JPS5868942A - ダイボンド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発明は、半導体チップケ回路基板にダイボンドする際
、半導体チップを損傷させずに回路基板に接合固定でキ
ろグイボンド装置？提供′１′″ゐことを目的とする。

周知のように拡散、フォトエッチ工程が終了したシリコ
ンウェハは、機能単位ごとに分割さｎ半に固定し、いわ
ゆるダイボンド装置う。従来、前記ダイボンドに、ダイ
しレットに半導体チップヶ真空吸引しグイコレットに機
械的加重ケ加え、（ロ）路基板に圧着、ムｕ　−Ｓｉ合
金又は接着性樹脂によＶ接合固定するものであった。

しかし、この方法に工ゐと第１図（ム）に示すダイコレ
ット１に半導体チップ２ケ真空吸引した前記ダイコレッ
ト自体に圧力？加え、回路基板３に半導体チップ２′ｌ
ｔ圧着し、圧カケ加えた′！１前後方向瓢、左右方回す
にダイコレット１ヶ動かさねばならない。

この時、同図（Ｂ）に示す様に、ダイボンド時において
半導体チップ２のエッヂ４にクラック６が発生する。こ
のクラック６はグイコレット１が半導体チップ２のエッ
ヂ４に接触した［Ｌ加圧した状態で第１図（ム）に示す
とおりダイコレット１ヶ前後方向ａ、右左方向すに動か
すため半導体チップ２のエッヂ４に無理な刀が加わるた
め発生するものである。

本発明は、前記従来の欠点ケ除去するものであり、半導
体チップケ回路基板にダイボンドする際、前記ダイコレ
クトの中空部に加圧気体ケ導入し、−この圧力により前
記半導体チップ２回路基板に押しつけ、ダイコレットが
前記半導体チップのエッヂに接触する事なくダイボンド
出来るダイボンド装置ケ提供丁／）ものである。

第２図は、本発明の一実施例におけるダイボンド装置の
構＠？示す図である。第２図に示すように、同装置はダ
イコレット１に、半導体チップケ吸引して、回路基板の
ダイボンドする箇所まで移動させるための真空装置系統
１６と、ダイボンド時に半導体チップに圧カケ加え回路
基板に接合固定するた、めの加圧気体供給装置系統１７
と？備えており、そｆぞｎ開閉栓１４，１５及び圧力計
１３ケ装備している。ダイコレット１への半導体チップ
の吸引、脱着は、真空開閉栓１．４の開閉側（財）にニ
ー正性い・ダイボッド時における半導体チップの回路基
板への加圧は、カロ圧気体開閉栓１６の制御によって行
う。１２にダイボンド時加圧気体が冷態であった場合に
用いらｎる回路基板の冷却を防ぐ加熱ヒータである。

次に第３図ケ用いて、前記実施例におけるダイボンド装
置の動作ｒ説明する。

１ず第３図（ム）において、真空開閉栓１４ケ開けるこ
とにエリあらかじめ分割さｎた半導体チップ２ケダイコ
レツト１に真空吸引させ、この状態で半導体チップ２ヶ
回路基板３上に位置させる。次に第３図（Ｂ）において
２、ダイコレット１ケ降下させ１：半導体チップ２の下
面ケ回路基板３に接触させ、真空開閉栓１４會閉じる。

次に第３図（Ｃ）　において、ダイコレット１ヶ半導体
チップ２の厚さの１／２程度上向へ垂直に移動させる。

前記ダイコレット１の上方への移動が完了した後、加圧
気体開閉栓１５７開き、ダイコレットの中空部７に加圧
空気ケ導入させると共に、グイコレット１２前後方回ａ
、左右すに動かし半導体チップ２ケ回路基板３次に第３
図中）において、半導体チップ２が接着樹脂又に五ｕ−
８ｉ合金６で回路基板３に接合固定さｒＬ、ｂ工程が完
了丁ｎは半導体テップ２ケ（ロ）路基板３上に残して、
ダイコレット１に引き上げたあと加圧気体開閉栓ｒ閉じ
てグイボンド？完了丁ゐ。

次に第４図ｒもとにして半導体チノプケ回路基板に固Ｔ
する際のダイコレットと半導体チップとの位置関係につ
いてさらに詳細にのべる。

枦１図におい′て、ダイコレット１と半導体チップ２の
エッヂ４との間に少なくとも、前記夕”イコレソト１と
エッヂ４が接しない間隔例えば、半導体チップ２の厚さ
２分の１程度の間隔Ｄ２設ける。

この係に半導体チップ２とダイコレット１との間に間隔
Ｄｙ設けておき、加圧気体ケ導入し、グイコレット１ｒ
前後、左右に勤かし＋導体チン１２ｒ回路基板３に接合
固定させるものである。この方法であｎば、半導体チッ
プ２はダイコレット１に対し完全に半導体チップのエツ
ジが非−触の状態で接合固定できるものである。つ壕り
、ダイコレット１の中空部に加圧気体ケ導入し半導体チ
ップ２ケ（ロ）路基板３に圧着グイボンド丁ゐ際、ダイ
コレクト１と半導体チップとにおのおのの壁面５でしか
接触せず半導体チップのエツジは無接触の状態である。

従がって、半導体ペレットのエツジの損傷？防止できる
。

このように前記実施例のダイボンド装置によｆば、半導
体チップのエッヂがダイコレットと強く当接子＾ことが
ないため半導体チップのクラックｒ防止できる。　　　
　　゛ 次に本発明の他の実施例におけるダイボンド装置につい
て説明する。

ムｕ　−Ｓｉ共晶合金法によるダイボンドでに、あらか
じめ加熱さｎた回路基板に半導体チソグｒ接合固足丁ゐ
ことはすでに公知である。しかし、ダイボンド時加圧気
体が冷態の場合、回路基板が冷却さｎ、ダイボンド条件
が不安定となり、こｎら會防ぐべに第６図においてダイ
コレット１の上部の管内部に発熱体１２ケ設置し、そこ
ケ通過″ｆ′ゐ加圧気体全直接加熱さす構成としている
。

第６図は本発明のダイボンド装置のさらに他の実施例ケ
示″′ｊもので、陶器製管に発熱体１２ｒ内装し、さら
に管内部に放熱翼１８ケ設は加「気体ｒ加熱する構成と
している。

さらに他の実施例として前記の工すにダイコレット１の
上部の管内部に発熱体ケ設置せずに、夕゛イコレットに
加圧気体ケ導入する管の途中に加圧気体ケ高温に丁ゐ手
段？設け、この高温の気体ｒダイコレット１に導入して
も良い。

、このような不発型の実施例におけるダイボンド装置に
工ｎば、ムｕ−３ｉ共晶合金法では、夕”イコレノトの
中空により、加熱さｎた加圧気体ケ導入出来、グイボン
ド時に、回路基板の温度が低下し、接合条件ケ変動せし
め接合不良ケ発生させることがない。つ１ｖ、半導体チ
ップ、ダイコレットによって、回路基板から逃げる熱ケ
加熱さｆした加圧気体で供−給丁ゐことができ、安定し
たダイボンドが実施できる。又、樹脂接着法においても
加熱さｆした加圧気体ｒ導入丁ゐことによジ接着後の樹
脂の硬化ダイボンド時に実施できる。したがって工程ケ
短縮できる。なお、加圧気体はＮ２．ムｒ等の不活性ガ
スヶ用いることＫより半導体チップ表面１の酸化ケ防止
し、塵等ケ除去丁ゐことができる。

来のダイコレットによるダイボンドと同様、ダイコレッ
トにエリ半導体チップに機械的加重ケ加え、（ロ）路基
板に圧着、グイボンドする事も可能である。

以上の実施例説明により明ら刀・なように、従来はダイ
コレットが半導体チップ表面に接し、わずかでも傾斜し
ていると半導体チップ一方の表面。

エッヂのみに圧力が集中し、半導体チップ表面。

エツヂケ著゛じるしく損傷するものであったのに対して
本発明のダイボンド装置に、加圧気体のガス圧によって
前記半導体チップケ加圧手段ケ有している。このような
構成に工ｎば、半導体チップの表面にガス圧孕均等に加
え本ことにより半導体チップケ回路基板に接合固定丁ゐ
ので、均一な接合固定が得らｎるばかジではなく、グイ
コレクトと半導体チップが強ぐ当接して半導体チップが
損傷丁ゐことがなく、半導体装置の歩留り向上の点から
極めて有効なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ム）は従来のダイボンド装置で半導体チン１ケ
グイボンドする状態ケ示す図、第１図（Ｂ）は同装置の
グイボンドによって半導体チップにクラックが発生した
状−態ケ示す図、第２図は不発明の一実施例におけるダ
イボンド装置の構成ｒ示す図、第３図（ム）〜（Ｄ）は
同装置に工つ、て半導体チック“ケタ。 イボンドする工程ｒ示す図、第４図に同工程の要部ケさ
らに詳しく説明するための図、第６図は本発明の他の実
施例におけるダイボンド装置の要部拡大図、第６図は本
発明のさらに他の実施例におけゐダイボンド装置の要部
拡大図である。 １・・・・・・ダイコレット、２・・・・・・半導体チ
ック、３・・・・・・回路基板、１２・・・・・・発熱
体、１４．１５・・・・・・頁空開閉栓、１６・・・・
・・真空装置系統、１７・・・・・・加圧気体供給装置
系統。　　　　１ 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ｗ４
１図 （Ｂ） 第２図 、第４図 第５図 ２

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体チップケ吸引する開口部會有するダイコレ
   ットと、前記ダイコレットに連結さｎ前記半導体チップ
   ヶ前記ダイコレットの開口部に吸引する吸引手段と、前
   記ダイコレットに連結さｎ前記ダイコレットの開口部に
   加圧気体ケ供給する手段とを備えたダイボンド装置。
2. （２）加圧気体を加熱する手段がダイコレットに設けら
   ｎていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   ダイボンド装置。