビーム断面寸法と露光によって作成されたｉビー
ム断面に対応する・寸ターンの寸法とのずれをビーム断
面の所定寸法ごとに予じめ測定して尉−き、露光時又は
その前段階において前記測定された値ｌζ基づき指定ビ
ーム断面の寸法を補正することを特徴ｉする電子線露光
方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166915A JPS5868928A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166915A JPS5868928A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868928A true JPS5868928A (ja) | 1983-04-25 |
Family
ID=15839995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166915A Pending JPS5868928A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332017A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法とその装置 |
| JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56166915A patent/JPS5868928A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332017A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法とその装置 |
| JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
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