JPS5873113A - 液相エピタキシヤル成長用スライドボ−ト - Google Patents
液相エピタキシヤル成長用スライドボ−トInfo
- Publication number
- JPS5873113A JPS5873113A JP56173827A JP17382781A JPS5873113A JP S5873113 A JPS5873113 A JP S5873113A JP 56173827 A JP56173827 A JP 56173827A JP 17382781 A JP17382781 A JP 17382781A JP S5873113 A JPS5873113 A JP S5873113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- slider
- melt
- epitaxial growth
- screw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体結晶などの液相エヒタキシャル成長に
用いるスライドボートの改良に関するものである。
用いるスライドボートの改良に関するものである。
液相エヒタキシャル成長法は■−ｖ族またはｆｌ−■族
化合物半導体結晶の成長に一般的に用いられ、良質の結
晶が得られている。ここでは−例として、カドミウム・
テルル（ＣａＴｅ）基板上に水銀カドミウム・テルル（
ＨｇＣａＴ ｅ ）結晶を液相エピタキシャル成長させ
る場合について説明する。
化合物半導体結晶の成長に一般的に用いられ、良質の結
晶が得られている。ここでは−例として、カドミウム・
テルル（ＣａＴｅ）基板上に水銀カドミウム・テルル（
ＨｇＣａＴ ｅ ）結晶を液相エピタキシャル成長させ
る場合について説明する。
第１図は液相エピタキシャル成長に用いている従来のス
ライドボートの構造を示す断面図で、ｆｌ＋はスライダ
ー、（２）は融液溜め、（３）はスライダｆｌ＋上の融
液溜め（２）が渭るスライド面、（４ｊはスライド面（
３〕から凹んで形成された基板設置部、（６）は被成長
用０ｄＴｏ基板、（６）は融液溜め（２）に収容されＴ
。を生成分としＨｇおよびＯ（１を含む融液（材料）で
ある。
ライドボートの構造を示す断面図で、ｆｌ＋はスライダ
ー、（２）は融液溜め、（３）はスライダｆｌ＋上の融
液溜め（２）が渭るスライド面、（４ｊはスライド面（
３〕から凹んで形成された基板設置部、（６）は被成長
用０ｄＴｏ基板、（６）は融液溜め（２）に収容されＴ
。を生成分としＨｇおよびＯ（１を含む融液（材料）で
ある。
説明の便宜上、融液溜め（２）が１個でエピタキシャル
成長層を１層だけ成長させる場合を例としている０ まず、スライダー（１）上の基板設置部（４）に化学エ
ツチング等の前処理を施された０（ＩＴｏ基板（６）全
設置し、融液材料（６）を融液溜め（２）に入れ、水素
カス雰囲中で電気炉内に入れる。所定温度に昇温し融液
材料１６）がとけた後、融液溜め（２）をスライド面（
３）上を滑らせて、０．ＩＴ０基板（５）上に融液（４
）ｆかふせる。その状態で融液（６）の温度金工けてい
くと、Ｈｇ０ｄＴｏの結晶がｏｄ’ｒ８基板（５）上に
エピタキシャル成長する。その後、融液溜め（２）を再
び滑らせて、融液［６１′Ｉｋ基板（６）上から除去し
た後、電気炉外に取り出し、室温まで除動し、Ｈｇ０ｄ
Ｔｏ結晶が成長した０ｄＴｅ基板をとシ出す。
成長層を１層だけ成長させる場合を例としている０ まず、スライダー（１）上の基板設置部（４）に化学エ
ツチング等の前処理を施された０（ＩＴｏ基板（６）全
設置し、融液材料（６）を融液溜め（２）に入れ、水素
カス雰囲中で電気炉内に入れる。所定温度に昇温し融液
材料１６）がとけた後、融液溜め（２）をスライド面（
３）上を滑らせて、０．ＩＴ０基板（５）上に融液（４
）ｆかふせる。その状態で融液（６）の温度金工けてい
くと、Ｈｇ０ｄＴｏの結晶がｏｄ’ｒ８基板（５）上に
エピタキシャル成長する。その後、融液溜め（２）を再
び滑らせて、融液［６１′Ｉｋ基板（６）上から除去し
た後、電気炉外に取り出し、室温まで除動し、Ｈｇ０ｄ
Ｔｏ結晶が成長した０ｄＴｅ基板をとシ出す。
ところが、この従来のスライドボートでは結晶成長前の
基板（６）の上面とスライド面（３）との間の段差は通
常避は難く、このために次のような不都合な面があった
。すなわち、上記段差が大きい場合には、エピタキシャ
ル成長後、融液（６）を基板（５）から分離するとき、
融液（６）の一部が基板（５）上に残り、冷却後、第２
図に断面図で示すように、ｃｄＴ８基板（６）上に成長
したＨｇ０ｄＴｅ結晶（７）ヲ、Ｔｅ’ｔ”主成分とす
る融液（６）の一部が固化した層（６ａ）が棲う。そし
て、この層（６ａ） ＦｉＴ８の融点（４５０”Ｃ）が
篩いので容易には除去できない。また、段差が零で、基
板（ｆｌ）の上面とスライド面（３）とが一致している
と、エピタキシャル成長後、融液溜め（２）を除去のた
めスライドした際に１その下面が成長結晶層を引きかい
て正常な成長層が得られない。
基板（６）の上面とスライド面（３）との間の段差は通
常避は難く、このために次のような不都合な面があった
。すなわち、上記段差が大きい場合には、エピタキシャ
ル成長後、融液（６）を基板（５）から分離するとき、
融液（６）の一部が基板（５）上に残り、冷却後、第２
図に断面図で示すように、ｃｄＴ８基板（６）上に成長
したＨｇ０ｄＴｅ結晶（７）ヲ、Ｔｅ’ｔ”主成分とす
る融液（６）の一部が固化した層（６ａ）が棲う。そし
て、この層（６ａ） ＦｉＴ８の融点（４５０”Ｃ）が
篩いので容易には除去できない。また、段差が零で、基
板（ｆｌ）の上面とスライド面（３）とが一致している
と、エピタキシャル成長後、融液溜め（２）を除去のた
めスライドした際に１その下面が成長結晶層を引きかい
て正常な成長層が得られない。
通常それぞれのスライダー（り毎に基板設置部（４）の
深さは固定されており、基板（［１）の厚さが変われば
、これに適したスライダー（りに取り換える必要があっ
た。なお、それでも基板（６）の公称厚さは一定であっ
ても厚さにばらつきがあるときにはスライダー（１）の
椴り換えでは対応できず、基板設置部（４）の深さに応
じて基板（１５）の厚さを調整するために、基板（５）
にエツチングを施す要があった。このためエツチング量
と基板ｉｌｌの表面のダメージ層除去のためのエツチン
グ量との兼ねあいかむつかしかつ友。また、エツチング
量を多くせねばならぬ場合には基板（６）の表面が波打
つという問題もあった。
深さは固定されており、基板（［１）の厚さが変われば
、これに適したスライダー（りに取り換える必要があっ
た。なお、それでも基板（６）の公称厚さは一定であっ
ても厚さにばらつきがあるときにはスライダー（１）の
椴り換えでは対応できず、基板設置部（４）の深さに応
じて基板（１５）の厚さを調整するために、基板（５）
にエツチングを施す要があった。このためエツチング量
と基板ｉｌｌの表面のダメージ層除去のためのエツチン
グ量との兼ねあいかむつかしかつ友。また、エツチング
量を多くせねばならぬ場合には基板（６）の表面が波打
つという問題もあった。
この発明は以上のような点に録みてなされたもので、基
板設置部の深さを調整可能にすることによって、基板の
厚さの如何にかかわらす、基板上面とスライド面との段
差を所要値に調整できるスライドボートを提供すること
全目的としている。
板設置部の深さを調整可能にすることによって、基板の
厚さの如何にかかわらす、基板上面とスライド面との段
差を所要値に調整できるスライドボートを提供すること
全目的としている。
第３図はこの発明の一実施例のＪＪ！部のみを示す断面
図で、第１図の従来例と同等部分は同一符号で示し、そ
の説明は重複を避ける。図において（８）は従来例より
深く凹んで形成された基板設電５（４ａ）の底面にスラ
イダーｆｌｉｔ貫通して設けられたねじ孔、（９）はス
ライダーｆｉｌと同様例えはカーボンで形成され基板設
置部（４ａ）にすきまなく入る底板、ｏＯ）はこの底板
（９）と一体に形成されねじ孔（８１に螺合するねじで
、このねじ（ＩＯ）はスライダー（１）の下面から回動
させ得るようになっている。
図で、第１図の従来例と同等部分は同一符号で示し、そ
の説明は重複を避ける。図において（８）は従来例より
深く凹んで形成された基板設電５（４ａ）の底面にスラ
イダーｆｌｉｔ貫通して設けられたねじ孔、（９）はス
ライダーｆｉｌと同様例えはカーボンで形成され基板設
置部（４ａ）にすきまなく入る底板、ｏＯ）はこの底板
（９）と一体に形成されねじ孔（８１に螺合するねじで
、このねじ（ＩＯ）はスライダー（１）の下面から回動
させ得るようになっている。
上述のような構成にして、底板（９）の上に被成長用０
ｄＴ８基板（５）を置くようにすれば、ねじ００）の回
動によって基板（５）の上面とスライド面（３）との段
差を自由に調整することができ、前述の従来装置におけ
る欠点はすべて解消してすぐれたエピタキシャル成長層
が得られる。
ｄＴ８基板（５）を置くようにすれば、ねじ００）の回
動によって基板（５）の上面とスライド面（３）との段
差を自由に調整することができ、前述の従来装置におけ
る欠点はすべて解消してすぐれたエピタキシャル成長層
が得られる。
なお、上記実施例ではねじお上ひねじ孔によるＷＡｕｍ
構を用いたがこのねじおよびねじ孔の数及び形態は任意
でよく、更にｐ整機構自体、ねじ以外の適当な構造であ
ってもよい。ＪＪＣ上例ではＣｄＴｅ基板上にＡｊ？０
．ＩＴ６結晶を液相エピタキシャル成長させる場合を示
したが、一般に広く液相エピタキシャル成長に用い得る
ことは言うまでもない。
構を用いたがこのねじおよびねじ孔の数及び形態は任意
でよく、更にｐ整機構自体、ねじ以外の適当な構造であ
ってもよい。ＪＪＣ上例ではＣｄＴｅ基板上にＡｊ？０
．ＩＴ６結晶を液相エピタキシャル成長させる場合を示
したが、一般に広く液相エピタキシャル成長に用い得る
ことは言うまでもない。
以上詐述したように、この発明になる液相エピタキシャ
ル成長用スライドボートでは基板設置部に上下駆動可能
な底板金膜けたので、この底板の上Ｋｍかれる基板と融
液溜めが滑るスライド面との段差を常に所望値に保持で
きるので、すぐれたエピタキシャル成長層が得られる０
ル成長用スライドボートでは基板設置部に上下駆動可能
な底板金膜けたので、この底板の上Ｋｍかれる基板と融
液溜めが滑るスライド面との段差を常に所望値に保持で
きるので、すぐれたエピタキシャル成長層が得られる０
第１図は液体エピタキシャル成長用の従来のスライドボ
ートの構造を示す断面図、第２図は従来装置によって得
られた成長層を有する基板の一例を示す断面図、第３図
はこの発明の一実施例の要部のみを示す断面図である。 図において、（１）はスライダー、（２）は融液溜め、
（４ａ）は基板設置部、（５）は基板、＋６１ Ｆｉ融
液、（８）ハねじ孔、（９）は底板、叫はねじである。 なお、図中同一符号は同−讐たは相当部分を示す０ 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 第３図 第２図 手続補正書（自１１ｋ） 特許庁長官殿 ■、事１′１の表示 特願昭５６−１７３８２１
号２、発明の名称 液相エピタキシャル成長用
スライドボート３、補正をする者 ゴ ニｊ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。 ベーン 行 訂 正 ０１１１ 訂
正 後２ １８ スライダ（１）１スライダー（
１）□ ３１１１ 融液（４）：融液（６） ６ １０ ＡｔＣｄＴｅ ・
ＨｇＣｄＴｅ１１ ゛ （： ｉ 以上 ： ： ｌ ： （： ｌ ′ １ ； １ ： １ □ １ ： ■ 珍
ートの構造を示す断面図、第２図は従来装置によって得
られた成長層を有する基板の一例を示す断面図、第３図
はこの発明の一実施例の要部のみを示す断面図である。 図において、（１）はスライダー、（２）は融液溜め、
（４ａ）は基板設置部、（５）は基板、＋６１ Ｆｉ融
液、（８）ハねじ孔、（９）は底板、叫はねじである。 なお、図中同一符号は同−讐たは相当部分を示す０ 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 第３図 第２図 手続補正書（自１１ｋ） 特許庁長官殿 ■、事１′１の表示 特願昭５６−１７３８２１
号２、発明の名称 液相エピタキシャル成長用
スライドボート３、補正をする者 ゴ ニｊ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。 ベーン 行 訂 正 ０１１１ 訂
正 後２ １８ スライダ（１）１スライダー（
１）□ ３１１１ 融液（４）：融液（６） ６ １０ ＡｔＣｄＴｅ ・
ＨｇＣｄＴｅ１１ ゛ （： ｉ 以上 ： ： ｌ ： （： ｌ ′ １ ； １ ： １ □ １ ： ■ 珍
Claims (2)
- （１） 平らかな上面を有するスライダーと、このス
ライダーの上記上面を底面として構成され上記上面に添
って滑り得る融液溜めと、上記スライダーの上記上面の
一部に形成された四部からなる基板設置部とを備え、上
記基板設置部に結晶を成長させるべ趣基板を設置し、上
記融液溜めに上記成長させるべき結晶の材料からなる融
液を収容し、上記融液溜めを上記基板設置部上に移動さ
せて、上記基板上に上記融液をかぶせて上記基板上に所
望の上記結晶をエヒタキシャル成長させるものにおいて
、上記基板設置部内にその内壁との間に実質的なす色ま
かないように挿入され上下に駆動可能な底板を設けたこ
とを特徴とする液相エピタキシャル成長用スライドポー
ト〇 - （２） スライターの基板設置部が設けられた部位に
これを貫通するねじ孔を設け、底板とともに上下に可動
に構成されたねじを上記ねじ孔ＫＩＩＡ合させ、上記ね
じを回動して上記底板全上下に駆動するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液札エピタキ
シャル成長用スライドボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173827A JPS5873113A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 液相エピタキシヤル成長用スライドボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173827A JPS5873113A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 液相エピタキシヤル成長用スライドボ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873113A true JPS5873113A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15967886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56173827A Pending JPS5873113A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 液相エピタキシヤル成長用スライドボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873113A (ja) |
-
1981
- 1981-10-27 JP JP56173827A patent/JPS5873113A/ja active Pending
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