JPS5875862A - 半導体用タングステンスラグ - Google Patents
半導体用タングステンスラグInfo
- Publication number
- JPS5875862A JPS5875862A JP56175165A JP17516581A JPS5875862A JP S5875862 A JPS5875862 A JP S5875862A JP 56175165 A JP56175165 A JP 56175165A JP 17516581 A JP17516581 A JP 17516581A JP S5875862 A JPS5875862 A JP S5875862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten
- sintered
- tungsten slag
- slag
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子に用いられるタングステンスラグ
に関するものである。
に関するものである。
タングステンスラグは従来法のような方法で製造されて
いた。すなわち、金属タングステン粉末を加圧成形して
成形体とし、これを約３０００℃程度の高温に通電加熱
して棒状の焼結体（インゴット）としたのち、この焼結
体にスェージング加工及び必要ならば伸線加工を施して
所定の太さの線または棒を得る。つぎに、このようにし
て得られた線または棒に真直下処理を施したのち、所望
の外径寸法にセンタレス研削し、しかるのち所定の寸法
に切断してタングステンスラグとしていた。しかしなが
ら、このような従来の製造方法では研削シロ及び切断シ
ロが必要であるので材料歩留が悪く、しかも製造工程が
長いので、製造コストが高くつくという問題があった。
いた。すなわち、金属タングステン粉末を加圧成形して
成形体とし、これを約３０００℃程度の高温に通電加熱
して棒状の焼結体（インゴット）としたのち、この焼結
体にスェージング加工及び必要ならば伸線加工を施して
所定の太さの線または棒を得る。つぎに、このようにし
て得られた線または棒に真直下処理を施したのち、所望
の外径寸法にセンタレス研削し、しかるのち所定の寸法
に切断してタングステンスラグとしていた。しかしなが
ら、このような従来の製造方法では研削シロ及び切断シ
ロが必要であるので材料歩留が悪く、しかも製造工程が
長いので、製造コストが高くつくという問題があった。
本発明は、従来のタングステンスラグの上記欠点を改良
し、経済的および省資源的にすぐれた半導体用タングス
テンスラグを提供するものであり、これについて以下に
説明する。
し、経済的および省資源的にすぐれた半導体用タングス
テンスラグを提供するものであり、これについて以下に
説明する。
本発明にかかるタングステンスラグは、０・５重量％以
下のニッケルを含有するタングステンの焼結体からなる
ことを特徴としている。ニッケルを添加しない純タング
ステン粉末を加圧成形して焼結する場合は前述の如く約
３０００℃程度に加熱しても比重が真比重の飯％程度に
しかならず、このままでは半導体用のタングステンスラ
グとして実用することができないが、原料である金属タ
ングステン粉“末に微量のニッケ９しを添加しておくこ
とにより、いわゆる活性化焼結が行なわれ、１８００〜
１９５０℃の比較的低温で焼結しても半導体用タングス
テンスラグとして充分使用に耐える高密度の焼結体が得
られるのである。このように、比較的低温で焼結するこ
とによシ製造することができるので、工業生産的にきわ
めて有利である。この場合、ニッケル（Ｎ１）の添加量
は活性化焼結が行なわれるような量であればよいが、ニ
ッケルの添加量が０．５重量％を越えると結晶粒子の成
長が著しくなるとともにタングステンスラグの物理的性
質に悪影響を及ぼすようになる。実験結果によるとニッ
ケルの好ましい添加量は０．０３〜０．５重量％であり
、より好ましい範囲は０．０５〜０．１重量％であった
。
下のニッケルを含有するタングステンの焼結体からなる
ことを特徴としている。ニッケルを添加しない純タング
ステン粉末を加圧成形して焼結する場合は前述の如く約
３０００℃程度に加熱しても比重が真比重の飯％程度に
しかならず、このままでは半導体用のタングステンスラ
グとして実用することができないが、原料である金属タ
ングステン粉“末に微量のニッケ９しを添加しておくこ
とにより、いわゆる活性化焼結が行なわれ、１８００〜
１９５０℃の比較的低温で焼結しても半導体用タングス
テンスラグとして充分使用に耐える高密度の焼結体が得
られるのである。このように、比較的低温で焼結するこ
とによシ製造することができるので、工業生産的にきわ
めて有利である。この場合、ニッケル（Ｎ１）の添加量
は活性化焼結が行なわれるような量であればよいが、ニ
ッケルの添加量が０．５重量％を越えると結晶粒子の成
長が著しくなるとともにタングステンスラグの物理的性
質に悪影響を及ぼすようになる。実験結果によるとニッ
ケルの好ましい添加量は０．０３〜０．５重量％であり
、より好ましい範囲は０．０５〜０．１重量％であった
。
つぎに、本発明にかかるタングステンスラグの製法例に
ついて述べる。
ついて述べる。
第１図は本発明に係るタングステンスラグの製造工程を
例示するフローチャートである。同図において、まず金
属タングステン粉末と金属ニッケル粉末とを配合し、Ｖ
型混合機などによって混合する。この場合、金属タング
ステン粉末に硝酸塩のようなニッケル塩の水溶液を添加
混合し、乾燥したのち水素雰囲気中で加熱することによ
って、ニッケルを添加することもできる。必要に応じて
これに造粒剤としてビニール系樹脂などを有機溶剤に溶
かして添加するが、造粒剤は強い粘着力を有するととも
に蒸発温度の低いものが望ましい。
例示するフローチャートである。同図において、まず金
属タングステン粉末と金属ニッケル粉末とを配合し、Ｖ
型混合機などによって混合する。この場合、金属タング
ステン粉末に硝酸塩のようなニッケル塩の水溶液を添加
混合し、乾燥したのち水素雰囲気中で加熱することによ
って、ニッケルを添加することもできる。必要に応じて
これに造粒剤としてビニール系樹脂などを有機溶剤に溶
かして添加するが、造粒剤は強い粘着力を有するととも
に蒸発温度の低いものが望ましい。
ついで、これを造粒機を用いて造粒し、乾燥して有機溶
剤を除去したのち、メカニカルプレスで加圧成形して成
形体を得る。成形体は予備焼結を行い、造粒剤を完全に
揮発させたのち焼結を行う。
剤を除去したのち、メカニカルプレスで加圧成形して成
形体を得る。成形体は予備焼結を行い、造粒剤を完全に
揮発させたのち焼結を行う。
この焼結体に仕上処理左しズ、バレル研磨機で研磨を施
した後、タンプラー研磨機で仕上研磨を行い第２図に示
すような形状のタングステンスラグを得るのである。
した後、タンプラー研磨機で仕上研磨を行い第２図に示
すような形状のタングステンスラグを得るのである。
つぎに本発明の実施例について説明する。
平均粒度０．５〜２．０μｍの金属タングステン粉末に
平均粒度４〜７μｍ の金属ニッケル粉末００６重量％
を添加して混合し、混合粉末とした。これにビニール系
樹脂をメタノールに溶かしたものをふシーかけ、充分混
合した。造粒剤であるビニ−・ル糸樹脂の添加量は上記
混合粉末に対しｌ１ｉ−に％であった。つぎに造粒剤を
用いて造粒を行ない、メタノールを揮発させて除去した
。得られた顆粒をロータリプレス機を用いて２〜３．５
ｔ／ ｃｍ２の成形圧力で加圧成形し小円柱状の成形
体とした。これを水素炉に装入して室温より徐々に１１
００℃まで昇温し、造粒剤を完全に揮発させるとともに
予焼績を行なった。この処理時間は２時間３０分であシ
、１１００℃で３０分間保持した。上記処理のかわシに
、４００℃前後に保持された水素雰囲気炉中に直接成形
体を挿入し、４００℃で３０分間保持して造粒剤を完全
に揮発させたのち、１１００℃で３０分間保持して予焼
績を行なうことも可能である。つづいて予焼績をおえだ
成形体を水素炉中で１８３０°Ｃで３時間加熱してタン
グステン焼結体とした。
平均粒度４〜７μｍ の金属ニッケル粉末００６重量％
を添加して混合し、混合粉末とした。これにビニール系
樹脂をメタノールに溶かしたものをふシーかけ、充分混
合した。造粒剤であるビニ−・ル糸樹脂の添加量は上記
混合粉末に対しｌ１ｉ−に％であった。つぎに造粒剤を
用いて造粒を行ない、メタノールを揮発させて除去した
。得られた顆粒をロータリプレス機を用いて２〜３．５
ｔ／ ｃｍ２の成形圧力で加圧成形し小円柱状の成形
体とした。これを水素炉に装入して室温より徐々に１１
００℃まで昇温し、造粒剤を完全に揮発させるとともに
予焼績を行なった。この処理時間は２時間３０分であシ
、１１００℃で３０分間保持した。上記処理のかわシに
、４００℃前後に保持された水素雰囲気炉中に直接成形
体を挿入し、４００℃で３０分間保持して造粒剤を完全
に揮発させたのち、１１００℃で３０分間保持して予焼
績を行なうことも可能である。つづいて予焼績をおえだ
成形体を水素炉中で１８３０°Ｃで３時間加熱してタン
グステン焼結体とした。
これをバレル研磨機で研磨し、さらにタンブラ研磨機で
仕上研磨を施して目的とするタングステンスラグを得た
。得られたタングステンスラグの比重は１８，３〜１８
．４であった。なお、参考までに柚々のニッケル添加量
における顕微鏡組織（Ｘ１５０）を第３図に示す。同図
からニッケル（Ｎｉ）添加量が増加すると結晶組織が次
第に粗くなることがわかる。
仕上研磨を施して目的とするタングステンスラグを得た
。得られたタングステンスラグの比重は１８，３〜１８
．４であった。なお、参考までに柚々のニッケル添加量
における顕微鏡組織（Ｘ１５０）を第３図に示す。同図
からニッケル（Ｎｉ）添加量が増加すると結晶組織が次
第に粗くなることがわかる。
つぎに、第４図に示す如く上記のようにして得られたタ
ングステンスラグ１にジルコン銅からなるリード線２を
スポット溶接し、第５図に示すようなガラスモールドダ
イオード３を製作した。このダイオードではリード線２
が接続されたタングステンスラグ１，１の間にシリコン
ウェハ４が挾持され、そのまわりにガラスモールド５が
設けられている。侍られたガラスモールドダイオードは
従来のものと殆んど同程度の性能をそなえておシ、充分
使用に耐えるものであった。
ングステンスラグ１にジルコン銅からなるリード線２を
スポット溶接し、第５図に示すようなガラスモールドダ
イオード３を製作した。このダイオードではリード線２
が接続されたタングステンスラグ１，１の間にシリコン
ウェハ４が挾持され、そのまわりにガラスモールド５が
設けられている。侍られたガラスモールドダイオードは
従来のものと殆んど同程度の性能をそなえておシ、充分
使用に耐えるものであった。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるタング
ステンスラグは製造が簡単で材料歩留りが高く、半導体
用の部品としてすぐれたきわめて実用性の高いものであ
る。
ステンスラグは製造が簡単で材料歩留りが高く、半導体
用の部品としてすぐれたきわめて実用性の高いものであ
る。
第１図は本発明にかかるタングステンスラグの製造工程
を例示する製造工程図である。第２図はタングステンス
ラグの外観図、第３図（ａ）、 （ｂ）。 （Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はタングステンスラグの顕微鏡
組織写真、第４図および第５図は使用方法の説明図であ
る。 １・・・タングステンスラグ ２・・・リード線 ３・
・・カラスモールドタイオード ４・・・シリコンウェ
ハ５・・・ガラスモールド。 特許出願人 東邦金属株式会社 代理人 弁理士 菅 原 弘 志 １ゝ− 第１図 第４図
を例示する製造工程図である。第２図はタングステンス
ラグの外観図、第３図（ａ）、 （ｂ）。 （Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はタングステンスラグの顕微鏡
組織写真、第４図および第５図は使用方法の説明図であ
る。 １・・・タングステンスラグ ２・・・リード線 ３・
・・カラスモールドタイオード ４・・・シリコンウェ
ハ５・・・ガラスモールド。 特許出願人 東邦金属株式会社 代理人 弁理士 菅 原 弘 志 １ゝ− 第１図 第４図
Claims (2)
- （１） ０．５重量％以下のニッケルを含有するタン
グステンの焼結体からなる半導体用タングステンスラグ
。 - （２） ニッケル含有量が０．０３〜０．５重量係で
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体用タングステン
スラグ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175165A JPS5875862A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 半導体用タングステンスラグ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175165A JPS5875862A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 半導体用タングステンスラグ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875862A true JPS5875862A (ja) | 1983-05-07 |
| JPS6239827B2 JPS6239827B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=15991396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175165A Granted JPS5875862A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 半導体用タングステンスラグ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847498A (en) * | 1994-12-23 | 1998-12-08 | Philips Electronics North America Corporation | Multiple layer composite electrodes for discharge lamps |
| US7781849B2 (en) | 2008-01-29 | 2010-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of fabricating the same |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP56175165A patent/JPS5875862A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847498A (en) * | 1994-12-23 | 1998-12-08 | Philips Electronics North America Corporation | Multiple layer composite electrodes for discharge lamps |
| US7781849B2 (en) | 2008-01-29 | 2010-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6239827B2 (ja) | 1987-08-25 |
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