JPS5882580A - 光導電素子 - Google Patents
光導電素子Info
- Publication number
- JPS5882580A JPS5882580A JP56180805A JP18080581A JPS5882580A JP S5882580 A JPS5882580 A JP S5882580A JP 56180805 A JP56180805 A JP 56180805A JP 18080581 A JP18080581 A JP 18080581A JP S5882580 A JPS5882580 A JP S5882580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive
- protective film
- layer
- photoconductive layer
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電層の表面を合成樹脂にて被覆保護して
成る光導電素子に関する。
成る光導電素子に関する。
一般に、ＣｄＳ 、 ＣｄＳｅ系め光導電素子は、セラ
ミック等からなる基板上に、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の光導
電物質を焼結させて光導電層を形成し、これにｌｎ等の
オーミック金属にて対向電極を設けて構成される。この
種の光導電素子は、酸素に極めて敏感で、酸素の吸着・
脱離によって抵抗値！！１１大幅に変化するが、これは
、光導電素子の抵抗温度質イヒを打消す方向に作用する
ので、素子の特性を所定範ｉ！ＩＫ設定するための手段
として利用されている。
ミック等からなる基板上に、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の光導
電物質を焼結させて光導電層を形成し、これにｌｎ等の
オーミック金属にて対向電極を設けて構成される。この
種の光導電素子は、酸素に極めて敏感で、酸素の吸着・
脱離によって抵抗値！！１１大幅に変化するが、これは
、光導電素子の抵抗温度質イヒを打消す方向に作用する
ので、素子の特性を所定範ｉ！ＩＫ設定するための手段
として利用されている。
そのため、この種の光導電素子は、光導電層表面を空気
と直接触れる状態にしておくこと力よ特性上望ましい。
と直接触れる状態にしておくこと力よ特性上望ましい。
しかし、光導電層を露出することは、有害物質、特に水
分が付着して特性が大幅に劣イヒしたり、父、光導電層
が機械的損傷を受は比シするため、実用上問題がある。
分が付着して特性が大幅に劣イヒしたり、父、光導電層
が機械的損傷を受は比シするため、実用上問題がある。
そこで、通常、光導電素子は、光導電面を合成樹脂にて
被覆保験している。
被覆保験している。
従来、この種の合成樹脂被覆の光導電素子としては、耐
湿性、表面の機械的強度等の関係から、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂等を被覆したものが一般的である。し
かし、従来、光導電層の被覆に使用されている樹脂は、
その熱膨張係数が光導電層及びセラミック基板に比し非
常に大きく（１０倍程度）、温度費化により素子にスト
レスがかかるため、抵抗温度係数の増大、高温保存によ
る劣化が大きくなり、又、ハンダ付時の熱ストレスによ
る劣化など、素子の特性に大きな影響を与える欠点があ
つ九。父、エポキシ樹脂尋の熱硬化樹脂を使用した場合
、これらには硬化剤として有害アミン類が含まれている
と共に１重合開始時に有極性ガスを発生するため、光導
電素子の特性を大きく変動させるという欠点があった。
湿性、表面の機械的強度等の関係から、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂等を被覆したものが一般的である。し
かし、従来、光導電層の被覆に使用されている樹脂は、
その熱膨張係数が光導電層及びセラミック基板に比し非
常に大きく（１０倍程度）、温度費化により素子にスト
レスがかかるため、抵抗温度係数の増大、高温保存によ
る劣化が大きくなり、又、ハンダ付時の熱ストレスによ
る劣化など、素子の特性に大きな影響を与える欠点があ
つ九。父、エポキシ樹脂尋の熱硬化樹脂を使用した場合
、これらには硬化剤として有害アミン類が含まれている
と共に１重合開始時に有極性ガスを発生するため、光導
電素子の特性を大きく変動させるという欠点があった。
更に、従来の樹脂被覆は、望ましい酸素の吸着・脱離を
も妨げるため、これらＫよる温度特性の補償作用を弱め
るという欠点もあった。
も妨げるため、これらＫよる温度特性の補償作用を弱め
るという欠点もあった。
本発明は、斯かる欠点に鑑みてなされたもので、光導電
層と保繰膜との間にゴム状の合成樹脂からなる下地層を
介在せしめることによシ、光導電層に対する熱的ストレ
ス、化学的影響を減少すると共に、酸素の吸着・脱離を
妨げないようにして、特性を劣化せしめることなく保護
膜により光導電層表面を横械的損傷、水分等の有害ガス
から保鰻し得るようにした光導電素子を提供することを
目的とする。
層と保繰膜との間にゴム状の合成樹脂からなる下地層を
介在せしめることによシ、光導電層に対する熱的ストレ
ス、化学的影響を減少すると共に、酸素の吸着・脱離を
妨げないようにして、特性を劣化せしめることなく保護
膜により光導電層表面を横械的損傷、水分等の有害ガス
から保鰻し得るようにした光導電素子を提供することを
目的とする。
即ち、本発明は、斯かる目的を達成すべく、光導電層の
表面に合成樹脂にて保護膜を複機形成してなる光導電素
子において、光導電層の表面と保護膜との間に、該保護
膜を構成する樹脂とは相溶しないゴム状の合成樹脂から
なる下地層を介在せしめて構成される。
表面に合成樹脂にて保護膜を複機形成してなる光導電素
子において、光導電層の表面と保護膜との間に、該保護
膜を構成する樹脂とは相溶しないゴム状の合成樹脂から
なる下地層を介在せしめて構成される。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明光導電素子の一実施例を示す断面図であ
る。同図に示す光導電素子は、セラミック等の基板１上
に光導電層２及び電極３．３を形成し、これらの上に下
地層４及び保護膜５を被着形成して成るものである。
る。同図に示す光導電素子は、セラミック等の基板１上
に光導電層２及び電極３．３を形成し、これらの上に下
地層４及び保護膜５を被着形成して成るものである。
光導電層２Ｆｉ、光照射により抵抗値を減少するＣｄＳ
、 ＣｄＳｅ等の光導電物質を、焼結、真空蒸着等の
公知の手段にて基板１上に被着して形成される。
、 ＣｄＳｅ等の光導電物質を、焼結、真空蒸着等の
公知の手段にて基板１上に被着して形成される。
この光導電層２上に、これとオーミック接触するＩｎ等
の金属にて対向電極３，３が形成しである。
の金属にて対向電極３，３が形成しである。
この電極３，３に適当なリード線（図示せず）を接続し
て受光素子を構成する。
て受光素子を構成する。
上記下地層４は、分子構造が長鎖状となったゴム状の合
成樹脂、例えばフッ素ゴム塗料を光導電層２上（電極３
上を含む。）に数ミクロン程度塗布して硬化せしめて形
成される。ゴム状の合成樹脂を用いるのは、保護膜５と
基板１及び光導電層２との熱膨張係数の相違によるスト
レスを吸収できることによる。
成樹脂、例えばフッ素ゴム塗料を光導電層２上（電極３
上を含む。）に数ミクロン程度塗布して硬化せしめて形
成される。ゴム状の合成樹脂を用いるのは、保護膜５と
基板１及び光導電層２との熱膨張係数の相違によるスト
レスを吸収できることによる。
下地層４に用゛いる樹脂は、保−膜５を形成する合成樹
脂と相溶せず、父、ＣｄＳ等の光導電物質と反応せず、
しかも、硬化時に有害ガスを発生しないものを選択する
。相溶する樹脂は、保１！ｊ１５を構成する樹脂の影響
を光導電１９１２に及ぼすことになるため適当でない。
脂と相溶せず、父、ＣｄＳ等の光導電物質と反応せず、
しかも、硬化時に有害ガスを発生しないものを選択する
。相溶する樹脂は、保１！ｊ１５を構成する樹脂の影響
を光導電１９１２に及ぼすことになるため適当でない。
本発明者の実験によれば、上述したフッ素ゴムの外、シ
リコンゴムがこの条件を満すことを確認した。勿論、こ
の条件を満すものであれば、他のゴム状合成樹脂も使用
できる。
リコンゴムがこの条件を満すことを確認した。勿論、こ
の条件を満すものであれば、他のゴム状合成樹脂も使用
できる。
父、下地層４に用いる樹脂は、保護膜５と密着性のよい
亀のが望ましい。密着性が悪いと、塗布が容易でなく、
父、温度サイクルにより保護膜が剥離することがある。
亀のが望ましい。密着性が悪いと、塗布が容易でなく、
父、温度サイクルにより保護膜が剥離することがある。
この点では、保護膜５としてエポキシ樹脂、ポリエステ
ル樹脂を用いる場合、シリコンゴムよりフッ素ゴムが優
れている。
ル樹脂を用いる場合、シリコンゴムよりフッ素ゴムが優
れている。
下地層４の塗布範囲は、少なくとも保護膜５と接する光
導電層４０表表面体についてであるが、本実施例では、
基板１の側面まで塗布している。
導電層４０表表面体についてであるが、本実施例では、
基板１の側面まで塗布している。
これは、強固に被着せしめるためである。塗布厚さは、
上述したように数ミクロン程度でよい。膜厚が厚くなっ
ても、保護膜５の影響に対する効果は、それ程大きくな
らず、逆に、機械的強度が弱くなるおそれがある。
上述したように数ミクロン程度でよい。膜厚が厚くなっ
ても、保護膜５の影響に対する効果は、それ程大きくな
らず、逆に、機械的強度が弱くなるおそれがある。
保護膜５は、上記下地層４上に被着形成され、機械的損
傷、有害ガスの侵入を防ぐ。二層構造としたのは、上記
下地層４のみでは、皺下地層４がゴム状であるため機械
的に弱いこと、父、用いられる樹脂によっては耐湿性が
十分でないことによる。保護膜５としては、硬化後の硬
度が下地層４の樹脂より大きく、透湿性の小さい樹脂を
使用する。例えば、上述したポリエステル樹脂、エポキ
シ樹脂を用いる。
傷、有害ガスの侵入を防ぐ。二層構造としたのは、上記
下地層４のみでは、皺下地層４がゴム状であるため機械
的に弱いこと、父、用いられる樹脂によっては耐湿性が
十分でないことによる。保護膜５としては、硬化後の硬
度が下地層４の樹脂より大きく、透湿性の小さい樹脂を
使用する。例えば、上述したポリエステル樹脂、エポキ
シ樹脂を用いる。
以上説明したように、本発明は、光導電層と保護膜との
間にゴム状の合成樹脂から々る下地層を介在せしめるこ
とにより、光導電層に対する熱的ストレス、化学的影響
を該下地層により吸収又は阻止すると共に、下地層がゴ
ム状であるため光導電層表面に適当な空間を確保できて
光導電層に対する酸累の吸着・脱離を可能とし、光導電
層の特性を劣化せしめることなく、該表面を保護膜によ
り機械的損傷、水分等の有害ガスから保躾し得る効果が
ある。
間にゴム状の合成樹脂から々る下地層を介在せしめるこ
とにより、光導電層に対する熱的ストレス、化学的影響
を該下地層により吸収又は阻止すると共に、下地層がゴ
ム状であるため光導電層表面に適当な空間を確保できて
光導電層に対する酸累の吸着・脱離を可能とし、光導電
層の特性を劣化せしめることなく、該表面を保護膜によ
り機械的損傷、水分等の有害ガスから保躾し得る効果が
ある。
次に、本発明光導電素子と従来品の品質を比較した実験
例を示す。
例を示す。
実験に用い次素子は、基板、形状、光導電物質、焼結条
件、電極、リード線等がすべて同一のものに、本発明素
子では、フッ素ゴＡＩ！ｒ料を数ミクロン塗布して下地
層とし、仁の上にエポキシ樹脂を数ミク四ン塗布して保
護膜を形成し、一方、従来品では、上記と同じ保護膜を
光導電層上に形成して成るものである。実験値は、（）
内の照度において測定した各資料素子の抵抗値の変化率
である。
件、電極、リード線等がすべて同一のものに、本発明素
子では、フッ素ゴＡＩ！ｒ料を数ミクロン塗布して下地
層とし、仁の上にエポキシ樹脂を数ミク四ン塗布して保
護膜を形成し、一方、従来品では、上記と同じ保護膜を
光導電層上に形成して成るものである。実験値は、（）
内の照度において測定した各資料素子の抵抗値の変化率
である。
２０℃と−１０℃トノ感度比較 （、、Ｘ）−６０１
！ −２５％２０℃と５０℃との感度比較 （、、、
Ｘ） ＜ｒ＊ ２０％７０℃２４時間保存による
劣化 （ヤ、ユ）−２２５６−１５チ５０℃９５％湿気
中５００時間保存（、、、） −２５１−１５１ハンダ
耐熱 （、、Ｘ）１５〜ｓｏｂ ｅｑ６
なお、上記ハンダ耐熱は、リード線の、根本（基板下面
）から３■の位置ＶＣ２７０℃のハンダごてを１０秒間
接触させた場合における抵抗値の変化率を表わす。
！ −２５％２０℃と５０℃との感度比較 （、、、
Ｘ） ＜ｒ＊ ２０％７０℃２４時間保存による
劣化 （ヤ、ユ）−２２５６−１５チ５０℃９５％湿気
中５００時間保存（、、、） −２５１−１５１ハンダ
耐熱 （、、Ｘ）１５〜ｓｏｂ ｅｑ６
なお、上記ハンダ耐熱は、リード線の、根本（基板下面
）から３■の位置ＶＣ２７０℃のハンダごてを１０秒間
接触させた場合における抵抗値の変化率を表わす。
第１図は本発明光導電素子の一実施例を示す断面図であ
る。 １・・・基板 ２・・・光導電層 ３・・・電極
４・・・下地層 ５・・・保題膜 出願人 株式会社 モリリカ 第１図 Ｉ と
る。 １・・・基板 ２・・・光導電層 ３・・・電極
４・・・下地層 ５・・・保題膜 出願人 株式会社 モリリカ 第１図 Ｉ と
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光導電層表面に合成樹脂にて保饅膜を被覆形成してなる
光導電素子において、 上記光導電層の表面と保鏝膜との関に１該保躾膜を構成
する樹脂とは相溶しないゴム状の合成樹脂からなる下地
層を介在せしめて成ることを特徴とする光導電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180805A JPS5882580A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 光導電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180805A JPS5882580A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 光導電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882580A true JPS5882580A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=16089648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180805A Pending JPS5882580A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 光導電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036376A (en) * | 1986-01-31 | 1991-07-30 | Texas Instruments Incorporated | Passivation oxide conversion |
| EP0603903A1 (en) * | 1992-12-24 | 1994-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and information processing apparatus having the same |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56180805A patent/JPS5882580A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036376A (en) * | 1986-01-31 | 1991-07-30 | Texas Instruments Incorporated | Passivation oxide conversion |
| EP0603903A1 (en) * | 1992-12-24 | 1994-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and information processing apparatus having the same |
| US5475211A (en) * | 1992-12-24 | 1995-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and information processing apparatus with resin covering the side of the photosensor substrate |
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