JPS588149B2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents
ハンドウタイソウチInfo
- Publication number
- JPS588149B2 JPS588149B2 JP48103995A JP10399573A JPS588149B2 JP S588149 B2 JPS588149 B2 JP S588149B2 JP 48103995 A JP48103995 A JP 48103995A JP 10399573 A JP10399573 A JP 10399573A JP S588149 B2 JPS588149 B2 JP S588149B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- conductivity type
- semiconductor layer
- type semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＰＮ接合端が主表面上に露出する型の半導体装
置において、その主表面と支持体との接続構造に関する
ものである。
置において、その主表面と支持体との接続構造に関する
ものである。
このような半導体装置において、半導体素子の主表面と
支持体とを接続する方法には、従来大別して二つの方法
がある。
支持体とを接続する方法には、従来大別して二つの方法
がある。
まず第１の方法について例を挙げ、図面を参照して説明
する。
する。
第１図の半導体装置は、トライアツクの断面図を示すも
のであって、１はＮ形シリコン基板、２および３はＰ層
、４はＮ形ゲート層、５はＮ形第１アノード層、６はＮ
形第２アノード層である。
のであって、１はＮ形シリコン基板、２および３はＰ層
、４はＮ形ゲート層、５はＮ形第１アノード層、６はＮ
形第２アノード層である。
そして３のＰ層と６の第２アノード層が露出する主表面
と支持体１３とを接続するには、シリコンと半田とは接
着しないため、前記主表面に蒸着等の方法で電極金属１
１を付着させ、その後半田１２により電極金属１１と支
持体１３とを低温の熱処理で接着する。
と支持体１３とを接続するには、シリコンと半田とは接
着しないため、前記主表面に蒸着等の方法で電極金属１
１を付着させ、その後半田１２により電極金属１１と支
持体１３とを低温の熱処理で接着する。
従ってこの場合の接続個所の断面構造は、半導体素子−
金属電極−半田−支持体の形となる。
金属電極−半田−支持体の形となる。
次に第２の方法としては、半導体素子と支持体との間に
半導体合金が存在する様にして接続する方法である。
半導体合金が存在する様にして接続する方法である。
この場合、例えば半導体合金として金シリコンを例にと
ると、断面構造は、半導体素子（シリコン）−金シリコ
ン−金−支持体、という断面構造となる。
ると、断面構造は、半導体素子（シリコン）−金シリコ
ン−金−支持体、という断面構造となる。
さてこの両者を比較すると、前者は後者に比して低温熱
処理で半導体素子と支持体との接続が可能であり、更に
半導体素子の接続面にＰＮ接合端が露出していても、こ
の接合端部が破壊されることなく、半導体装置の機能は
損われない利点がある。
処理で半導体素子と支持体との接続が可能であり、更に
半導体素子の接続面にＰＮ接合端が露出していても、こ
の接合端部が破壊されることなく、半導体装置の機能は
損われない利点がある。
しかし第１図の様な半導体素子はシリコンと半田とは接
着しないため接続面に電極金属１１を設けねばならず、
製造上不利な面があり、このような点を無視することは
出来ない。
着しないため接続面に電極金属１１を設けねばならず、
製造上不利な面があり、このような点を無視することは
出来ない。
そこで先に述べた第２の接続方法を用いれば第１図の電
極金属１１は必要がなくなる。
極金属１１は必要がなくなる。
しかしこの場合第１図の半導体素子において電極金属１
１を欠いたままの状態のものを第２の接続方法で接続す
るとＰＮ接合７を破壊してしまい、半導体素子の電気的
特性として悪影響を受ける。
１を欠いたままの状態のものを第２の接続方法で接続す
るとＰＮ接合７を破壊してしまい、半導体素子の電気的
特性として悪影響を受ける。
この欠点を排除することを目的としてなされたものが本
発明にかかる半導体装置の構造であって、本発明はこの
欠点を排除するとともに第２の接続方法の採用を可能と
したものである。
発明にかかる半導体装置の構造であって、本発明はこの
欠点を排除するとともに第２の接続方法の採用を可能と
したものである。
以下本発明を実施例について詳細に説明する。
第２図は本発明の実施例の断面図であるが、半導体素子
自体のおおよその構造は従来例を示す第１図とほぼ同様
であるのでその説明は省略する。
自体のおおよその構造は従来例を示す第１図とほぼ同様
であるのでその説明は省略する。
ただ第２図が第１図と相異する点以降について説明する
。
。
さて、第１図と同じ素子を製作した後、素子の下部の平
坦な主表面に露出しているＰＮ接合の端部７の部分をメ
サ形にエッチングし、このエッチング溝に絶縁被膜１４
を被覆する。
坦な主表面に露出しているＰＮ接合の端部７の部分をメ
サ形にエッチングし、このエッチング溝に絶縁被膜１４
を被覆する。
次いで支持体１３との接続に移るが、この際二つの方法
がある。
がある。
一つの方法はコバールまたは鉄ニッケル合金からなる支
持体１３の表面に金メッキまたはニッケルメッキを施し
、この支持体１３と半導体素子との間に例えば厚さ５０
μの金片１６を介在させた状態で高温加熱を行なう方法
である。
持体１３の表面に金メッキまたはニッケルメッキを施し
、この支持体１３と半導体素子との間に例えば厚さ５０
μの金片１６を介在させた状態で高温加熱を行なう方法
である。
他の方法は前記と同一の支持体１３の表面に比較的厚目
例えば厚さ５μの金メッキを施し、この上に直接半導体
素子を載せて高温加熱を行なう。
例えば厚さ５μの金メッキを施し、この上に直接半導体
素子を載せて高温加熱を行なう。
上記の二つの方法は、いずれも金シリコンの共晶融点で
ある３７０℃より幾分高目の３８０℃〜４００℃の高温
で加熱処理を行なう。
ある３７０℃より幾分高目の３８０℃〜４００℃の高温
で加熱処理を行なう。
この処理工程によって、第２図の金層１６と半導体素子
との間に金シリコンの共晶の層１５が生成され、半導体
素子との持体とは強固に固着するに到る。
との間に金シリコンの共晶の層１５が生成され、半導体
素子との持体とは強固に固着するに到る。
しかも、この際ＰＮ接合の端部７は絶縁被膜１４にて保
護されているので、端部７は熱によって破壊されること
なく、電気的特性もなんら影響を受けることはない。
護されているので、端部７は熱によって破壊されること
なく、電気的特性もなんら影響を受けることはない。
以上の本発明の説明においては、トライアツクの場合を
例にとって説明したが、本発明の構造は半導体主表面に
ＰＮ接合端が露出しており、この主表面に支持体を接続
する形態の任意の半導体装置に有効に適用できることは
いうまでもない。
例にとって説明したが、本発明の構造は半導体主表面に
ＰＮ接合端が露出しており、この主表面に支持体を接続
する形態の任意の半導体装置に有効に適用できることは
いうまでもない。
第１図は従来の実施例の半導体装置の断面図、第２図は
本発明の実施例の半導体装置の断面図を示す。 なお図面において、１はＮ形基板、２および３はＰ層、
４はＮ形ゲート層、５はＮ形第１アノード層、６はＮ形
第２アノード層、７はＰＮ接合端部、８はバツシベーシ
ョン層、９は電極、１０はリード線、１１は電極、１２
は半田、１３は支持体、１４は絶縁被膜、１５は金シリ
コン層、１６は金層である。
本発明の実施例の半導体装置の断面図を示す。 なお図面において、１はＮ形基板、２および３はＰ層、
４はＮ形ゲート層、５はＮ形第１アノード層、６はＮ形
第２アノード層、７はＰＮ接合端部、８はバツシベーシ
ョン層、９は電極、１０はリード線、１１は電極、１２
は半田、１３は支持体、１４は絶縁被膜、１５は金シリ
コン層、１６は金層である。
Claims (1)
- １ 半導体基板の一主表面から一定の深さに形式された
第１導電型半導体層と、該第１導電型半導体層内に前記
一主表面から該第１導電型半導体層より浅く選択的に形
成された逆導電型領域とを有する半導体装置において、
前記第１導電型半導体層と前記逆導電型領域との主たる
接合面が前記一主表面に実質的に平行に形成され、前記
一主表面に露出した前記第１導電型半導体層と前記逆導
電型領域との接合端部に、前記一主表面から前記主たる
接合面までの深さよりも浅いメサ溝が形成され、該メサ
溝内にガラス膜が形成され、前記一主表面に露出した前
記第１導電型半導体層と前記逆導電型領域とが半導体合
金を介して支持体に接続されていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48103995A JPS588149B2 (ja) | 1973-09-13 | 1973-09-13 | ハンドウタイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48103995A JPS588149B2 (ja) | 1973-09-13 | 1973-09-13 | ハンドウタイソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5056186A JPS5056186A (ja) | 1975-05-16 |
| JPS588149B2 true JPS588149B2 (ja) | 1983-02-14 |
Family
ID=14368865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48103995A Expired JPS588149B2 (ja) | 1973-09-13 | 1973-09-13 | ハンドウタイソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588149B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3123750A (en) * | 1961-10-31 | 1964-03-03 | Multiple junction semiconductor device |
-
1973
- 1973-09-13 JP JP48103995A patent/JPS588149B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5056186A (ja) | 1975-05-16 |
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