JPS588329A - バイアス回路 - Google Patents

バイアス回路

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Publication number
JPS588329A
JPS588329A JP56105925A JP10592581A JPS588329A JP S588329 A JPS588329 A JP S588329A JP 56105925 A JP56105925 A JP 56105925A JP 10592581 A JP10592581 A JP 10592581A JP S588329 A JPS588329 A JP S588329A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
circuit
trs
reference voltage
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP56105925A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidehiko Aoki
英彦 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP56105925A priority Critical patent/JPS588329A/ja
Publication of JPS588329A publication Critical patent/JPS588329A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 との発明は正負両側の出力を有するバイアス回路の改良
に関する。
従来、オーディオ機器な業む電子機器一般に用いられる
バイアス回路として第1図(m) 、 (b) K示す
ように構成されたものが知られている。すなわち、これ
社いずれも正電源VaCと接゛地GND間に二対のカレ
ントミラーな有してなるもので、正負両側のバイアス出
力として 1m Iout中□ 1 1 ou t’かツ; 1 が得られるものである。但し、それぞれ電流決定用とな
るカレントミラーに使用されるトランジスタQ、 −Q
fの電流増幅率が十分に大きく、ペース電流はコレクタ
電流に対して無視できるノ ものとする。
しかしながら、6)Kよれば各カレントき2− ・の入
力側電fiI、、1・′を小さくしようとすると、それ
を決定する九めの抵抗R・、R・′の値が大きくなって
しまうという点で問題がある。
つまシ、これによりて集積回路化を図ゐ場合にチップサ
イズが大きくなってしまうというと共に、ばらつきが大
きくなってしまうという欠点を生じるからである。
にし得るものの、l・、I・′にアンバランスが生じる
と基準電圧Vr@f源に電流が流れてしまうことにより
て種々の悪影響を及ぼしがちであるという欠点を有して
いた。
そこで、この発明は以上のような点に鎌みてなされたも
ので、基準電圧源に悪影響を及はさないように改良した
極めて良好なる正負両側用のバイアス回路を提供するこ
とを・目的としている。
すなわち、この発明によるバイアス回路は、基準電圧源
にペースが接続されるトランジスタの工tツタ側に抵抗
を介して且つコレクタ側に直接的にそれぞれカレントン
2−構成でなる正側および負IIの電流決定回路を接続
してなる点に特徴を有しているものであシ、集積回路化
にとってもそのチップサイズを可及的に小さくし得る点
で好適なものである。
以下図面を参照してこの発明の実施例につき詳細に説明
する。
すなわち、第1図は一実施例を示すもので、基準電圧v
r、f源にペースが接続され九NPN )ランジスタQ
1はコンク4回路に負側の電流決定回路11が直接的に
接続され且つエミッタ回路に抵抗R,を介して正側の電
流決定回路12が接続されている。
ここで、負側の電流決定回路11は上記トランジスタQ
1のコレクタと正電源V@・との間に直夕)にダイオー
ド接続されたM頃トランジスタQm−Qst有し、且つ
このうち図示下側のトランジスタQIとカレントはラー
接続されたPNP )ランゾスタQ4を有している。こ
のトランジスタQ4はその工室、夕が抵抗R,/を介し
て正電源Vc@<接続され、且つそのコレクタが負側の
・ゞイアスミ流出力Iout’端に接続されている。
また、正側の電流決定回路12は上記抵抗8゜の下端と
接地GNDとの関に直列1c/イオード接続されたNP
N )ランゾスタQseQ−を有し、且つこのうち図示
上側のトランジスタQsとカレント建2−接続されたN
PN ) ?ンジスタQt とを有している。このトラ
ンジスタQ!はそのエミ、りが抵抗R1を介して接地G
NDに接続され、且つそのコレクタが正側のバイアス電
流■・。を出力端に接続される。
而して、以上のような構成は前記第1図(b)のバイア
ス回路を改良した。もので、トランジスタQ1の電流増
幅率が十分に大きいものとすれば峡トランノスタQsの
コレクタ電流■。Iおよびニオツタ電流!。とは となる。
これによりて、トランジスタQ1のペースを介して基準
電圧Vref源に流れ込む電流は実用上無視し得る程度
の非常に微少な値となるので、該基準電圧vrat 6
!j K何んらの悪影響をも及ぼすことがない。
また、この場合抵抗R・の値は第1図(b)の場合よシ
もさらに若干小さくし得るので、それだけ集積回路化を
図る際のチップサイズの小形化ならびにばらつきの低減
化に寄与し得る。
第3図(a) 、 (b)は他の異なる実施例を示すも
ので、(a)は第2図のトランジスタQm*Qsを抵抗
R愈+ R1で置換した場合であシ、伽)はさらに抵抗
R1を省略してトランジスタQyのエン、り面積比(f
flLQnK対する)を変えるようにした場合である。
そして、このような第3図(a) y (b)VCよっ
ても第2図の場合と同様な作用効果を奏することができ
ゐ。
なお、この発明は上記し且つ図示した実施例にのみ限定
されることなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形や適用が可能であることは言う迄もない。
従つて、以上詳述したようにこの発明によれば、基準電
圧源にペースが接続されるトランジスタの工きツタ側に
抵抗を介して且つコレクタ側に直接的にそれぞれカレン
)ミラー構成でなる正側および負側の電流決定回路を接
続することにより、基準電圧源に悪影響を及ぼさないよ
うに改良した極めて良好なる正負両側用のバイアス回路
を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、 Cb) a従来のバイアス回路を示
す構成説明図、第2図はこの発明に係るバイアス回路の
一実施例を示す構成説明図、第3図(1) 、 (b)
は同じく他の異なる実施例を示す構成説明図である。 91〜Q!−トランジスタ、■、。f・・・基準電圧(
源) 、’V11. ””電源、GND ・・・接地、
11゜12−・・電流決定回路、Iout * Iot
lt’ ”” (正負)バイアス電流(出力端)。 第111 (a) (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基準電圧源にペースが接続されたトランジスれぞれカレ
    ントミラー構成をとる第1および第2の電流決定回路と
    を具備し、これら第1および第2の電流決定回路の各曳
    力側から正および負のバイアス電流出力を導出する構成
    としたことを特徴とするバイアス回路。
JP56105925A 1981-07-07 1981-07-07 バイアス回路 Pending JPS588329A (ja)

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JP56105925A JPS588329A (ja) 1981-07-07 1981-07-07 バイアス回路

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JP56105925A JPS588329A (ja) 1981-07-07 1981-07-07 バイアス回路

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JPS588329A true JPS588329A (ja) 1983-01-18

Family

ID=14420429

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JP56105925A Pending JPS588329A (ja) 1981-07-07 1981-07-07 バイアス回路

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