JPS5873892A - 電子時計 - Google Patents
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- JPS5873892A JPS5873892A JP57167941A JP16794182A JPS5873892A JP S5873892 A JPS5873892 A JP S5873892A JP 57167941 A JP57167941 A JP 57167941A JP 16794182 A JP16794182 A JP 16794182A JP S5873892 A JPS5873892 A JP S5873892A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04G—ELECTRONIC TIME-PIECES
- G04G9/00—Visual time or date indication means
- G04G9/0023—Visual time or date indication means by light valves in general
- G04G9/0029—Details
- G04G9/0047—Details electrical, e.g. selection or application of the operating voltage
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来、電子時計の大爽さを定めるものとして、水晶振動
子、パルスモータ、電子表示素子、電池の′うちのいず
れかが限界となり、技術の発展と共に交互に限界の地位
fc譲りながら体積の縮小化の道をたどって衣た。
子、パルスモータ、電子表示素子、電池の′うちのいず
れかが限界となり、技術の発展と共に交互に限界の地位
fc譲りながら体積の縮小化の道をたどって衣た。
時計の動作寿命を定めるものとして、分周電力、パルス
モータ電力、水晶発振器電力かあり、これら□に組合わ
される電池の漏れ電流損失があり、これらと使用電池の
電流容楡との関係で電子時計の動作寿命が定められた。
モータ電力、水晶発振器電力かあり、これら□に組合わ
される電池の漏れ電流損失があり、これらと使用電池の
電流容楡との関係で電子時計の動作寿命が定められた。
電池時計の商品性において、性能は轟然として1:Mピ
の外形寸法及び動作寿命は大爽な割合を占めるものであ
り、最近になってようやく自動巻の機械式時計の域に達
して来た1。
の外形寸法及び動作寿命は大爽な割合を占めるものであ
り、最近になってようやく自動巻の機械式時計の域に達
して来た1。
更に最近の技術によればモータの特性向上及び一列機構
の設計の合理化により、時計を駆動するに必要な電力は
数年前の10μWから1μW以下にまで低下しようとし
ている。又、電子表示の時計の時刻表示に要する電力に
就いても、液晶表示を例に取ればO95μW以下になっ
た。ここで時刻表示に要する電力だけを考えるとすれば
、電池容量は1/10で良い事(tこなり、或いは動作
寿命を10年とする時計をも設計可能となった。現状に
おいては、時刻表示以外の電池時計の電力消費が3μW
〜1.5μW存在し、これはその2/3を発撮回路、1
/3を分局その他の見損以外の時計回路システムが消費
するようになっている。従って、現在時計の薄型化、長
寿命化に対する難点の2/3は電気回路であると言える
。
の設計の合理化により、時計を駆動するに必要な電力は
数年前の10μWから1μW以下にまで低下しようとし
ている。又、電子表示の時計の時刻表示に要する電力に
就いても、液晶表示を例に取ればO95μW以下になっ
た。ここで時刻表示に要する電力だけを考えるとすれば
、電池容量は1/10で良い事(tこなり、或いは動作
寿命を10年とする時計をも設計可能となった。現状に
おいては、時刻表示以外の電池時計の電力消費が3μW
〜1.5μW存在し、これはその2/3を発撮回路、1
/3を分局その他の見損以外の時計回路システムが消費
するようになっている。従って、現在時計の薄型化、長
寿命化に対する難点の2/3は電気回路であると言える
。
本発明は、上記の問題点である電気回路の消費電力を低
7城化し、史に性能の向上をも期待でもるシステムの構
成に関するものである。本発明の要点は、電源電圧に対
しコンデンサを直列に接続してエネルギーを蓄え、次に
これを並列接続してコンデンサの両端の電位差を平均化
し、これらのスイッチング動作により高い効率の低電圧
源を作成し、この低電圧を用いて水晶の発振及び時計用
の情報処理を行う事により従来の電子回路で行って来た
情報の処理をもとの電圧の2乗分のlにし、−挙に1/
4〜1/25とし、総消費′電力で従来の電子時計の1
/10を達成し、薄型でかつ長動作寿命の電子時計を提
供するものである。更に本構成によれば電子部品を低い
イ/ビーダ/スで使用で久るようになり、水晶発振器の
精度、安ボ度、精度の維持の容易さにおいて効果が犬へ
い。又、本構成は電子回路による機能の増大を特徴とす
る多機能時計、例えば多重アラーム時計や計算!−4付
六時計、或は純然たるポケッタブル機器例えば手帳型計
算器に用いて効果が犬であり、父、場合に応じて高電圧
や低電圧を便いわける/ステム、例えば、常時は低電圧
源で計時を行い、表示素子のコントラストを高めたり、
置数表示や演痺結果の表示時には低速動作とし、演算命
令時のみ演算の速度を上げたい場合に演眸部電源を切り
かえて高電圧部を用い計痺器の一作周波数七限を向上さ
せ、クロックパルスの周波数を褐<1〜で演算スピード
を向上させる場合などに用いて低消費′重力化と高性能
化を両立させる事ができ、効果の大もなもJ)である。
7城化し、史に性能の向上をも期待でもるシステムの構
成に関するものである。本発明の要点は、電源電圧に対
しコンデンサを直列に接続してエネルギーを蓄え、次に
これを並列接続してコンデンサの両端の電位差を平均化
し、これらのスイッチング動作により高い効率の低電圧
源を作成し、この低電圧を用いて水晶の発振及び時計用
の情報処理を行う事により従来の電子回路で行って来た
情報の処理をもとの電圧の2乗分のlにし、−挙に1/
4〜1/25とし、総消費′電力で従来の電子時計の1
/10を達成し、薄型でかつ長動作寿命の電子時計を提
供するものである。更に本構成によれば電子部品を低い
イ/ビーダ/スで使用で久るようになり、水晶発振器の
精度、安ボ度、精度の維持の容易さにおいて効果が犬へ
い。又、本構成は電子回路による機能の増大を特徴とす
る多機能時計、例えば多重アラーム時計や計算!−4付
六時計、或は純然たるポケッタブル機器例えば手帳型計
算器に用いて効果が犬であり、父、場合に応じて高電圧
や低電圧を便いわける/ステム、例えば、常時は低電圧
源で計時を行い、表示素子のコントラストを高めたり、
置数表示や演痺結果の表示時には低速動作とし、演算命
令時のみ演算の速度を上げたい場合に演眸部電源を切り
かえて高電圧部を用い計痺器の一作周波数七限を向上さ
せ、クロックパルスの周波数を褐<1〜で演算スピード
を向上させる場合などに用いて低消費′重力化と高性能
化を両立させる事ができ、効果の大もなもJ)である。
次に、図面に基つき本発明の1実施例を説明する。第1
図において、黒の太線はエネルギー流の経路を示し、細
線は信号の経路を示すこととする。
図において、黒の太線はエネルギー流の経路を示し、細
線は信号の経路を示すこととする。
第1図にpいて、111は本発明における電圧変換回路
の為の極低電力の開発振器で、例えば像相互コ/ダクタ
ンスのC7MO8インノく一夕を3段〜5段リング接続
して作られる。112はスイッチング回路網で、開発振
器111から得られる信号に同期してスイッチングされ
る。113は時計の時間基準信号源で、例えば水晶発振
回路で実現化される。114は計時単位信号合成機構で
時間基準信号源113の出力、例えば32768Hz
から時計の刻みの単位となる信号、例えば家庭用1)
タロツクには秒まで正確であればよいからIHlを合成
し、またクロノグラフ用には1/100単位まで測れる
ように100 H2を合成する。115;を計時機構で
あって初期値の設定の可nヒな計数器で構成され前記計
時単位信号合成機構114の信号を計数する事により初
期値時刻をスタート点として時刻を保持する。1161
riレベル変換器で水晶発振器113、計数信号合成機
構114、計時機構115までがVs s’例えば0.
3Vで動作し、表示装置117以降の/ステムがVss
、例えば1.55Voltで動作するが如く動作電圧レ
ベルが異る場合に信号の伝達すべ角情報は変えずに電圧
レベルのみを変換する。レベル変換器116は計数信号
合成機構114と計時機構115の間に挿入し計時機構
115はVss+で動作せしめる方式例えば計数信号合
成機構114を分割して前段をVss’で動作させ後段
を・Vss iで動作させ前段と後段の間にレベル変換
器116をそう人する方式も考えられる。そう人の位置
によりレベル変換すべ衣信号路の故が異なり又取扱う周
波数が異なる。一般には計時機構よりも周波数の高い側
にレベル変換器116を設置する方がレベル変換器の数
が少なくて良いが消費電力が増える又周波数の低い側に
設置する方がレベル変換器の数が増えチップサイド的に
負担が犬Aいが消費電力が低くなる1表示装置117は
計時機構115で保持される時刻情報あるいはその他の
指示情報を表示するブロックでデコータ及表示駆動回路
及表示素子を含む。118は電気的エネルギー源で例え
ば過酸化銀電池あるいは太陽電池と二次電池を組合せた
システムが用いられる。
の為の極低電力の開発振器で、例えば像相互コ/ダクタ
ンスのC7MO8インノく一夕を3段〜5段リング接続
して作られる。112はスイッチング回路網で、開発振
器111から得られる信号に同期してスイッチングされ
る。113は時計の時間基準信号源で、例えば水晶発振
回路で実現化される。114は計時単位信号合成機構で
時間基準信号源113の出力、例えば32768Hz
から時計の刻みの単位となる信号、例えば家庭用1)
タロツクには秒まで正確であればよいからIHlを合成
し、またクロノグラフ用には1/100単位まで測れる
ように100 H2を合成する。115;を計時機構で
あって初期値の設定の可nヒな計数器で構成され前記計
時単位信号合成機構114の信号を計数する事により初
期値時刻をスタート点として時刻を保持する。1161
riレベル変換器で水晶発振器113、計数信号合成機
構114、計時機構115までがVs s’例えば0.
3Vで動作し、表示装置117以降の/ステムがVss
、例えば1.55Voltで動作するが如く動作電圧レ
ベルが異る場合に信号の伝達すべ角情報は変えずに電圧
レベルのみを変換する。レベル変換器116は計数信号
合成機構114と計時機構115の間に挿入し計時機構
115はVss+で動作せしめる方式例えば計数信号合
成機構114を分割して前段をVss’で動作させ後段
を・Vss iで動作させ前段と後段の間にレベル変換
器116をそう人する方式も考えられる。そう人の位置
によりレベル変換すべ衣信号路の故が異なり又取扱う周
波数が異なる。一般には計時機構よりも周波数の高い側
にレベル変換器116を設置する方がレベル変換器の数
が少なくて良いが消費電力が増える又周波数の低い側に
設置する方がレベル変換器の数が増えチップサイド的に
負担が犬Aいが消費電力が低くなる1表示装置117は
計時機構115で保持される時刻情報あるいはその他の
指示情報を表示するブロックでデコータ及表示駆動回路
及表示素子を含む。118は電気的エネルギー源で例え
ば過酸化銀電池あるいは太陽電池と二次電池を組合せた
システムが用いられる。
スイッチング素子を制御するスイッチングバルスは、水
晶時計の場合分周段の途中から簡単に取り出せるが、こ
れと独立に極低電力のり/グ発4器を用いる方法があり
、高Q値の水晶振動子を用いた低電力水晶発振器の遅い
起動性に比較して、速い発振立上り特性を喘えたり77
発振器を副発振器として用意し、こ汎により電圧変換の
スイッチングを行う事がで点る。
晶時計の場合分周段の途中から簡単に取り出せるが、こ
れと独立に極低電力のり/グ発4器を用いる方法があり
、高Q値の水晶振動子を用いた低電力水晶発振器の遅い
起動性に比較して、速い発振立上り特性を喘えたり77
発振器を副発振器として用意し、こ汎により電圧変換の
スイッチングを行う事がで点る。
第2図は、本1顧に卦ける電圧変換用の副発振器(A)
、波形整形回路(B)、スイッチング回路(C)の具体
的実施例である。201は1.6Voltの電池、5、
:パ、、;。
、波形整形回路(B)、スイッチング回路(C)の具体
的実施例である。201は1.6Voltの電池、5、
:パ、、;。
211は低GmiのPチャネル薔シバ/スメントF・E
T、212はNチャネルエ7ハ7スメントFETである
。第2図において、Pチャネル・工/ハ/スメントFE
T、211と、Nチャネルエ/ハ/スメ/)FET21
2の対は、インバータ回路を形成し、ゲインが充分であ
扛ば該回路の応答時間の3倍を半周期とする周波数で発
振する。
T、212はNチャネルエ7ハ7スメントFETである
。第2図において、Pチャネル・工/ハ/スメントFE
T、211と、Nチャネルエ/ハ/スメ/)FET21
2の対は、インバータ回路を形成し、ゲインが充分であ
扛ば該回路の応答時間の3倍を半周期とする周波数で発
振する。
発振を副発振器として用いる事は、集積回路化に際して
コンデンサが不要な為に有効である。
コンデンサが不要な為に有効である。
周波数は、例えばl 000 H2〜1.00 H2で
、この発振で消費する電流は、01μ八〜001μAと
なる。211の低相Uコ/ダクタノスFETは発振時に
FET211/lび212を貫通し、電源を短絡して流
れる電流の成分を減する為の処理であって、インバータ
のソースと電源とを単に高抵抗を介して接続する事によ
っても該貫通電流の低下を達成でへるものである。
、この発振で消費する電流は、01μ八〜001μAと
なる。211の低相Uコ/ダクタノスFETは発振時に
FET211/lび212を貫通し、電源を短絡して流
れる電流の成分を減する為の処理であって、インバータ
のソースと電源とを単に高抵抗を介して接続する事によ
っても該貫通電流の低下を達成でへるものである。
信号φD213は、やはり低Gmのインバータ221に
よって波q’@形され、スイッチ77回路(Cりにφ、
Fなる相漏、的な信号対として供給される。
よって波q’@形され、スイッチ77回路(Cりにφ、
Fなる相漏、的な信号対として供給される。
スイッチング回路+c)vd供給する信号は必ずしも相
反転した相補的な信号である必要はない。
反転した相補的な信号である必要はない。
も°しもスイッチング部にm相(mは自然数)の1呂号
を供給する必要がある場合には、発振部(A)の奇数個
例えば2n+1個((2n+1)、>m、mは自然数)
のインバータの出力信号が同一位相で位相が相互に異な
るのを利用して、となり合うインバータの出力の排他論
理和の如勇う−タ回路によ。
を供給する必要がある場合には、発振部(A)の奇数個
例えば2n+1個((2n+1)、>m、mは自然数)
のインバータの出力信号が同一位相で位相が相互に異な
るのを利用して、となり合うインバータの出力の排他論
理和の如勇う−タ回路によ。
す(2n + 1 )以下の個数の信号、及びその反転
信号を得る事ができる。
信号を得る事ができる。
第2図のスイッチ77回路(C)の実施例は単相で相補
的な2つの信号があれば良い。
的な2つの信号があれば良い。
第2図の231.233.232.234は共にスイッ
チング回路で、機能的にはφ=Hにも・いて、偶数番号
232.234のスイッチがONとなり、奇数番号23
1.233のスイッチがOFFとなる。
チング回路で、機能的にはφ=Hにも・いて、偶数番号
232.234のスイッチがONとなり、奇数番号23
1.233のスイッチがOFFとなる。
このφ=Hの状態でコンデ/すC,241及びC224
2は直列に接続されて、その両端がy i+ n及びV
ssに接続され光電される。
2は直列に接続されて、その両端がy i+ n及びV
ssに接続され光電される。
Vss 1/2 fx ル出力端251と電源ノVIH
J又はVssとの間に負荷が接続されていれば、又C1
と02の容量比が等しくなれば、C7、C2の各々の両
端の電圧v1、v2tJ″i相等しくない。次にφ=L
となると奇数番号231.233のスイッチがONとな
り、232.234の偶数番号のスイッチがOFFとな
ってCI (2411C2(242)のコンデンサは並
列接続されV、=■2(\0)となる。
J又はVssとの間に負荷が接続されていれば、又C1
と02の容量比が等しくなれば、C7、C2の各々の両
端の電圧v1、v2tJ″i相等しくない。次にφ=L
となると奇数番号231.233のスイッチがONとな
り、232.234の偶数番号のスイッチがOFFとな
ってCI (2411C2(242)のコンデンサは並
列接続されV、=■2(\0)となる。
φのH,Lの交互の切り換えにより、251のVas1
/2出力端からはvDDとVss ]/2の間で測って
Vsg lの1/2の電圧が得られる。C,= 2.5
ttF、C2= 0.1μFの如く値の犬をく異なる
コンデンサを用いても良いが、C1、Cつの容量値の近
い方が利用効率が高い。
/2出力端からはvDDとVss ]/2の間で測って
Vsg lの1/2の電圧が得られる。C,= 2.5
ttF、C2= 0.1μFの如く値の犬をく異なる
コンデンサを用いても良いが、C1、Cつの容量値の近
い方が利用効率が高い。
なんとなればスイッチング回路の切換動作によって、コ
ンデンサ間互の間でジュール損失をともなう電荷の移動
が生じると、重力効率が低下するからである。コンデン
サ241と242の値が完全に等しければ、並列位相で
接続する直前の各コンデンサの充電電圧は相等しく、並
列接続時にコンデンサ間の電荷の移動は生じない1゜2
31はPチャネルFETを用いたスイッチでON’状態
ではvDDに接読する事が必要であり、OFF状態では
ドレイン電位がvDDとVss 1の間にあって該ソー
スドレイン間のインピーダンスは犬でなければならず、
もれ電流は無視で^る程の小さな値でなければならない
。
ンデンサ間互の間でジュール損失をともなう電荷の移動
が生じると、重力効率が低下するからである。コンデン
サ241と242の値が完全に等しければ、並列位相で
接続する直前の各コンデンサの充電電圧は相等しく、並
列接続時にコンデンサ間の電荷の移動は生じない1゜2
31はPチャネルFETを用いたスイッチでON’状態
ではvDDに接読する事が必要であり、OFF状態では
ドレイン電位がvDDとVss 1の間にあって該ソー
スドレイン間のインピーダンスは犬でなければならず、
もれ電流は無視で^る程の小さな値でなければならない
。
FET234とFET 231は相補的にONglびO
FFになり、φ=HでNチャネルFET234が、ON
、PチャネルFET 231がOFFとなる。
FFになり、φ=HでNチャネルFET234が、ON
、PチャネルFET 231がOFFとなる。
232.233は伝送ゲートでろって、2イツチングす
べき点の電位がvDDとVssの中間にあるので、Pチ
ャネル及びNチャネルのFETを対にして確実にONと
なるようにして用いている。第2図でPチャネル(以下
P−CHと略記する)FETのサブストレートは全てv
DDに、Nチャネル(以下N−CHと略記する)FET
のサブストレートは全てv881に接続されている。
べき点の電位がvDDとVssの中間にあるので、Pチ
ャネル及びNチャネルのFETを対にして確実にONと
なるようにして用いている。第2図でPチャネル(以下
P−CHと略記する)FETのサブストレートは全てv
DDに、Nチャネル(以下N−CHと略記する)FET
のサブストレートは全てv881に接続されている。
第2図(4)の発振器を用いずに、時計用時間基準信号
源である水晶発振器を電池電圧で直接駆動せしめ、該発
振出力信号硯ば、′その分周された信号をもって電圧変
換回路を駆動するシステムを用いる事もで角る。この場
合の低電圧源作成の目的は、は、例えば液晶のマトリク
スドライブの為の低電圧を供給するとか、低めの閾値電
圧で既に発振させている水晶発振器の・イアスミ圧を低
下させるとか、電界効果トランジスタを用いた抵抗に印
加するバイアス電圧を供給するのに用いる。
源である水晶発振器を電池電圧で直接駆動せしめ、該発
振出力信号硯ば、′その分周された信号をもって電圧変
換回路を駆動するシステムを用いる事もで角る。この場
合の低電圧源作成の目的は、は、例えば液晶のマトリク
スドライブの為の低電圧を供給するとか、低めの閾値電
圧で既に発振させている水晶発振器の・イアスミ圧を低
下させるとか、電界効果トランジスタを用いた抵抗に印
加するバイアス電圧を供給するのに用いる。
第2図(4)の発振器部分は、低消費KR化の為の開発
振器であるから、ここでの消費電流を低下させるよう注
意を用する。発振出力信号213の出力波形は鈍った波
形で、インバータ221に直接該鈍り波形を印加すると
貫通電流成分(P−CHFETとN−CHFETとの両
方を通過して流れる電源短絡電流成分)が大になるので
、発振部のとなり合った2つのインバータ出力を用いて
、第5図の如く貫通電流成分のない波形整形ができる。
振器であるから、ここでの消費電流を低下させるよう注
意を用する。発振出力信号213の出力波形は鈍った波
形で、インバータ221に直接該鈍り波形を印加すると
貫通電流成分(P−CHFETとN−CHFETとの両
方を通過して流れる電源短絡電流成分)が大になるので
、発振部のとなり合った2つのインバータ出力を用いて
、第5図の如く貫通電流成分のない波形整形ができる。
第3図(4)は1/3の電圧を得る場合の例であって、
301は電池、313は発振器、321は波形整形、3
24は成艷波形を得るためのインバータである。φ=H
に罫いて、N−CHFET332、伝送ゲート(以下T
Gと称す)342.344がON’になって、3つのコ
ンデンサ351,352゜353は直列接続となって電
源に接続され、充電される。次にφ=Lとなると、FE
T 332、T、G342.344はOFFとなり、P
−CHFET331.341及びTG343.345が
ONとなり、3つのコンデ/す351.352.353
は並列接続されて、電圧の平均化が行われる。この平均
化動屋により、・・デ・すの容量のばらつきに起因する
3つのコンデンサの充電時における電圧の1ばらつ衣は
直されてしまい、正確に電源電圧の1/3の電圧が作ら
れる。既に述べた如く高効率実現の為には、3つのコン
デ/すの値の比はlとなる方が望ましく、低電圧電圧源
出カイ、ンヒーダンスをFげる都合からは、コンデンサ
容量が犬である方が良く、又低電圧化回路を小さな体積
で、ローコストに実現しようとする立場からは、コンデ
ンサ容量が小の方が良い。このよう”に相克する要求を
満足するシステムとして、第3図Bがある。
301は電池、313は発振器、321は波形整形、3
24は成艷波形を得るためのインバータである。φ=H
に罫いて、N−CHFET332、伝送ゲート(以下T
Gと称す)342.344がON’になって、3つのコ
ンデンサ351,352゜353は直列接続となって電
源に接続され、充電される。次にφ=Lとなると、FE
T 332、T、G342.344はOFFとなり、P
−CHFET331.341及びTG343.345が
ONとなり、3つのコンデ/す351.352.353
は並列接続されて、電圧の平均化が行われる。この平均
化動屋により、・・デ・すの容量のばらつきに起因する
3つのコンデンサの充電時における電圧の1ばらつ衣は
直されてしまい、正確に電源電圧の1/3の電圧が作ら
れる。既に述べた如く高効率実現の為には、3つのコン
デ/すの値の比はlとなる方が望ましく、低電圧電圧源
出カイ、ンヒーダンスをFげる都合からは、コンデンサ
容量が犬である方が良く、又低電圧化回路を小さな体積
で、ローコストに実現しようとする立場からは、コンデ
ンサ容量が小の方が良い。このよう”に相克する要求を
満足するシステムとして、第3図Bがある。
ここで電圧変換には小容量コンデンサを用いた第31d
−Aのシステムをそのまま用い、該電圧変換器出力を、
大容量コンパンサ399にスイッチ回路389を用いて
いるう 電圧の低い出力の得られる状態で、電荷を転送する方式
が考えられる。電荷の転送は低電圧出力位相で行われる
ので、定常状態において、該大容、量コンデ/すの電圧
と低電圧化回路の出力電圧とはほとんど一致し、異なる
電圧θ)コンデンサの並列接続によるジュール損失の成
分はほとんど生じない。又、出力負荷から見た微分出カ
イ/ピータンスはイ氏い1直となる。
−Aのシステムをそのまま用い、該電圧変換器出力を、
大容量コンパンサ399にスイッチ回路389を用いて
いるう 電圧の低い出力の得られる状態で、電荷を転送する方式
が考えられる。電荷の転送は低電圧出力位相で行われる
ので、定常状態において、該大容、量コンデ/すの電圧
と低電圧化回路の出力電圧とはほとんど一致し、異なる
電圧θ)コンデンサの並列接続によるジュール損失の成
分はほとんど生じない。又、出力負荷から見た微分出カ
イ/ピータンスはイ氏い1直となる。
第4図は一般に与えられた電源電圧のn7m(m。
nは自然数)を作る回路の原理を説明する為の図テアル
。411〜4mnの各コンデンサの容量は全て等しくC
Oであるとし、又電源電圧(vDD とVsslとの電
位差)はVOであるとする。簡単の為ニハシめに411
〜4mnのコンデ/すには電荷が充電されていなかった
とし、第4図Aの如く結線されていたとすると、各コン
デンサには等しくQo=CoVo/nだけの電荷が蓄え
られ、コンデンサの両端にはVO/nの電圧が現われる
。次にコ゛/デ/すの向きをそろえたままm個直列□と
なるように結線を変えたとすると、コンデ/すの総数を
変えないとすればm個直列のコラムがn個でへる。
。411〜4mnの各コンデンサの容量は全て等しくC
Oであるとし、又電源電圧(vDD とVsslとの電
位差)はVOであるとする。簡単の為ニハシめに411
〜4mnのコンデ/すには電荷が充電されていなかった
とし、第4図Aの如く結線されていたとすると、各コン
デンサには等しくQo=CoVo/nだけの電荷が蓄え
られ、コンデンサの両端にはVO/nの電圧が現われる
。次にコ゛/デ/すの向きをそろえたままm個直列□と
なるように結線を変えたとすると、コンデ/すの総数を
変えないとすればm個直列のコラムがn個でへる。
これらn個のコラムを並列接続すると、並列接続シタ状
態でコラムの両端の電圧は(m/n )Vo 、!ニー
なる。文明らかに、以上の操作の過程では、コンデンサ
のつなぎかえに由来する電流が生じないから理屈の上で
は100%の効率で電圧変換されることになる。各コン
デンサの容量が等しくなっている事により100%の効
率が期待で^る。以上は動作原理を判り易く説明する為
の一例であって、実際ニはコンデンサの数はずっと少く
て済ム。
態でコラムの両端の電圧は(m/n )Vo 、!ニー
なる。文明らかに、以上の操作の過程では、コンデンサ
のつなぎかえに由来する電流が生じないから理屈の上で
は100%の効率で電圧変換されることになる。各コン
デンサの容量が等しくなっている事により100%の効
率が期待で^る。以上は動作原理を判り易く説明する為
の一例であって、実際ニはコンデンサの数はずっと少く
て済ム。
■ n7m>1/2の場合
1− n7m < 1/2となる。従って、Vo (1
−n7m)の電圧を作り、vOとの差電圧を利用すれば
鮎。
−n7m)の電圧を作り、vOとの差電圧を利用すれば
鮎。
1更用コンデンサが、原理説明のとおりの用い方である
とmn個の等容量のものが必要であるが、nの数がmよ
り多い場合に7J式で1m/2− n 1に節約される
。
とmn個の等容量のものが必要であるが、nの数がmよ
り多い場合に7J式で1m/2− n 1に節約される
。
■ 直列コンデンサの置換
n個直列にしたm個のコンデンサコラムをm個直列にし
たn個のコンデンサコラムに接続し直す場合に、定常的
に直列I/Cなったままのコンデンサを小容量の1個の
コンデンサに直換える事がで奉る。少くともn個直列の
コンデフサコラム9個、すなわちn2個の1ンデ/すは
、l/nの容量のコンデンサn個に置換える事ができる
。
たn個のコンデンサコラムに接続し直す場合に、定常的
に直列I/Cなったままのコンデンサを小容量の1個の
コンデンサに直換える事がで奉る。少くともn個直列の
コンデフサコラム9個、すなわちn2個の1ンデ/すは
、l/nの容量のコンデンサn個に置換える事ができる
。
第5図は、本願発明による′電圧変換回路に更に回路素
子の閾値を基準とした電圧制御回路を組合せた場合の例
を示す。第5図の構成は、例えば、リチューム電池の如
く、大電力容量で保存寿命も非常に良好な電池が、時計
用としては電圧が高め(約2.6〜3.2 Volt
)で、かつ銀電池に比較して電圧変動率が大缶な電池を
有効に利用する上で非常に便利な回路である。500は
電池 501゜502.503は、14低電流のインバ
ータで、3個をリング接続して一振させている。各イン
バータの出力は位相が2に7.、ニアつつずれた波形整
形されていない発振波形であるから5040波形整形ゲ
ートで、貫通電流小で波形整形で奉る。504及び50
゛3の出力が共に1H“において504の出力は′L〃
に設定され、504及び503の出力力玉共にw″L“
において、504の出力は1H“に設゛定される。50
4の出力は更に波形整形して、既説明済のコンデンサの
接続路の切換回路で、50850902つのコンデンサ
を直列と並夕1jに切換えて172 VaS、 (D電
圧を得る。更に510はC/MOSインバータの人・出
力を結合したもので、p−Ch−FET、N−ch
FETの閾イ直の絶対1直のオロを越える電圧に対して
は、ツエナータ゛イオードに似た電圧(ソース間)電流
特性を示すので、この閾値の和を基準とした峨圧制御回
路を構成してψ)る。C/MOSイノノく一夕510の
電圧は(lyrp l + VTN lに、(にP−c
h−FET513のソースフォロワによる電圧成分1v
rP15E力ahつて、21Vrpl 5−vrtvと
なる。FET 511は、N−ah−FETを用いた高
抵抗である。512は、太’t m 容41のp−ch
−FETで、ソースフォロワとなってい ス
出力電圧はゲート電圧るためにノー よりv7Pだけの電圧の差があり、P−ch−FET5
13でかさ上げされたぶんの電圧f)i p −c h
−FET512における差電圧の補償に用いられる。
子の閾値を基準とした電圧制御回路を組合せた場合の例
を示す。第5図の構成は、例えば、リチューム電池の如
く、大電力容量で保存寿命も非常に良好な電池が、時計
用としては電圧が高め(約2.6〜3.2 Volt
)で、かつ銀電池に比較して電圧変動率が大缶な電池を
有効に利用する上で非常に便利な回路である。500は
電池 501゜502.503は、14低電流のインバ
ータで、3個をリング接続して一振させている。各イン
バータの出力は位相が2に7.、ニアつつずれた波形整
形されていない発振波形であるから5040波形整形ゲ
ートで、貫通電流小で波形整形で奉る。504及び50
゛3の出力が共に1H“において504の出力は′L〃
に設定され、504及び503の出力力玉共にw″L“
において、504の出力は1H“に設゛定される。50
4の出力は更に波形整形して、既説明済のコンデンサの
接続路の切換回路で、50850902つのコンデンサ
を直列と並夕1jに切換えて172 VaS、 (D電
圧を得る。更に510はC/MOSインバータの人・出
力を結合したもので、p−Ch−FET、N−ch
FETの閾イ直の絶対1直のオロを越える電圧に対して
は、ツエナータ゛イオードに似た電圧(ソース間)電流
特性を示すので、この閾値の和を基準とした峨圧制御回
路を構成してψ)る。C/MOSイノノく一夕510の
電圧は(lyrp l + VTN lに、(にP−c
h−FET513のソースフォロワによる電圧成分1v
rP15E力ahつて、21Vrpl 5−vrtvと
なる。FET 511は、N−ah−FETを用いた高
抵抗である。512は、太’t m 容41のp−ch
−FETで、ソースフォロワとなってい ス
出力電圧はゲート電圧るためにノー よりv7Pだけの電圧の差があり、P−ch−FET5
13でかさ上げされたぶんの電圧f)i p −c h
−FET512における差電圧の補償に用いられる。
制御出力519の出力電圧は大略1 vrp lモvT
Nになっており、IC製造時の閾値の・くラツキに対し
て、本回路では電源電圧の制御によりマツチングを取っ
ており、かつ効率の良い電圧変換回路で大巾に電圧変換
したあと、更に細かな電圧調整をFETの閾値を基準と
して〆行う事により、エネルギー効率の極めて高い/ス
テムが実現されろ。
Nになっており、IC製造時の閾値の・くラツキに対し
て、本回路では電源電圧の制御によりマツチングを取っ
ており、かつ効率の良い電圧変換回路で大巾に電圧変換
したあと、更に細かな電圧調整をFETの閾値を基準と
して〆行う事により、エネルギー効率の極めて高い/ス
テムが実現されろ。
520は水晶発振回路、521は波形整形回路で時間基
準信号を発生し、523は分周回路で、波形整形回路5
21の出力から計時単位信号を合成する。524は計時
回路で、低周波を取扱い、消費電流も少いので 分周器
523より低インピーダンスの水晶発振器520の電源
を用いている。
準信号を発生し、523は分周回路で、波形整形回路5
21の出力から計時単位信号を合成する。524は計時
回路で、低周波を取扱い、消費電流も少いので 分周器
523より低インピーダンスの水晶発振器520の電源
を用いている。
525はレベルンフタでミ計時回路524の論理出力信
号を坐電圧に変喫し、表示装置526を駆動する信号を
供給する。
号を坐電圧に変喫し、表示装置526を駆動する信号を
供給する。
第6−Aは、本願構成による温度補正回路と電圧変換回
路とを結合させたシステムのフ゛ロック図である。60
0は銀電池、601,602,603は低相互コンダク
タノスのインバータ、604は抵抗、605は容量であ
って、604及び605は集積回、噂組み込みの場合も
可能である。集積回路内の601.602,603のコ
ンダクタンス及び浮遊容量が再現性良く作られない場合
には、604の抵抗を外付けにして発振周波数の調整あ
るいは温度−発振周波数特性の補正を行う。該発振周波
数の調整には6−05を集積回路の外付けの調整コンデ
ンサとして用いても良いし、インバータ601,602
,60.3へ供給する電源電圧を調整して相互コンダク
タンスを変える事により調整してもよい。610は既に
説明した本発明による電圧変換回路である。614,6
02.603゛のインバータによる発根回路の発振周波
数のLM if係数が大である場合には、600の銀電
池の安定不変な電圧を直接インバー多601,602゜
603に供給すれば良いが、I;外付けの感温素子例え
ば604にサーミスタ抵抗、あるいは605に感温コン
デンサを用いない場合、あるいはマンガン電池を用いる
家庭用の置時・計の場合には、発振インバータを構成す
る601,602.603に用いる能動素子であるトラ
ンジスタの制御端子の闇値を基準とする簡単なレギュン
ータ回路から電源を供給する方が、集積回路製造時のト
ランジスタの定数の特性上の偏差を吸収で缶で良い。6
11は時間基準信号源で、水晶発振回路である。
路とを結合させたシステムのフ゛ロック図である。60
0は銀電池、601,602,603は低相互コンダク
タノスのインバータ、604は抵抗、605は容量であ
って、604及び605は集積回、噂組み込みの場合も
可能である。集積回路内の601.602,603のコ
ンダクタンス及び浮遊容量が再現性良く作られない場合
には、604の抵抗を外付けにして発振周波数の調整あ
るいは温度−発振周波数特性の補正を行う。該発振周波
数の調整には6−05を集積回路の外付けの調整コンデ
ンサとして用いても良いし、インバータ601,602
,60.3へ供給する電源電圧を調整して相互コンダク
タンスを変える事により調整してもよい。610は既に
説明した本発明による電圧変換回路である。614,6
02.603゛のインバータによる発根回路の発振周波
数のLM if係数が大である場合には、600の銀電
池の安定不変な電圧を直接インバー多601,602゜
603に供給すれば良いが、I;外付けの感温素子例え
ば604にサーミスタ抵抗、あるいは605に感温コン
デンサを用いない場合、あるいはマンガン電池を用いる
家庭用の置時・計の場合には、発振インバータを構成す
る601,602.603に用いる能動素子であるトラ
ンジスタの制御端子の闇値を基準とする簡単なレギュン
ータ回路から電源を供給する方が、集積回路製造時のト
ランジスタの定数の特性上の偏差を吸収で缶で良い。6
11は時間基準信号源で、水晶発振回路である。
612は分周器、613はデータタイプフリップフロッ
プであって、周波数の差を得る回路の一実施例である。
プであって、周波数の差を得る回路の一実施例である。
周波数差が非常に大缶い場合に、データタイプフリップ
フロップ613の出力は差周波数の整数倍を与えるよつ
になるから、例えばデータ人力りに16 、384 r
(Z 、クロック人力φに1.023)IZを接続する
と、l 6’X (1,024−1,023)H2の差
周波数信号が得られる。614は2乗の乗算−路で、水
晶振動子・の2次温度係数補正の為の信号を合成するた
めに備えである。
フロップ613の出力は差周波数の整数倍を与えるよつ
になるから、例えばデータ人力りに16 、384 r
(Z 、クロック人力φに1.023)IZを接続する
と、l 6’X (1,024−1,023)H2の差
周波数信号が得られる。614は2乗の乗算−路で、水
晶振動子・の2次温度係数補正の為の信号を合成するた
めに備えである。
616は周波数加算回路の一実施例で、排他論理回路あ
るいはその倫理否定である一致回路(iden−tit
y gate )が最も簡便である。623は感温発振
器−電量変換回路用第2信号発生回路の出力606を6
11の信号の位相に同期化する為の回路で、623のデ
ータ人力と出力との周波数はほとんど等しく、単に位相
のみ606への同期から周波数加算回路616の出力に
同期したものに変っている。624は分周器で、補正用
の低周波数の信号を作る。
るいはその倫理否定である一致回路(iden−tit
y gate )が最も簡便である。623は感温発振
器−電量変換回路用第2信号発生回路の出力606を6
11の信号の位相に同期化する為の回路で、623のデ
ータ人力と出力との周波数はほとんど等しく、単に位相
のみ606への同期から周波数加算回路616の出力に
同期したものに変っている。624は分周器で、補正用
の低周波数の信号を作る。
分周器624の出力信号の位相は分周器612の出力信
号の位相とインバシタ622にLる信号の反転作用を利
用して水晶発振回路611の半周期分ずらした波形とな
っている。626は周波数加算用のゲートである。以上
述べた所において、温度特性の2次特性補正用の乗算回
路614の出力及び同1次特性補正用の信号作成回路の
分周器624の出力の各々の信号は3時間基準用の信号
源である水晶発振回路611からの信号をも利用して合
成しているが、本来゛利用することが必然的ではなく、
近くに周波数源としであるから利用したに過ぎず、別の
発振器を用いて、あるいは電圧変換用信号606つ・ら
合成しても良いものである。
号の位相とインバシタ622にLる信号の反転作用を利
用して水晶発振回路611の半周期分ずらした波形とな
っている。626は周波数加算用のゲートである。以上
述べた所において、温度特性の2次特性補正用の乗算回
路614の出力及び同1次特性補正用の信号作成回路の
分周器624の出力の各々の信号は3時間基準用の信号
源である水晶発振回路611からの信号をも利用して合
成しているが、本来゛利用することが必然的ではなく、
近くに周波数源としであるから利用したに過ぎず、別の
発振器を用いて、あるいは電圧変換用信号606つ・ら
合成しても良いものである。
第6図Bは2乗回路で、第6図Aの2次特性補、正用2
乗算回路614に相当するー゛実施例である。
乗算回路614に相当するー゛実施例である。
χは被2乗入力信号、REFは周波数測定の為の時間信
号で、第6図Aの保持機4618あ7)いは分局器61
7あるいは分周器615あるいは分局器612あるいは
水晶発振回路611の如く安定な周波数の信号を基VC
,合成する。周波数の測定法の一実施例として、第6
Ig Bでは一定のREFの周期の間のχ入力りパルス
の数を計数する。本方式は比較的長い周波数測定の時間
における平均の周波数を求める事になり、7ノターや雑
音の影響を軽減で糞、時計用の時間基準信号の周波数一
定という性質を有効に生かす事のでへる方法である。
号で、第6図Aの保持機4618あ7)いは分局器61
7あるいは分周器615あるいは分局器612あるいは
水晶発振回路611の如く安定な周波数の信号を基VC
,合成する。周波数の測定法の一実施例として、第6
Ig Bでは一定のREFの周期の間のχ入力りパルス
の数を計数する。本方式は比較的長い周波数測定の時間
における平均の周波数を求める事になり、7ノターや雑
音の影響を軽減で糞、時計用の時間基準信号の周波数一
定という性質を有効に生かす事のでへる方法である。
第6図Bで1百1はREFの信号の立上りに同期して短
時間立下がるリセット信号で631の論理回路による遅
延及びゲート632によりREF信号とクロックパルス
φαとから合成される。633は計数器で、REF↑信
号でリセットされて10“計数値となり、その後χなる
被2乗信号パルスを計数して時間の画数として一定の勾
配の段階波状に計°数値を増加させる。REFのパルス
巾は・・イレベルの期間において短かくローレベルカ長
い。
時間立下がるリセット信号で631の論理回路による遅
延及びゲート632によりREF信号とクロックパルス
φαとから合成される。633は計数器で、REF↑信
号でリセットされて10“計数値となり、その後χなる
被2乗信号パルスを計数して時間の画数として一定の勾
配の段階波状に計°数値を増加させる。REFのパルス
巾は・・イレベルの期間において短かくローレベルカ長
い。
このREF信号のハイレベルの期間に未知の周波数の信
号χを計数し、残りのローレベルの期間はこの計数値を
保持し、次のREFの信号の立上り縁において作られる
REFの立上り微分信号REF↑により該計数値は0に
リセットされることをくり返す。例えばREFの・・イ
レベルの期間を1秒、REFのローレベルの期間を15
秒〜300秒位に選ぶと良い。金属ケースに収められた
時計のステップ状の温度変化に対する熱伝導の時定数は
約8秒〜15秒であるし、人が携帯しでいる状態での温
度変化の最小時間は数分間であり、実際に時計の保持時
刻の変化として目に見えて変化が現われるには更に数時
間ないし数十時間を要するので、0.5秒以下の時刻指
示誤差を気にしない場合は上記のREF侶号信号−レベ
ルの期間は1時間程度にまでの長い期間にしてよい。従
って第6図Bにおいて計数器623は常時1人力の周波
数を保持しており、例えばフリップフロッグ7個のカス
ゲート接続で構成された計数器を用いたとすると、計数
器623はQ+o −Q+a の7ビツトで温度差情報
の2乗演算を実施するための一実施例を示す。上記温度
差情報をθとし、 θ” qo 2°+q、2’+ ・・・十9626と表
わしたとすると、Q11=H(ハイレベル)はql−1
に対応し、q+t=L(ローレベル)は 7i−〇に対
応するように設定でへる。θ2を実現するには、まずθ
1に比例した信号を作る。一定周波数のfc信信号音パ
イナリカウ/りを用いて1/2ずつ順次分周し、2’−
fcの周波数の信号CiとQliとの論理積を論理和ゲ
ートにより加えるとθに比例した周波数fθ1の信号C
θ1が得られる。次、て全く同じ操作で、Cの代りにC
60を用い、2−1°fθ1の周波数の信号Cθ11と
Q+iとの論理積和から02に比例した信号fθ2 を
得る。
号χを計数し、残りのローレベルの期間はこの計数値を
保持し、次のREFの信号の立上り縁において作られる
REFの立上り微分信号REF↑により該計数値は0に
リセットされることをくり返す。例えばREFの・・イ
レベルの期間を1秒、REFのローレベルの期間を15
秒〜300秒位に選ぶと良い。金属ケースに収められた
時計のステップ状の温度変化に対する熱伝導の時定数は
約8秒〜15秒であるし、人が携帯しでいる状態での温
度変化の最小時間は数分間であり、実際に時計の保持時
刻の変化として目に見えて変化が現われるには更に数時
間ないし数十時間を要するので、0.5秒以下の時刻指
示誤差を気にしない場合は上記のREF侶号信号−レベ
ルの期間は1時間程度にまでの長い期間にしてよい。従
って第6図Bにおいて計数器623は常時1人力の周波
数を保持しており、例えばフリップフロッグ7個のカス
ゲート接続で構成された計数器を用いたとすると、計数
器623はQ+o −Q+a の7ビツトで温度差情報
の2乗演算を実施するための一実施例を示す。上記温度
差情報をθとし、 θ” qo 2°+q、2’+ ・・・十9626と表
わしたとすると、Q11=H(ハイレベル)はql−1
に対応し、q+t=L(ローレベル)は 7i−〇に対
応するように設定でへる。θ2を実現するには、まずθ
1に比例した信号を作る。一定周波数のfc信信号音パ
イナリカウ/りを用いて1/2ずつ順次分周し、2’−
fcの周波数の信号CiとQliとの論理積を論理和ゲ
ートにより加えるとθに比例した周波数fθ1の信号C
θ1が得られる。次、て全く同じ操作で、Cの代りにC
60を用い、2−1°fθ1の周波数の信号Cθ11と
Q+iとの論理積和から02に比例した信号fθ2 を
得る。
同様の操作を続ければθの3釆以上のべき東に比例した
信号を得る事も容易である。このようにして得るθの0
乗〜36.5乗1で、あるいはより高次のべき乗の信号
を適当な係数を掛けて加算することにより、実際に用い
られるXカット水晶撮動子やDTカット、ATカットの
水晶振動子の各々の1次、2次、3次の温度係数を補償
できる。当然ながら最高次数具Fの次数の温度係数につ
いての補償をも行う事がでへる。ここで上記原理を変形
してシステムの簡易化を行う事がでへる。@記の説明に
おいて一定周波数の信号fcから01に比例したfo1
をわざわざ作って考えたが、fo、に相当′する信号と
して、χ入力を用いる事がでもる場合がある。温度検出
器を間欠的に動作せしめ、例えばRE F 信号I)
、/・イレベルにおいてのみ温度検出器を動作させ、こ
の間に測定したデータを計数器に保持してお勇、この保
持されたデータを基に温度補正信号を発生せしめる7ス
テムにおいては、χ入力に相当する温度信号は1■欠的
にしか入力されず、foからfo1を作るような函数発
生機構が必要であるが、本願の実施例の如く電圧変換用
υ)発振器全常時動作せしめ、かつ該信号と周波数の一
定の信号との差信号が温度差信号であグて連続的に得ら
れる場合には、fo、の代わりにχ信号を用いる事かで
傘、7ステム構成を簡単にできる。第6図Bは以上に述
べたような簡易化されたシステムの実施例である。
信号を得る事も容易である。このようにして得るθの0
乗〜36.5乗1で、あるいはより高次のべき乗の信号
を適当な係数を掛けて加算することにより、実際に用い
られるXカット水晶撮動子やDTカット、ATカットの
水晶振動子の各々の1次、2次、3次の温度係数を補償
できる。当然ながら最高次数具Fの次数の温度係数につ
いての補償をも行う事がでへる。ここで上記原理を変形
してシステムの簡易化を行う事がでへる。@記の説明に
おいて一定周波数の信号fcから01に比例したfo1
をわざわざ作って考えたが、fo、に相当′する信号と
して、χ入力を用いる事がでもる場合がある。温度検出
器を間欠的に動作せしめ、例えばRE F 信号I)
、/・イレベルにおいてのみ温度検出器を動作させ、こ
の間に測定したデータを計数器に保持してお勇、この保
持されたデータを基に温度補正信号を発生せしめる7ス
テムにおいては、χ入力に相当する温度信号は1■欠的
にしか入力されず、foからfo1を作るような函数発
生機構が必要であるが、本願の実施例の如く電圧変換用
υ)発振器全常時動作せしめ、かつ該信号と周波数の一
定の信号との差信号が温度差信号であグて連続的に得ら
れる場合には、fo、の代わりにχ信号を用いる事かで
傘、7ステム構成を簡単にできる。第6図Bは以上に述
べたような簡易化されたシステムの実施例である。
第6図Bにおいて、REFは一定周波数の信号で周期測
定の基準となる信号で、水晶発振器出力信号を分周して
得られる比較的低周波数の信号であり、計時単位信号作
成機構(第1図114)或いは保持機構i41図115
)から合成される。
定の基準となる信号で、水晶発振器出力信号を分周して
得られる比較的低周波数の信号であり、計時単位信号作
成機構(第1図114)或いは保持機構i41図115
)から合成される。
χは温度差信号で、第6図Aのデータタイプフリツプフ
ロツプ613で作成される。Cはクロック信号で、χよ
りも高い周波数の信号であれば何でもよいが、DIV■
612の出力信号とDIV■615の出力信号の位相を
すらす必要があるので、その目的にそうように信号を選
ぶ必要がある。
ロツプ613で作成される。Cはクロック信号で、χよ
りも高い周波数の信号であれば何でもよいが、DIV■
612の出力信号とDIV■615の出力信号の位相を
すらす必要があるので、その目的にそうように信号を選
ぶ必要がある。
第6図A、B、Cの説明において、全てのトグルタイブ
フリノブフlノブ(以)’T−FFと略d己する)は立
下りトリガ、全てのノツチ(以上L−FFと略記する)
はクロック信号の・・イレベlしでデータを読み込み、
ローレベルで該データを保持するとする。また、データ
タイプフリソプフロノプ(以下D−FFと略記する)は
クロック信号の立下りの瞬間におけるデータの値を保持
するとする。
フリノブフlノブ(以)’T−FFと略d己する)は立
下りトリガ、全てのノツチ(以上L−FFと略記する)
はクロック信号の・・イレベlしでデータを読み込み、
ローレベルで該データを保持するとする。また、データ
タイプフリソプフロノプ(以下D−FFと略記する)は
クロック信号の立下りの瞬間におけるデータの値を保持
するとする。
第6図Bにおいて、631はデジタル遅延回路でCの立
上りに同期してその出力がf#7、遅延の時間巾で、R
EFの立上りに同期した信号REF↑をゲート632を
用いて作成する。N(Q+j) 633はχ入力の周波
数を計数し、保持する計数器で、Q+ o −Q+ a
は2°〜26の重みを表わす。D−FF634はχ入力
信号をCの立上りに同期した信号にする同期化の為の回
路、635は微分の為の遅延波形を作る為のD−FFで
ある。周波数測定・保持用の計数器633には、フリッ
プ70ツブ634で同期化された信号′i髪とデジタル
遅延回路631の出力とからREF信号のハイレベルに
位置するCp=χ餐・QnEpなるH十数用の信号を作
成し、計数器633で計数する。ゲート637はフリッ
プフロッグ634及び635の出力信号2+、χ簀菱の
遅延を利用して、χXの立上りに同期した信号χ真↑を
作成する。χ簀↑の・・イレベ;、・ルのパルス巾はC
人力信号の同期に等しくC人力の立下り、即ち第6図へ
の発振器611の出力の立上りに同期している。638
はχ村を分周して低周波数の信号を得るためのカスケー
ド接続されたT−FFからなる分周器で、各々のQio
= Q+aの出力の変化はχに↑の立下りに同期して
いる。
上りに同期してその出力がf#7、遅延の時間巾で、R
EFの立上りに同期した信号REF↑をゲート632を
用いて作成する。N(Q+j) 633はχ入力の周波
数を計数し、保持する計数器で、Q+ o −Q+ a
は2°〜26の重みを表わす。D−FF634はχ入力
信号をCの立上りに同期した信号にする同期化の為の回
路、635は微分の為の遅延波形を作る為のD−FFで
ある。周波数測定・保持用の計数器633には、フリッ
プ70ツブ634で同期化された信号′i髪とデジタル
遅延回路631の出力とからREF信号のハイレベルに
位置するCp=χ餐・QnEpなるH十数用の信号を作
成し、計数器633で計数する。ゲート637はフリッ
プフロッグ634及び635の出力信号2+、χ簀菱の
遅延を利用して、χXの立上りに同期した信号χ真↑を
作成する。χ簀↑の・・イレベ;、・ルのパルス巾はC
人力信号の同期に等しくC人力の立下り、即ち第6図へ
の発振器611の出力の立上りに同期している。638
はχ村を分周して低周波数の信号を得るためのカスケー
ド接続されたT−FFからなる分周器で、各々のQio
= Q+aの出力の変化はχに↑の立下りに同期して
いる。
639は論理積和を県易くする為の特別な表記であって
、640ゲートの出力をyとすると、)’ = Q+a
” Qo+ +Q1.慟虜、・QQ2 + Qn’ Qo+ ” QQ2す砧 +Q13・Qo1’ QQ2 ” Q+]3 ’ Qo
(十Q、2・Qol・QQ2・Qox・Qo4・QC
+5+ Qu″Qo1°Q02°Ql”QQ4・QQ5
・Qo6+ Q+o ” Qo +・Qo2・QJ13
・QQ4・QQ s・Qoe・QoTである。これを既
述のCiなる信号金剛いて表わし直せば、上記の右辺は 右辺=Q、6・C1 +Q3.・C; +Q、4・C31 +Q1.・Ci +Q12・C3 +Q11・C6 +QIo−C7 となる。周波数を与える記号f□を設定し、ff(4)
はAの周波数を表わすとすると、f (C,) = 2
’・f(χ★)・2−7f(C,)=’2’・f(χ1
1)・2−7f(C3)= 2’ −f (rリ ・2
−7f (C,l = 2’・ f (χリ ・ 2−
7f(C′5)=22・f(χつ・2−7f (C61
= 2’・f(χす・2−7となり、 f(y)=2’・f(χ2) が成立する。論理積オロを見易くするための特別な表記
を用いる。例えばマトリクス639とゲート640を用
いて表わさ扛る。
、640ゲートの出力をyとすると、)’ = Q+a
” Qo+ +Q1.慟虜、・QQ2 + Qn’ Qo+ ” QQ2す砧 +Q13・Qo1’ QQ2 ” Q+]3 ’ Qo
(十Q、2・Qol・QQ2・Qox・Qo4・QC
+5+ Qu″Qo1°Q02°Ql”QQ4・QQ5
・Qo6+ Q+o ” Qo +・Qo2・QJ13
・QQ4・QQ s・Qoe・QoTである。これを既
述のCiなる信号金剛いて表わし直せば、上記の右辺は 右辺=Q、6・C1 +Q3.・C; +Q、4・C31 +Q1.・Ci +Q12・C3 +Q11・C6 +QIo−C7 となる。周波数を与える記号f□を設定し、ff(4)
はAの周波数を表わすとすると、f (C,) = 2
’・f(χ★)・2−7f(C,)=’2’・f(χ1
1)・2−7f(C3)= 2’ −f (rリ ・2
−7f (C,l = 2’・ f (χリ ・ 2−
7f(C′5)=22・f(χつ・2−7f (C61
= 2’・f(χす・2−7となり、 f(y)=2’・f(χ2) が成立する。論理積オロを見易くするための特別な表記
を用いる。例えばマトリクス639とゲート640を用
いて表わさ扛る。
AND−ORゲートを用いる理由はQ+o −Q+aに
対応する2 ′f (C)〜2″f (C)のウェイト
付は信号の周波数をORゲート640の知勇論理ゲート
を用いて加算することを可能とするには該ウェイト付は
信号の任意の組合せに対する論理積を全て加えたものが
常にローレベルである必要があるからである。ANDゲ
ートを用いる場合は負論理にして全く同様の考察をすれ
ばよい。EXCLU S I VE −ORゲートを周
波数加算に用いる場合は該つr−j)信号相互の波形の
変化の一致さえなければよい。第6図(0は第6図(B
)における視度データの測定及び保持のタイミングを示
すタイミングチャートである。横軸は時間で縦軸は上向
もにハイレベルをとっである。REF入力信号は遅延さ
れ反転されてQREF信号になりREF信号とQREF
信号とからRなるリセット信号が作られる。RはREF
信号の立上り信号でREF↑の反転信号そのものである
。PIdQney信号そのもので、Pのローレベルで計
数しPのハイレベルでデータを保持する。
対応する2 ′f (C)〜2″f (C)のウェイト
付は信号の周波数をORゲート640の知勇論理ゲート
を用いて加算することを可能とするには該ウェイト付は
信号の任意の組合せに対する論理積を全て加えたものが
常にローレベルである必要があるからである。ANDゲ
ートを用いる場合は負論理にして全く同様の考察をすれ
ばよい。EXCLU S I VE −ORゲートを周
波数加算に用いる場合は該つr−j)信号相互の波形の
変化の一致さえなければよい。第6図(0は第6図(B
)における視度データの測定及び保持のタイミングを示
すタイミングチャートである。横軸は時間で縦軸は上向
もにハイレベルをとっである。REF入力信号は遅延さ
れ反転されてQREF信号になりREF信号とQREF
信号とからRなるリセット信号が作られる。RはREF
信号の立上り信号でREF↑の反転信号そのものである
。PIdQney信号そのもので、Pのローレベルで計
数しPのハイレベルでデータを保持する。
・Cpは温度データの計数用の信号である。QHo〜Q
+aにデータが蓄えられたt2〜t、の状態では〜既に
述べた機構によりχ2に比例した信号が得られ第6図の
システムが動作する。
+aにデータが蓄えられたt2〜t、の状態では〜既に
述べた機構によりχ2に比例した信号が得られ第6図の
システムが動作する。
第7図はレベル変換回路の一実施例である。インバータ
701の入力信号A 700がレベル変換されて出−力
信号A’ 72−0になる。インバータ1rJ1は低電
圧動作であり、入力信号700及び出力信号702は共
に論理レベルがvDDとVssjであるような相補的な
信号である。
701の入力信号A 700がレベル変換されて出−力
信号A’ 72−0になる。インバータ1rJ1は低電
圧動作であり、入力信号700及び出力信号702は共
に論理レベルがvDDとVssjであるような相補的な
信号である。
FET711 .712,714,715及びFET7
21.722.724.725はvDDトvSS2を論
理回路の出力レベルとするNANDゲートを構成してお
り、2組のNANDゲートがたすきかけになって正帰還
ルー・プを形成して双安定の7リツプ6フロツプになつ
ヤいる。702g1び700の相補的な信号は該双安定
フリップ70ツブ回路の状態を設定する人力信号になっ
ている。
21.722.724.725はvDDトvSS2を論
理回路の出力レベルとするNANDゲートを構成してお
り、2組のNANDゲートがたすきかけになって正帰還
ルー・プを形成して双安定の7リツプ6フロツプになつ
ヤいる。702g1び700の相補的な信号は該双安定
フリップ70ツブ回路の状態を設定する人力信号になっ
ている。
A=Lであれば、P−CH−FET 711がONにな
り、N−CH−FET721はOFFになるか或いは高
インピーダンス状態になる。同時にA=Hであるから、
P−CH−FET 715はOFFになり、N−CH−
FET 725はONになる。この状轢で出力信号72
0は正帰還ルーズの作用により、急速にハイレベル■D
Dに近付き1、P−CH−FET 712がQN、71
4がOFFになり、N−C1(−FET722がOFF
、724がONになって安定する。
り、N−CH−FET721はOFFになるか或いは高
インピーダンス状態になる。同時にA=Hであるから、
P−CH−FET 715はOFFになり、N−CH−
FET 725はONになる。この状轢で出力信号72
0は正帰還ルーズの作用により、急速にハイレベル■D
Dに近付き1、P−CH−FET 712がQN、71
4がOFFになり、N−C1(−FET722がOFF
、724がONになって安定する。
安定状態でAとA′とは反転関係にあ擾が、FET11
4及び715のドレインから出力信号を取り出せば、反
転関係でない信号で、倫理レベル、のみ異なる信号が得
られる事は明らかである。第7図のレベル変換回路を構
成する場合には、N−CH−FETの相互コンダクタン
スを小さな値にし、P−CH−FETの相互コンダクタ
ンスを大もな値にし、721或いは726に示されるN
−CH−FETのゲートに(Vssj −vssz)ノ
ミ圧を印加した状態でのインピーダンスが、711及び
715に示されるP−CH−FETにおいてゲートに(
Vnn −Vssj)なる電圧を印加した状態でのイン
ピーダンスより大であって、FET711或いは715
によりクリップフロップの値が設定できるように注意し
ておかねばならない。集積回路化に際してはFET 7
11及び715のチャネル巾を大に、FET721及び
725のチャネル長を犬にすればよい。、、’ t ’
、、Ill、。
4及び715のドレインから出力信号を取り出せば、反
転関係でない信号で、倫理レベル、のみ異なる信号が得
られる事は明らかである。第7図のレベル変換回路を構
成する場合には、N−CH−FETの相互コンダクタン
スを小さな値にし、P−CH−FETの相互コンダクタ
ンスを大もな値にし、721或いは726に示されるN
−CH−FETのゲートに(Vssj −vssz)ノ
ミ圧を印加した状態でのインピーダンスが、711及び
715に示されるP−CH−FETにおいてゲートに(
Vnn −Vssj)なる電圧を印加した状態でのイン
ピーダンスより大であって、FET711或いは715
によりクリップフロップの値が設定できるように注意し
ておかねばならない。集積回路化に際してはFET 7
11及び715のチャネル巾を大に、FET721及び
725のチャネル長を犬にすればよい。、、’ t ’
、、Ill、。
第8図は本発明による電圧変換回路による電圧低下1と
昇圧回路による電圧昇圧の2種類の機構を備えた電子時
計の例を示す。800は電圧変換用の開発振器で、既に
第2図及び第3図において示した如へリングオ°シレー
タと考えても良いし、単に表示駆動用の電圧変換を目的
とする場合には、時間基準信号源から得られる信号或い
は該信号の分周された信号を用いても良いし、全く別個
に水晶損勤子を用意して発根させても良い。インバータ
801.802は波形整形の為に用いてあり、同時に昇
圧機構を駆動する電力供給用のインバータでもあ、る。
昇圧回路による電圧昇圧の2種類の機構を備えた電子時
計の例を示す。800は電圧変換用の開発振器で、既に
第2図及び第3図において示した如へリングオ°シレー
タと考えても良いし、単に表示駆動用の電圧変換を目的
とする場合には、時間基準信号源から得られる信号或い
は該信号の分周された信号を用いても良いし、全く別個
に水晶損勤子を用意して発根させても良い。インバータ
801.802は波形整形の為に用いてあり、同時に昇
圧機構を駆動する電力供給用のインバータでもあ、る。
803及び804は分圧用のコンデ/すであって容を値
が等しい方が良い、、 805は昇圧後の′電圧を保持
するためのコンデンサである。
が等しい方が良い、、 805は昇圧後の′電圧を保持
するためのコンデンサである。
811はクランプ用のダイオードであり、821はクラ
ンプ用のコンデンサである。d=HK訃いてダイオード
811が順方向にバイアスされて、コンデンサ821の
インバータ802の出力端側が正、反対側電極が負に充
電され、1=Lにおいてダイオード811は逆バイアス
されてOFFの状態となり、コンデンサ811の正に充
電された側の電極すなわちインバータ802の出力端に
接続された側の電極がローレベルで755食の電位に設
定されるので、コンデ/す821の負電位側電極すなわ
ち821の点における電位はvsslよりも(vnn
−Vssj )だけ低電位になる。結局ダイオード81
1とコy f 7す821によりインバータ802の出
力信号φはそのハイレベルがVSS+の電位になるよう
【eランプされる。トランジスタ816はN−CH−F
ETで、サブストレートとソースが接続されてコンデン
サ805によすvl)I)に接続されているが、トラン
ジスタ816のOFF状態においてトランジスタ816
をノース側からドレイン側11Ui流の流れる向きを順
方向とするダイオードに置換えて考えることができる。
ンプ用のコンデンサである。d=HK訃いてダイオード
811が順方向にバイアスされて、コンデンサ821の
インバータ802の出力端側が正、反対側電極が負に充
電され、1=Lにおいてダイオード811は逆バイアス
されてOFFの状態となり、コンデンサ811の正に充
電された側の電極すなわちインバータ802の出力端に
接続された側の電極がローレベルで755食の電位に設
定されるので、コンデ/す821の負電位側電極すなわ
ち821の点における電位はvsslよりも(vnn
−Vssj )だけ低電位になる。結局ダイオード81
1とコy f 7す821によりインバータ802の出
力信号φはそのハイレベルがVSS+の電位になるよう
【eランプされる。トランジスタ816はN−CH−F
ETで、サブストレートとソースが接続されてコンデン
サ805によすvl)I)に接続されているが、トラン
ジスタ816のOFF状態においてトランジスタ816
をノース側からドレイン側11Ui流の流れる向きを順
方向とするダイオードに置換えて考えることができる。
この場合には、ダイオード811とコンデンサ821に
よ!7 VS5.の電位をハイ/ベルとしてクラップさ
れたφ信号を、更にダイオード816で整流してコンデ
ンサ805に電荷を蓄える回路の如く考える事ができる
。ここでインバータ802の出カイ/ビーダンスが充分
に低い値であって、FET812及び816のON状態
におけるインピーダンスより本大巾に低い値であるとす
ると、上記のクランプ作用が確実に行われ、クランプ出
力端823のハイレベルは大略VSSのレベル、ローレ
ベルは大略2・VS2.のレベルになる事、が保証でな
る。ここで大略という表現をするのは、ダイオードが順
方向電圧降下をもたらすとすると、その分だけフラング
レベルがvSSlよりもvDDに近行くからである。
よ!7 VS5.の電位をハイ/ベルとしてクラップさ
れたφ信号を、更にダイオード816で整流してコンデ
ンサ805に電荷を蓄える回路の如く考える事ができる
。ここでインバータ802の出カイ/ビーダンスが充分
に低い値であって、FET812及び816のON状態
におけるインピーダンスより本大巾に低い値であるとす
ると、上記のクランプ作用が確実に行われ、クランプ出
力端823のハイレベルは大略VSSのレベル、ローレ
ベルは大略2・VS2.のレベルになる事、が保証でな
る。ここで大略という表現をするのは、ダイオードが順
方向電圧降下をもたらすとすると、その分だけフラング
レベルがvSSlよりもvDDに近行くからである。
整流出力端825の電位が大略2・V 551の値であ
ると、FET814及び818からなるイ/・ぐ−タは
vSSl及びvSSl×2の電位を電源レベルとするイ
ンバータ動作を行ない、8230レベルがvSSlのと
勇824のレベルは2・VS51となってFET812
をON、!=’ET 816をOFFとし、ダイオード
811の順方向電圧降下を等制約に消滅せしめ、823
0レベルが2 * Vss+になると824ルヘルはv
SSIとなってFET816をONとし、ダイオードと
しての816の順方向電圧降下を消長、 滅せしめる。結局ダイオ−ドグ9フ1回路における順方
向電圧降下の成分を本実施例によれば効果的に除去でき
、高い効率の昇圧機構が実現で衣る。
ると、FET814及び818からなるイ/・ぐ−タは
vSSl及びvSSl×2の電位を電源レベルとするイ
ンバータ動作を行ない、8230レベルがvSSlのと
勇824のレベルは2・VS51となってFET812
をON、!=’ET 816をOFFとし、ダイオード
811の順方向電圧降下を等制約に消滅せしめ、823
0レベルが2 * Vss+になると824ルヘルはv
SSIとなってFET816をONとし、ダイオードと
しての816の順方向電圧降下を消長、 滅せしめる。結局ダイオ−ドグ9フ1回路における順方
向電圧降下の成分を本実施例によれば効果的に除去でき
、高い効率の昇圧機構が実現で衣る。
例えばコンデンサ821及び805を0.5μFとし、
φなる信号の周波数を256 Hzとし、FET812
をHDIG1030.ダイオード鵠11及び816(こ
れはFETとしても動作する)を3N169で構成する
と・、IMΩの負荷に対して電源電圧1.6voltで
98%の重力変換効率を示した。ダイオード811を3
N169で構成する場合は、ゲートとサブストレートと
ソースを結合し、ドレイ/とサブストレートの間をダイ
オードとして用いる。本構成はそのままC/MO8−I
Cにできる。コンデンサ822とダイオード813は本
構成をプツンユプル動作させる場合に用いるものである
。本構成の変形として、コツプ/す805を取外し、コ
ンデンサ822とタイオード813を用いたシステム及
びダイオード813とコンデンサ822を取り外したシ
ステムが用いられる。
φなる信号の周波数を256 Hzとし、FET812
をHDIG1030.ダイオード鵠11及び816(こ
れはFETとしても動作する)を3N169で構成する
と・、IMΩの負荷に対して電源電圧1.6voltで
98%の重力変換効率を示した。ダイオード811を3
N169で構成する場合は、ゲートとサブストレートと
ソースを結合し、ドレイ/とサブストレートの間をダイ
オードとして用いる。本構成はそのままC/MO8−I
Cにできる。コンデンサ822とダイオード813は本
構成をプツンユプル動作させる場合に用いるものである
。本構成の変形として、コツプ/す805を取外し、コ
ンデンサ822とタイオード813を用いたシステム及
びダイオード813とコンデンサ822を取り外したシ
ステムが用いられる。
昇圧システム831γま上記と全く同じ原理で、ただ上
記説明の久1う/プレベル■591を、電圧変換回1:
11”1.:・。
記説明の久1う/プレベル■591を、電圧変換回1:
11”1.:・。
路のvSSV2出力で□・ある(1/2)・vSSlの
レベルにクランプするよう変更したたけである。この場
合、(1:/2 )・vSSIからV5.S+だけンフ
トした電位であ(3/2)・vSSlが得られるので、
これをV553/2と表わしである。以上の回路の組合
せにより、vDD(= Q volt )とvs sl
の電位から、1/2.3/2.2倍のvSSlという3
種類の電圧が得られ、vSSlを基準に考えると、vS
Slから正負に1/2vSSl ずれた電位及び正負に
丁度vSS+だけずれた電位が得られ、液晶表示パネル
を1/3電圧印加方式でタイ。
レベルにクランプするよう変更したたけである。この場
合、(1:/2 )・vSSIからV5.S+だけンフ
トした電位であ(3/2)・vSSlが得られるので、
これをV553/2と表わしである。以上の回路の組合
せにより、vDD(= Q volt )とvs sl
の電位から、1/2.3/2.2倍のvSSlという3
種類の電圧が得られ、vSSlを基準に考えると、vS
Slから正負に1/2vSSl ずれた電位及び正負に
丁度vSS+だけずれた電位が得られ、液晶表示パネル
を1/3電圧印加方式でタイ。
ナミツクマトリクス駆動で^る。1/3電圧印加方式の
意味は、点灯選択されたマトリクス点の印加−圧の比と
、非点灯の選択をされたマトリクス上の点の印加電圧が
3:1になる事を示す。841は時計用の時間基準源と
なる水晶発振器で、215’Hz〜2” Hzである。
意味は、点灯選択されたマトリクス点の印加−圧の比と
、非点灯の選択をされたマトリクス上の点の印加電圧が
3:1になる事を示す。841は時計用の時間基準源と
なる水晶発振器で、215’Hz〜2” Hzである。
842は分周器からなる計時単位信号合成機構、843
はレベル変換回路、844は計時機構、845は表示駆
動回路、846は表示機構である。
はレベル変換回路、844は計時機構、845は表示駆
動回路、846は表示機構である。
本構成の特徴は、電圧低下回路で得られる低い電圧で情
報の処理を行い、本質的にエネlレギーを必要とする構
成要素にのみ、必要(・こして充分なエネルギーを最も
適した電圧で供給するものであって、低電圧の液晶表糸
素子を閾値を利用して確実にアドレスして駆動するマ)
I+クス1鳴動、低電圧のエレクトロミズム表示素子
の駆動、大電流を要するパルスモータのg@回路のFE
Tに漸い電圧を印加してICのチップサイズ中に大へな
割合を占める駆動FETのサイズを小にしたりで甑、特
に本願における任意の分数で表現で衣る分圧電圧変換は
、電池電圧と素子のマノチップをとる上で有効である。
報の処理を行い、本質的にエネlレギーを必要とする構
成要素にのみ、必要(・こして充分なエネルギーを最も
適した電圧で供給するものであって、低電圧の液晶表糸
素子を閾値を利用して確実にアドレスして駆動するマ)
I+クス1鳴動、低電圧のエレクトロミズム表示素子
の駆動、大電流を要するパルスモータのg@回路のFE
Tに漸い電圧を印加してICのチップサイズ中に大へな
割合を占める駆動FETのサイズを小にしたりで甑、特
に本願における任意の分数で表現で衣る分圧電圧変換は
、電池電圧と素子のマノチップをとる上で有効である。
又本鴫の実施例に示されるように低電流のリングオンレ
ータをIC内部に作りつけるとか、貫通電流の少ない発
根及び波形整形回路等もシステム全体をまとめる上で重
要な役′hすを果たしている。
ータをIC内部に作りつけるとか、貫通電流の少ない発
根及び波形整形回路等もシステム全体をまとめる上で重
要な役′hすを果たしている。
第9図Aは液晶のm行n列(m、nは自然数)のマトリ
クス、@動のための模へ図で、例えばト都電極としてm
行 下部電極としてn行の電極線がそれぞれ上部電極用
ガラス、下部電極用ガラスの表面に形成され、該電極線
を対向させて狭い間げ勇で絶縁スペーサを用いて重ね、
核対向した電極の間に電界効果型液晶を封入したものを
考えれば良い。説明は第9図Aのi行j列目(1,Jは
任意の自然数)の指定されたセグメン)Sijの点灯及
び非点灯について行うものとする。Sijの非点灯時に
おいては、Sijの部分901に閾値以下の電圧が印加
され、点灯時においては少く共短時間閾値以上の電圧が
印加されるようにすれば、表示セグメントの正確なアド
レスがで奉る。マトリクス駆動を達成するにはこの他に
、短時間の駆動・くルスで点灯する速い立上り特性と、
駆動パルスの周期の間点灯状態を記憶するフレームメモ
リ時間の長い液晶すなわち立下りの緩やかな特性の液晶
が必要であるが、ここでは液晶セル構造と液晶材料の選
定により上記要求は満足されているとする。
クス、@動のための模へ図で、例えばト都電極としてm
行 下部電極としてn行の電極線がそれぞれ上部電極用
ガラス、下部電極用ガラスの表面に形成され、該電極線
を対向させて狭い間げ勇で絶縁スペーサを用いて重ね、
核対向した電極の間に電界効果型液晶を封入したものを
考えれば良い。説明は第9図Aのi行j列目(1,Jは
任意の自然数)の指定されたセグメン)Sijの点灯及
び非点灯について行うものとする。Sijの非点灯時に
おいては、Sijの部分901に閾値以下の電圧が印加
され、点灯時においては少く共短時間閾値以上の電圧が
印加されるようにすれば、表示セグメントの正確なアド
レスがで奉る。マトリクス駆動を達成するにはこの他に
、短時間の駆動・くルスで点灯する速い立上り特性と、
駆動パルスの周期の間点灯状態を記憶するフレームメモ
リ時間の長い液晶すなわち立下りの緩やかな特性の液晶
が必要であるが、ここでは液晶セル構造と液晶材料の選
定により上記要求は満足されているとする。
第9図Bのφd1〜φdmは、行を指定する電極線に電
位を与えるものである。列を指定する電位φsjは、第
9図BのφSと18とを選択して得ら扛る。
位を与えるものである。列を指定する電位φsjは、第
9図BのφSと18とを選択して得ら扛る。
(・、・ト
第9図Cに具体的な回路構成を示す。第9図のφ3は消
灯状態を指定するもので、Sijのセグメントのみを点
灯するにはφdiの・・イレベルでのみ(6sが指定す
れ、φdiのローレベルにおいてはφ8が指定されるよ
うにφsjを定めれば良< 、Sij+i セグメント
のみ点灯とするにはφdlのハイレベルでのミin 、
φ旧のローレベルでφSが指定されるようにφBj+1
を定めれば良い。第9図BにおけるEなる信号は液晶セ
グメントに交番電圧を印加する場合に電源回路を経由し
ない短絡路を形成するため ゛の信号で、容量性表示素
子一般の駆動において消費電力低下の効果がある。液晶
素子の非点灯時の印加される電圧は(φdl−φS)で
表わされ、点灯セグメントとなる液晶素子に印加される
電圧は(φdi−is)で表わされ、第9図Bに示され
ている。(φdi−φS)の波形で明らかなように、点
灯の場合は短時間たけ非点灯時の3倍の電圧が印加され
る。
灯状態を指定するもので、Sijのセグメントのみを点
灯するにはφdiの・・イレベルでのみ(6sが指定す
れ、φdiのローレベルにおいてはφ8が指定されるよ
うにφsjを定めれば良< 、Sij+i セグメント
のみ点灯とするにはφdlのハイレベルでのミin 、
φ旧のローレベルでφSが指定されるようにφBj+1
を定めれば良い。第9図BにおけるEなる信号は液晶セ
グメントに交番電圧を印加する場合に電源回路を経由し
ない短絡路を形成するため ゛の信号で、容量性表示素
子一般の駆動において消費電力低下の効果がある。液晶
素子の非点灯時の印加される電圧は(φdl−φS)で
表わされ、点灯セグメントとなる液晶素子に印加される
電圧は(φdi−is)で表わされ、第9図Bに示され
ている。(φdi−φS)の波形で明らかなように、点
灯の場合は短時間たけ非点灯時の3倍の電圧が印加され
る。
第9図Cにおいて、φsjはVss1/2をハイレベル
とし、vSS]を中点レベルとし、VsS:ゾ2を「1
−レベルとする信号であ、?て、Eのハイレベルにおイ
テ中点レベルに設定され、それ以外のEのローレベルの
状態では、Sjのハイレベルでφに等しい位相で電圧レ
ベルがVss1/2とVss3/2の間で変化する信号
になり、Sjのローレベルではこれが正に等しい位相の
信号に変わる。φdiはvDDをハイレベル、VsS2
をローレベルとする信号で、E又はDiのハイレベルで
中点レベルVsslに設定され、61のローレベルでφ
に一致した信号となる。第9図Cにおいて、信号E93
1.百933.Di932Di934.φ935 、j
sasは論理レベルの・・イレペルが’JDD 、 V
sS2であるような信号と考えて良い。第91d (:
の回路が有効な場合は、液晶素子の閾値電圧vTLcと
電源電圧の関係がである場合であって、vTLcの値に
よりV551/2、VSSL XVSs372、VsS
2の電圧比は−ずのまま上記関係式を満足するよう醒圧
変換回路の係数を変えて、例えば電源電圧の1/3 、
2/3 、3/3 、4/3の電圧を作るようにする。
とし、vSS]を中点レベルとし、VsS:ゾ2を「1
−レベルとする信号であ、?て、Eのハイレベルにおイ
テ中点レベルに設定され、それ以外のEのローレベルの
状態では、Sjのハイレベルでφに等しい位相で電圧レ
ベルがVss1/2とVss3/2の間で変化する信号
になり、Sjのローレベルではこれが正に等しい位相の
信号に変わる。φdiはvDDをハイレベル、VsS2
をローレベルとする信号で、E又はDiのハイレベルで
中点レベルVsslに設定され、61のローレベルでφ
に一致した信号となる。第9図Cにおいて、信号E93
1.百933.Di932Di934.φ935 、j
sasは論理レベルの・・イレペルが’JDD 、 V
sS2であるような信号と考えて良い。第91d (:
の回路が有効な場合は、液晶素子の閾値電圧vTLcと
電源電圧の関係がである場合であって、vTLcの値に
よりV551/2、VSSL XVSs372、VsS
2の電圧比は−ずのまま上記関係式を満足するよう醒圧
変換回路の係数を変えて、例えば電源電圧の1/3 、
2/3 、3/3 、4/3の電圧を作るようにする。
3/3の電圧は実際VC作る必要がなく、電池直圧をそ
のまま利用で角る。
のまま利用で角る。
現在入手でAる液晶の列ではVnc = 1.1 vo
lt程度のものがあるから、第9図Cの回路で例えば8
・行2列ないし8行8列程IWのマ) IJクス駆動か
で^る。この場合、清報の処理t[低電圧で行7tい、
表示駆動信号例えばφI−iレベル変換された島電圧と
したシステムが合理「1勺である。
lt程度のものがあるから、第9図Cの回路で例えば8
・行2列ないし8行8列程IWのマ) IJクス駆動か
で^る。この場合、清報の処理t[低電圧で行7tい、
表示駆動信号例えばφI−iレベル変換された島電圧と
したシステムが合理「1勺である。
第10図A及び第1’0図Bは、PLZT (チタン酸
ジルコン酸う/り/鉛)或い1〆よエレクトロクロミズ
ム表示素子の印加填圧と内部状態の関係を示すものであ
る。第10図Aで点灯状態をB′点として、非点灯状態
を0点或いはQ’= Oの状態とする場合と、点灯状帳
をB′、非点灯状態をE′とするかで1g勤方式が異な
ってぐる。Qを分極量とした場合めPLZTFiB’点
を点灯、H′〜D′の点を非点灯として用いることがで
へ、oA′以上の電圧を印加して点灯し、H′とD′の
間の逆電圧を印加して消灯する用い方かで勇る。エレク
トロクロミズム素子においてもQを電気化学的に析出し
た物資量(上面に析出した楊曾を正、裏面析出を負とし
て定める)とすnば同様のmd方式が柑いられる。
ジルコン酸う/り/鉛)或い1〆よエレクトロクロミズ
ム表示素子の印加填圧と内部状態の関係を示すものであ
る。第10図Aで点灯状態をB′点として、非点灯状態
を0点或いはQ’= Oの状態とする場合と、点灯状帳
をB′、非点灯状態をE′とするかで1g勤方式が異な
ってぐる。Qを分極量とした場合めPLZTFiB’点
を点灯、H′〜D′の点を非点灯として用いることがで
へ、oA′以上の電圧を印加して点灯し、H′とD′の
間の逆電圧を印加して消灯する用い方かで勇る。エレク
トロクロミズム素子においてもQを電気化学的に析出し
た物資量(上面に析出した楊曾を正、裏面析出を負とし
て定める)とすnば同様のmd方式が柑いられる。
第10図Bの知勇性質を示すPLZT或いはエレクiロ
クロミズム或いはエラストマ表示素子の場合は電荷積分
値を制御して非点灯時にも(用い方によってtriA)
の位置で停止せしめるか、或いはマイナーループを描か
せて0点に停止せしめる用い方をする必債がある。B点
とE点で表示素子として明らかに識別がつくならば、充
分な正電圧を印加してB点に設定して点灯し、充分な逆
電圧を印加してE点に設定して消灯する用い方がで衣る
。
クロミズム或いはエラストマ表示素子の場合は電荷積分
値を制御して非点灯時にも(用い方によってtriA)
の位置で停止せしめるか、或いはマイナーループを描か
せて0点に停止せしめる用い方をする必債がある。B点
とE点で表示素子として明らかに識別がつくならば、充
分な正電圧を印加してB点に設定して点灯し、充分な逆
電圧を印加してE点に設定して消灯する用い方がで衣る
。
第10図C及び第10図Eに、第1O図Aの+20へ性
質の表示素子としてPLZT或いはエレクトロクロミズ
ム素子の駆動回路例を示す。該駆動回路は第10図Bの
如き性質の表示素子に剛いても使用で勇る場合が多い。
質の表示素子としてPLZT或いはエレクトロクロミズ
ム素子の駆動回路例を示す。該駆動回路は第10図Bの
如き性質の表示素子に剛いても使用で勇る場合が多い。
第10図Cは、表示信号Skに対し、Skの立上りに際
してφのハイレベルに一致して立上妙かつφのローレベ
ルで立上るSk立上り微分信号S?なる信号と、Skの
立下りに際してφの立Fりに同期して立上り、φのハイ
レベルで立下るSk立Fり信号So:Fを作成する回路
実−1,’(11j 施例である。STは表示素子を点灯状轢にするための信
号、S0ζ′は表示素子を消灯するための信号であって
、その波形は第10図Eに示されている。
してφのハイレベルに一致して立上妙かつφのローレベ
ルで立上るSk立上り微分信号S?なる信号と、Skの
立下りに際してφの立Fりに同期して立上り、φのハイ
レベルで立下るSk立Fり信号So:Fを作成する回路
実−1,’(11j 施例である。STは表示素子を点灯状轢にするための信
号、S0ζ′は表示素子を消灯するための信号であって
、その波形は第10図Eに示されている。
第10図りは・駆動回路例であって、1002のブロッ
クは第10図Cの1001なるブロックに等しい。10
03及び10051dP−CH−F’ETであって、S
0zのハイレベルに7・いてトランジスター003がO
Nとなってφskなる出力の一位はvpDに設定きれ、
80GFのハイレベ/l/においテトランシスター00
5がONKなってφskの電位はVs S 1/4に等
しくなる。sONとST″Fが同時にハイレに ベルになる事はない。SOことSTFが共にローンベル
の状態ではトラ/ジスタ1003.!=1005fd共
にOFFとなり、表示素子1006の印加電圧は素子の
もれ抵抗と容量で定められる時定数で減衰して0になる
か、或いは以前印加された電圧を保持している。インバ
ータ10o4がらはφに同期し丈位相及び波形で電圧レ
ベルのみ異なるφCoNなる信号が得らn、これが共通
W、+ii電位として衣1:・: 水素子100 j、、に接続される。結局表示菓子11
5′7゜ 1006のある時1定のセグメントに印加される電圧y
gc−には第10図Eに示されるが如くなり、Skの立
上りに点灯用の正向専の昇圧が印加されるとすると、S
kの立下りに消灯用の逆向きで点灯昇圧のl/2の昇圧
を印加することになる。
クは第10図Cの1001なるブロックに等しい。10
03及び10051dP−CH−F’ETであって、S
0zのハイレベルに7・いてトランジスター003がO
Nとなってφskなる出力の一位はvpDに設定きれ、
80GFのハイレベ/l/においテトランシスター00
5がONKなってφskの電位はVs S 1/4に等
しくなる。sONとST″Fが同時にハイレに ベルになる事はない。SOことSTFが共にローンベル
の状態ではトラ/ジスタ1003.!=1005fd共
にOFFとなり、表示素子1006の印加電圧は素子の
もれ抵抗と容量で定められる時定数で減衰して0になる
か、或いは以前印加された電圧を保持している。インバ
ータ10o4がらはφに同期し丈位相及び波形で電圧レ
ベルのみ異なるφCoNなる信号が得らn、これが共通
W、+ii電位として衣1:・: 水素子100 j、、に接続される。結局表示菓子11
5′7゜ 1006のある時1定のセグメントに印加される電圧y
gc−には第10図Eに示されるが如くなり、Skの立
上りに点灯用の正向専の昇圧が印加されるとすると、S
kの立下りに消灯用の逆向きで点灯昇圧のl/2の昇圧
を印加することになる。
第11図Aはパルスモータ式水晶時計の駆動回路の部分
を詳しく示したものである。1101は低電圧で動作す
る計時機構で、水晶発振から分周、波形整形を含む機能
を持つ。1102はレベル変換回路で、本実施例では負
電位側の昇圧レベルを拡大してより低電位にしたVaE
llを用意しである、Vsslは区池の負電位−りのレ
ベルで、■882は2倍の昇圧出力であって Veag
=2・Vsstとなる。
を詳しく示したものである。1101は低電圧で動作す
る計時機構で、水晶発振から分周、波形整形を含む機能
を持つ。1102はレベル変換回路で、本実施例では負
電位側の昇圧レベルを拡大してより低電位にしたVaE
llを用意しである、Vsslは区池の負電位−りのレ
ベルで、■882は2倍の昇圧出力であって Veag
=2・Vsstとなる。
又Vss1/4は VSE11/4=1/4 VIl
181 テhル。
181 テhル。
1106及び1104はパルスモータ駆動用の大電流容
tのFETインバータである。P−C1(−FET11
11及び1113にはローレベルの入力信号時にVss
lの2倍のゲート電圧が印加されてUNになるので、通
常の昇圧回路なしのシステムに比較してONインピーダ
ンスfl/4にでき或いは駆動用インバータの為にIC
内部で使用するチップサイズの面積比率を低下できる。
tのFETインバータである。P−C1(−FET11
11及び1113にはローレベルの入力信号時にVss
lの2倍のゲート電圧が印加されてUNになるので、通
常の昇圧回路なしのシステムに比較してONインピーダ
ンスfl/4にでき或いは駆動用インバータの為にIC
内部で使用するチップサイズの面積比率を低下できる。
、N −/
CH−FET1112及び1114に対してはONイン
ピーダンス低楓の幼米がないが、OFF状態でゲート人
力1106及び1108のローレベルがソース電位より
も低電位のために完全なOF’ F状態が実現され、回
路のり−ク或流が少なくなる。
ピーダンス低楓の幼米がないが、OFF状態でゲート人
力1106及び1108のローレベルがソース電位より
も低電位のために完全なOF’ F状態が実現され、回
路のり−ク或流が少なくなる。
計時のための慎fi1101が低電圧動作する事と出力
インピーダンスの低下或いはリーク電流の厳大のウェイ
H−占める駆動インバータのリーク楓少の効果は太す沙
。N−CH−FETのインピーダンス低下のためには、
入力信号1105と1106をコンデンサで直流的にカ
ットしてやり、ダイオードで1106のローレベルiV
sθlのレベルにクランプし、1105は直接的にレベ
ル変換回路1102に接続し、入力1106は上dピコ
ンデンサを介してレベル変侠器1102に接続さnるよ
りにしても良い。入力1107と1108についても同
様で、p−CH−FAT人力1107は直接駆動、N−
CH−lFET入力11υ7は直接駆動、N−CH−F
IT入力1108はダイオードクランプしてコンデンサ
を介して入力1104に連結しても良い。正電位側にV
DDの2倍の′−源VDD!1を増設してレベル変換器
によって論理レベルvDJJi1とVB8Bとに伸長し
た信号でインバータ1103及び1104を駆動しても
艮い。
インピーダンスの低下或いはリーク電流の厳大のウェイ
H−占める駆動インバータのリーク楓少の効果は太す沙
。N−CH−FETのインピーダンス低下のためには、
入力信号1105と1106をコンデンサで直流的にカ
ットしてやり、ダイオードで1106のローレベルiV
sθlのレベルにクランプし、1105は直接的にレベ
ル変換回路1102に接続し、入力1106は上dピコ
ンデンサを介してレベル変侠器1102に接続さnるよ
りにしても良い。入力1107と1108についても同
様で、p−CH−FAT人力1107は直接駆動、N−
CH−lFET入力11υ7は直接駆動、N−CH−F
IT入力1108はダイオードクランプしてコンデンサ
を介して入力1104に連結しても良い。正電位側にV
DDの2倍の′−源VDD!1を増設してレベル変換器
によって論理レベルvDJJi1とVB8Bとに伸長し
た信号でインバータ1103及び1104を駆動しても
艮い。
第11図Bは、第11図Aにおける信号の波形図であり
、第11図Cは第6図Bにおける信号の波形図である。
、第11図Cは第6図Bにおける信号の波形図である。
+2>689はゲート667の出力信号で、Qol・・
・・・・QL+6はカウンタ638の出力1百号で、ρ
6B7C1・・・・・・ρ68フC4はカラ/り638
とゲート637の出力から定められる。
・・・・QL+6はカウンタ638の出力1百号で、ρ
6B7C1・・・・・・ρ68フC4はカラ/り638
とゲート637の出力から定められる。
こ\で、
Ch=Qol。
C9=QO1jQQa
CB=QO1”Q、)怠・、4oa
C4:Qol・Qo2・1.1.08・QO4である。
wIJ1図は′電圧変換回路を−いた本発明の時計シス
テムブロック図 第2図は電圧変換回路の一実施例 第3図A、Bは本発明の電圧変換回路の別の実施第4図
A、Bは本発明の電圧変換回路動作説明図第5図は本発
明の電圧変換回路の別の実施例第6図Aは本発明の′電
圧変換回路と温度梱慣回路の組合せシステムブロック図 第6図Bは第6図AKBける2乗乗算回路実施例第6図
Cは第6図Aのシステム動作説明図第7図はレベル変換
回路実施例 第8藺は電圧の低下と昇圧と全組合せた実施例第9図A
は第8図の電圧変換を利用した液晶マトリクス駆動シス
テムのための表示素子図第9図Bはマトリクス駆動波形
図 第9図Cはマトリクス駆励回路冥施例 第1O図A、Bは蓄$型表示素子特性図第10図C,L
lは蓄積型表示素子駆動回路冥施列第11図Aは第8図
の電圧変侠を利用したパルス1ト モータ式水晶時計システム回路実施例 ′11 第10図Eは蓄積型表示素子駆動波形図第11図Bはモ
ータ駆動回路の駆動波形図第’11図Cは第6図Bの信
号波形図であるっ111:第2の信号の発生手段たる発
振器112:蓄電器の結線を切換えるスイッチング回路 116:レベル変換器 117:表示機構 118:を気的エネルギー源。 第10図 (E) 第111?1 (B)
テムブロック図 第2図は電圧変換回路の一実施例 第3図A、Bは本発明の電圧変換回路の別の実施第4図
A、Bは本発明の電圧変換回路動作説明図第5図は本発
明の電圧変換回路の別の実施例第6図Aは本発明の′電
圧変換回路と温度梱慣回路の組合せシステムブロック図 第6図Bは第6図AKBける2乗乗算回路実施例第6図
Cは第6図Aのシステム動作説明図第7図はレベル変換
回路実施例 第8藺は電圧の低下と昇圧と全組合せた実施例第9図A
は第8図の電圧変換を利用した液晶マトリクス駆動シス
テムのための表示素子図第9図Bはマトリクス駆動波形
図 第9図Cはマトリクス駆励回路冥施例 第1O図A、Bは蓄$型表示素子特性図第10図C,L
lは蓄積型表示素子駆動回路冥施列第11図Aは第8図
の電圧変侠を利用したパルス1ト モータ式水晶時計システム回路実施例 ′11 第10図Eは蓄積型表示素子駆動波形図第11図Bはモ
ータ駆動回路の駆動波形図第’11図Cは第6図Bの信
号波形図であるっ111:第2の信号の発生手段たる発
振器112:蓄電器の結線を切換えるスイッチング回路 116:レベル変換器 117:表示機構 118:を気的エネルギー源。 第10図 (E) 第111?1 (B)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)時間基準信号源、計時単位信号合成機構、計時機構
、時刻表示機構、外部操作部材、電気的エネルギー供給
源よりなる電子時計に於て、第2の信号発生手段を備え
、該第2の信号の周波数と時間基準信号との周波数偏差
から得た温度に関する情報と時計の温度補正両数を演算
回路により合成した信号を用いて温度補償を行うととを
特徴とする電子時計。 2)時間基準信号源、計時単位信号合成機構、計時機構
、時刻表示機構、外部操作部材、電気的エネルギー供給
源、第2の信号発生手段よりなる電子時計において、電
圧の変動を抑圧する電源安定圧補償回路から電子時計−
の構成要素の一部に電気エネルギーを供給し、前記温度
測定回路は間欠的に駆動されて温度測定テークを出力し
該温度測定データにより連続的に前dピ電圧補償回路に
より温度補償を行うことを特徴とする電子時計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167941A JPS5873892A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子時計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167941A JPS5873892A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子時計 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50116620A Division JPS5240371A (en) | 1975-09-27 | 1975-09-27 | Electronic watch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873892A true JPS5873892A (ja) | 1983-05-04 |
| JPS6367159B2 JPS6367159B2 (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15858886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167941A Granted JPS5873892A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子時計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873892A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029655U (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-22 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5164353A (ja) * | 1974-12-02 | 1976-06-03 | Suwa Seikosha Kk | Ondohoseisuishodokei |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57167941A patent/JPS5873892A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5164353A (ja) * | 1974-12-02 | 1976-06-03 | Suwa Seikosha Kk | Ondohoseisuishodokei |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6367159B2 (ja) | 1988-12-23 |
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