JPS5873233A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS5873233A JPS5873233A JP56172221A JP17222181A JPS5873233A JP S5873233 A JPS5873233 A JP S5873233A JP 56172221 A JP56172221 A JP 56172221A JP 17222181 A JP17222181 A JP 17222181A JP S5873233 A JPS5873233 A JP S5873233A
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- JP
- Japan
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- type semiconductor
- switching
- mis type
- signal
- output
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241001474791 Proboscis Species 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
- H03K19/01721—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路に関し、特にＭＩＳ亭導体素子
を用いて構成したスイッチング回路を含む半導体集積回
路に関する。
を用いて構成したスイッチング回路を含む半導体集積回
路に関する。
従来、半導体素子でスイッチング回路を構成することは
広く行われており、高速度スイッチングを行わせるため
に種々の回路が工夫されている。
広く行われており、高速度スイッチングを行わせるため
に種々の回路が工夫されている。
ＭＩ８Ｗ中導体素導体素子ッチング回路を構成する場合
、そのスイッチング速度を上げるにはＭＩＳ型半導体負
荷素子の電流値を上げる必要がある。
、そのスイッチング速度を上げるにはＭＩＳ型半導体負
荷素子の電流値を上げる必要がある。
この場合、消費電流が増加し、特に大規模集積回路にお
いてはその冷却能力により、制約を受ける。
いてはその冷却能力により、制約を受ける。
マスタースライス方式の様に、予め準備された標準素子
を用いる場合、その負荷素子を並列あるいは直列に複数
個！！！続することによシ、所賛のスイ、テング速度を
得ることが出来る。しかし、この場合負荷素子と駆動素
子の大きさを最適の比率に選択すること困難であシ、良
好なｎ Ｏ，特性が得られない。このように、半導体集
積回路内にＭＩＳ型半導体素子で構成したスイッチング
（ロ）路を含ませようとすると、スイッチング速度を上
げることが離しいという欠点がありた０ 本発明は上記欠点を除去し、ＭＩＳ型半導体負荷素子の
うちの少くとも１個をスイッチング時のみに動作せしめ
、それ以外のときは動作させないようにして発熱を抑制
し、電流値を上げることにより高速のスイッチング速度
を有するスイッチング回路を含む半導体集積回路を提供
するものである０ 本発明の半導体集積回路は、並列あるいは直列に接続さ
れる少くとも二つｏＭＩｓｌ！牛導体負荷素導体負荷素
子Ｉ８［半導体負荷素子を駆動するＭＩＳ型半導体駆動
素子と、前記ＭＩＳ型半導体負荷素子のうちの少くとも
一つのＭＩＳｆｉ半導体負荷素子のゲートと前記ＭＩ８
ｆｆｉ牛導体駆ＩＩｔｌＸ子の出力との間に接続される
微分回路とを含んで構成される。
を用いる場合、その負荷素子を並列あるいは直列に複数
個！！！続することによシ、所賛のスイ、テング速度を
得ることが出来る。しかし、この場合負荷素子と駆動素
子の大きさを最適の比率に選択すること困難であシ、良
好なｎ Ｏ，特性が得られない。このように、半導体集
積回路内にＭＩＳ型半導体素子で構成したスイッチング
（ロ）路を含ませようとすると、スイッチング速度を上
げることが離しいという欠点がありた０ 本発明は上記欠点を除去し、ＭＩＳ型半導体負荷素子の
うちの少くとも１個をスイッチング時のみに動作せしめ
、それ以外のときは動作させないようにして発熱を抑制
し、電流値を上げることにより高速のスイッチング速度
を有するスイッチング回路を含む半導体集積回路を提供
するものである０ 本発明の半導体集積回路は、並列あるいは直列に接続さ
れる少くとも二つｏＭＩｓｌ！牛導体負荷素導体負荷素
子Ｉ８［半導体負荷素子を駆動するＭＩＳ型半導体駆動
素子と、前記ＭＩＳ型半導体負荷素子のうちの少くとも
一つのＭＩＳｆｉ半導体負荷素子のゲートと前記ＭＩ８
ｆｆｉ牛導体駆ＩＩｔｌＸ子の出力との間に接続される
微分回路とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。
二つのＭＩ８！ｉｔ半導体負荷素子Ｔ１． Ｔｓを並列
に接続し、それらのソース電極に電ＩＩ ｖＤＤ ｔＭ
Ｉｌｍし、ドレイン電極を出力Ｖｏｕｙに接続する。こ
れらのＭＩ８ｍ半導体負荷素子ＴＩ Ｔｌを駆動させる
ためにＭＩＳＪｌｌ中導体駆動素子Ｔｓを図のように接
続し、ゲートに入力Ｖｘｘｔ−接続する。このＭＩ８型
半導体素子Ｔ、の出力としてＭＩＳ型半型半導体負荷素
子上Ｔ、のうちの少くとも１個９例えばこれをＴ、とす
ると、Ｔ、のゲートＧとの間に微分回路を接続する。こ
の実施例では抵抗Ｒと容量Ｃとから成る微分回路を用い
ている。このように構成された回路はインバータ回路で
ある。
に接続し、それらのソース電極に電ＩＩ ｖＤＤ ｔＭ
Ｉｌｍし、ドレイン電極を出力Ｖｏｕｙに接続する。こ
れらのＭＩ８ｍ半導体負荷素子ＴＩ Ｔｌを駆動させる
ためにＭＩＳＪｌｌ中導体駆動素子Ｔｓを図のように接
続し、ゲートに入力Ｖｘｘｔ−接続する。このＭＩ８型
半導体素子Ｔ、の出力としてＭＩＳ型半型半導体負荷素
子上Ｔ、のうちの少くとも１個９例えばこれをＴ、とす
ると、Ｔ、のゲートＧとの間に微分回路を接続する。こ
の実施例では抵抗Ｒと容量Ｃとから成る微分回路を用い
ている。このように構成された回路はインバータ回路で
ある。
次に、この実施例の動作について説明する。
第２図は第１図に示す一実施例の各部における信号の波
形図である。
形図である。
ＭＩａ型半導体駆動素子Ｔ、のゲートに電圧ｖ。
から電圧０に急激に変化する信号ＶＩＮが入力されると
、その出力は反転した形の信号ＶＯＵＴとなる。
、その出力は反転した形の信号ＶＯＵＴとなる。
ＭＩＳ型半型半導体負荷素子上ゲー）Ｇには抵抗Ｒと容
量Ｃから成る微分回路で信号ＶＯＵＴを微分したパルス
波形の信号■Ｇが印加される。ＭＩＳ型半型半導体負荷
素子上ゲート信号ＶＧの値かしきい値電圧を超えている
期間のみオン状態となり、それ以外はオフ状態となり、
非動作状態となる。
量Ｃから成る微分回路で信号ＶＯＵＴを微分したパルス
波形の信号■Ｇが印加される。ＭＩＳ型半型半導体負荷
素子上ゲート信号ＶＧの値かしきい値電圧を超えている
期間のみオン状態となり、それ以外はオフ状態となり、
非動作状態となる。
従って、この実施例のインバータ回路において。
ＭＩａ型半型半導体負荷素子上スイッチング時のみオン
状態となり、このときに流れる電流により発熱するが、
それ以外の時は非動作であるから発熱しない。同一熱容
量あるいは同一放熱特性である場合１発熱時間が短い程
大きな電流を流せるから、それだけスイッチング速度を
向上させることができる。
状態となり、このときに流れる電流により発熱するが、
それ以外の時は非動作であるから発熱しない。同一熱容
量あるいは同一放熱特性である場合１発熱時間が短い程
大きな電流を流せるから、それだけスイッチング速度を
向上させることができる。
上記実施例ではＭＩＳ型半型半導体負荷素子上Ｔ、を並
列接続したが、直列接続した場合でも本発明は同様に適
用できることは−らかである・以上詳細に説明したよう
に５、本発明によれば、Ｄ、 Ｃ１特性並びに消費電流
等の緒特性な犠牲にすることなく、高速のスイッチング
特性を持った半導体集積回路を得ることが出来るのでそ
の効果は大きい。 ゛
列接続したが、直列接続した場合でも本発明は同様に適
用できることは−らかである・以上詳細に説明したよう
に５、本発明によれば、Ｄ、 Ｃ１特性並びに消費電流
等の緒特性な犠牲にすることなく、高速のスイッチング
特性を持った半導体集積回路を得ることが出来るのでそ
の効果は大きい。 ゛
第１図は、本発明の一実施例の回路図、第２図は第１図
に示す一実施例の各部における信号の波形図である。 Ｔ、、Ｔ、・・・・・・ＭＩＳ型半導体負荷素子、Ｔ、
・・・用ＭＩＳ型半導体駆動素子、Ｃ・・・・・・容量
、几・・・・・・抵抗％ ＶＤＤ・・・・・・電源、Ｖ
Ｇ・・曲ゲート信号ｓ ｖＩＮ・・曲入力色好、ｖｏυ
丁・・・・・・出力信号。
に示す一実施例の各部における信号の波形図である。 Ｔ、、Ｔ、・・・・・・ＭＩＳ型半導体負荷素子、Ｔ、
・・・用ＭＩＳ型半導体駆動素子、Ｃ・・・・・・容量
、几・・・・・・抵抗％ ＶＤＤ・・・・・・電源、Ｖ
Ｇ・・曲ゲート信号ｓ ｖＩＮ・・曲入力色好、ｖｏυ
丁・・・・・・出力信号。
Claims (1)
- 並列あるいは直列に接続される少くともニクのＭＩＳ型
牛型体導体負荷素子前記ＭＩ８１１牛導体負荷素子を駆
動するＭＩ８１１ＭＰ導体駆動素子と、前記ＭＩ８ｆｉ
牛導体負荷素子のうちの少くとも一つのＭＩ８ｆｆｉ半
導体負荷素子のゲートと前記ＭＩａ型半導体駆動素子の
出力との間に接続される微分回路とを含むことを特徴と
する半導体集積回路０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172221A JPS5873233A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172221A JPS5873233A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873233A true JPS5873233A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15937834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172221A Pending JPS5873233A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873233A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GR880100624A (el) * | 1988-09-19 | 1990-10-31 | Hughes Aircraft Co | Ενισχυτης για video μεγαλου ευρους συχνοτητων και μεγαλης ταχυτητας. |
| FR2653951A1 (fr) * | 1989-10-26 | 1991-05-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Convertisseur de niveau. |
| US7959618B2 (en) | 2003-03-07 | 2011-06-14 | Sca Hygiene Products Ab | Pant-shaped article with improved fit |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56172221A patent/JPS5873233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GR880100624A (el) * | 1988-09-19 | 1990-10-31 | Hughes Aircraft Co | Ενισχυτης για video μεγαλου ευρους συχνοτητων και μεγαλης ταχυτητας. |
| FR2653951A1 (fr) * | 1989-10-26 | 1991-05-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Convertisseur de niveau. |
| US7959618B2 (en) | 2003-03-07 | 2011-06-14 | Sca Hygiene Products Ab | Pant-shaped article with improved fit |
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