JPS628941B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS628941B2 JPS628941B2 JP53101085A JP10108578A JPS628941B2 JP S628941 B2 JPS628941 B2 JP S628941B2 JP 53101085 A JP53101085 A JP 53101085A JP 10108578 A JP10108578 A JP 10108578A JP S628941 B2 JPS628941 B2 JP S628941B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- forming
- photosensitive resin
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、凹凸を
有する半導体基板上に短絡および断線がなく、半
導体基板とのコンタクト不良がなく、かつ信頼性
のよい導体層の形成方法を提供するものである。
有する半導体基板上に短絡および断線がなく、半
導体基板とのコンタクト不良がなく、かつ信頼性
のよい導体層の形成方法を提供するものである。
従来、凹凸を有する基板上にアルミニウムなど
の導体層を形成するとき、導体層を形成後、感光
性樹脂膜などの食刻マスクを形成し、しかる後、
導体層を食刻した。かかる方法では基板の段部で
導体層が断線しやすく、また導体層間隔が微細に
なつてくると、導体層間の短絡が発生しやすいと
いう欠点があつた。
の導体層を形成するとき、導体層を形成後、感光
性樹脂膜などの食刻マスクを形成し、しかる後、
導体層を食刻した。かかる方法では基板の段部で
導体層が断線しやすく、また導体層間隔が微細に
なつてくると、導体層間の短絡が発生しやすいと
いう欠点があつた。
上記欠点を改良する目的で第１図Ａ〜Ｄに示す
方法が提案されている。すなわち、第１図Ａに示
すように、半導体基板１上に開孔部を有する二酸
化硅素膜などの絶縁物膜２を形成し、この開孔部
を介して形成した不純物拡散領域３に導体層を接
続する場合、通常の写真食刻法により、感光性樹
脂膜４で第１のパターンを形成する（第１図
Ｂ）。次に前面に蒸着法等により、アルミニウム
などの導体層６を形成し、前記第１のパターンの
反転パターンを有する感光性樹脂膜７を形成する
（同図Ｃ）。その後、公知の食刻法で露出した導体
層６を食刻した後、前記感光性樹脂膜４および６
をすべて除去し、導体配線層８を形成する。
方法が提案されている。すなわち、第１図Ａに示
すように、半導体基板１上に開孔部を有する二酸
化硅素膜などの絶縁物膜２を形成し、この開孔部
を介して形成した不純物拡散領域３に導体層を接
続する場合、通常の写真食刻法により、感光性樹
脂膜４で第１のパターンを形成する（第１図
Ｂ）。次に前面に蒸着法等により、アルミニウム
などの導体層６を形成し、前記第１のパターンの
反転パターンを有する感光性樹脂膜７を形成する
（同図Ｃ）。その後、公知の食刻法で露出した導体
層６を食刻した後、前記感光性樹脂膜４および６
をすべて除去し、導体配線層８を形成する。
かかる方法では、半導体基板１の散散層３と導
体層８の接続部３は、感光性樹脂膜４および感光
性樹脂膜の現像液などで汚染され、また、導体層
形成時の温度上昇により、感光性樹脂膜中の不純
物により生じる残さ５（第１図Ｂ）が生じやす
く、前記残さ５が絶縁物膜２と半導体の界面に侵
入し、信頼性を低下させるという欠点があつた。
特に第２図に示すように導体層９を絶縁物膜２の
開孔部全面に形成しない場合半導体基板１の露出
領域１０は導体層９の形成時も第１のパターンを
有する感光性樹脂膜４で覆われている為、導体層
形成時温度が上昇すれば感光性樹脂膜の不純物お
よび溶媒などが半導体表面に侵入しやすく、ま
た、残さも残りやすくなり、信頼性を悪くすると
いう欠点があつた。
体層８の接続部３は、感光性樹脂膜４および感光
性樹脂膜の現像液などで汚染され、また、導体層
形成時の温度上昇により、感光性樹脂膜中の不純
物により生じる残さ５（第１図Ｂ）が生じやす
く、前記残さ５が絶縁物膜２と半導体の界面に侵
入し、信頼性を低下させるという欠点があつた。
特に第２図に示すように導体層９を絶縁物膜２の
開孔部全面に形成しない場合半導体基板１の露出
領域１０は導体層９の形成時も第１のパターンを
有する感光性樹脂膜４で覆われている為、導体層
形成時温度が上昇すれば感光性樹脂膜の不純物お
よび溶媒などが半導体表面に侵入しやすく、ま
た、残さも残りやすくなり、信頼性を悪くすると
いう欠点があつた。
また、導体層形成は感光性樹脂膜が変形しない
程度の温度で行なう必要があり、導体層の形成条
件が限定されるという欠点があつた。
程度の温度で行なう必要があり、導体層の形成条
件が限定されるという欠点があつた。
本発明は上記欠点をなくすもので、導体層との
接続部が汚染されない製造方法を提供するもので
ある。以下本発明を第３図Ａ〜Ｄに示す実施例に
基いて説明する。
接続部が汚染されない製造方法を提供するもので
ある。以下本発明を第３図Ａ〜Ｄに示す実施例に
基いて説明する。
まず、開孔部を有する二酸化硅素膜などの絶縁
物膜１２を形成した半導体基板１１上に、前記絶
縁物膜１２より食刻速度が速いリンガラス層、あ
るいは選択的に食刻可能な窒化硅素膜などの第１
の絶縁物膜１４を第１のスペーサとして全面に形
成した後、二酸化硅素膜などの第２の絶縁物膜１
５を第２のスペーサとして形成する。通常の写真
食刻法により、第２の絶縁膜１５に第１のパター
ン１５を形成した後、写真食刻法に用いた感光性
樹脂膜を除去する（第３図Ａ）。次に、前記第２
のスペーサ１５をマスクとして、第１のスペーサ
１４を食刻し、半導体基板１１を露出する（第３
図Ｂ）。蒸着法、スパツタリング法などにより全
面にアルミニウムなどの導体膜１７を形成する。
次に通常の写真食刻法により、前記第１のパター
ンの反転パターンを有する感光性樹脂膜などの食
刻マスク１８を形成する（第３図Ｃ）。次に導体
膜１７の露出部を食刻した後、感光性樹脂膜１８
を除去し、導体膜パターン１９を形成する（第３
図Ｄ）。導体膜１９間にある第１および第２のス
ペーサ１４，１５は残したままにしておく。導体
膜１９上にさらに他の絶縁物膜、導体膜などを形
成して、多層配線を形成する場合は、前記スペサ
の絶縁物膜１４，１５の合わせた膜厚を導体膜１
９と同じ膜厚にしておけば表面が平坦になり形成
が容易である。
物膜１２を形成した半導体基板１１上に、前記絶
縁物膜１２より食刻速度が速いリンガラス層、あ
るいは選択的に食刻可能な窒化硅素膜などの第１
の絶縁物膜１４を第１のスペーサとして全面に形
成した後、二酸化硅素膜などの第２の絶縁物膜１
５を第２のスペーサとして形成する。通常の写真
食刻法により、第２の絶縁膜１５に第１のパター
ン１５を形成した後、写真食刻法に用いた感光性
樹脂膜を除去する（第３図Ａ）。次に、前記第２
のスペーサ１５をマスクとして、第１のスペーサ
１４を食刻し、半導体基板１１を露出する（第３
図Ｂ）。蒸着法、スパツタリング法などにより全
面にアルミニウムなどの導体膜１７を形成する。
次に通常の写真食刻法により、前記第１のパター
ンの反転パターンを有する感光性樹脂膜などの食
刻マスク１８を形成する（第３図Ｃ）。次に導体
膜１７の露出部を食刻した後、感光性樹脂膜１８
を除去し、導体膜パターン１９を形成する（第３
図Ｄ）。導体膜１９間にある第１および第２のス
ペーサ１４，１５は残したままにしておく。導体
膜１９上にさらに他の絶縁物膜、導体膜などを形
成して、多層配線を形成する場合は、前記スペサ
の絶縁物膜１４，１５の合わせた膜厚を導体膜１
９と同じ膜厚にしておけば表面が平坦になり形成
が容易である。
以上の本発明によれば、半導体基板１１は、第
１のパターン１５の形成時に第１のスペーサ１４
で覆われているため、感光性樹脂膜および現像液
などに汚染されることない。また、導体膜形成時
にも、感光性樹脂膜がないため、この樹脂膜を変
形させないような形成条件に制限がなく、基板を
高温にしても半導体基板１１の露出部が汚染され
ることはなく、信頼性のよい半導体装置が得られ
る。導体膜形成前に導体膜間にスペーサとして第
１および第２の膜１２，１４を形成しておくの
で、導体膜間のシヨートがない。また、前記スペ
ーサにより導体膜１７に凸部２０が形成され、そ
の部分のみ食刻により除去できるため、基板の凹
凸に関係なく断線のないパターンが歩留りよく形
成される。
１のパターン１５の形成時に第１のスペーサ１４
で覆われているため、感光性樹脂膜および現像液
などに汚染されることない。また、導体膜形成時
にも、感光性樹脂膜がないため、この樹脂膜を変
形させないような形成条件に制限がなく、基板を
高温にしても半導体基板１１の露出部が汚染され
ることはなく、信頼性のよい半導体装置が得られ
る。導体膜形成前に導体膜間にスペーサとして第
１および第２の膜１２，１４を形成しておくの
で、導体膜間のシヨートがない。また、前記スペ
ーサにより導体膜１７に凸部２０が形成され、そ
の部分のみ食刻により除去できるため、基板の凹
凸に関係なく断線のないパターンが歩留りよく形
成される。
第１図Ａ〜Ｄおよび第２図は従来例を説明する
ための工程図、第３図Ａ〜Ｄは本発明の一実施例
を説明するための構造断面図である。 １１……半導体基板、１２……絶縁物膜、１３
……不純物拡散領域、１４，１５……第１、第２
の絶縁物膜、１７……導体層。
ための工程図、第３図Ａ〜Ｄは本発明の一実施例
を説明するための構造断面図である。 １１……半導体基板、１２……絶縁物膜、１３
……不純物拡散領域、１４，１５……第１、第２
の絶縁物膜、１７……導体層。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に開孔部を有する絶縁物膜を形
成する工程と、前記半導体基板上に第１の絶縁物
膜を形成する工程と、前記第１の絶縁物膜上に第
１のパターンを有する第２の絶縁物膜を形成する
工程と第１のパターンを有する前記第２の絶縁物
膜の形成に用いた感光性樹脂膜を除去する工程
と、前記第２の絶縁物膜を食刻マスクとして前記
第１の絶縁物膜を食刻する工程と前記半導体基板
全面に導体層を形成する工程と前記導体層を前記
第１のパターンの反転パターンを有する食刻マス
クを用いて選択的に食刻形成する工程とを備え、
前記導体層パターン間に前記第１と第２の絶縁物
膜を残したことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108578A JPS5527661A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108578A JPS5527661A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Method of manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5527661A JPS5527661A (en) | 1980-02-27 |
| JPS628941B2 true JPS628941B2 (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=14291251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10108578A Granted JPS5527661A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Method of manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5527661A (ja) |
-
1978
- 1978-08-18 JP JP10108578A patent/JPS5527661A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5527661A (en) | 1980-02-27 |
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