JPS5878122A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS5878122A JPS5878122A JP56178206A JP17820681A JPS5878122A JP S5878122 A JPS5878122 A JP S5878122A JP 56178206 A JP56178206 A JP 56178206A JP 17820681 A JP17820681 A JP 17820681A JP S5878122 A JPS5878122 A JP S5878122A
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- Japan
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- film
- resin film
- substrate
- display device
- liquid crystal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置の製造方法に関するものである０
近時液晶表示装置に使用される基板として樹脂フィルム
基板が出現している。これは樹脂フィルム基板が、軽い
、薄い、種々の形状が容易にできる、機械的な衝撃に強
い、曲げられるなどの多くの利点を持っているためであ
る。
基板が出現している。これは樹脂フィルム基板が、軽い
、薄い、種々の形状が容易にできる、機械的な衝撃に強
い、曲げられるなどの多くの利点を持っているためであ
る。
ところが樹脂フィルム基板を使用すると、従来のガラス
基板に適用していた配向処理が困難に表った。
基板に適用していた配向処理が困難に表った。
即ち、従来のガラス基板に採用される配向処理手段とし
ては、 （１） 斜め蒸着によ、る″方法 （２） 加速イオンの放射による方法（３） ラビ
ングによる方法 （４） 延伸フィルムの貼着による方法等に分類でき
る。
ては、 （１） 斜め蒸着によ、る″方法 （２） 加速イオンの放射による方法（３） ラビ
ングによる方法 （４） 延伸フィルムの貼着による方法等に分類でき
る。
しかしこれらの方法はいずれも樹脂フィルム基板に対し
ては有効ではない。即ち（１）の方法はＳｉｎｇをガラ
ス基板上に蒸着させるのであるが、基板を２００〜３０
０℃に加熱しておく必要があるため、この熱に樹脂フィ
ルムが耐えられない。又、（２）の方法はシャワー状イ
オン発生源から加速イオンを基板上に放射する方法であ
るが、装置が高価操作複雑であるばかりでなく量産性も
ないので元来が量産を目的としコスト低下をねらいとす
るフィルム基板用の配向手段としては不適尚である。
ては有効ではない。即ち（１）の方法はＳｉｎｇをガラ
ス基板上に蒸着させるのであるが、基板を２００〜３０
０℃に加熱しておく必要があるため、この熱に樹脂フィ
ルムが耐えられない。又、（２）の方法はシャワー状イ
オン発生源から加速イオンを基板上に放射する方法であ
るが、装置が高価操作複雑であるばかりでなく量産性も
ないので元来が量産を目的としコスト低下をねらいとす
るフィルム基板用の配向手段としては不適尚である。
さらに（３）のラビング法では、有機シランは樹脂フィ
ルムとの接着性や配向性が悪く、ガラス基板との間では
よい配向膜を形成するが、ポリイミド系などの耐熱高分
子物質は膜の形成が３００℃以上となるため到底用・・
馳得ず（又、ガラス基板用には有効であるとして知られ
ている他の高分子物質の膜も樹脂フィルム上では良好な
配向性を示さない。
ルムとの接着性や配向性が悪く、ガラス基板との間では
よい配向膜を形成するが、ポリイミド系などの耐熱高分
子物質は膜の形成が３００℃以上となるため到底用・・
馳得ず（又、ガラス基板用には有効であるとして知られ
ている他の高分子物質の膜も樹脂フィルム上では良好な
配向性を示さない。
さらに（４）の方法は、−軸延伸の極めて薄い膜を貼着
する方法であるが、導電膜上の抵抗値を著しく増加させ
ることなくこの極薄膜を樹脂フィルム上に貼着すること
は極めて難しい。いずれにしてもガラス基板用の公知配
向処理手段は樹脂フィルム基板用には適用できない０ 未発明は樹脂フィルム基板上にＳｉＯ□膜のガラス層を
形成するにあたって、樹脂フィルム基板に耐熱性を要求
することなく、又、簡単々構成を付加するのみで従来の
ガラス基板に適用可能な配向処理法でフィルム基板上に
配向処理を施した液晶表示装置を提供することを目的と
する。
する方法であるが、導電膜上の抵抗値を著しく増加させ
ることなくこの極薄膜を樹脂フィルム上に貼着すること
は極めて難しい。いずれにしてもガラス基板用の公知配
向処理手段は樹脂フィルム基板用には適用できない０ 未発明は樹脂フィルム基板上にＳｉＯ□膜のガラス層を
形成するにあたって、樹脂フィルム基板に耐熱性を要求
することなく、又、簡単々構成を付加するのみで従来の
ガラス基板に適用可能な配向処理法でフィルム基板上に
配向処理を施した液晶表示装置を提供することを目的と
する。
本発明の液晶表示装置の構成について記する。
第１図は本発明の液晶表示装置で、相対向する樹脂フィ
ルム基板１上に１０００〜５０００Ａ厚の５ｉ０２膜２
を設けている点が特徴である。前記Ｓ ｉ Ｏｚ膜２上
に電極３を設け、Ｓ ｉ０２膜２及び電極３上に配向膜
４を塗布し、かような処理を施した樹脂フィルム基板１
とシール剤５で液晶６を気密封止する。
ルム基板１上に１０００〜５０００Ａ厚の５ｉ０２膜２
を設けている点が特徴である。前記Ｓ ｉ Ｏｚ膜２上
に電極３を設け、Ｓ ｉ０２膜２及び電極３上に配向膜
４を塗布し、かような処理を施した樹脂フィルム基板１
とシール剤５で液晶６を気密封止する。
次に本発明の液晶表示装置の製造方法について、記す。
第２図乃至第５図に本発明の液晶表示装置の製造方法の
一部の工程を示す図面を掲げる〇第２図は樹脂フィルム
基板１ａを洗浄する工程である。この樹脂フィルム基板
１ａとしては例えばポリエステル、ポリサルフォン、ポ
リカーボネイト等のフレキシブルな樹脂膜を利用すると
とができる。上記フィルム基板１ａはそのままの表面状
態では次に形成される下地Ｓｉ０ｇ膜との接着力が充分
ではないため洗浄済の樹脂フィルム基板１８表面に、２
００ＷＸ１０秒程度スノ（ツタエッチを行って、表面加
工された樹脂フィルム基板１ｂを作製する。
一部の工程を示す図面を掲げる〇第２図は樹脂フィルム
基板１ａを洗浄する工程である。この樹脂フィルム基板
１ａとしては例えばポリエステル、ポリサルフォン、ポ
リカーボネイト等のフレキシブルな樹脂膜を利用すると
とができる。上記フィルム基板１ａはそのままの表面状
態では次に形成される下地Ｓｉ０ｇ膜との接着力が充分
ではないため洗浄済の樹脂フィルム基板１８表面に、２
００ＷＸ１０秒程度スノ（ツタエッチを行って、表面加
工された樹脂フィルム基板１ｂを作製する。
続いて第３図は上記表面加工された樹脂フィルム基板１
ｂにコールドスフ１ツ の５ｔ（ｈ膜２を形成する工程である。
ｂにコールドスフ１ツ の５ｔ（ｈ膜２を形成する工程である。
次いて第４図の工程では、Ｓｉｎｇ膜２上にＩｎ−８ｎ
の酸化物（以下１．Ｔ、Ｏと言う０ ）を蒸着し、エツ
チングによって該１．Ｔ、Ｏの電極３を形成する０ さらに第５図の工程では、５ｉ０２膜２及び電極３上に
配向膜４を形成する０この配向膜４としてはコールドス
パッタによる５ｉ０３膜、ポジ型フォトレジスト若しく
はアミノシラン膜又はそれらの結合でも良い０ 配向膜４を、静電防止処理を施した布でラビングを行い
、エポキシ系樹脂でシール印刷、貼り合わせを行う。こ
の時エポキシ系樹脂の硬化条件としては最大硬化温度１
３０°以下のものが望ましい０この硬化温度は使用する
樹脂フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）以下の設定が望
ましいが、実際はＴｇ＋１５℃の温度範囲内であれば支
障はない０ ゛ 以下既知の方法で液晶注入、注入口封止等の工程を行い
、液晶表示装置を完成する。
の酸化物（以下１．Ｔ、Ｏと言う０ ）を蒸着し、エツ
チングによって該１．Ｔ、Ｏの電極３を形成する０ さらに第５図の工程では、５ｉ０２膜２及び電極３上に
配向膜４を形成する０この配向膜４としてはコールドス
パッタによる５ｉ０３膜、ポジ型フォトレジスト若しく
はアミノシラン膜又はそれらの結合でも良い０ 配向膜４を、静電防止処理を施した布でラビングを行い
、エポキシ系樹脂でシール印刷、貼り合わせを行う。こ
の時エポキシ系樹脂の硬化条件としては最大硬化温度１
３０°以下のものが望ましい０この硬化温度は使用する
樹脂フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）以下の設定が望
ましいが、実際はＴｇ＋１５℃の温度範囲内であれば支
障はない０ ゛ 以下既知の方法で液晶注入、注入口封止等の工程を行い
、液晶表示装置を完成する。
次に本発明の液晶表示装置の具体的な実施例を２例記す
。
。
実施例−１
２００μ厚のポリサル７オンフイルム基板上に２００Ｗ
Ｘ１０秒スパッタエッチを行い、続いてｌＸｌ０−５Ｔ
ｏｒｒ Ａｒリーク中でＳｉｎｇをコールドスパッタリ
ングして厚さ２０００大の膜を形成した。その後、Ｉ、
Ｔ、Ｏを蒸着し電極形成後セル電極引き出し部を金属で
覆ってコールドスパッタリングＳｉ０ｇ膜の配向膜を３
Ｘ１０−ＩＡｒリーク中で１０００＾の厚さに形成した
。その後、有機アミノシラン溶液（０，２重量）く−セ
ント）をスピナーで塗布し、６０℃×１０分間乾燥して
静電防止処理を施した布でラビングした０基板を相対向
させて接着する。シール剤は１００℃×３時間硬化のア
ミン硬化型エポキシシール剤を用いシール印刷、貼り合
わせ、硬化を行った。この後ピリミジン系液晶を注入し
常温硬化型のエポキシ−ナイロン系封止剤で注入口を封
止した。
Ｘ１０秒スパッタエッチを行い、続いてｌＸｌ０−５Ｔ
ｏｒｒ Ａｒリーク中でＳｉｎｇをコールドスパッタリ
ングして厚さ２０００大の膜を形成した。その後、Ｉ、
Ｔ、Ｏを蒸着し電極形成後セル電極引き出し部を金属で
覆ってコールドスパッタリングＳｉ０ｇ膜の配向膜を３
Ｘ１０−ＩＡｒリーク中で１０００＾の厚さに形成した
。その後、有機アミノシラン溶液（０，２重量）く−セ
ント）をスピナーで塗布し、６０℃×１０分間乾燥して
静電防止処理を施した布でラビングした０基板を相対向
させて接着する。シール剤は１００℃×３時間硬化のア
ミン硬化型エポキシシール剤を用いシール印刷、貼り合
わせ、硬化を行った。この後ピリミジン系液晶を注入し
常温硬化型のエポキシ−ナイロン系封止剤で注入口を封
止した。
実施例−２
２００μ厚のポリエステルフィルム基板を用い、実施例
−１と同様な操作で電極形成までを完了する。配向膜と
してはポジ型フォトレジスト（５ｈｉｐｌｅｙ社：ＡＺ
−１３５０Ｊ）をスヒナーで膜厚８００Ａ形成した。電
極部分に対応する部分だけを残して露光、現像で７オト
レジストを除去し１５０℃×３０秒クリーニングを行っ
た。以下は実施例−１に沿って液晶セルを作成した。
−１と同様な操作で電極形成までを完了する。配向膜と
してはポジ型フォトレジスト（５ｈｉｐｌｅｙ社：ＡＺ
−１３５０Ｊ）をスヒナーで膜厚８００Ａ形成した。電
極部分に対応する部分だけを残して露光、現像で７オト
レジストを除去し１５０℃×３０秒クリーニングを行っ
た。以下は実施例−１に沿って液晶セルを作成した。
なお、シールの硬化条件は９０’Ｘ３．５時間とルた０
本発明によれば、液晶表示装置の基板に樹脂フィルム基
板を用いても、従来のガラス基板液晶表夛装置と同様な
Ｓｉｎ、膜による配向処理を施ζすことができ、樹脂フ
ィルム基板を用いることによる大規模な機械設備の変更
の手間が省ける効果がある。さらに１本発明の液晶表示
装置は、良好な配向性及び高コントラストを示す。
板を用いても、従来のガラス基板液晶表夛装置と同様な
Ｓｉｎ、膜による配向処理を施ζすことができ、樹脂フ
ィルム基板を用いることによる大規模な機械設備の変更
の手間が省ける効果がある。さらに１本発明の液晶表示
装置は、良好な配向性及び高コントラストを示す。
第１図は本発明の液晶表示装置の断面図、第２図乃至第
５図は本発明の液晶表示装置の製造方法の工程を示した
図面である。 １ ＋ １ ａ ＋ １ ｂ ”’フィルム基板、２＝
−８ｉＯ２膜、３・・・電極、４・・・配向膜、５・・
・シール剤、６・・・液晶０代理人 弁理士 福 士
愛 彦
５図は本発明の液晶表示装置の製造方法の工程を示した
図面である。 １ ＋ １ ａ ＋ １ ｂ ”’フィルム基板、２＝
−８ｉＯ２膜、３・・・電極、４・・・配向膜、５・・
・シール剤、６・・・液晶０代理人 弁理士 福 士
愛 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、液晶挾持基板として樹脂フィルム基板を用いた液晶
表示装置の製造方法において、 樹脂フィルム基板の表面をエツチング加工する工程と、 上記樹脂フィルム基板上にスパッタリングによって５ｉ
０２膜を被着する工程と、 前工程の５ｉ０３膜上に電極パターンを形成する工程と
、 上記Ｓｉｎ、膜及び電極パターン上に配向膜を形成する
工程 より成ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178206A JPS5878122A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178206A JPS5878122A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878122A true JPS5878122A (ja) | 1983-05-11 |
| JPH0147769B2 JPH0147769B2 (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=16044427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178206A Granted JPS5878122A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878122A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983465A (ja) * | 1972-12-14 | 1974-08-10 | ||
| JPS5495264A (en) * | 1978-01-11 | 1979-07-27 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP56178206A patent/JPS5878122A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983465A (ja) * | 1972-12-14 | 1974-08-10 | ||
| JPS5495264A (en) * | 1978-01-11 | 1979-07-27 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0147769B2 (ja) | 1989-10-16 |
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