JPS5877231A - レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 - Google Patents

レジストパタ−ンのテ−パ形成方法

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JPS5877231A
JPS5877231A JP56175672A JP17567281A JPS5877231A JP S5877231 A JPS5877231 A JP S5877231A JP 56175672 A JP56175672 A JP 56175672A JP 17567281 A JP17567281 A JP 17567281A JP S5877231 A JPS5877231 A JP S5877231A
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JP
Japan
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pattern
resist
taper
irregular parts
substrate
Prior art date
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Application number
JP56175672A
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English (en)
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JPH0145739B2 (ja
Inventor
Takashi Ookoda
大古田　隆司
Akira Eda
昭 江田
Hideki Nishida
西田　秀来
Hisao Nozawa
野沢　悠夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5877231A publication Critical patent/JPS5877231A/ja
Publication of JPH0145739B2 publication Critical patent/JPH0145739B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルメモリ素子製作時のレジストパタ
ーンのテーバ形成方法に関する。
従来のレジストパターンのテーノくの形成方法は、レジ
ストと下地とのエツチング速度の違いを利用してい良。
しかし、転写される下地）（ターンのテーパ角が不十分
なため、多層配線の際に段切れが生じやすいという欠点
があった。
したがって、本発明の目的は、磁気パズルメモリ素子に
おいズパターンに適当なテーバを形成することを提供す
ることにある。
こＯため、本発明は、多層配線部などＯラフパターンに
適用するものであ〕、マスクパターンの周辺にピッチ間
隔２μｍ以下の凹凸ｔ−２け、露光時ＯＷＡ折先によシ
、レジストパターンにテーバを形成し、積層構造の各層
間のパターンのテーパ角をゆるやかにして段切れな防止
するようにしたものである。
以下、本発明を実施例によって詳細ｔｃＩ！明する。
第１図は、１スクのパターンの一部を示し、第２図は、
そのマスクによ多形成されたレジストの断面形状を示す
。１はマスク基板、２はパターンを示しその周辺には微
細な凹凸を形成しである。３はｌｌ！射光、４は凹凸を
通る回折光、Ｓはレジスト６とマスク１の間のギャップ
、７はレジスト藝を形成し念下地を示しである。第３図
は横軸に凹凸のピッチ間隔、縦軸にレジストパターンの
テーパ角を示している。本＊施例の特徴は、嬉３図で示
すようにピッチ間隔が２μｍ以下、すなわちパターン周
辺部に２μｍ間隔以下の凹凸を形成することで、その部
分を通る光の回折光により、第２図の６の点−で囲まれ
九テーパｔ′有したレジストパターンが形成場れ、更に
エツチングにより、下地Ｔに同様な形状のパターンが得
られる。第３図において、Ｐ】ハテーパ形成領域、Ｐ２
はズスクパターンＯ凹凸が直接転写する領域である。こ
の↓うに本発明を適用することによル、積層構造をゼす
る多層配＠０テーパが従来の方法よシなめらかになる効
果がある。
以上説明したように、本発明によれば、多層配１ＩＩＫ
おける積層構造の各層のパターンのテーバ角を適当な角
度に形成できるので段切れによる断線が防止でき、製品
の歩留シが向上するという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
１１１４１図は本発明の一実施例における１スクの正面
図、第２図は、この１スクを使用した露光時の断面図、
第３図はマスクパターンのピッチ間隔とレジストパター
ンＯテーパ角の関係を示す図である。 ｌ　ａ　ａ　＠　ａｙスク基板、２・・・・パターン、
３・・・・照射光、４・・・・回拓光、５・・・・ギャ
ップ、６・・・・レジスト、Ｔ・・・・下地。 １１−声！− 二１に雫−一 第１独 ＼　　　パター）頗辺の凹凸のヒー・ｙ関１鵬（７ｕｍ
）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ｉスフパターンの周辺にピッチ間隔２μｍ以下の凹凸を
    形成し、露光時にこの凹凸を通る光の回折光によってレ
    ジストに適度なテーノく−を形ａ−ｇせゐようにしたこ
    とを特徴とするレジストノ（ターンＯテーパ形成方法。
JP56175672A 1981-11-04 1981-11-04 レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 Granted JPS5877231A (ja)

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JPS5877231A true JPS5877231A (ja) 1983-05-10
JPH0145739B2 JPH0145739B2 (ja) 1989-10-04

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JP (1) JPS5877231A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60135949A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 Matsushita Electric Works Ltd 光成形体の製造方法
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Publication number Publication date
JPH0145739B2 (ja) 1989-10-04

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