JPH0145739B2 - - Google Patents

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JPH0145739B2
JPH0145739B2 JP17567281A JP17567281A JPH0145739B2 JP H0145739 B2 JPH0145739 B2 JP H0145739B2 JP 17567281 A JP17567281 A JP 17567281A JP 17567281 A JP17567281 A JP 17567281A JP H0145739 B2 JPH0145739 B2 JP H0145739B2
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JP
Japan
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pattern
taper
resist
mask
forming
Prior art date
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Expired
Application number
JP17567281A
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English (en)
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JPS5877231A (ja
Inventor
Takashi Ookoda
Akira Eda
Hideki Nishida
Hisao Nozawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5877231A publication Critical patent/JPS5877231A/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルメモリ素子製作時のレジ
ストパターンのテーパ形成方法に関する。
従来のレジストパターンのテーパの形成方法
は、レジストと下地とのエツチング速度の違いを
利用していた。しかし、転写される下地パターン
のテーパ角が不十分なため、多層配線の際に段切
れが生じやすいという欠点があつた。
したがつて、本発明の目的は、磁気バブルメモ
リ素子においてパターンに適当なテーパを形成す
ることを提供することにある。
このため、本発明は、多層配線部などのラフパ
ターンに適用するものであり、マスクパターンの
周辺にピツチ間隔2μｍ以下の凹凸をつけ、露光
時の回折光により、レジストパターンにテーパを
形成し、積層構造の各層間のパターンのテーパ角
をゆるやかにして段切れを防止するようにしたも
のである。
以下、本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。
第１図は、マスクのパターンの一部を示し、第
２図は、そのマスクにより形成されたレジストの
断面形状を示す。１はマスク基板、２はパターン
を示しその周辺には微細な凹凸を形成してある。
３は照射光、４は凹凸を通る回折光、５はレジス
ト６とマスク１の間のギヤツプ、７はレジスト６
を形成した下地を示してある。第３図は横軸に凹
凸のピツチ間隔、縦軸にレジストパターンのテー
パ角を示している。本実施例の特徴は、第３図で
示すようにピツチ間隔が2μｍ以下、すなわちパ
ターン周辺部に2μｍ間隔以下の凹凸を形成する
ことで、その部分を通る光の回折光により、第２
図の６の点線で囲まれたテーパを有したレジスト
パターンが形成され、更にエツチングにより下地
に同様な形状のパターンが得られる。第３図にお
いて、P1はテーパ形成領域、P2はマスクパター
ンの凹凸が直接転写する領域である。このように
本発明を適用することにより、積層構造を有すす
る多層配線のテーパが従来の方法よりなめらかに
なる効果がある。
なお、第２図に示したような近接露光方式をと
る場合、露光光源としては通常Xe−Hgランプが
用いられており、その露光光の波長範囲は200〜
450nｍにわたつている。第３図の実験データは
このような波長範囲の露光光を用いた場合のもの
であり、このような通常の露光波長範囲において
は、マスクパターンの周辺にピツチ間隔2μｍ以
下の凹凸を形成することにより、レジストパター
ンの周縁をテーパ状に形成してやることができる
ものである。
以上説明したように、本発明によれば、多層配
線における積層構造の各層のパターンのテーパ角
を適当な角度に形成できるので段切れによる断線
が防止でき、製品の歩留りが向上するという優れ
た効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例におけるマスクの正
面図、第２図は、このマスクを使用した露光時の
断面図、第３図はマスクパターンのピツチ間隔と
レジストパターンのテーパ角の関係を示す図であ
る。 １……マスク基板、２……パターン、３……照
射光、４……回折光、５……ギヤツプ、６……レ
ジスト、７……下地。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ マスクパターンの周辺にピツチ間隔2μｍ以
    下の凹凸を形成し、露光時にこの凹凸を通る光の
    回折光によつてレジストに適度なテーパーを形成
    させるようにしたことを特徴とするレジストパタ
    ーンのテーパ形成方法。
JP56175672A 1981-11-04 1981-11-04 レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 Granted JPS5877231A (ja)

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JPS5877231A JPS5877231A (ja) 1983-05-10
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JPS5877231A (ja) 1983-05-10

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