JPS6239827B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6239827B2 JPS6239827B2 JP56175165A JP17516581A JPS6239827B2 JP S6239827 B2 JPS6239827 B2 JP S6239827B2 JP 56175165 A JP56175165 A JP 56175165A JP 17516581 A JP17516581 A JP 17516581A JP S6239827 B2 JPS6239827 B2 JP S6239827B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten
- sintered
- slag
- tungsten slag
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子に用いられるタングステ
ンスラグに関するものである。
ンスラグに関するものである。
タングステンスラグは従来次のような方法で製
造されていた。すなわち、金属タングステン粉末
を加圧成形して成形体とし、これを約3000℃程度
の高温に通電加熱して棒状の焼結体（インゴツ
ト）としたのち、この焼結体にスエージング加工
及び必要ならば伸線加工を施して所定の太さの線
または棒を得る。つぎに、このようにして得られ
た線または棒に真直下処理を施したのち、所望の
外径寸法にセンタレス研削し、しかるのち所定の
寸法に切断してタングステンスラグとしていた。
しかしながら、このような従来の製造方法では研
削シロ及び切断シロが必要であるので材料歩留が
悪く、しかも製造工程が長いので、製造コストが
高くつくという問題があつた。
造されていた。すなわち、金属タングステン粉末
を加圧成形して成形体とし、これを約3000℃程度
の高温に通電加熱して棒状の焼結体（インゴツ
ト）としたのち、この焼結体にスエージング加工
及び必要ならば伸線加工を施して所定の太さの線
または棒を得る。つぎに、このようにして得られ
た線または棒に真直下処理を施したのち、所望の
外径寸法にセンタレス研削し、しかるのち所定の
寸法に切断してタングステンスラグとしていた。
しかしながら、このような従来の製造方法では研
削シロ及び切断シロが必要であるので材料歩留が
悪く、しかも製造工程が長いので、製造コストが
高くつくという問題があつた。
本発明は、従来のタングステンスラグの上記欠
点を改良し、経済的および省資源的にすぐれた半
導体用タングステンスラグを提供するものであ
り、これについて以下に説明する。
点を改良し、経済的および省資源的にすぐれた半
導体用タングステンスラグを提供するものであ
り、これについて以下に説明する。
本発明にかかるタングステンスラグは、0.5重
量％以下のニツケルを含有するタングステンの焼
結体からなることを特徴としている。ニツケルを
添加しない純タングステン粉末を加圧成形して焼
結する場合は前述の如く約3000℃程度に加熱して
も比重が真比重の90％程度にしかならず、このま
までは半導体用のタングステンスラグとして実用
することができないが、原料である金属タングス
テン粉末に微量のニツケルを添加しておくことに
より、いわゆる活性化焼結が行なわれ、1800〜
1950℃の比較的低温で焼結しても半導体用タング
ステンスラグとして充分使用に耐える高密度の焼
結体が得られるのである。このように、比較的低
温で焼結することにより製造することができるの
で、工業生産的にきわめて有利である。この場合
ニツケル（Ni）の添加量は活性化焼結が行なわ
れるような量であればよいが、ニツケルの添加量
が0.5重量％を越えると結晶粒子の成長が著しく
なるとともにタングステンスラグの物理的性質に
悪影響を及ぼすようになる。実験結果によるとニ
ツケルの好ましい添加量は0.03〜0.5重量％であ
り、より好ましい範囲は0.05〜１重量％であつ
た。
量％以下のニツケルを含有するタングステンの焼
結体からなることを特徴としている。ニツケルを
添加しない純タングステン粉末を加圧成形して焼
結する場合は前述の如く約3000℃程度に加熱して
も比重が真比重の90％程度にしかならず、このま
までは半導体用のタングステンスラグとして実用
することができないが、原料である金属タングス
テン粉末に微量のニツケルを添加しておくことに
より、いわゆる活性化焼結が行なわれ、1800〜
1950℃の比較的低温で焼結しても半導体用タング
ステンスラグとして充分使用に耐える高密度の焼
結体が得られるのである。このように、比較的低
温で焼結することにより製造することができるの
で、工業生産的にきわめて有利である。この場合
ニツケル（Ni）の添加量は活性化焼結が行なわ
れるような量であればよいが、ニツケルの添加量
が0.5重量％を越えると結晶粒子の成長が著しく
なるとともにタングステンスラグの物理的性質に
悪影響を及ぼすようになる。実験結果によるとニ
ツケルの好ましい添加量は0.03〜0.5重量％であ
り、より好ましい範囲は0.05〜１重量％であつ
た。
つぎに、本発明にかかるタングステンスラグの
製法例について述べる。
製法例について述べる。
第１図は本発明に係るタングステンスラグの製
造工程を例示するフローチヤートである。同図に
おいて、まず金属タングステン粉末と金属ニツケ
ル粉末とを混合し、Ｖ型混合機などによつて混合
する。この場合、金属タングステン粉末に硝酸塩
のようなニツケル塩の水溶液を添加混合し、乾燥
したのち水素雰囲気中で加熱することによつて、
ニツケルを添加することもできる。必要に応じて
これに造粒剤としてビニール系樹脂などを有機溶
剤に溶かして添加するが、造粒剤は強い粘着力を
有するとともに蒸発温度の低いものが望ましい。
ついで、これを造粒機を用いて造粒し、乾燥して
有機溶剤を除去したのち、メカニカルプレスで加
圧成形して成形体を得る。成形体は予備焼結を行
い、造粒剤を完全に揮発させたのち焼結を行う。
この焼結体に仕上処理として、バレル研磨機で研
磨を施した後、タンブラー研磨機で仕上研磨を行
い第２図に示すような形状のタングステンスラグ
を得るのである。
造工程を例示するフローチヤートである。同図に
おいて、まず金属タングステン粉末と金属ニツケ
ル粉末とを混合し、Ｖ型混合機などによつて混合
する。この場合、金属タングステン粉末に硝酸塩
のようなニツケル塩の水溶液を添加混合し、乾燥
したのち水素雰囲気中で加熱することによつて、
ニツケルを添加することもできる。必要に応じて
これに造粒剤としてビニール系樹脂などを有機溶
剤に溶かして添加するが、造粒剤は強い粘着力を
有するとともに蒸発温度の低いものが望ましい。
ついで、これを造粒機を用いて造粒し、乾燥して
有機溶剤を除去したのち、メカニカルプレスで加
圧成形して成形体を得る。成形体は予備焼結を行
い、造粒剤を完全に揮発させたのち焼結を行う。
この焼結体に仕上処理として、バレル研磨機で研
磨を施した後、タンブラー研磨機で仕上研磨を行
い第２図に示すような形状のタングステンスラグ
を得るのである。
つぎに本発明の実施例について説明する。
実施例
平均粒度0.5〜2.0μｍの金属タングステン粉末
に平均粒度４〜７μｍの金属ニツケル粉末0.06重
量％を添加して混合し、混合粉末とした。これに
ビニール系樹脂をメタノールに溶かしたものをふ
りかけ、充分混合した。造粒剤であるビニール系
樹脂の添加量は上記混合粉末に対し１重量％であ
つた。つぎに造粒剤を用いて造粒を行ない、メタ
ノールを揮発させて除去した。得られた顆粒をロ
ータリプレス機を用いて２〜3.5t/cm2の成形圧力
で加圧成形し小円柱状の成形体とした。これを水
素炉に装入して室温より徐々に1100℃まで昇温
し、造粒剤を完全に揮発させるとともに予焼結を
行なつた。この処理時間は２時間30分であり、
1100℃で30分間保持した。上記処理のかわりに、
400℃前後に保持された水素雰囲気炉中に直接成
形体を挿入し、400℃で30分間保持して造粒剤を
完全に揮発させたのち、1100℃で30分間保持して
予焼結を行なうことも可能である。つづいて予焼
結をおえた成形体を水素炉中で1830℃で３時間加
熱してタングステン焼結体とした。
に平均粒度４〜７μｍの金属ニツケル粉末0.06重
量％を添加して混合し、混合粉末とした。これに
ビニール系樹脂をメタノールに溶かしたものをふ
りかけ、充分混合した。造粒剤であるビニール系
樹脂の添加量は上記混合粉末に対し１重量％であ
つた。つぎに造粒剤を用いて造粒を行ない、メタ
ノールを揮発させて除去した。得られた顆粒をロ
ータリプレス機を用いて２〜3.5t/cm2の成形圧力
で加圧成形し小円柱状の成形体とした。これを水
素炉に装入して室温より徐々に1100℃まで昇温
し、造粒剤を完全に揮発させるとともに予焼結を
行なつた。この処理時間は２時間30分であり、
1100℃で30分間保持した。上記処理のかわりに、
400℃前後に保持された水素雰囲気炉中に直接成
形体を挿入し、400℃で30分間保持して造粒剤を
完全に揮発させたのち、1100℃で30分間保持して
予焼結を行なうことも可能である。つづいて予焼
結をおえた成形体を水素炉中で1830℃で３時間加
熱してタングステン焼結体とした。
これをバレル研磨機で研磨し、さらにタンブラ
研磨機で仕上研磨を施して目的とするタングステ
ンスラグを得た。得られたタングステンスラグの
比重は18.3〜18.4であつた。なお、参考までに
種々のニツケル添加量における顕微鏡組織（×
150）を第３図に示す。同図からニツケル（Ni）
添加量が増加すると結晶組織が次第に粗くなるこ
とがわかる。
研磨機で仕上研磨を施して目的とするタングステ
ンスラグを得た。得られたタングステンスラグの
比重は18.3〜18.4であつた。なお、参考までに
種々のニツケル添加量における顕微鏡組織（×
150）を第３図に示す。同図からニツケル（Ni）
添加量が増加すると結晶組織が次第に粗くなるこ
とがわかる。
つぎに、第４図に示す如く上記のようにして得
られたタングステンスラグ１に銅からなるリード
線２をスポツト溶接し、第５図に示すようなガラ
スモールドダイオード３を製作した。このダイオ
ードではリード線２が接続されたタングステンス
ラグ１，１の間にシリコンウエハ４が挾持され、
そのまわりにガラスモールド５が設けられてい
る。得られたガラスモールドダイオードは従来の
ものと殆んど同程度の性能をそなえており、充分
使用に耐えるものであつた。
られたタングステンスラグ１に銅からなるリード
線２をスポツト溶接し、第５図に示すようなガラ
スモールドダイオード３を製作した。このダイオ
ードではリード線２が接続されたタングステンス
ラグ１，１の間にシリコンウエハ４が挾持され、
そのまわりにガラスモールド５が設けられてい
る。得られたガラスモールドダイオードは従来の
ものと殆んど同程度の性能をそなえており、充分
使用に耐えるものであつた。
以上の説明から明らかなように、本発明にかか
るタングステンスラグは製造が簡単で材料歩留り
が高く、半導体用の部品としてすぐれたきわめて
実用性の高いものである。
るタングステンスラグは製造が簡単で材料歩留り
が高く、半導体用の部品としてすぐれたきわめて
実用性の高いものである。
第１図は本発明にかかるタングステンスラグの
製造工程を例示する製造工程図である。第２図は
タングステンスラグの外観図、第３図ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅはタングステンスラグの顕微鏡組織写
真、第４図および第５図は使用方法の説明図であ
る。 １…タングステンスラグ、２…リード線、３…
ガラスモールドダイオード、４…シリコンウエ
ハ、５…ガラスモールド。
製造工程を例示する製造工程図である。第２図は
タングステンスラグの外観図、第３図ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅはタングステンスラグの顕微鏡組織写
真、第４図および第５図は使用方法の説明図であ
る。 １…タングステンスラグ、２…リード線、３…
ガラスモールドダイオード、４…シリコンウエ
ハ、５…ガラスモールド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 0.5重量％以下のニツケルを含有するタング
ステンの焼結体からなる半導体用タングステンス
ラグ。 ２ ニツケル含有量が0.03〜0.5重量％である特
許請求の範囲第１項記載の半導体用タングステン
スラグ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175165A JPS5875862A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 半導体用タングステンスラグ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175165A JPS5875862A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 半導体用タングステンスラグ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875862A JPS5875862A (ja) | 1983-05-07 |
| JPS6239827B2 true JPS6239827B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=15991396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175165A Granted JPS5875862A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 半導体用タングステンスラグ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875862A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847498A (en) * | 1994-12-23 | 1998-12-08 | Philips Electronics North America Corporation | Multiple layer composite electrodes for discharge lamps |
| KR101448852B1 (ko) | 2008-01-29 | 2014-10-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP56175165A patent/JPS5875862A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5875862A (ja) | 1983-05-07 |
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