JPS588145B2 - パタ−ン形成法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体基板上に微細な配線パターンを形成す
るパターン形成法に関するものである。

集積回路の集積度の向上に伴って、半導体基板上に形成
する配線パターンの微細化が要求されることになる。

しかし、通常の化学エッチングにより配線パターンを形
成する場合に、配線間にひげ状部分が残存し、微細パタ
ーンの配線間の電気的分離が困難となる。

例えば、第１図に示すように半導体基板１上にアルミニ
ウム（Ａｌ）等の金属の配線層２を蒸着等により形成し
、ホトレジスト３を塗布した後、配線パターンマスク４
を介して露光し、ホトレジスト３の非露光部分を除去し
て露光部分３′により配線パターンと同一のパターンを
形成し、これをマスクとして配線層２のエッチングを行
い、配線パターンマスク４に従った配線パターンを形成
するのが一般的である。

この場合、第２図に示すように、配線パターンの配線２
１，２２間にひげ状部分５が残存することがある。

このひげ状部分５は配線２１，２２間の間隔が大きいと
途中で切れるので、配線２１，２２間が分離されるが、
微細パターンとする場合は間隔も狭くなるので、配線２
１，２２間が分離されなくなり、半導体装置として所望
の特性が得られなくなる。

このようなひげ状部分５の発生原因としては、例えば、
露光時に光の回折により配線パターンマスク４でマスク
されたホトレジスト３の非露光部分に光が入射され、ホ
トレジスト３のパターンにひげ状部分が生じ、これをマ
スクとして配線層２をエッチングすることにより生じる
ものである。

このひげ状部分５の残存を防止するには、オーバーエッ
チングを行うことが考えられるが、このオーバーエッチ
ングにより配線パターンの配線幅が狭くなり、断線の可
能性が生じる欠点がある。

従って微細パターンを形成する場合には、オーバーエッ
チングを採用することができないものとなる。

本発明は、半導体基板上に形成する配線パターンを微細
化した場合でも、配線間の分離を完全にすることができ
るパターン形成法を提供することを目的とするものであ
る。

以下実施例について詳細に説明する。

第３図、第４図及び第５図は本発明の実施例の工程説明
図であり、第１図及び第２図について説明したように、
半導体基板１上に配線パターンを形成した後、第３図に
示すように、全面に絶縁層６を形成する。

即ち、配線パターンの配線２１，２２間にはひげ状部分
５が残存しているが、その上に絶縁層６を公知の方法で
形成するものである。

この絶縁層６は配線パターンとの密着性が良い燐珪酸ガ
ラス（ＰＳＧ）等を用いることができるものである。

この絶縁層６の厚さは比較的薄くすることができる。

次に絶縁層６上にホトレジストを塗布し、第１図につい
て説明した場合と同じ配線パターンマスクを用いて露光
し、ホトレジストのマスクを形成し、絶縁層６をその材
料に対応したエッチング液でエッチングして配線パター
ン上に絶縁層パターンを形成し、その後ホトレジストの
パターンを除去する。

それにより第４図に示す状態となる。この絶縁層６のエ
ッチングにより７で示す部分が除去されて配線２１，２
２間のひげ状部分５が露出する。

この場合ホトレジストによるマスクにひげ状部分が生じ
ても、絶縁層６をオーバーエッチングすることができる
ので（絶縁層６のエッチング液と配線層２のエッチング
液とは異なることによる）配線間のひげ状部分５を完全
に露出させることができる。

次に絶縁層パターンをマスクとして、配線パターンを形
成するときと同一の公知のエッチング液によりエッチン
グすることにより、ひげ状部分５を完全に除去すること
ができる。

この場合絶縁層パターンは配線パターンとの密着性が良
いので、それらの間にエッチング液が浸透することがな
く、オーバーエッチングの状態とはならない。

従って第５図に示すように、配線間の半導体基板表面８
を露出させることができ、配線２１，２２間を確実に分
離することができる。

以上説明したように、本発明は、半導体基板上に形成し
た配線パターンの配線間にひげ状部分５が残存していて
も、ＰＳＧ等の絶縁層パターンを形成し、それをマスク
として配線間のひげ状部分をエッチングにより除去し、
配線間を確実に分離することができるものであり、絶縁
層６の代りにホトレジストを用いたとすると、配線パタ
ーンとの密着性が悪いので、ひげ状部分５を除去するエ
ッチングを行ったとき、エッチング液が配線パターンと
ホトレジストとの間に浸透してオーバーエッチングと同
様な状態となり、配線幅が狭くなるが、配線パターンと
密着性の良いＰＳＧ等の絶縁層を用いることにより、こ
のような問題は生じないものとなる。

又絶縁層６をエッチングしたとき、配線２１，２１間に
一部が残存しても、絶縁物であるから、配線間の分離に
は問題でなくなる。

従って配線間を確実に分離することができるから、配線
間隔を狭くすることができ、微細パターンの形成が容易
となり、ＬＳＩの集積度を向上することができる利点が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は配線パターン形成工程の説明図、第２図は配線
間のひげ状部分の説明図、第３図乃至第５図は本発明の
実施例の工程説明図である。 １は半導体基板、２は配線層、２１，２２は配線、３は
ホトレジスト、４は配線パターンマスク、５はひげ状部
分、６は絶縁層である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体基板上に配線パターンマスクに従った配線パ
   ターンを形成するパターン形成法に於て、前記配線パタ
   ーンを前記半導体基板上に形成した後、全面に前記配線
   パターンとの密着性の良い絶縁層を形成し、該絶縁層を
   前記配線パターンと同一のパターンにエッチングして、
   前記配線ハターンの配線間に生じるひげ状部分を露出さ
   せ、前記絶縁層をマスクとして前記ひげ状部分をエッチ
   ングして除去する工程を含むことを特徴とするパターン
   形成法。